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TECHNOLOGY SOLUTIONS Copper...
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Cu（銅）ピラーバンプは、現在および将来のRoHS要件を満たしなが ら、さまざまな設計においてメリットを提供するフリップチップ接続に 広く使用されています。トランシーバー、埋め込み型プロセッサ、アプ リケーションプロセッサ、パワーマネジメント、ベースバンド、ASICや SOCなど、ファインピッチ、RoHS/Green準拠、低コスト、エレクトロ マイグレーション性能の組み合わせが必要とされるアプリケーションに 最適な接続方法です。 Copper Pillar TECHNOLOGY SOLUTIONS ペリフェラルCuピラーバンプ フルアレイCuピラーバンプ Cuピラーを用いたFCBGAチップ to チップボンディング Benefits of Copper Pillar f 微細ピッチに対し最小30μmのインライ ンと30/60μmのスタッガーが可能 f 基板層数を低減することにより多くの設 計においてコストを削減 f 大電流アプリケーション向けに優れたエ レクトロマイグレーション性能 f Cuピラーバンプ前にウェハレベルでの 電気的テスト f ワイヤボンド向けに設計されたチップの ボンドパッド開口／ピッチおよびパッド のメタライゼーションと互換性があり、 フリップチップへの変換が容易であるた め迅速な市場投入が可能 f 高密度なバンプデザインに対してAuス タッドバンプと比較して低コストな接続 f グリーンソリューションとしてCuピラ ー上にPdフリー半田のキャップ f Cuバータイプ、標準Cuピラー、ファ インピッチCuピラーおよびマイクロバ ンプなど様々なCuピラーをラインアッ プ。アプリケーションの要件に応じた Cu + Ni + Pbフリー、Cu +Ni + Cu + Pbフリーなどのスタックアップにも 対応 f 再パッシベーションあり／なしに対応 f 先端のシリコンノード Low-kデバイス に適応 f チップとパッケージの距離を狭め、よ り小型のパッケージフットプリントを 実現するアンダーフィルのフィレット サイズ縮小 f TSVやCoC向けの最小30μmまでの超フ ァインピッチ f Cuピラーバンプ、組立およびテストの ターンキーを実現する大規模な量産キャ パシティを準備
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Cu（銅）ピラーバンプは、現在および将来のRoHS要件を満たしながら、さまざまな設計においてメリットを提供するフリップチップ接続に広く使用されています。トランシーバー、埋め込み型プロセッサ、アプリケーションプロセッサ、パワーマネジメント、ベースバンド、ASICやSOCなど、ファインピッチ、RoHS/Green準拠、低コスト、エレクトロマイグレーション性能の組み合わせが必要とされるアプリケーションに最適な接続方法です。
Copper Pillar TECHNOLOGY SOLUTIONS
ペリフェラルCuピラーバンプ
フルアレイCuピラーバンプ
Cuピラーを用いたFCBGAチップ to チップボンディング
Benefits of Copper Pillar f 微細ピッチに対し最小30μmのインライ
ンと30/60μmのスタッガーが可能
f 基板層数を低減することにより多くの設計においてコストを削減
f 大電流アプリケーション向けに優れたエレクトロマイグレーション性能
f Cuピラーバンプ前にウェハレベルでの電気的テスト
f ワイヤボンド向けに設計されたチップのボンドパッド開口／ピッチおよびパッドのメタライゼーションと互換性があり、フリップチップへの変換が容易であるため迅速な市場投入が可能
f 高密度なバンプデザインに対してAuスタッドバンプと比較して低コストな接続
f グリーンソリューションとしてCuピラー上にPdフリー半田のキャップ
f Cuバータイプ、標準Cuピラー、ファインピッチCuピラーおよびマイクロバンプなど様々なCuピラーをラインアップ。アプリケーションの要件に応じたCu + Ni + Pbフリー、Cu +Ni + Cu + Pbフリーなどのスタックアップにも対応
f 再パッシベーションあり／なしに対応
f 先端のシリコンノード Low-kデバイスに適応
f チップとパッケージの距離を狭め、より小型のパッケージフットプリントを実現するアンダーフィルのフィレットサイズ縮小
f TSVやCoC向けの最小30μmまでの超ファインピッチ
f Cuピラーバンプ、組立およびテストのターンキーを実現する大規模な量産キャパシティを準備
Feature Dimensions
Cu Pillar Diameter (D) 20〜65μm
Total Height (TH) 20〜75μm
Copper Pillar Bump Design Rules
Copper Pillar Bump Design RulesA
Soldermask
C
Bond Pad Die Pad Opening
B
General Design RulesPitch
60 50 45/90 40/80 30/60
A Row to Row Pitch N/A N/A 90 80 60
B Bond Pad Width 30 25 22 20 TBD
C Trace Pitch 60 50 45 40 30
Cross Sections
Bare Die PoP Molded PoP
TMV® PoP fcCSP
FlipStack® CSP F2F FlipStack® CSP
FCBGA
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Electromigration Reliability Comparison of Cu Pillar with SnAg Bump
Copper Pillar
上記のプロットでは同一の電流／温度条件および類似のバンプ／UBM形状においてSnAgバンプと比較してCuピラーのライフが改善されていることが示されています。同一条件での8000時間のテスト後でもCuピラーバンプに不良は見られませんでした。
SQB Results
Final Test Test Conditions Read Point SS Results
MSL3 30/60-192 260C 3X 77 x 12 lots Pass
T/C B -55°C/+125°C 1000X 77 x 3 lots Pass
HAST 130°C/85%RH 96 hrs 77 x 3 lots Pass
T&H 85°C/85%RH 1000 hrs 77 x 3 lots Pass
HTS 150°C 1000 hrs 77 x 3 lots Pass
![ESI[tronic]2...2018/01/15 · 納品書 • DVDに同梱されています。• 最下段にご契約内容(A, SD, SIS等)が記載され ています。DVD A •A1: すべてのお客様に配布されます。DVD](https://static.fdocuments.net/doc/165x107/6111500903ea4c399353c526/esitronic2-20180115-c-a-dvdoeoea.jpg)
