Elektronik- Ushtrime laboratorike
Click here to load reader
Transcript of Elektronik- Ushtrime laboratorike
FIEK
Ushtrime laboratorike
Student
ELEKTRONIKË
UNIVERSITETI I PRISHTINËS
FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË Drejtimi : KOMPJUTERIK Laboratori: ELEKTRONIKËS
Ushtrimi Nr.1
Karakteristikat e diodës së Si dhe Ge gjatë polarizimit të
drejtë dhe të kundërt Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit Numri i indeksit 07149/09 Data e dorëzimit Grupi Asistenti i lëndës Fidel Krasniqi Semestri III – (tretë) Nota
www.e-Libraria.com
Detyra:
a) Të realizohet qarku sipas figurës 1.1 dhe të nxiret karakteristika statike e diodës, kur ajo është e polarizuar në kahun e drejtë.
Në bazë të rezultateve të matjes të paraqitën në fletën milimetrike karakteristikat e diodës së shqyrtuar.
b) Të realizohet qarku sipas figurës 1.2 dhe të nxiret karakteristika statike e diodës, kur ajo është e polarizuar në kahun e reverzë.
Në bazë të rezultateve të matjes të paraqitën në fletën milimetrike karakteristikat e diodës së shqyrtuar. Mjetet:
1. Maketi. 2. Dioda D (AA 134 – Ge) dhe (BA 170 , Si). 3. Rezistori R=220 !. 4. Miliampermetëri për rrymë të vazhdushme (mA). 5. Mikroampermetëri për rrymë të vazhdushme("A). 6. Voltmetri për tension të vazhdueshëm E=15 V. 7. Potenciometri P= 1k!.
www.e-Libraria.com
Skema e lidhjeve: Polarizimi direktë Fig 1.1
Fig 1.1 Multisim 8 Electronics WORKBENCH
R
E
P
50% D
1 2
XMM1 XMM2
3
4
0
www.e-Libraria.com
Polarizimi reverz Fig 1.2
Fig 1.2 Multisim 8 Electronics WORKBENCH
R
E
P
50% D
XMM3 XMM4
7
65
0
8
www.e-Libraria.com
Rezultatet tabelare: Polarizimi direktë Për diodën e Germaniumit (Ge) - (AA 134)
Për diodën e Silicit (Si): - (BB 170)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 0 0.3 0.5 1.0 1.7 2.5
0.65 0.7 0.75 0.8 3.5 4.1 5.0 5.6
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 0 0 0 0 0.1 0.6
0.65 0.7 0.75 0.8 0.7 1.4 5.8 12
www.e-Libraria.com
Polarizimi reverz (rryma e kundërt) Për diodën e Germaniumit (Ge):
Për diodën e Silicit (Si):
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 0 0 0 0 0 0
0.65 0.7 0.75 0.8 0 0 0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 0 0 0 0 0 0
0.65 0.7 0.75 0.8 0 0 0 0
www.e-Libraria.com
Koment:
Dioda është komponenti më i thjeshtë gjysmëpërçues, por luan rol shumë vital në sistemet elektronike. Karakteristikat e diodës mund të krahasohen me ato të një ndërprerësi (ventili) të thjeshtë. Dioda ideale është komponentë me dy terminale karakteristikat dhe simboli i së cilës janë paraqitur në Fig.
Për qarqet që do të analizohen, gjatë paraqitjes së karakteristikave tension-rrymë, ordinata do të jetë boshti i rrymës, ndërsa abshisa boshti i tensionit. Pra, dioda do të përçoj nëse tensioni në skajet e saja (anodë A dhe katodë K) është pozitiv, UAK > 0, dhe në këtë rast rryma është e pakufizuar. Në të kundërtën, pra për tensione negative, UAK < 0, dioda nuk përçon dhe rryma që kalon nëpër te është zero.
Karakteristikat statike të diodës gjysmëpërçuese
www.e-Libraria.com
Diagramet : Polarizimi direktë Për diodën e Germaniumit (Ge)
Për diodën e Silicit (SI)
www.e-Libraria.com
Diagrami: Polarizimi reverz (rryma e kundërt) Për diodën e Germaniumit (Ge):
Për diodën e Silicit (SI):
www.e-Libraria.com
UNIVERSITETI I PRISHTINËS
FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË Drejtimi :KOMPJUTERIK Laboratori: ELEKTRONIKËS
Ushtrimi Nr.2
Stabilizimi i tensionit me diodën - ZENER
Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit 25.11.2010 Numri i indeksit 07149/09 Data e dorëzimit 07.11.2010 Grupi Asistenti i lëndës Fidel Krasniqi Semestri III – (tretë) Nota
www.e-Libraria.com
Detyra: 1. Të incizohet karakteristika statike e diodës së Zenerit
2. Të vizatohet karakteristika statike e Zener Diodës dhe të
llogaritet rezistenca dinamike e kësaj diode në pjesën punuese të karakteristikës. 3. Me potenciometër P të rregullohe tensoni i daljes dhe në këto
vlera të matet tensioni i hyrjes, nëse : dhe . Mjetet:
1. Burimi i tensionit të vazhdueshëm E= 25 V. 2. Dioda-Zener (Dz). 3. Rezistori R=220 !. 4. Ngarkesa Rng= 500 !. 5. Miliampermetër për rrymë të vazhdushme (mA). 6. Voltmetri për tension të vazhdueshëm (V). 7. Potenciometri P= 1k!.
Skema e lidhjeve: Fig 2.1
www.e-Libraria.com
E
P
50%
XMM1 XMM2
1
DzR3
2
Rg
4
0
Fig 2.1 Multisim 8 Electronics WORKBENCH Rezultatet tabelare: Për diodën e Zenerit:
Idz[mA] 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 Udz[V] 0 2.2 4.6 6.5 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 U[V] 0 3.1 6.5 9.5 10.5 11.5 12.6 14 15 16 17.3 18.2 19.4 20.5 21.5 22.4
Diagramet:
www.e-Libraria.com
Koment:
Diodat e fabrikuara special për punë në regjionin e thyerjes quhen dioda të Zener-it. Dioda e Zener-it është e projektuar asisoj, që të mundësohet shfrytëzimi i plotë i këtij regjioni. Në Fig.2.1a është paraqitur karakteristika e diodës së Zener-it dhe simboli i saj, ndërsa në Fig.4.1b është paraqitur karakteristika shfrytëzuese e kësaj diode. Fig.2.1a Fig.2.1b Lokacioni i regjionit të Zener-it mund të kontrollohet me anë të niveleve të ndryshme të dopingut. Rritja e dopingut, me rritjen e numrit të papastërtive të shtuara, do ta zvogëloj potencialin e Zener-it. Qarku i plotë ekuivalent i diodës së Zener-it përbëhet nga një rezistencë e vogël dinamike dhe një bateri njëkahore të barabartë me potencialin e Zener-it, siç është paraqitur në Fig.2.2a. Për të gjitha zbatimet e kësaj diode në qarqe të ndryshme, ne do ta shfrytëzojmë modelin e përafruar të paraqitur në Fig.2.2b, për arsye se të gjitha rezistencat e jashtme të qarqeve janë shumë më të mëdha se rezistenca ekuivalente e kësaj diode.
Fig.2.2a Fig.2.2a
www.e-Libraria.com
UNIVERSITETI I PRISHTINËS
FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË Drejtimi : KOMPJUTERIK Laboratori: ELEKTRONIKËS
Ushtrimi Nr.3
Inçizimi i karakteristikave statike hyr!se dhe transmetuese t!
tranzistorit bipolar Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit 30.11.2010 Numri i indeksit 07149/09 Data e dorëzimit 07.12.2010 Grupi Asistenti i lëndës Fidel Krasniqi Semestri III – (tretë) Nota
www.e-Libraria.com
Detyra 1. T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inçizohet karakteristika
hyr!se e tranzistorit.
p!r
2. N! baz! t! qarkut t! dh!n! t! b!het inçizimi i karakteristik!s transmetuese t! tranzistorit
3. Sipas qarkut n! fig. t! b!het inçizohet karakteristika statike dal!se e tranzistorit.
p!r
Mjetet:
1. Maketi, 2. Potenciometri 3. Potenciometri 4. Rezistori 5. Miliampermet!r i rrym!s s! vazhduar (mA) 6. Mikroampermet!r i rrym!s s! vazhduar("A) 7. Voltmet!r i tensionit t! vazhduesh!m (V) 8. Tensioni i vazhduesh!m 9. Tranzistori
www.e-Libraria.com
Skema e lidhjeve: Rezultatet tabelare:
a) p!r
b)
6 0 10 20 30 40 0,05 0,19 0,20 0,21 0,22
6 0 10 20 30 40 0 0,4 0,9 1,5 2,25
www.e-Libraria.com
c) p!r
Diagramet: a)
0 1 2 3 4 0 0,3 0,3 0,3 0,35
0 1 2 3 4 0 0,78 0,8 0,81 0,85
0 1 2 3 4 0 1,3 1,4 1,45 1,48
www.e-Libraria.com
b)
c)
www.e-Libraria.com
Koment:
Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor), ka tri shtresa gjysmëpërçuese me doping të ndryshëm dhe përmban dy kontakte pn. Një kontakt i vetëm pn i ka dy mode të punës- për polarizim të drejtë dhe revers. Transistori bipolar me dy kontakte pn, ka pra katër mode të punës, varësisht nga kushtet e polarizimit të secilit kontakt. Me tri regjione të ndara, transistori bipolar është komponentë me tri terminale, dhe parimi themelor i punës së transistorit është që me tensionin në mes të dy terminaleve të kontrollohet rryma nëpër terminalin e tretë. Në Fig. 1 është paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturës themelore dhe simbolet e të dy tipave të transistorit bipolar: npn dhe pnp.
Koncentrimi i dopingut të jopastërtive në emiter, bazë dhe kolektor mund të jetë i rendit 1019, 1017, dhe 1015 cm-3.
www.e-Libraria.com
UNIVERSITETI I PRISHTINËS
FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË Drejtimi : KOMPJUTERIKË Laboratori: ELEKTRONIKËS
Ushtrimi Nr.4
Inçizimi i karakteristikave statike FET tranzistorit
Studenti Mensur Ssofiu Data e ushtrimit Numri i indeksit 07149/09 Data e dorëzimit Grupi Asistenti i lëndës Fidel Krasniqi Semestri III – (tretë) Nota
www.e-Libraria.com
Detyra: 1. T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inçizohet karakteristika
dalwse e FET.
p!r
2. T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inçizohet karakteristika dalwse e FET.
p!r
Mjetet:
1. Maketi, 2. Potenciometri 3. Potenciometri 4. Miliampermet!r i rrym!s s! vazhduar (mA) 5. Voltmet!r i tensionit t! vazhduesh!m (V) 6. Burimi I tensionit tw vazhduesh!m 7. Tranzistori FET
www.e-Libraria.com
Skema e lidhjeve: Rezultatet tabelare:
a) p!r
0 2 4 6 0 0.8 1.7 2
0 2 4 6 0 13 19 20
www.e-Libraria.com
0 2 4 6 0 4.5 20 22
0 2 4 6 14 19 23 23
b) p!r 0 -0,25 -0,5 -0,75 -1 19 19.5 20 20.5 21
Diagramet: a) b)
www.e-Libraria.com
Koment:
Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor), ka tri shtresa gjysmëpërçuese me doping të ndryshëm dhe përmban dy kontakte pn. Një kontakt i vetëm pn i ka dy mode të punës- për polarizim të drejtë dhe revers. Transistori bipolar me dy kontakte pn, ka pra katër mode të punës, varësisht nga kushtet e polarizimit të secilit kontakt. Me tri regjione të ndara, transistori bipolar është komponentë me tri terminale, dhe parimi themelor i punës së transistorit është që me tensionin në mes të dy terminaleve të kontrollohet rryma nëpër terminalin e tretë. Në Fig. 1 është paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturës themelore dhe simbolet e të dy tipave të transistorit bipolar: npn dhe pnp.
Koncentrimi i dopingut të jopastërtive në emiter, bazë dhe kolektor mund të jetë i rendit 1019, 1017, dhe 1015 cm-3.
www.e-Libraria.com
UNIVERSITETI I PRISHTINËS
FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË Drejtimi : KOMPJUTERIKË Laboratori: ELEKTRONIKËS
Ushtrimi Nr.5
RIDREJTUESI
Studenti Mensur Sofiu Data e ushtrimit Numri i indeksit 07149/09 Data e dorëzimit Grupi Asistenti i lëndës Fidel Krasniqi Semestri III – (tretë) Nota
www.e-Libraria.com
Mjetet:
1. Ridrejtusi 2. Ndërprersat 3. Voltmetri 4. Miliampermetri
Detyra:
a) Të kyqet nderprersi N1 dhe N5 dhe të vizatohet forma valore e tensionit ne pikat A dhe B.
b) Të kyqet nderprersi N2 dhe te vizatohet forma valore ne dalje (B). c) Të kyqet nderprersi N3 dhe të vizatohet forma valore e tensionit ne daljen ne
fundin e rezistences së shpenzusit Rsh. Të maten vlerat e rrymes dhe të tensionit sipas tabelës.
d) Në bazë të rezultatëve të fituara të vizatohet karekteristika e ridrejtusit Ud=f(Id)
Skema e lidhjeve:
www.e-Libraria.com
Rezultatet: Tensioni n! hyrje :
Tensioni n! dalje :
www.e-Libraria.com
Rasti me nj! diod!
Rasti me dy dioda :
www.e-Libraria.com
Rasti me dy dioda dhe nj! kondenzator :
Rasti me dy dioda dhe dy kondenzator
Rasti me dy dioda dhe tre kondenzator
www.e-Libraria.com