1.4场效应晶体管

Field-Effect Transistors (FETs)

Shanghai Jiao Tong University 内容提要

1.4.1 结型场效应管 ,原理、输出特性与转移特性1.4.2 绝缘栅型场效应管 ,原理、输出特性与转移特性1.4.3 场效应管的主要参数1.4.5 场效应管与晶体管的比较

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1.4.1 结型场效应管的结构和符号

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图 1.4.2 N 沟道结型场效应管的结构示意图

Shanghai Jiao Tong University 图 1.4.3 uDS ＝ 0 时 uGS 对导电沟道的控制作用

?...0DSu

沟道变窄 沟道消失

Shanghai Jiao Tong University图 1.4.4 UGS(off)< uGS <0 且 uDS >0 的情况

预夹断

恒流

DS 间为电阻特性

GS

Dm u

ig

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图 1.4.5 场效应管的输出特性

1 2 3

Shanghai Jiao Tong University 图 1.4.6 场效应管的转移特性曲线

2

)(

)1(offGS

GSDSSD U

uIi

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图 1.4.7 N 沟道增强型 MOS 管结构示意图 及增强型 MOS 的符号

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图 1.4.8 uDS ＝ 0 时 uGS 对导电沟道的影响

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图 1.4.9 uGS 为大于 UGS(th) 的某一值时 uDS 对 iD 的影响

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图 1.4.10 N 沟道增强型 MOS 管的特性曲线

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图 1.4.11 N 沟道耗尽型 MOS 管结构 示意图、符号及转移特性

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图 1.4.13 场效应管的符号及特性

Shanghai Jiao Tong University 1.4.3 场效应管的主要参数

直流参数

交流参数

极限参数

)(offGSU夹断电压 开启电压)(thGSU

饱和漏极电流DSSI 直流输入电阻

)(DCGSR

低频跨导 极间电容constUGS

Dm

DSu

ig

dsgdgs CCC ,,

最大漏极电流DMI

击穿电压GSBRDSBR UU )()( , 最大耗散功率

DMP

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例 1.4.2 试分析 为 0V,8V 和 10V 情况下 分别为多少？

Iu

Iu Ou

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如图所示电路 , 场效应管的夹断电压 UGS(off)=-4V ，饱和漏电流 IDSS=4mA 。试问，为保证负载电阻 RL 上的电流为恒流， RL 的取值范围为多少？

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1.4.5 场效应管与晶体管的比较

流控？压控？温度稳定性噪声管脚互换性偏置的多样性工艺性放大倍数

Shanghai Jiao Tong University 今日作业

1.15 ， 1.16