1
Fabricare şi caracterizare experimentală a matricilor de
antene în banda W
Etapele tehnologice de fabricare a membranelor prin corodarea umeda a siliciului
TCSS n°1
TCSS n°2
bulk/membrane transition
membrane/bulk transition
+ DC
+ DC
Fotografie a microcomutatoarelor de tip cantilever
integrate pe membrană dielectrică;
Schita a sectiunii comutatorului suspendat pe membrana dielectrica subtire
2
Caracterizarea matricilor de antene slot foldat în domeniul undelor milimetrice
Radiation Pattern rated at the maximum
value [a.u.] (E-Plane)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
30
60
90
120
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
Proiectarea setului de măşti pentru următoarele loturi de matrici de antene şi structuri de test
(a) Layout antenă pentru 94 GHz; (b) layout modul de receptor imagistica pentru 94 GHz cu LNA si dioda detectoare Schottky integrat hibrid
(c) Detaliu al regiunii de pe siliciu; (d) Receiver pentru imagistica fara LNA
3
Caracterizare experimentală a structurilorde test de comutatoare
Setul complet de măşti pentru fabricarea comutatorului
Vedere 3D a modelului electromagnetic pentru comutatorul în poziţie (a) OFF (b) ON
1 21 41 61 81 100
Frequency (GHz)
Electromagnetic Simulations
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
DB(|S(2,1)|)
OFF_715_um
DB(|S(2,1)|)
OFF_565_um
DB(|S(2,1)|)
OFF_415_um
1 21 41 61 81 100
Frequency (GHz)
Electromagnetic Simulations
-20
-15
-10
-5
0
5
10
DB(|S(1,1)|)
OFF_715_um
DB(|S(1,1)|)
OFF_565_um
DB(|S(1,1)|)
OFF_415_um
1 21 41 61 81 100
Frequency (GHz)
Electromagnetic Simulations
-10
-5
0
5
DB(|S(2,1)|)
DOWN_715
DB(|S(2,1)|)
DOWN_565
DB(|S(2,1)|)
DOWN_415
1 21 41 61 81 100
Frequency (GHz)
Electromagnetic Simulations
-50
-40
-30
-20
-10
0
DB(|S(1,1)|)
DOWN_715
DB(|S(1,1)|)
DOWN_565
DB(|S(1,1)|)
DOWN_415
4
26-2930-38VTT X 5b
10-2330VTT X 5a
9-1024-28VTT X 3a
2333VTT X 2b
20-2134-35VTT X 2a
15-1627-28VTT X 1b
22-2327-33VTT X 1a
18-2033-34VTT O 2a
VOFF
[V]VON
[V]Structură
Investigarea actuării microcomutatoarelorRezultate caracterizare în domeniul microundelor
0.04 50 100 110
Frequency (GHz)
VTT x 1b off
-80
-60
-40
-20
0
DB(|S(1,1)|)
DB(|S(2,1)|)0.04 50 100 110
Frequency (GHz)
VTT x 1b 40 V on
-80
-60
-40
-20
0
DB(|S(1,1)|)
DB(|S(2,1)|)
0.04 50 100 110
Frequency (GHz)
VTT x 1b 100 V on
-80
-60
-40
-20
0
DB(|S(1,1)|)
DB(|S(2,1)|)
Masuratorile de parametrii S pentru diferiteconditii de polarizare pentru structura VTT X 1a:
(a) fara actuare;
(b) tensiune de actuare de 40 V; (c) tensiune de actuare de 100 V
Top Related