ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ,...
-
Upload
valentine-burris -
Category
Documents
-
view
62 -
download
0
description
Transcript of ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ,...
ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯБИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
(ОЭ, ОК, ОБ)
Тема
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 1 из 20.
План темы
1. Схемы включения транзисторов
2. Каскад ОЭ
3. Каскад ОК
4. Каскад ОБ
5. Схемы питания каскадов
6. Контрольные вопросы
КБ
Э
ОЭ
Б К
Э
ОК
Схемы включения транзисторов
ОБ
К
Б
Э
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 4 из 20.
Каскад ОЭ
UП
VT
RH
СР
IК0
RБIБ0
IЭ0
IБ0
Токи в режиме покоя
iВХ iБ=IБ0+iВХ
UП
VT
RH
СР
RБIБ0
iЭ=iБ+iК
iК=IК0+iК~
uВХ
iК~ = iВХ·h21Э
h21Э – коэффициент усиления тока базы
Токи при наличии uВХ
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 3 из 20.
UП
uВХ
VT
RК
СР
iБiК
СР2
uВЫХ
RБ
iЭ
Каскад ОЭ
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 4 из 20.
КI – составляет десятки, сотни и даже тысячи
h21Э = - статический коэффициент усиления тока для схемы ОЭ. Он определяется при RH = 0, т.е. при UКЭ = const, так как должен характеризовать только сам транзистор.
constUБ
К
КЭi
i
constUБ
К
КЭdi
di
mБ
mK
ВХm
ВЫХmI I
I
I
IK
Каскад ОЭ
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 5 из 20.
mББ
mКК
mББ
mRU U
U
U
UК H
ВХ
ВЫХU U
UК
UmБЭ – десятые доли вольта;UmКЭ – единицы и десятки вольт;КU – десятки, сотни.КР – сотни, тысячи, сотни тысяч.
IUР ККК
Каскад ОЭ
Коэффициенты усиления
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 6 из 20.
Входное сопротивление каскада ОЭ
mВВ
mВВВХ I
Ur
rВХ – сотни Ом, единицы кОм
Пример. UmБЭ = 200 мВ, ImБ = 0,4 мА. тогда
rВХ = 200: 0,4 = 500 Ом.
rВЫХ - составляет единицы и десятки кОм.
Каскад инвертирует фазу входного сигнала.
Недостатки схемы ОЭ – худшие по сравнению с ОБ и ОК частотные и температурные свойства.
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 7 из 20.
Каскад ОК (эмиттерный повторитель)
Выходное напряжение полностью подаётся на вход (100% ООС)
EП
uВХ
VTiБ
СП
iЭ
iК
RЭ
ECМ
ССМ
uВЫХ
ВЫХБЭВХ uuu ВЫХЭЭRЭ uiRu
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 8 из 20.
Коэффициент усиления тока на единицу больше чем схемы с ОЭ
11)(
mБ
mК
mБ
mБmК
mБ
mЭI I
I
I
II
I
IК
Коэффициент усиления напряжения меньше единицы
1
mВВЫmББ
mВВЫ
mВВ
mВВЫU UU
U
U
UК
1UК
IР КК
Каскад ОК не инвертирует фазу
Каскад ОК
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 9 из 20.
Входное и выходное сопротивления
mБ
mВВЫmББ
mВВ
mВВВХ I
UU
I
Ur
Входное сопротивление каскада ОК – десятки кОм.
Выходное сопротивление каскада ОК – сотни Ом - единицы кОм.
Каскад ОК не инвертирует фазу входного сигнала.
Каскад ОК
Автор Останин Б.П. Конец слайдаАвтор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 10 из 20.
Каскад ОБ
Схема имеет значительно меньшее усиление мощности и меньшее входное сопротивление, чем каскад ОЭ. Зато по частотным и температурным свойствам она значительно превосходит лучшие схемы ОЭ.
11 mЭ
mКI I
IК
Статический коэффициент передачи тока для схемы ОБ
constUЭ
К
КБi
i
UП
uВХ
VT
RК
СБ
RБ1
RБ2 RЭ
СР1
СР2
uВЫХ
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 11 из 20.
Коэффициент усиления по напряжению такой же, как в схеме ОЭ
mББ
mККU U
UК
UIUP КККК
Входное сопротивление для схемы ОБ в десятки раз меньше чем в схеме ОЭ (составляет всего лишь десятки, а у мощных транзисторов – единицы Ом).
mЭ
mББВХ I
Ur
Выходное сопротивление достигает сотен кОм и более
Каскад ОБ не инвертирует фазу входного сигнала
Каскад ОБ
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 12 из 20.
Параметр Схема ОЭ Схема ОК Схема ОБ
КI Десятки - сотни Десятки - сотни Немного меньше единицы
КU Десятки - сотни Немного меньше единицы
Десятки - сотни
КP Сотни – десятки тысяч
Десятки - сотни Десятки - сотни
RВХ Сотни Ом – единицы кОм
Десятки – сотни кОм
Единицы – десятки Ом
RВЫХ Единицы – десятки кОм
Сотни Ом – единицы кОм
Сотни кОм – единицы МОм
Фазовый сдвиг между UВЫХ и UВХ 180 0 0
Таблица сравнения каскадов
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 13 из 20.
Схемы питания транзистора, включённого по схеме ОЭ
00 ББПБЭ IRЕU 0
0
Б
БЭПБ I
UЕR
Обычно 0БЭП UЕ тогда
0Б
ПБ I
ЕR
EП
uВХ
VT
СПRК
СР
RБ
СР2
uВЫХ
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 14 из 20.
00
01
БД
П
БД
БЭПБ II
Е
II
UЕR
Д
БЭБ I
UR 0
2
EП
uВХ
VT
СП
RК
СР1
RБ1
RБ2IД
СР2
uВЫХ
Схемы питания транзистора, включённого по схеме ОЭ
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 15 из 20.
Способ подачи напряжения смещения с помощью делителя применяется довольно часто, но он не экономичен. Кроме того, делитель заметно уменьшает входное сопротивление каскада.
Для получения более стабильного напряжения смещения желательно, чтобы ток делителя был возможно больше, а это значит, что сопротивление делителя должно быть маленьким. Уменьшение сопротивления делителя ведёт к уменьшению входного сопротивления каскада. Обычно устанавливают IД = 3…5 IБ0.
rВХ – входное сопротивление самого транзистора.
Схемы питания транзистора, включённого по схеме ОЭ
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 16 из 20.
ВХРН
rС
1Сопротивление входного разделительного конденсатора
Обычно ВХРН
rС
1,01
отсюда ВХН
Р rС
10
или в мкФ ВХН
Р rfС
2
1010 6
Для схемы с делителем надо учесть сопротивление делителя (RБ1RБ2)
21
21
ББ
БББ RR
RRR
Тогда входное сопротивление каскада
БВХ
БВХВХ Rr
RrR
Ёмкости конденсаторов каскадов
Ёмкость СП (в мкФ), определяется аналогично ёмкости СР
КНП RfС
2
1010 6
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 17 из 20.
Существенным недостатком транзисторов является значительное изменение их характеристик при изменении температуры.
Схемы стабилизации каскадов даны в следующей презентации.
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 18 из 20.
Вар. Рис Что изменится, если
1 1 Увеличить немного RБ
2 1 Уменьшить немного ЕП
3 1 Увеличить немного ЕП
4 1 Уменьшить немного RК
5 1 Увеличить немного RК
6 2 Уменьшить немного RБ1
7 2 Увеличить немного RБ1
8 2 Уменьшить немного RБ2
9 2 Увеличить немного RБ2
10 2 Уменьшить немного RК
11 2 Увеличить немного RК
Контрольные вопросы 1
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 19 из 20.
1
2
Вар. Рис Что изменится, если
12 1 Увеличить немного ЕП
13 2 Уменьшить немного RБ
14 1 Увеличить немного RБ
15 1 Уменьшить немного ЕП
16 2 Увеличить немного ЕП
17 2 Уменьшить немного RБ1
18 2 Увеличить немного RБ1
19 2 Уменьшить немного RБ2
20 2 Увеличить немного RБ2
Контрольные вопросы 2
Автор Останин Б.П. Конец слайда
Биполярные транзисторы. Слайд 20 из 20.
1
2