El Transistor FET

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El transistor FET (Electrnica analgica)Enviado porJos DuchitangaAnuncios GoogleEnsayo motores electricosOnda choque,PI,estatores,Bobinas resistencia,aislamiento,HV-ac/dcwww.sereetronsystems.comProtecciones Para TornosCon gran Superficie de Proteccin y Material Plstico Antichoque.www.repar2.comNovatek CircuitosImpresosPrototipos, series. Entrega urgente . Estamos para servir.www.Novatek.es

1. Abstract2. Introduccin3. Marco terico4. Zona lineal5. Ecuaciones del FET6. Conclusiones7. Recomendaciones8. Referencias9. Anexos AbstractThe JFET is a device unipolar, since in its operation the majority payees intervene only. 2 types of JFET exist: of "channel N" and "of channel P.The physical structure of a JFET (transistorof effect field of union) it consists on a channel of semiconductor type n or p depending on the type of JFET, with contacts ohmics in each end, called source and drean. To the sides of the channel two regions of material semiconductor of different type exist to the channel, connected to each other, forming the door terminal.The channel JFET n this polarized inversely by that that practically any current doesn't enter through the terminal of the door.The channel JFET p, has an inverse structure to that of channel n; being therefore necessary their door polarization also inverse regarding that of channel n.In the symbol of the device, the arrow indicates the sense of direct polarization of the union pn.The current also goes it presents a double dependence the one that is that the drainage current is proportional to the value of you and the width of the channel is proportional to the difference between VGS and VP. As you GO it is limited by the resistance of the channel, as much as adult is VGS - VP, adult will be the width of the channel and bigger the obtained current.For the calculate of the JFET the equation called equation of Shockley it is usedIndex Terms:Transistor FET. 1. abstracto 2. Introduccin 3. Marco Terico 4. Zona lineal 5. Ecuaciones del FET 6. Conclusiones 7. Atencin Recomendaciones 8. referencias 9. anexos Resumen El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento los beneficiarios mayora slo intervienen. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P. La estructura fsica de un JFET (transistor de efecto de campo de unin) que consiste en un canal de semiconductor de tipo n o p en funcin del tipo de JFET, con contactos ohmics en cada extremo, llamado fuente y Drean. A los lados del canal existen dos regiones de material semiconductor de tipo diferente al canal, conectados entre s, formando el terminal de puerta. El canal JFET n esta polarizada inversamente por que prcticamente cualquier corriente que no entra a travs de la terminal de la puerta. El canal JFET p, cuenta con una estructura inversa a la de canal n, siendo por tanto necesaria la polarizacin inversa puerta tambin sobre el de canal n. En el smbolo del dispositivo, la flecha indica el sentido de la polarizacin directa de la unin pn. La corriente tambin va que presenta un doble dependencia de la que es que la corriente de drenaje es proporcional al valor de usted y la anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. A medida que avanza se ve limitada por la resistencia del canal, tanto como adulto es VGS - VP, adulto ser el ancho del canal y ms grande la corriente obtenida. Para el calculo de la JFET la ecuacin llamada ecuacin de Shockley se utiliza Trminos de indexacin: Transistor FET. IntroduccinEl estudio de laelectrnicacontina conel conocimientode lostransistoresJFET. Para el caso de los transistores de efecto de campo ms conocidos como JFET la relacin entre lasvariablesde entrada y salida es no lineal debido a la ecuacin de Shockley.Para elclculode stos se usa elmtodomatemtico, adems tambin se utiliza el mtodo grafico el cual es el ms utilizado.Destacando que la ecuacin mencionada anteriormente es la misma para todas las configuraciones dereddel JFET siempre y cuando el dispositivo se encuentre en la regin activa. La red define el nivel de corriente y voltaje asociado con el punto de operacin mediante su propio conjunto deecuaciones.Este tipo de transistor se lo puede configurar de diferentes formas como son polarizacin con dosfuentes, auto polarizacin; conresistenciade source y sin ella, y polarizacin con dos fuentes. Adems estos transistores FET existen de dos tipos que son de tipo n y p, que en su simbologa se lo reconoce por el signo de la flecha.OBJETIVOS Disear, comprobar, simular y calcular el funcionamiento de los siguientescircuitosde polarizacin con el transistor FET. Polarizacin con dos fuentes. Auto polarizacin: Con resistencia de source. Sin resistencia de source. Polarizacin con divisor de tensin. Polarizacin con fuente doble. Marco terico3.1 EL TRANSISTOR FETEl JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento slo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P".

Figura 1:Smbolosde los transistores JFET, canal N y canal P.Al comparar el JFET con el TBJ se aprecia que el drenaje (D) es anlogo al colector, en tanto que el surtidor (S) es anlogo al emisor. Un tercer contacto, la compuerta (G), es anlogo a la base.Laestructurafsicade un JFET (transistor de efecto campo de unin) consiste en un canal de semiconductor tipo n o p dependiendo del tipo de JFET, con contactos hmicos (no rectificadores) en cada extremo, llamados FUENTE y DRENADOR. A los lados del canal existen dos regiones de material semiconductor de diferente tipo al canal, conectados entre s, formando el terminal de PUERTA. En el caso del JFET de canal N, la unin puerta canal, se encuentra polarizada en inversa, por lo que prcticamente no entra ninguna corriente a travs del terminal de la puerta.El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de canal n; siendo por tanto necesaria su polarizacin de puerta tambin inversa respecto al de canal n. Los JFET se utilizan preferiblemente a los MOSFET en circuitos discretos. En el smbolo del dispositivo, la flecha indica el sentido de polarizacin directa de la unin pn.3.1.1 PRINCIPIO DE OPERACIN DEL JFET (DE CANAL N).En la unin pn, al polarizar en inversa la puerta y el canal, una capa del canal adyacente a la puerta se convierte en no conductora. A esta capa se le llama zona de carga espacial o deplexin. Cuanto mayor es la polarizacin inversa, ms gruesa se hace la zona de deplexin; cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal, se llega al corte del canal. A la tensin necesaria para que la zona de deplexin ocupe todo el canal se le llama tensin puerta-fuente de corte (VGSoff Vto). Esta tensin es negativa en los JFET de canal n.En funcionamiento normal del JFET canal n, D es positivo respecto a S.La corriente va de D a S a travs del canal.Como la resistencia del canal depende de la tensin GS, la corriente de drenador se controla por dicha tensin.

Figura 2:Estados del JFET canal N Zona linealSi en la estructura del transistor de canal n se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje al surtidor, corriente que llamaremos ID. Elvalorde dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones, segn sea VDS grande o pequea en comparacin con VDS.VALORES PEQUEOS DE VOLTAJE VDS.La siguiente figuramuestrala situacin cuando se polariza la unin GS una tensin negativa, mientras que se aplica una tensin menor entre D y S.Por la terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que en una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente ID presenta una doble dependencia: La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS. La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. Como ID est limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP, mayor ser la anchura del canal y mayor la corriente obtenida.Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin: ID = ( VGS - VP )VDSPor lo tanto en la regin lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y VDS.VALORES ALTOS DE VDS.Para Valoresaltos de VDS comparables y superiores a VGS, la situacin cambia con respecto al caso anterior. La resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFet pierde sucomportamientohmico.Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 volts por ejemplo, ste se distribuye a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D, la tensin ser de 5 volts, pero a medio camino circulante la corriente habr reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el terminal S el voltaje ser nulo. Por otra parte, si VGS es negativo (-2 V, por ejemplo), la tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona al no existir ninguna corriente.En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es de 2 V, que corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4.5 V y en D alcanza 7 V. La polarizacin inversa aplicada al canal no es constante por lo que la anchura de la zona de deplecin tampoco lo ser. Cuando VDS es pequea, esta diferencia de anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la variacin en la seccin de conduccin hace que la corriente de drenaje sea unafuncinno lineal de VDS y que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto. Ecuaciones del FETEldesempeodel Transistor de Efecto de Campo (FET) fue propuesto por W. Shockley, en 1952. De ah el nombre que rige la ecuacin de este tipo de transistores; la llamada "ECUACIN DE SHOCKLEY".ID= Corriente de DrenajeIDSS= Corriente de Drenaje de SaturacinVGS= Voltaje Puerta-FuenteVP= Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.Id=Idss1-VGSVp2

Figura 3. Recta de carga3.1.3 CURVAS CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.

Figura 4. Zona de funcionamiento del FETLISTA DEMATERIALES.MaterialesPRECIO

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