TRANSISTORES

TRANSISTOR NPN MMBT2369AL

Conectar un transistor NPN en un circuito amplificador permitirá que una señal de AC (corriente alterna) se amplifique. La cantidad de amplificación puede variar dependiendo de los valores de resistencia de las resistencias eléctricas utilizadas en el circuito. En un circuito de amplificación de Clase A, la amplificación se consigue mediante la aplicación de una señal de CA a la conexión de base de un transistor. La señal amplificada se obtiene al hacer una conexión eléctrica en la conexión del colector.

TRANSISTOR JFET 2N5485

El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados.Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).En el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura.

TRANSISTOR PNP MPQ3906

Un transistor PNP en un radio aumenta la señal relativamente pequeña de una antena, lo que te permite sintonizar emisoras a muchos kilómetros de distancia. Los transistores de los amplificadores de potencia transmiten a los altavoces que requieren grandes cantidades de corriente. En los circuitos de computación, rápidamente intercambian corrientes de encendido y apagado de manera completa. Los transistores también generan señales estables de alta frecuencia utilizadas en radio y televisión.

TRANSISTOR UNIJUNTURA 2N6027

Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR.

TRANSISTOR MOSFET IRF510S

El transistor MOSFET, está basado en la estructura MOS. En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al canal, que también es conocida como la zona de inversión.

Fuentes:

http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/I/R/F/5/IRF510S.shtml

http://www.ehowenespanol.com/definicion-transistor-pnp-info_247918/

http://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-entrada-salida-transistor-npn-sobre_257127/

http://www.unicrom.com/Tut_Caracteristicas_electricas_JFET.asp

http://www.hispavila.com/3ds/atmega/mosfets.html