ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ,...

20
ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ) Тема Автор Останин Б.П. Конец слайда Биполярные транзисторы. Слайд 1 из 20. План темы 1. Схемы включения транзисторов 2. Каскад ОЭ 3. Каскад ОК 4. Каскад ОБ 5. Схемы питания каскадов 6. Контрольные вопросы

description

Биполярные транзисторы. Слайд 1 из 20. Тема. ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ). План темы 1. Схемы включения транзисторов 2. Каскад ОЭ 3. Каскад ОК 4. Каскад ОБ 5. Схемы питания каскадов 6. Контрольные вопросы. Автор Останин Б.П. Конец слайда. - PowerPoint PPT Presentation

Transcript of ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ,...

Page 1: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯБИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

(ОЭ, ОК, ОБ)

Тема

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 1 из 20.

План темы

1. Схемы включения транзисторов

2. Каскад ОЭ

3. Каскад ОК

4. Каскад ОБ

5. Схемы питания каскадов

6. Контрольные вопросы

Page 2: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

КБ

Э

ОЭ

Б К

Э

ОК

Схемы включения транзисторов

ОБ

К

Б

Э

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 4 из 20.

Page 3: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Каскад ОЭ

VT

RH

СР

IК0

RБIБ0

IЭ0

IБ0

Токи в режиме покоя

iВХ iБ=IБ0+iВХ

VT

RH

СР

RБIБ0

iЭ=iБ+iК

iК=IК0+iК~

uВХ

iК~ = iВХ·h21Э

h21Э – коэффициент усиления тока базы

Токи при наличии uВХ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 3 из 20.

Page 4: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

uВХ

VT

СР

iБiК

СР2

uВЫХ

Каскад ОЭ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 4 из 20.

Page 5: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

КI – составляет десятки, сотни и даже тысячи

h21Э = - статический коэффициент усиления тока для схемы ОЭ. Он определяется при RH = 0, т.е. при UКЭ = const, так как должен характеризовать только сам транзистор.

constUБ

К

КЭi

i

constUБ

К

КЭdi

di

mK

ВХm

ВЫХmI I

I

I

IK

Каскад ОЭ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 5 из 20.

Page 6: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

mББ

mКК

mББ

mRU U

U

U

UК H

ВХ

ВЫХU U

UmБЭ – десятые доли вольта;UmКЭ – единицы и десятки вольт;КU – десятки, сотни.КР – сотни, тысячи, сотни тысяч.

IUР ККК

Каскад ОЭ

Коэффициенты усиления

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 6 из 20.

Page 7: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Входное сопротивление каскада ОЭ

mВВ

mВВВХ I

Ur

rВХ – сотни Ом, единицы кОм

Пример. UmБЭ = 200 мВ, ImБ = 0,4 мА. тогда

rВХ = 200: 0,4 = 500 Ом.

rВЫХ - составляет единицы и десятки кОм.

Каскад инвертирует фазу входного сигнала.

Недостатки схемы ОЭ – худшие по сравнению с ОБ и ОК частотные и температурные свойства.

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 7 из 20.

Page 8: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Каскад ОК (эмиттерный повторитель)

Выходное напряжение полностью подаётся на вход (100% ООС)

uВХ

VTiБ

СП

ECМ

ССМ

uВЫХ

ВЫХБЭВХ uuu ВЫХЭЭRЭ uiRu

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 8 из 20.

Page 9: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Коэффициент усиления тока на единицу больше чем схемы с ОЭ

11)(

mБmК

mЭI I

I

I

II

I

Коэффициент усиления напряжения меньше единицы

1

mВВЫmББ

mВВЫ

mВВ

mВВЫU UU

U

U

1UК

IР КК

Каскад ОК не инвертирует фазу

Каскад ОК

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 9 из 20.

Page 10: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Входное и выходное сопротивления

mВВЫmББ

mВВ

mВВВХ I

UU

I

Ur

Входное сопротивление каскада ОК – десятки кОм.

Выходное сопротивление каскада ОК – сотни Ом - единицы кОм.

Каскад ОК не инвертирует фазу входного сигнала.

Каскад ОК

Автор Останин Б.П. Конец слайдаАвтор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 10 из 20.

Page 11: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Каскад ОБ

Схема имеет значительно меньшее усиление мощности и меньшее входное сопротивление, чем каскад ОЭ. Зато по частотным и температурным свойствам она значительно превосходит лучшие схемы ОЭ.

11 mЭ

mКI I

Статический коэффициент передачи тока для схемы ОБ

constUЭ

К

КБi

i

uВХ

VT

СБ

RБ1

RБ2 RЭ

СР1

СР2

uВЫХ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 11 из 20.

Page 12: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Коэффициент усиления по напряжению такой же, как в схеме ОЭ

mББ

mККU U

UIUP КККК

Входное сопротивление для схемы ОБ в десятки раз меньше чем в схеме ОЭ (составляет всего лишь десятки, а у мощных транзисторов – единицы Ом).

mББВХ I

Ur

Выходное сопротивление достигает сотен кОм и более

Каскад ОБ не инвертирует фазу входного сигнала

Каскад ОБ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 12 из 20.

Page 13: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Параметр Схема ОЭ Схема ОК Схема ОБ

КI Десятки - сотни Десятки - сотни Немного меньше единицы

КU Десятки - сотни Немного меньше единицы

Десятки - сотни

КP Сотни – десятки тысяч

Десятки - сотни Десятки - сотни

RВХ Сотни Ом – единицы кОм

Десятки – сотни кОм

Единицы – десятки Ом

RВЫХ Единицы – десятки кОм

Сотни Ом – единицы кОм

Сотни кОм – единицы МОм

Фазовый сдвиг между UВЫХ и UВХ 180 0 0

Таблица сравнения каскадов

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 13 из 20.

Page 14: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Схемы питания транзистора, включённого по схеме ОЭ

00 ББПБЭ IRЕU 0

0

Б

БЭПБ I

UЕR

Обычно 0БЭП UЕ тогда

ПБ I

ЕR

uВХ

VT

СПRК

СР

СР2

uВЫХ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 14 из 20.

Page 15: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

00

01

БД

П

БД

БЭПБ II

Е

II

UЕR

Д

БЭБ I

UR 0

2

uВХ

VT

СП

СР1

RБ1

RБ2IД

СР2

uВЫХ

Схемы питания транзистора, включённого по схеме ОЭ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 15 из 20.

Page 16: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Способ подачи напряжения смещения с помощью делителя применяется довольно часто, но он не экономичен. Кроме того, делитель заметно уменьшает входное сопротивление каскада.

Для получения более стабильного напряжения смещения желательно, чтобы ток делителя был возможно больше, а это значит, что сопротивление делителя должно быть маленьким. Уменьшение сопротивления делителя ведёт к уменьшению входного сопротивления каскада. Обычно устанавливают IД = 3…5 IБ0.

rВХ – входное сопротивление самого транзистора.

Схемы питания транзистора, включённого по схеме ОЭ

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 16 из 20.

ВХРН

1Сопротивление входного разделительного конденсатора

Page 17: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Обычно ВХРН

1,01

отсюда ВХН

Р rС

10

или в мкФ ВХН

Р rfС

2

1010 6

Для схемы с делителем надо учесть сопротивление делителя (RБ1RБ2)

21

21

ББ

БББ RR

RRR

Тогда входное сопротивление каскада

БВХ

БВХВХ Rr

RrR

Ёмкости конденсаторов каскадов

Ёмкость СП (в мкФ), определяется аналогично ёмкости СР

КНП RfС

2

1010 6

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 17 из 20.

Page 18: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Существенным недостатком транзисторов является значительное изменение их характеристик при изменении температуры.

Схемы стабилизации каскадов даны в следующей презентации.

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 18 из 20.

Page 19: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Вар. Рис Что изменится, если

1 1 Увеличить немного RБ

2 1 Уменьшить немного ЕП

3 1 Увеличить немного ЕП

4 1 Уменьшить немного RК

5 1 Увеличить немного RК

6 2 Уменьшить немного RБ1

7 2 Увеличить немного RБ1

8 2 Уменьшить немного RБ2

9 2 Увеличить немного RБ2

10 2 Уменьшить немного RК

11 2 Увеличить немного RК

Контрольные вопросы 1

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 19 из 20.

1

2

Page 20: ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

Вар. Рис Что изменится, если

12 1 Увеличить немного ЕП

13 2 Уменьшить немного RБ

14 1 Увеличить немного RБ

15 1 Уменьшить немного ЕП

16 2 Увеличить немного ЕП

17 2 Уменьшить немного RБ1

18 2 Увеличить немного RБ1

19 2 Уменьшить немного RБ2

20 2 Увеличить немного RБ2

Контрольные вопросы 2

Автор Останин Б.П. Конец слайда

Биполярные транзисторы. Слайд 20 из 20.

1

2