Transistoresde efecto de campo

Son transistores que funcionan controlando la corriente que circula por el

cuerpo del semiconductor, mediante un campo elctrico distribuido en toda su

extensin. La magnitud del campo elctrico es determinada por el voltaje

externo de control aplicado al dispositivo.

- Porque utilizar un

FET ?

- Que diferencias

existen con un

BIPOLAR ?

Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.

Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan

menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI.

Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin

para valores pequeos de tensin drenaje-fuente.

La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener

carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como

elementos de almacenamiento.

Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y

conmutar corrientes grandes.

Ventajas de los Fets

Desventajas que limitan la utilizacin de los Fets

Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la

alta capacidad de entrada.

Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son

menos lineales que los BJT.

Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica

Clasificacin general de los FETs

Simbologa de los FETs

Transistor efecto de campo de juntura - JFET

El J-FET es un dispositivo de tres estados:Zona de corte si : entonces: ID=IS=0

PDGPGD

PDGPGDPGS VVVVVsiactivaZona

VVVVVsihmicaZonaVvconduccindeZona

:

::

El lmite entre la zona hmica y la activa viene marcada en viene marcada por la igualdad VDG=-VP

Curva caractersticas de un JFET

Ecuaciones del JFET

Transistor de metal oxido semiconductor- MOSFET

Forma de

funcionamiento

Curvas caractersticas del Mosfet de acumulacin.Las curvas ms importantes que describen en funcionamiento del MOSFETson las de transferencia y las de salida.Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente desalida (ID) con la tensin de entrada (VGS). En las figuras siguientes seobserva para los transistores de canal N y P respectivamente.

Vt = Vth = Tension umbral

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor deVGS y relacionan la corriente de salida (ID) versus la tensin de salida(VDS).Son tiles para ver las zonas de operacin del dispositivo y definir los

conceptos de punto de operacin y rectas de carga esttica y dinmica.

VGS3

VGS4

VGS1

VDS = VGS - VTH

SATURACION OCORRIENTE CONSTANTE

ID

VDS

VGS2

OHMICA

CORTE

Ecuaciones del Mosfet

(Acumulacin)