Field-effect Transistors (Fet)

download Field-effect Transistors (Fet)

of 12

  • date post

    16-Jul-2015
  • Category

    Documents

  • view

    84
  • download

    1

Embed Size (px)

Transcript of Field-effect Transistors (Fet)

FIELD-EFFECT TRANSISTORS (FET)

FETFET merupakan salah satu conton dari transistor yang mempunyai satu kutub (unipolar) .

Jenis-jenis JFET MOSFET

Bipolar Vs JFET

Bilopar Emitter Basis Kolektor

JFET Source Gate Drain

the junction transistor has the disadvantage of a low input impedance because the base of the transistor is the signal input and the base-emitter diode is forward biased. Another device achieved transistor action with the input diode junction reversed biased, and this device is called a "field effect transistor" or a "junction field effect transistor", JFET Transistor bipolar bagus untuk penguatan tegangan, sedangan JFET bagus untuk impedansi input yang tinggi.

Panjar JFET

-Gate Current Pada transistor bipolar, kita memberikan bias maju pada dioda basis-emiter, tetapi pada JFET selalu diberikan bias mundur pada dioda gate-source. Karena bias mundur, hanya arus balik yang sangat kecil dapat berada pada gate.

IG ! 0

Karena arus yang sangat kecil mengakibatkan impedansi input yang sangat besar . Hal ini merupakan keuntungan yang dipunyai JFET bila dibandingkan dengan transistor bipolar. Field Effect Disebut field effect dikarenakan depletion layer antara masing-masing daerah p. Penghubung antara daerah p dan daerah n mempunyai depletion layer karena difusi elektron bebas dari daerah n ke daerah p. Rekombinasi antara elektron bebas dan hole menciptakan lapisan deplesi .

Pada JFET, yang mengontrol input adalah tegangan gate-to source VGS.

Jika tegangan diberikan pada drain, elektron bebas mulai mengalir dari source ke drain. Elektron ini harus melewati chanel yang sempit antara depletion layer. Lebar dari chanel ditentukan oleh tengangan gate. Hampir semua elektron bebas melewati chanel mengalir ke drain, sehingga:

ID ! IS

Kurva Drain

-Tegangan minimun VP disebut pinchoff voltage. -Tegangan maksimum VDS(max) disebut breakdown voltage. -Antara pinchoff dan breakdown, JFET seakan-akan seperti sumber arus dengan nilai IDSS.

Tegangan gate-source sebanding dengan negatif dari pinchoff voltage

VGS ( off ) ! VP

Daerah ohmic yaitu daerah dimana terdapat bagian yang hampir vertikal. Jika JFET bekerja pada daerah ohmic, maka JFET berkerja seperti sebuah resistor dengan nilai :

RDS

VP ! I DSS

Kurva Transconductance Grafik arus drain vs tegangan gatesource VGS K ! 1 V GS ( off ) 2

I D ! KI DSSJFET disebut juga piranti square-law

Aproksimasi JFET -JFET ideal - tidak ada daerah breakdown - daerah ohmic diisi oleh kurva drain - semua kurva drain menjadi horizontal pada semua daerah aktif.