Tehnica PLD
-
Upload
dragos-bran -
Category
Documents
-
view
296 -
download
4
description
Transcript of Tehnica PLD
Tehnica de depunere laser pulsata a straturilor subţiri de hidroxiapatita
Laserul este considerat inventia tehnica cea mai raspandita a secolului trecut.
Atat cercetatorii, cat si inginerii si-au intensificat studiile asupra acestui subiect, cu
scopul de a extinde domeniul de aplicabilitate si de a dezvolta noi sisteme laser cu
performante sporite. In acelasi timp, interesul comunitatii stiintifice a fost indreptat si
catre o intelegere mai profunda a mecanismelor si fenomenelor ce apar si se dezvolta
in interactiunea radiatiei laser cu materia.
Tehnica de depunere laser pulsată (Pulsed Laser Deposition, PLD) este larg
folosită în domeniul producerii de straturi subţiri, în particular din materiale şi
combinaţii de materiale care nu pot fi procesate decât cu mari dificultăţi prin alte
metode. Principalul motiv al progresului PLD este acela că materiale cu compoziţie
oricât de complicată se pot transfera pe un substrat fără schimbarea stoichiometriei
(ablaţie congruentă). Se poate asigura controlul stoichiometriei materialului din ţintă
atât în vid cât şi în gaze inerte sau reactive. Se pot obţine uşor multistructuri iar
grosimea straturilor poate fi controlată cu o precizie foarte bună (10-2 – 10-1 nm/puls).
Procesul de creştere al stratului subţire prin metoda PLD se desfăşoară în patru
etape:
1. Acţiunea radiaţiei laser asupra ţintei.
2. Dinamica materialului ablat – expansiunea plasmei.
3. Interacţia materialului ablat cu un substrat (aflat la o temperatură controlabilă).
4. Nucleaţia şi creşterea stratului pe suprafaţa colectorului.
Fiecare etapă este importantă pentru controlarea parametrilor acoperirilor
precum stoichiometria, densitatea, cristalinitatea, uniformitatea şi rugozitatea.
În prima etapă, fascicolul laser este focalizat pe suprafaţa ţintei. Pentru o
valoare suficient de mare a intensităţii laser incidente, toate elementele din ţintă sunt
rapid încălzite peste temperatura lor de evaporare. Această valoare este definită ca prag
de ablaţie. Rata de ablaţie este dependentă de fluenţa laser incidentă pe ţintă.
Mecanismul de ablaţie implică mai multe fenomene fizice precum ciocniri, excitări
electrice şi termice, de exfoliere şi hidrodinamice.
În timpul celei de a doua etape, materialul expulzat se deplasează către substrat
şi se depune pe suprafaţa colectorului. Un rol important în geometria depunerii şi
distribuţia grosimii acesteia îl au mărimea şi forma spotului, cât şi energia speciilor
conţinute în plasmă şi distanţa de separare ţintă-colector.
Energia speciilor din plasmă şi distanţa ţintă-colector (d) sunt parametri
importanţi care determină calitatea acoperirilor. Dacă d nu este suficient de mare
atunci plasma este mult prea energetică şi va produce o distribuţie mare de defecte
chiar distrugerea structurii depuse. Speciile din plasmă care au suficientă energie se
condensează pe suprafaţa substratului producând nucleaţia şi creşterea acoperirii.
Acestea vor depinde de mai mulţi factori: densitatea de energie, gradul de ionizare,
natura materialului condensat, temperatura şi proprietăţile fizico-chimice ale
colectorului. Doi parametri foarte importanţi pentru mecanismul de creştere sunt
temperatura şi supersaturarea Dm. Ei sunt descrişi prin relaţia:
unde: k - constantă Boltzmann;
R – rată de depunere;
Re - valoarea de echilibru la temperatura T.
Cristalinitatea acoperirilor depinde de mobilitatea atomilor. Iniţial, atomii
difuzează în acoperire prin câteva straturi atomice ale acoperirii înainte de a-şi stabili
poziţia în stratul nou format. Temperatura suprafeţei substratului are un rol
determinant în abilitatea de difuzie a atomilor. Temperaturile înalte favorizează
creşterea rapidă a cristalelor în timp ce temperaturile scăzute sau cu supersaturare
crescută pot perturba creşterea cristalelor datorită speciilor prea energetice rezultând
într-o dezordonare crescută sau în structuri amorfe.
În PLD, datorită duratei pulsurilor de ordinul ns, a unei împrăştieri temporal
redusă a materialului ablat ( 10ms) şi a frecvenţei mari de repetiţie a pulsurilor, se
2
pot atinge rate mari de depunere. În consecinţă, o nucleaţie strat cu strat va favoriza
producerea de acoperiri foarte subţiri şi netede.
Datorită posibilităţii variaţiei independente a unui număr mare de parametri,
PLD este o tehnică versatilă de obţinere a straturilor subţiri cu o mare diversitate de
caracteristici morfologice şi structurale. Toţi parametri pot fi controlaţi şi variaţi în
vederea identificării regimului optim de obţinere a structurilor şi a straturilor subţiri.
Principalii parametri de depunere sunt: lungimea de undă, fluenţa, frecvenţa laserului,
durata pulsului, energia, prepararea ţintei, distanţa ţintă-colector, temperatura
substratului, aria spotului laser, geometria de depunere, natura şi presiunea gazului
ambiant în camera de depunere.
Creşterea straturilor subţiri prin PLD are numeroase avantaje faţă de alte
medode:
i) sursa de radiaţie laser este exterioară incintei de depunere oferind un mai
mare grad de flexibilitate în folosirea materialului, în geometria
aranjamentului şi ajustarea parametrilor de depunere;
ii) marea majoritate a materialelor solide pot fi ablate laser;
iii) datorită funcţionării în pulsuri a laserului, rata de creştere a stratului se poate
controla cu un grad mare de precizie;
iv) cantitatea de material ablată din ţintă este localizată numai în volumul
plasmei generate sub acţiunea pulsului laser;
v) sub condiţii optime de depunere, stoichiometria stratului depus coincide cu
cea a ţintei chiar şi pentru materiale foarte complexe şi cu un grad mare de
instabilitate;
vi) energia ridicată a speciilor ablate are ca efect obţinerea unor straturi
aderente;
vii) se pot obţine specii cu stări electronice diferite de cele de echilibru şi faze
noi sau metastabile ale materialului.
În cazul acoperirilor pentru implanturi metalice biomimetice, avantajul utilizării
metodei PLD derivă din capacitatea unică a tehnicii de a controla grosimea stratului
3
depus cu o acurateţe de 10-2 – 10-1 Å/puls şi de a asigura o aderenţă acoperire - substrat
extrem de ridicată.
Dezavantajele tehnicii PLD
Exista si dezavantaje in utilizarea tehnicii PLD. Unele dintre ele sunt de natura
tehnica, altele sunt proprii procesului de ablatie si interactinuii electromagnetice dintre
fotonii incidenti si materie.
- energia cinetica mare a unor specii din plasma determina re-pulverizarea si, mai apoi,
aparitia defectelor in suprafata substratului si in filmul ce creste;
- o distributie neomogena a energiei in profilul fasciculului laser determina un profil
neomogen de energie si o distributie unghiulara a acesteia in plasma laser;
- elementele usoare, cum ar fi, oxigenul sau litiul, au viteze de expansiune si distributii
unghiulare diferite in plasma, in comparatie cu elementele mai grele. Astfel, pentru a
obtine filme cu compozitiile dorite, este nevoie de surse aditionale pentru a suplimenta
aceste elemente, cum ar fi, introducerea in incinta a unui gaz adecvat sau adaptarea
compozitiei tintei;
- datorita energiilor laser foarte mari, din tinta pot fi ejectate particule macroscopice
sau microscopice, ce pot fi daunatoare proprietatilor filmelor sau multistraturilor
obtinute.
Factori raspunzatori de calitatea depunerilor prin PLD
Influenta gazului ambiant
In functie de compozitia si structura filmelor ce se doresc a se obtine prin PLD,
in incinta de vid se poate introduce un gaz, care poate fi activ sau pasiv. Influenta
pasiva a gazului este necesara, in principal, pentru a compensa eventualele pierderi ale
unui element constituent. De exemplu, oxizii depusi tind sa fie deficienti in oxigen. De
obicei, pentru oxizii superconductori, in camera se introduc 10~300 mTorr oxigen.
S-a observat ca introducerea unui gaz modifica dimensiunile particulelor in
stransa concordanta cu variatia presiunii. Pentru a forma particule cu anumite
4
dimensiuni si compozitii, in incinta se introduc gaze inerte sau chimic active. Scaderea
presiunii gazului ambiant are ca efect o micsorare a dimensiunilor si o distributie dupa
dimensiuni limitata.
Efectul introducerii gazului ambiant inert este sporirea cu cresterea presiunii a
numarului de ciocniri intre speciile ejectate din tinta si moleculele gazului.
In vid, nu exista ciocniri intre speciile ejectate, iar particulele se formeaza din
picaturi lichide solidificate, iar speciile in stare de vapori sunt depuse si formeaza un
strat uniform.
Influenta vidului
Calitatea vidului este un factor important in determinarea ratei de depunere.
Impuritatile in stare gazoasa ce s-ar putea afla in incinta de depunere ajung pe filmul
ce creste si vor fi incorporate in acesta.
Cele mai des intalnite impuritati sunt: H2O, CO, CO2, si H2. Pentru a se evita
contaminarea cu impuritati, rata de depunere trebuie sa fie controlata prin presiunea de
depunere.
Influenta lungimii de unda laser
Eficienta absorbtiei puterii laser in tinta este in stransa legatura cu lungimea de
unda folosita. Pentru majoritatea metalelor, coeficientul de absorbtie scade cu scaderea
lungimii de unda. De aceea, adancimea de penetrare a radiatiei laser in material este
mai mare in domeniul UV decat in IR. Pentru alte materiale, dependenta coeficientului
de absorbtie de lungimea de unda este mai complexa din cauza mecanismelor de
absorbtie variate, cum ar fi vibratia retelei, absorbtia purtatorilor liberi, impuritatile sau
tranzitia benzii interzise.
Influenta distantei tinta-substrat
Efectul distantei tinta-substrat este reflectat, in principal, in imprastierea
unghiulara a fluxului ejectat. In functie de pozitia substratului, pot aparea diferite
particularitati. Studii anterioare au aratat ca pozitia optima a colectorului pentru a se
obtine structuri stoichiometrice este determinata de evolutia plasmei. Cele mai bune
5
depuneri (din punct de vedere al stoichiometriei, dar si al uniformitatii si omogenitatii)
se obtin atunci cand lungimea plasmei coincide cu distanta de separare tinta-colector.
Presupunand expansiunea materialului vaporizat ca fiind adiabatica, lungimea plasmei,
Lpl, se poate deduce din formula:
unde: A - factor geometric legat de forma spotului laser pe suprafata tintei;
- - indicele adiabatic al gazului ambiant;
- E0 – energia totala a pulsului laser;
- P – presiunea gazului; iar
- V – volumul initial al plasmei.
Pentru distante de separare tinta – colector mai mari decat Lpl, speciile din
plasma isi pierd energia cinetica prin ciocniri. Astfel, pe colector ajung doar specii
termalizate ce vor produce in final modificari ale structurii cristaline si ale compozitiei
substantei depuse. In acest caz si rata de depunere este foarte mica.
Daca distanta de separare este mai mica decat Lpl, plasma “spala” depunerea,
care se va prezenta ca un strat neuniform, cu foarte multe defecte.
Montajul general folosit în experimente (Figura 1) poate fi descris după cum
urmează: un fascicul laser pulsat de mare strălucire, generat de o sursă laser excimer,
KrF* (=248 nm, FWHM 25 ns, υ = 1-50 Hz), pătrunde printr-o fereastră de cuarţ în
camera de reacţie şi pe ţintă. Energia pulsului laser se poate regla în domeniul 150-700
mJ şi este monitorizată cu un sistem Coherent format dintr-un cap de măsură şi un
analizor de energie. Durata pulsului laser este măsurată cu un detector şi vizualizată cu
ajutorul unui osciloscop.
Fasciculul laser este focalizat pe suprafaţa ţintei cu ajutorul unei lentile
cilindrice de MgF2 depusă antireflex, cu distanţa focală de 300 mm, situată în
exteriorul camerei de depunere. Fasciculul laser poate fi atenuat până la energia dorită
şi colimat printr-o mască pentru a regla spotul laser şi fluenţa corespunzătoare
incidente pe ţintă. Unghiul de incidenţă al fasciculului laser pe suprafaţa ţintei este de
450. Anterior introducerii în camera de depunere, substratul este curăţat cu acetonă şi
alcool etilic într-o baie cu ultrasunete. In timpul depunerii, ţinta este rotită continuu cu
6
o frecvenţă de 0.04 Hz şi translatată, pentru a evita găurirea sa şi expunerea unei
suprafeţe „proaspete” acţiunii fiecărui puls laser, în vederea obţinerii unor filme cât
mai uniforme. Totodată, se evită astfel descompunerea materialului din ţintă din cauza
iradierilor multiple.
Figura 1. Montajul general PLD folosit în cercetările experimentale
Procesele de încălzire şi răcire a substratului sunt monitorizate cu ajutorul unui
cuptor şi a unui aparat de monitorizare a temperaturii, care permit o mare precizie a
setărilor şi măsurătorilor. Răcirea se face la aceeaşi presiune folosită pe timpul
depunerii. Pentru a elimina posibilitatea oricărei contaminări şi pentru a garanta
puritatea gazului în timpul procesului de depunere, camera de reacţie este vidata până
la o presiune reziduală de 10-4 Pa, folosind un sistem de pompaj de vid înalt, compus
din pompa de vid preliminar şi pompa turbo-moleculară, ambele model Alcatel.
Presiunea dinamică a gazului ambiant este menţinută constantă pe durata depunerii, cu
ajutorul unui aparat de monitorizare a curgerii gazelor.
Înainte de introducerea în cameră, ţintele sunt curăţate prin metode chimice.
Pentru eliminarea contaminării reziduale, anterior aplicării trenului de pulsuri în
vederea obţinerii stratului depus, se aplică 1000 de pulsuri consecutive de curăţire. Pe
7
durata aplicării lor, între ţintă şi colector se introduce un ecran pe care se condensează
substanţa ablată iniţială şi în care este concentrată cea mai mare parte a impurităţilor.
Aşa cum se observă şi din schema instalaţiei, într-un proces de depunere se pot
folosi mai multe ţinte din acelaşi material sau din materiale diferite (în cazul obţinerii
de multistructuri). Instalaţia experimentala este prevăzută cu un carusel în care se pot
monta până la cinci ţinte. Folosind această opţiune a instalaţiei de depunere, se evită
expunerea acoperirilor la mediul ambiant pe durata experimentului cu multistructuri.
Deschiderea repetată în acest caz poate sta la originea unor modificări nedorite ale
materialului deja depus prin reacţii cu oxigenul sau prin adsorbţia de molecule pe
suprafaţă.
Instalaţia experimentală de depunere prin PLD, folosită în experimentele
realizate (Figura 2), constă în principal dintr-o sursă laser cu excimeri
LambdaPhysik/Coherent Radiation, COMPex Pro205 şi o incintă de oţel inoxidabil,
adăpostind montajul de depunere propriu-zis. Aceasta din urmă este cuplată cu un
sistem de alimentare cu gaze şi cu un sistem de pompaj.
Figura 2. Instalatia experimentala de depunere prin PLD
8
Nota: mai jos, sunt prezentate conditiile experimentale tipice pentru o depunere de hidroxiapatita (HA), pe un substrat de Ti, prin tehnica PLD:
Tinta: HA (high resolution)Substrat: Ti (necorodat)Distanta tinta-colector: 4 cmpresiune: 3.5*10-1 Torr (in vapori de apa)temperatura: 400°Cenergia: 500 mJsuprafata spotului: 10 mm2
numar de pulsuri aplicate: 5000
+ tratament termic in vapori de apa (temperatura 400°C, 6h).
9