固体レーザー設計の 基礎と実際 - ile.osaka-u ... · 固体レーザー設計の...
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キセノンランプ
キセノンフラッシュランプの発光スペクトルの例
キセノンフラッシュランプの構造
特徴・構造が簡単、安価・高発光効率・大型化により光量大・連続スペクトル・寿命が短い(108 shots)
108 shots: 10 Hzで116日間 3
高出力半導体レーザーアレイとスタック
発光領域をワンチップに10~数10個並べて作成することにより100W程度の出力が得られている.
LDアレイを積み重ねた、LDスタック.12段でCW 480W.
LDアレイの冷却方法の例.微小な流路(マイクロチャネル)に水を勢いよく流すことにより、冷却能力を高めている.
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キセノンランプと半導体レーザーの比較
キセノンランプ 半導体レーザー
電気-光変換効率 高い 50~70%
吸収効率 ~10%(Nd:YAG) >90%
寿命 100~数1000 h 10,000~20,000 h
電圧 数1000 V 2~50 V
高出力化 大型化により可能 数を増やす
製造コスト 安い 高い
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レーザーガラス
https://lasers.llnl.gov/Nd:Glass
• 1メートルの大型媒質が作れる• 高い均質性(屈折率が一様)• 量産可
• 熱伝導率が低い(YAG単結晶の10分の1)• 機械強度が低い(YAG結晶の5分の1)
代表的な固体レーザー媒質
• Nd: • Nd3+:Y3Al5O12 (Nd:YAG)• Nd3+:LiYF4 (Nd:YLF)• Nd3+:YVO4• Nd3+:Glass
• Yb: • Yb3+:Y3Al5O12 (Yb:YAG)• Yb3+:Sr5(PO4)3F• Yb3+:Glass
• Er: • Er3+:Y3Al5O12 (Er:YAG)• Er3+:Glass
• Cr:• Cr3+:Al2O3 (Ruby)• Cr3+:BeAl2O4 (Alexandrite)• Cr3+: LiSrAlF6 (Cr:LiSAF)
• Tm:• Tm3+:Y3Al5O12 (Tm:YAG)• Tm3+:Glass
• Ti:• Ti3+:Al2O3 (Ti:Sapphire)
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レーザー特性の比較
Nd:YAG Ti:sapphire Yb:silica fiber利得波長 1064 nm 800 nm 1030 nm
利得波長幅 (FWHM) 0.5 nm 180 nm ~100 nm蛍光寿命 τf 230 μs 3.2 μs ~1 ms
飽和フルーエンス Js 0.5 J/cm2 0.9 J/cm2 ~40 J/cm2
飽和強度 Is=Js/τf 2 kW/cm2 280 kW/cm2 ~40 kW/cm2
特徴 とにかくゲイン高いパルスでもCWでもフェムト秒は無理
パルスが得意CWはやや苦手頑張れば10fsも
とにかくゲイン低いパルスは特に苦手頑張れば20fsも
小信号利得
l: レーザー媒質の長さ, g0: 小信号利得係数[cm‐1]
Jsto: 蓄積エネルギー密度[J/cm2], Js=hνL/σem: 飽和フルーエンス[J/cm2]
σem: 誘導放出断面積, N2,N1: 上準位,下準位の状態にあるイオンの総数
フーリエ変換限界パルス幅
パルス時間波形 k
Gaussian 0.441
Sech2 0.315
Square 0.892
From Optipedia (http://optipedia.info/)
Nd:YAGをCW‐LDでEnd‐pump
Nd:YAG利得波長 1064 nm
利得波長幅 (FWHM) 0.5 nm蛍光寿命 τf 230 μs
飽和フルーエンス Js 0.5 J/cm2
飽和強度 Is=Js/τf 2 kW/cm2
特徴 とにかくゲイン高いパルスでもCWでもフェムト秒は無理
⋅ ⋅2kW/cm2・230μs・808/1064・10.35J/cm2
exp / 2
∆∆ ∆
132GHz
∆0.315132 GHz 2.4ps
Ti:sapphireをCWでEnd‐pump
Ti:sapphire利得波長 800 nm
利得波長幅 (FWHM) 180 nm蛍光寿命 τf 3.2 μs
飽和フルーエンス Js 0.9 J/cm2
飽和強度 Is=Js/τf 280 kW/cm2
特徴 パルスが得意CWはやや苦手頑張れば<10fsも
⋅ ⋅2kW/cm2・3.2μs・532/800・10.0043J/cm2
exp / 1.005
∆∆ ∆
84THz
∆0.31584 THz 3.7fs
色々な光共振器
D. E. Spence et al, Opt. Lett. 16, 42 (1991)
http://www.coherent.com/products/?846/MBR‐Ring‐Series
D. Bauer et al, Opt. Exp. 20, 9698 (2012)
キャビティ長 42.7 mパルスエネルギー 41μJ
S. De Silvestri, et al, Opt. Lett. 16, 642 (1991)
出力結合鏡の反射率R1の最適化
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2ln 1
0
100
200
300
400
500
R1
Is = 2 kW/cm2
2g0l = 1L = 0.1
実際にはg0lとLの測定は難しい.
→ R1を変えて出力を測定し,右図のようなプロットを得る.
ある発振条件( g0lおよびL )が与えられた場合,R1の最適値が存在する.
1 2 / 1
最適な反射率R1
詳細は,W. Koechner著, “Solid‐State Laser Engineering” (Springer Series in Optical Sciences) を参照のこと.
パルス増幅
FrantzとNodvikの式L.M.Frantz,J.S.Nodvik,J.Appl.Phys.34,2346 1963 .
ln exp 1 1
exp
T:増幅媒質の透過率Jsto: 蓄積エネルギー密度[J/cm2]Js: 飽和フルーエンス[J/cm2]
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
(Jou
t–J in
)/J st
o
Jin / Js
0.1
1Jsto = 2
再生増幅器(マルチパス増幅器)
http://www.rp‐photonics.com/regenerative_amplifiers.html
ln exp 1 1
exp ,
0 20 40 600
1
2
Number of round trip
Puls
e flu
ence
[J/c
m2 ] G0 = 4
1.5 1.3
2
T = 0.95
3
FNモデルによる計算結果の例
Js = 1.3 J/cm2
レーザー出力制限の主要因
• 光学損傷 catastrophic optical damage (COD)• 線形吸収による熱損傷(CW) 1~1000 MW/cm2
• 非線形吸収による絶縁破壊(パルス) 1~50 J/cm2 (@10 ns)
• 熱効果• 熱波面歪, 熱複屈折
• 熱破壊
• 非線形効果• 自己収束・自己位相変調(パルス)
• 誘導ラマン散乱, 誘導ブリルアン散乱(主にファイバーレーザー)
• 励起光源の出力
• レーザー媒質のサイズ(主にパルス)
• 寄生発振・ASE損失(主にパルス)
誘電体の光学損傷(CW)
光吸収の小さな多くの光学材料(石英ガラス, YAG, sapphire等)の光
学損傷閾値は100MW/cm2以上である.これは1kW程度のレーザー
光を直径100μmに集光した場合の強度に相当する.
ファイバーレーザーの場合,20~40μm程度のシングルモードコアか
ら10 kW程度の大出力が得られており,すでに光学損傷の限界
(1GW/cm2)に達している.
バルク固体レーザーの場合,共振器内のモードサイズは比較的大
きいため,CWでの光学損傷が第一の制限要因となることは少ない.
誘電体の光学損傷(パルス)
パルス幅依存性:
およそ10ps ~ 10nsの範囲では,則が適用できる.
B. C. Stuart et al, Phys. Rev. Lett. 74, 2248 (1995).
λ = 1053 nm
光強度が1~10 GW/cm2を超えたあたりから,多光子
吸収と電子なだれによるイオン化が生じるようになる.
これにより自由電子が生成され,自由電子の密度が
プラズマ臨界密度(1021 cm-3@波長1 μm)に近づくと,
プラズマによる光吸収(逆制動輻射吸収)が急激に増
大し,壊滅的な損傷を生じる.
電子なだれは,電場で加速した自由電子が原子と衝
突して新たな電子を叩き出す連鎖的な電子増倍現象
であるため,パルス幅が短いほど増倍が進まない.
そのため,損傷閾値のパルス幅依存性が生じる.
典型的な光学材料の表面損傷閾値
1~50 J/cm2 (@ 10 ns)(表面状態や波長にも依存するため
同じ材料でも大きく異なる)
熱レンズ効果
長さ8mmのNd:YAG結晶内で14Wの熱を発生させた場合の励起強度分布(赤線)と結晶内の温度分布(青線).
http://www.rp‐photonics.com/thermal_lensing.html
/2
熱レンズ焦点距離の簡易式
W. Koechner, Appl. Opt. 9, 2548 (1970).M. E. Innocenzi et al, Appl. Phys. Lett. 56, 1831 (1990).
dn/dT: 熱光学定数[K‐1]κ: 熱伝導率[W/m・K]A: 励起面積
YAGの場合dn/dT = 8×10‐6 [K‐1]κ = 13 [W/m・K]
φ200μmで14W発熱すると,
f = 7 mm
自己収束 (Kerr lens)・自己位相変調(SPM)
三次の非線形感受性χ 3 により生じるレンズ効果と位相変調効果.
あらゆる固体媒質はχ 3 がゼロではないため,光強度が強くなればどんな媒質でも生じる.
χ 3 は非線形屈折率n2と関係づけられる.
http://www.sciencemag.org/content/286/5444/1507/F3.expansion
非線形分極 P = ε0 (χ(1) E + χ(2) E2 + χ(3) E3 +・・・)
esu単位系
光エレクトロニクス(Amnon Yariv著、丸善)第17章
B‐integral (B積分)
2
B積分は非線形効果による位相変調の指標となる値.B積分値がπを超えると自己収束効果による位相シフトが無視できなくなる.
例えば,石英ガラスのn2は 3×10‐16 cm2/Wであるので,λ 800 nmとすると,
B 2π/ 800×107 cm × 3×10‐16 cm2/W × 1×1011 W/cm ×1cm 2.35
すなわち,1011W/cm2程度の強度では,厚さ1cmの石英板を通過させるのが限界である.
【実例】 CW Ti:sapphire レーザー (1/4)
励起光源: Nd:YVO4 二倍高調波 5 W, TEM00 (M2=1.0), ビーム直径 1 mm
レンズ(f=100mm)で集光
レーザー結晶: チタンサファイア結晶長さ 10 mm(ブリュースターカット)吸収係数 3 cm‐1 @532 nm (95%吸収)FOM=100 (T=0.97 @800nm)
レイリー長: 6.8mm
集光半径: ..
34 μm
θ: ビーム広がり角
集光強度: 2.
275 kW/cm2
(飽和強度 Is = 280 kW/cm2)
【実例】 CW Ti:sapphire レーザー (3/4)熱レンズ:
/2
1.3 102 · 40 · 28μm/ 2
5 1532800
220m‐1
4.5mm
横軸: 熱レンズ焦点距離[mm]縦軸: ビームウェスト半径[μm]
ビームウェスト半径28 μm→ 24 μm
【実例】 CW Ti:sapphire レーザー (4/4)出力結合鏡の反射率の最適化:
⋅ ⋅ /
0.95 275kW/cm2・3.2μs・532/800・1/0.9 J/cm2
≒0.5 G0 1.65
L 1‐0.97 0.03
1 2 / 1 0.9
11
2ln 1
28μm/ 20.11.9 280kW
2 · 0.50.03 ln 0.9 1
= ~1W 効率20%
出力パワー:
【実例】 CW Nd:YAG レーザー (1/4)
励起光源: ファイバ出力型半導体レーザー, 808nm, 50 W(ファイバコア直径100μm, NA0.22)
レーザー結晶: Nd:YAG結晶長さ 10 mm(垂直カット, 反射防止コート)吸収係数 3 cm‐1 @808 nm (95%吸収)散乱損失 0.002 cm‐1 (0.2% in 10mm)反射防止コート反射率 0.25% / surface
集光半径: 200 μm
集光強度:.
40 kW/cm2
(Nd:YAG飽和強度 Is = 2 kW/cm2)
ファイバ出力型LD(浜松ホトニクス)
/ .· ·
50 1 31m‐1 f 32mm
熱レンズ:
【実例】 CW Nd:YAG レーザー (4/4)出力結合鏡の反射率の最適化:
⋅ ⋅ /
0.95 40kW/cm2・230μs・808/1064・1/0.5 J/cm2
≒13.3 G0 600,000
L 0.002 0.0025 0.0025 0.007
1 2 / 1 ≒ 0.6
11
2ln 1
200μm0.41.6 2kW
2 · 13.30.007 ln 0.6 1
= ~32W 効率64%
出力パワー:
(理論限界効率:0.95 ≒ 0.72
【実例】 1ナノ秒パルスTi:sapphire増幅器
レーザー結晶: チタンサファイア結晶長さ: 20 mm(垂直カット, 反射防止コート付)吸収係数: 2 cm‐1 @532 nm (98%吸収)反射防止コート反射率: 0.25% / surface損傷閾値: 10 J/cm2 @ 10 ns, 532 nm損傷閾値: 3 J/cm2 @ 1 ns, 800 nm
励起光源: QスイッチNd:YAGレーザー波長:532 nmパルス幅:10 nsパルスエネルギー:1 J繰り返し周波数:10 Hz
【パルスレーザー設計時の留意点】• 励起パルス幅は蛍光寿命より短いことが望ましい → 10 ns << 3.2 μs• 励起フルーエンスが損傷閾値を超えてはならない• 出力フルーエンスが損傷閾値を超えてはならない• g0l > 3(G0>20)では寄生発振に注意(サファイア表面の反射率~8%)
【実例】 1ナノ秒パルスTi:sapphire増幅器
【考え方】
• 励起フルーエンスが損傷閾値を超えてはならない
→ 安全係数2として励起は<5 J/cm2
• 出力フルーエンスが損傷閾値を超えてはならない
→ 安全係数2として出力は<1.5 J/cm2
→ 変換効率50%を得たい場合、励起は<3 J/cm2
(よって励起光によるダメージの心配はない)
• g0l > 3(G0>20)では寄生発振に注意(サファイア表面の反射率~8%)
→ 予想される小信号利得係数は最大で
· ⋅ · / ·.
≅ 2.2 (G0= 9)
→ 励起ビーム径は
面積:1 J / (3 J/cm2) = 0.33cm2 , 直径:6.5 mm→ 吸収長 labs= 1/α = 5 mm と同程度のため寄生発振の心配はない
【実例】 1ナノ秒パルスTi:sapphire増幅器
50%の変換効率を得るには,0.4 mJ の入力が必要.よって,実際の利得は G = ~1000
抽出効率目標値 ηstok / 50% = ~75%
抽出
効率
(Jou
t-Jin)/J
sto
入力パルスエネルギー(mJ)