ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR … · • fiPółprzewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do...
Transcript of ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR … · • fiPółprzewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do...
Kierownik:prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKAe-mail: [email protected], tel. (0-prefiks-22) 548 79 40
Zespół: dr hab. inż. Jerzy Ciosek, e-mail: [email protected],mgr Krystyna Gołaszewska, e-mail: [email protected],dr inż. Marek Guziewicz, e-mail: [email protected],mgr inż. Paweł Jagodziński, e-mail: [email protected],dr inż. Eliana Kamińska, e-mail: [email protected],mgr inż. Renata Kruszka, e-mail: [email protected] inż. Radosław Łukasiewicz, e-mail: [email protected],dr Ewa Papis-Polakowska, e-mail: [email protected],dr inż. Tadeusz T. Piotrowski, e-mail: [email protected],dr inż. Maciej Piskorski, e-mail: [email protected],mgr inż. Paweł Skoczylas, e-mail: [email protected],mgr inż. Artur Szczęsny e-mail: [email protected],mgr Andrian Kuchuk, mgr inż. Lidia Ilka, mgr inż. Ireneusz Wójcik
1. Wprowadzenie
W 2004 r. Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki reali-zował następujące projekty badawcze:• Opracowanie procesów wytwarzania cienkich warstw tlenków i azotków prze-
wodzących dla potrzeb półprzewodnikowych przyrządów fotonowych Etap III(projekt statutowy nr 1.03.035, termin realizacji 31.12.2004);
• Procesy obróbki powierzchni struktur półprzewodnikowych na bazie GaSb i ichzastosowanie w technologii źródeł i detektorów podczerwieni (grant promotor-ski KBN nr 4 T1B 039 22, termin realizacji 15.05.2004);
• Tranzystory polowe AlGaN/GaN nowej generacji dla elektroniki dużej mocyi wysokiej częstotliwości (grant KBN nr 1359/T11/2004/26, termin realizacji25.04.2007);
• Półprzewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do zastosowań w przyrzą-dach termofotowoltaicznych (grant KBN nr 1360/T11/2004/26, termin realiza-cji 03.05.2007);
• Wytwarzanie i optymalizacja kontaktu omowego typu p do GaN, DENIS(projekt EC nr G5RD-CT-2001-00566, termin realizacji 31.03.2005);
• Nanostrukturalne czujniki fotonowe", NANOPHOS (projekt EC nr IST-2001-39112, termin realizacji 31.12.2005).
ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTURPÓŁPRZEWODNIKOWYCH DLA FOTONIKI
2 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
Zakład świadczył również usługi badawcze na zamówienie odbiorców zewnętrz-nych, m. in. w zakresie opracowania technologii wytwarzania masek ZrN na pod-łożach GaAs i GaSb stosowanych do lateralnego wzrostu warstw epitaksjalnychmetodą LPE.
Odrębną grupę działalności stanowiły prace recenzenckie na rzecz KomisjiEuropejskiej w 6. Programie Ramowym, w części Human Resources & Mobility.
2. Wyniki działalności naukowo-badawczej
Najważniejszymi zadaniami naukowo-badawczymi w 2004 r. było:• opracowanie technologii wytwarzania przezroczystych przewodzących warstw
ZnO typu p,• opracowanie technologii wytwarzania przewodzących warstw tlenkowych o struk-
turze amorficznej z materiałów na bazie rutenu,• przeprowadzenie badań stabilności termicznej metalicznych barier antydyfuzyj-
nych W-Ti-N, Ta-Si-N i Ti-Si-N.Równolegle prowadzono prace aplikacyjne związane z zastosowaniem opraco-
wywanych struktur cienkowarstwowych w technologii półprzewodnikowych przy-rządów opto- i mikroelektronicznych z materiałów na bazie GaSb, GaAs i GaN.
Nieodłącznym elementem działalności było doskonalenie metod litografii i cha-rakteryzacji opracowywanych struktur cienkowarstwowych.
2.1. Technologia i własności cienkich warstw p-ZnO
Bazując na wynikach prac z 2003 r. za najbardziej perspektywiczną drogę douzyskania cienkich warstw ZnO typu p uznano metodę utleniania termicznegoZn3N2 z ewentualnym kodomieszkowaniem chromem. W przyjętym podejściuwarstwy Zn3N2 były wytwarzane techniką reaktywnego magnetronowego roz-pylania katodowego r.f. z targetu Zn w plazmie Ar/N2; dla kodomieszkowaniachromem stosowano dodatkowo target Cr. Procesy utleniania Zn3N2 były pro-wadzone w standardowym piecu do obróbki termicznej w przepływie tlenu.
Celem badań było określenie:• wpływu warunków procesu rozpylania katodowego oraz struktury krystalicznej
podłoża na mikrostrukturę warstw Zn3N2 i dalej na własności strukturalne ZnO;• wpływu zanieczyszczeń wodorem oraz domieszkowania azotem i chromem na
własności transportowe p-ZnO.Jako podłoża stosowano kwarc (struktura amorficzna), szafir (struktura heksa-
gonalna) oraz GaN (struktura heksagonalna, dopasowana sieciowo do ZnO) i cien-kie, monokrystaliczne warstwy ZnO na podłożu GaN. W badaniach mikrostrukturycienkich warstw zastosowano techniki XRD, SIMS, AFM.
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 3
Otrzymane wyniki wskazują, że czynnikiem decydującym o strukturze kry-stalicznej warstw Zn3N2 jest skład plazmy, w jakiej odbywa się proces rozpylaniakatodowego. Przy niskiej zawartości azotu, poniżej 25% N2, otrzymywane warstwyZn3N2 zawierają wytrącenia metalicznego Zn. Jednofazowy, polikrystaliczny Zn3N2o charakterystycznej dla tego materiału strukturze kubicznej otrzymuje się przy 25%zawartości azotu. W zakresie 50 ÷ 70% N2 struktura krystaliczna Zn3N2 jest uporząd-kowana, o orientacji (100). Dalszy wzrost zawartości N2 sprawia, że warstwy Zn3N2stają się drobnokrystaliczne i amorficzne. Ilustrują to przedstawione na rys. 1 wynikianaliz rentgenowskich warstw Zn3N2.
Co ciekawe, powyższe zależności były obserwowane niezależnie od rodzajupodłoża, na którym osadzano Zn3N2. W przeciwieństwie do tego mikrostrukturawarstw ZnO bardzo silnie zależała zarówno od struktury wyjściowego podłoża, jaki od struktury Zn3N2.
Na rys. 2 przedstawiono dyfraktogramy rentgenowskie ilustrujące wpływwyjściowego podłoża (szafir, kwarc, epi-ZnO) na mikrostrukturę warstw ZnOotrzymywanych w wyniku utleniania monokrystalicznego Zn3N2 (o strukturze jakna rys. 1c). Jak widać, na podłożach niedopasowanych sieciowo do ZnO kwarcui szafirze otrzymano polikrystaliczny ZnO. W przypadku gdy podłożem był
30 40 50 60 70
100
200
300
400
500
600
700
PRF=1.9W/cm2,
ptot.=1x10-2mbar,
pN2=2x10-3mbar
Zn
400 Z
n3N
2 d
exp =
2.4
57A
440 Zn
3N2 d
exp =
1.7
27 A
321 Zn
3N
2 d
exp =
2.6
14 A
Inte
nsity
2 θ [ deg ]
a)
30 40 50 60 70
200
400
600
800
1000
PRF
=1.9W/cm2,
ptot.=1x10-2mbar,
pN2=2.5x10-3mbar
222 Zn
3N2 d
exp=
2.8
26A
440 Z
n3N
2 d
exp =
1.7
32A
332 Z
n3N
2 d
exp =
2.0
89A
400 Z
n3N
2 d
exp =
2.4
50A
321 Zn
3N2 d
exp =
2.6
19 A
Inte
nsity
2 θ [ deg ]
b)
30 40 50 60 700
50
100
150
200
250
300 PRF=1.9W/cm2,
ptot.=1x10-2mbar,
pN2=5-7x10-3mbar
400 Zn3N2
Inte
nsity
2 θ [ deg ]
c) d)
30 40 50 60 700
50
100
150
200
250
300 PRF=1.9W/cm2,
ptot.=1x10-2mbar,
pN2=9x10-3mbar
Inte
nsity
2 θθθθ [ deg ]
Rys. 1. Dyfraktogramy rentgenowskie warstw Zn3N2 osadzanych metodą reaktywnego rozpylania kato-dowego przy różnym stosunku ciśnień N2/Ar: a) 20% N2 → Zn3N2 + Zn, b) 25% N2→ polikrystalicznyZn3N2, c) 50% ÷ 70% N2 → monokrystaliczny, d) N2 > 80% polikrystaliczny/amorficzny
4 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
tlenek cynku lub GaN, struktura ZnO charakteryzowała się wysokimuporządkowaniem zgodnym z orientacją krystaliczną podłoża. Komplementarnebadania morfologii powierzchni technikami mikroskopii optycznej i AFMwykazały, że transformacja strukturalna silnie uporządkowanego kubicznegoZn3N2 w heksagonalny ZnO, zachodząca na niedopasowanym do ZnO podłożu,daje w efekcie warstwy polikrystaliczne o jednorodnej morfologii (rys. 3). Jeśli
a) b)
Rys. 3. Morfologia powierzchni warstwy ZnO wytworzonej poprzez utlenianie monokrystalicznego Zn3N2na szafirze: a) obraz z mikroskopu optycznego, b) obraz AFM
40 50 60 700
100
200
300
400
500
600
700
800
ZnO
Zn3N
2 d=650nm na kwarcu
utlenianie @ 600oC
11
.0 10
.2
10
.1
10
.1 K
β βββ
00
.2
10
.0
Inte
nsity
2 θ [ deg ]
40 45 50 55 60 95 100
200
400
600
800
1000Zn
3N
2 d=650nm na GaN
utlenianie @ 600oC 0
0.4
GaN
00
.4 Z
nO
00.6
Al 2O
3
00
.2 Z
nO
00.2
GaN
In
tens
ity
2 θ [ deg ]
45 50 55 600
200
400
600
800
1000
ZnO
Zn3N
2 d=650nm na Al
2O
3
utlenianie @ 600oC
2 θ (deg)
10
1
102
00
2
Kα
Kβ
006 Al2O3
Inte
nsity
(cps
)
a) b)
c)
Rys. 2. Dyfraktogramy rentgenowskie warstw ZnO na podłożach z szafiru, kwarcu oraz GaN: a) poli-krystaliczny ZnO na szafirze, b) polikrystaliczny ZnO na kwarcu, c) epitaksjalny ZnO na Ga
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 5
zaś proces transformacji przebiega na podłożu dopasowanym sieciowo, tonaprężenia wewnętrzne generowane w trakcie przemiany strukturalnej sprawiają,że otrzymany materiał mimo monokrystalicznej struktury charakteryzuje się bardzoniejednorodną topografią (rys. 4).
a) b)
c)
d)
Rys. 4. Morfologia powierzchni warstwy ZnO podłożu GaN: a) obraz z mikroskopu optycznego, b)d)obrazy AFM cech charakterystycznych jak dziury, wzgórki i obszar płaski
Na rys. 5 przedstawiono dyfraktogramy rentgenowskie ilustrujące wpływ wyj-ściowego podłoża (ZnO, szafir) na mikrostrukturę warstw ZnO otrzymywanychw wyniku utleniania polikrystalicznego Zn3N2 (o strukturze jak na rys. 1a). Napodłożach dopasowanych sieciowo (GaN, ZnO) otrzymano monokrystaliczny ZnO,podczas gdy warstwy otrzymane na niedopasowanych sieciowo podłożach (kwarc,szafir) charakteryzują się strukturą polikrystaliczną.
Za najważniejszy wynik przeprowadzonych prac badawczych należy uznaćzoptymalizowanie parametrów wytwarzania jednorodnych, monokrystalicznychwarstw ZnO na podłożach GaN. W szczególności wykazano, iż stosując poli-krystaliczny/amorficzny Zn3N2 można uzyskać cienkowarstwowy monokrysta-liczny ZnO o regularnej morfologii powierzchni. Obrazy mikroskopowe tego typuwarstw przedstawiono na rys. 6.
W badaniach nad efektywnością domieszkowania ZnO ustalono korelacjęmiędzy własnościami transportowymi warstw ZnO a koncentracją aktywnejdomieszki, jaką jest azot, oraz koncentracją wodoru. Ilościowe badania składu
45 50 55 600
200
400
600
800
1000
po utlenianiu
po osadzeniu
2 θ (deg)
101
ZnO
102
ZnO
002
ZnO
Kα
Kβ
006 Al2O3
004
Zn3N
2
Al2O3/Zn3N2(90%N2)
Inte
nsity
(cps
)
42 43 44 450
1000
2000
3000
4000
5000
po utlenianiu
d = 2.631 Apo osadzeniu ZnO sputt.
002
GaNd = 2.606 A
002 ZnO
Al2O3/GaN/ZnOsputt./Zn3N2
2 θ (deg)
Inte
nsity
(cps
)
Rys. 5. Dyfraktogramy rentgenowskie warstw ZnO otrzymanych z drobnoziarnistego Zn3N2 na podłożachZnO oraz Al2O3
6 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
zostały wykonane metodą SIMS z użyciem specjalnie do tego celu wytworzonychwzorców azotu i wodoru w ZnO. Pomiary zawartości azotu wykazały jednorodnąi powtarzalną koncentrację N w utlenionej warstwie na poziomie 3 ÷ 5⋅1020 at./cm3.Stwierdzono, że warstwy ZnO zawierają porównywalną z azotem koncentracjęwodoru. Na rys. 7 przedstawiono wyniki badań głębokościowych składu Zn3N2 poosadzeniu i utlenianiu. Stwierdzono, że koncentracja wodoru w ZnO zależy odpoziomu ciśnienia resztkowego wodoru podczas procesu nanoszenia Zn3N2.Wprowadzenie specjalnego reżimu technologicznego, polegającego na dodat-kowym czyszczeniu komory próżniowej i trawieniu podłoża jonami Ar in situ,pozwoliło na znaczącą redukcję zawartości wodoru w warstwie ZnO. Stwierdzono,że zawartość graniczna, powyżej której nie jest możliwe uzyskanie w ZnOprzewodnictwa dziurowego, wynosi ok. 2⋅1020 at./cm3.
a) b)
Rys. 6. Morfologia powierzchni warstw ZnO wytworzonej poprzez utlenianie drobnokrystalicznego Zn3N2na podłożu GaN: a) obraz z mikroskopu optycznego, b) obraz AFM cech charakterystycznych
Wartości parametrów elektrycznych warstw ZnO, otrzymanych z materiałuwyjściowego Zn3N2 osadzonego przy różnej ilości azotu, zestawiono w tab. 1.W świetle tych wyników wydaje się, że rola chromu jako kodomieszkiumożliwiającej uzyskanie wyższej koncentracji dziur w p-ZnO polega na gete-rowaniu zanieczyszczeń wodorowych.
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,01018
1019
1020
1021
1022
1023
Zn
O
N
H
Depth [ µµµµm]
Conc
entra
tion
of N
and
H [
at/c
m
3 ]
100
101
102
103
104
105
106
107
standard cleaningZn3N2 640nm on GaN
ht @ O2 6000C 15 min.
SIMS Signal [ c/s ]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,01018
1019
1020
1021
1022
1023
Conc
entra
tion
of N
and
H [
at/c
m
3 ]
Depth [µµµµm]
100
101
102
103
104
105
106
107
H
N
O
Zn
improved cleaningZn3N2 on GaN
ht @ O2 600015 min.
SIMS Signal [ c/s ]
0,0 0,2 0,4 0,6100
101
102
103
104
105
106
107
108
O
N
Zn
Zn3N2 650 nm as-depositedsubstrate SiO2
Depth [ µµµµm ]
SIM
S Si
gnal
[ c/
s ]
!) ") #)
Rys. 7. Profile głębokościowe warstw Zn3N2 i ZnO: a) Zn3N2 po osadzeniu, b) warstwa ZnO zawartość Hprzed optymalizacją czyszczenia stanowiska i podłoża; c) warstwa ZnO zawartość H po optymalizacjiprocesu oczyszczania
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 7
Tabela 1. Parametry elektryczne utlenionych warstw Zn3N2
Materiał wyjściowy Utlenianie dZnO[nm]
Typ ρ[Ω⋅cm]
Koncentr.[cm−3]
µ[cm2/Vs]
Al2O3/Zn3N2(30%N2) 600oC
15 min.
700 p 2,37 2,6⋅1017 10,0
Al2O3/Zn3N2(50%N2) 600oC
15 min.
660 p 1,52 2,3⋅1017 17,9
Al2O3/Zn3N2(80%N2) 600oC
15 min.
630 p 1,31 2,96⋅1017 16,0
ZnO/Zn3N2(90%N2) 600oC
30 min.
1450 p 3,51 5,04⋅1016 35,2
Al2O3/Zn3N2(100%N2) 600oC
15 min.
260 p 1,18 6,57⋅1017 7,9
Pomiary transmisji warstw p-ZnO:N przedstawione na rys. 8 wykazały dobrą,80% wartość dla zakresu podczerwieni 0,7 ÷ 2,2 µm i słabszą, ok. 60 ÷ 70 %, dlazakresu widzialnego.
Badania fotoluminescencji warstw p-ZnO:N w temperaturze 16 K przeprowa-dzono we współpracy z Instytutem Fizyki PAN. Jak można zauważyć na rys. 9,w widmie fotoluminescencji widoczny jest silny pik odpowiadający energii3,36 eV oraz emisji z głębokiego poziomu 2,33 eV. Pierwszy pik 3,36 eVprzypisuje się ekscytonowi związanemu z domieszką azotową (AoX), a wzbu-dzenie ok. 2,33 eV, tzw. green band, lukom tlenowym w ZnO.
400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 22000
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Zn3N2/SiO2 ht@ O2, 6000C 15min.
ZnO d=260 nm ZnO d=600 nm
Tran
sim
issi
on (%
)
Wavelength (nm)2,0 2,5 3,0 3,5
2.33 eV
Zn3N2(902)/Al2O3, oxidized @ 6000C
3.36 eVT=16K, Excitation line 351nm (Argon laser)
Inte
nsity
[a.u
.]
E[eV]
Rys. 8. Transmisja warstw p-ZnO:N o grubości 260 nmi 600 nm
Rys. 9. Fotoluminescencja warstw p-ZnO:N utlenia-nych w 600oC
8 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
2.2. Technologia i własności cienkowarstwowych barier dyfuzyjnych dlametalizacji na bazie złota
Złoto oraz jego stopy i struktury warstwowe na bazie Au są najczęściej sto-sowanymi materiałami w technologii metalizacji przyrządów półprzewodnikowychIII-V. Wykorzystywane są zarówno w technologii warstw kontaktowych (kontaktyomowe), jak i warstw montażowych (doprowadzenia elektryczne). W szcze-gólności badania przeprowadzone w poprzednim etapie projektu DENIS wykazały,że kontakty Pd/Au mają najlepsze własności elektryczne (najniższe wartości rezy-stywności), jeśli chodzi o kontakty omowe do obszaru typu p lasera GaN/AlGaN//InGaN.
Zalety i wady metalizacji na bazie złota są nierozłącznie związane z metalurgiąukładu Au/półprzewodnik AIII-BV i aktywowanymi termicznie reakcjami zacho-dzącymi w tych układach. Mają one m. in. negatywny wpływ na długoczasowąstabilność mikrostruktury kontaktów i ich własności elektryczne.
Powszechne jest przekonanie, że rozwiązaniem problemu ograniczonejstabilności termicznej metalizacji na bazie Au jest wprowadzenie do nich cienko-warstwowych barier antydyfuzyjnych. Cienkowarstwowe materiały barierowemuszą spełniać warunki wysokiej stabilności termicznej, wysokiego przewodni-ctwa elektrycznego, odporności na korozję, kompatybilności z procesem wytwa-rzania struktur przyrządowych. Najnowsze badania w tym zakresie sugerują, żemateriały barierowe powinny się charakteryzować strukturą amorficzną, wolną odłatwej dyfuzji (np. po granicach ziaren).
Przedmiotem badań szczegółowych były dwa układy materiałowe: cienkowarstwoweprzewodzące azotki metali przejściowych, w tym warstwy układów Ta-Si-N, Ti-Si-Ni Ti-W-N, oraz cienkowarstwowe przewodzące tlenki na bazie rutenu, w tym war-stwy układów Ru-O and Ru-Si-O.
2.2.1. Cienkowarstwowe przewodzące azotki metali przejściowych
Cienkie warstwy Ta-Si-N, Ti-Si-N i W-Ti-N były wytwarzane metodą reaktyw-nego magnetronowego rozpylania katodowe w plazmie Ar/N2 przy użyciu targetówTa5Si3, Ti5Si3 i Ti(10%)W(90%). Osadzanie warstw Ta-Si-N i Ti-Si-N prowadzonow urządzeniu Leybold L560, a warstw W-Ti-N w sputronie Leybold Z550. Dużaczęść prac była wykonywana z użyciem podłoży (100)GaAs, końcowe ekspery-menty prowadzono stosując podłoża GaN.
Charakteryzacja wytworzonych warstw obejmowała pomiary oporności elek-trycznej (metodą czterech sond), naprężeń (Tencor FLX 2320), składu chemicz-nego (RBS i SIMS), struktury krystalicznej i morfologii powierzchni (XRD,AFM).
W celu określenia stabilności termicznej wytwarzane warstwy były poddawaneprocesom wygrzewania w atmosferze Ar w temperaturze 400 ÷ 1000oC.
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 9
Wytwarzanie i własności barierowe cienkich warstw Ta-Si-NWpływ parametrów osadzania (moc RF, zawartość N2 w plazmie) na podstawowe
własności warstw Ta-Si-N (skład chemiczny, rezystywność, naprężenia) ilustrujązależności przedstawione na rys. 10. Otrzymane wyniki, uzupełnione analizami XRD(rys. 11), wskazują, że skład gazu procesowego (zawartości N2 w plazmie) mazasadniczy wpływ na skład chemiczny i strukturę krystaliczną warstw Ta-Si-N.W szczególności dowodzą, że optymalizując parametry procesu osadzania możnaotrzymać przewodzące warstwy o strukturze amorficznej.
35 40 45 500
200
400
600
800
1000
PRF = 200 WTa.28Si.22N.50 fN2
= 20 sccm
Ta.33Si.23N.44 fN2 = 12 sccm
Ta.34Si.25N.41 fN2
= 10 sccm
Ta.40Si.24N.36 fN2 = 8 sccm
Ta.53Si.20N.27 fN2 = 5 sccm
Ta.58Si.21N.21 fN2 = 2 sccm
Ta.67Si.33
Coun
ts
2Θ [ deg ]
20 30 40 50 60 70 800
500
1000
1500
2000
GaA
s(40
0)
GaA
s(20
0)
GaAs/Ta.67Si.33 (100 nm)Cou
nts
2Θ [ deg ]
20 30 40 50 60 70 800
500
1000
1500
2000
GaA
s(40
0)
GaA
s(20
0)
GaAs/Ta.34Si.25N.41 (100 nm)
Cou
nts
2Θ [ deg ]
Rys. 11. Wpływ parametrów rozpylania katodowego (P = 200 W, fN2 = 2 20 sccm) na mikrostrukturęwarstw Ti-Si-N: a), b) widma XRD warstw GaAs/Ta0,67Si0,33 i GaAs/Ta0,34Si0,25N0,41, c) fragment widmaXRD ilustrujący zmianę struktury warstwy Ta-Si-N ze wzrostem zawartości azotu
0 5 10 15 200.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
P = 200 W fAr = 100 sccm
Si
N
Ta
Laye
r com
posi
tion
[ at%
]
N2 flow [ sccm ]0 5 10 15 20
10-4
10-3
10-2
10-1
Ta.34Si.25N.41
Ta.67Si.33
P = 200 WfAr = 100 sccm
Res
istiv
ity [
Ωcm
]
N2 flow [ sccm ]0 5 10 15 20
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
Ta.40Si.24N.36
Ta.34Si.25N.41
Ta.67Si.33
P = 200 WfAr = 100 sccm
Stra
in [
GPa
]
N2 flow [ sccm ]
100 120 140 160 180 2000.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
fN2 = 8 sccm
fAr = 100 sccm
Si
N
Ta
Laye
r com
posi
tion
[ at%
]
RF power [ W ]100 120 140 160 180 200
10-4
10-3
10-2
10-1
fN2
= 8 sccmfAr = 100 sccm
Ta.29Si.22N.49
Ta.40Si.24N.36
Ta.38Si.20N.42
Res
istiv
ity [
Ωcm
]
RF power [ W ]100 120 140 160 180 200
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
Ta.38Si.22N.42
Ta.29Si.22N.49Ta.40Si.24N.36
fN2 = 8 sccm
fAr = 100 sccm
Stra
in [
GPa
]
RF power [ W ]
Rys. 10. Zależność składu (a, b), rezystywności (c, d) i naprężeń (e, f) warstwy Ta-Si-N od prze- pływu N2oraz mocy RF
a) b) c)
d) e) f)
a) c)
b)
10 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
Wpływ obróbki termicznej na mikrostrukturę i własności elektryczne warstwTa-Si-N ilustrują zależności przedstawione na rys. 1217 oraz w tab. 2.
Tabela 2. Wpływ procesów termicznych na skład warstw GaAs/TixSi1-x-yNy
Parametry procesu obróbki termicznejMetalizacjad = 100 nm 600oC, 5 min. 800oC, 5 min. 1000oC, 5min.
GaAs/Ta0,67Si0,33 Ta0,67Si0,33 Ta5Si3 + TaSi2 Ta5Si3 + TaSi2
GaAs/Ta0,34Si0,25N0,41 Ta0,34Si0,25N0,41 Ta0,34Si.0,5N0.41 Ta5Si3 + Ta0,2N0,8
Rys. 13. Obrazy AFM powierzchni warstw Ta-Si-N:Ta0,67Si0,33 po osadzeniu (a) i wygrzewaniu w T == 700oC, t = 5 min. (b); Ta0,40Si0,24N0,36 po osadzeniu (c) i wygrzewaniu w T = 900oC, t = 5 min. (d);Ta0,34Si0,25N0,41 po osadzeniu (e) i wygrzewaniu w T = 900oC, t = 5 min. (f)
0
1000
2000T = 6000C
20 30 40 50 60 70 800
1000
2000G
aAs(
400)
GaA
s(20
0)
GaAs/Ta.67Si.33(100 nm)
Cou
nts
as deposited
2Θ [ deg ]
0
1000
2000
·•
- TaSi2·- Ta5Si3
• · ······ ·· ••
•• •·
T = 8000C
20 30 40 50 60 70 800
1000
2000
GaAs/Ta.34Si.25N.41(100nm) GaA
s (4
00)
GaA
s (2
00)
as deposited
0
1000
2000
T = 9000C
0
1000
2000
···· - Ta5Si3• - Ta.2N.8
· ••· · ··
•
Cou
nts
2Θ [ deg ]
T = 10000C
Rys. 12. Wpływ temperatury wygrzewania na mikrostrukturę warstw: a) GaAs/Ta0,67Si0,33, b) GaAs//Ta0,34Si0,25N0,41
X 1 µm/divZ 10 nm/div
Ta.34Si.25N.41Ta.40Si.24N.36Ta.67Si.33
rms = 0.47 nm rms = 0.35 nm rms = 0.36 nm
T = 700oCrms = 4.4 nm
T = 900oCrms = 0.60 nm
X 0.2 µm/divZ 10 nm/div
T = 900oCrms = 0.46 nm
X 0.2 µm/divZ 40 nm/div
X 0.2 µm/divZ 5 nm/div
a) c) e)
b) d) f)
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 11
0 50 100 150 200 250100
101
102
103
104
105
106
107
GaAs/Ta.67Si.33 as deposited
Ta
Si
Ga
As
Cou
nts
[ c/s
]
Time [ s ]0 50 100 150 200 250
100
101
102
103
104
105
106
107
GaAs/Ta.67Si.33
600oC, 5 min, Ar
Ta
Si
Ga
As
Cou
nts
[ c/s
]
Time [ s ]0 50 100 150 200 250
100
101
102
103
104
105
106
107
GaAs/Ta.67Si.33
700oC, 5 min, Ar
Ta
Si
Ga
As
Cou
nts
[ c/s
]
Time [ s ]
0 50 100 150 200 250100
101
102
103
104
105
106
GaAs/Ta.40Si.24N.36
as deposited
O
N
Si
GaTa
Time [ s ]
Cou
nts
[ c/s
]
0 50 100 150 200 250100
101
102
103
104
105
106
GaAs/Ta.40Si.24N.36
700oC, 5 min, Ar
O
N
Si
GaTa
Time [ s ]
Cou
nts
[ c/s
]
0 50 100 150 200 250100
101
102
103
104
105
106
GaAs/Ta.40Si.24N.36
800oC, 5 min, Ar
O
N
Si
GaTa
Time [ s ]
Cou
nts
[ c/s
]
0 50 100 150 200 250100
101
102
103
104
105
106
GaAs/Ta.34Si.25N.41as deposited
O
N
Si
GaTa
Time [ s ]
Cou
nts
[ c/s
]
0 50 100 150 200 250100
101
102
103
104
105
106
GaAs/Ta.34Si.25N.41
900oC, 5 min, Ar
O
N
Si
Ga
Ta
Time [ s ]
Cou
nts
[ c/s
]
0 100 200 300 400 500100
101
102
103
104
105
106
GaAs/Ta.34Si.25N.41
1000oC, 5 min, Ar
O
N
Si
GaTa
Time [ s ]
Cou
nts
[ c/s
]
RTT
a) b) c)
d) e) f)
g) h) i)
ys. 14. Profile SIMS warstw Ta-Si-N:Ta0,67Si0,33 po osadzeniu (a) i po wygrzewaniu w T = 600oC (b), = 700oC (c); Ta0,40Si0,24N0,36 po osadzeniu (d) i po wygrzewaniu w T = 700oC (e), T = 800oC (f);a S N po osadzeniu (g) i po wygrzewaniu w T = 900oC (h), T = 1000oC (i)
0,34 0,25 0,410 400 500 600 700 800
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Annealing temperature [ oC ]
GaAs/Au GaAs/Ta.67Si.33/Au GaAs/Ta.53Si.20N.27/Au GaAs/Ta.40Si.24N.36/Au GaAs/Ta.34Si.25N.41/Au
dAu = 90 nm dTa-Si-N = 100 nm
Res
ista
nce
[ Ω/s
q. ]
Rys. 15. Wpływ temperatury wygrzewania na rezystywność kontaktów GaAs/Ta-Si-N/Au
12 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
Podsumowując otrzymane wyniki należy podkreślić, iż cienkie warstwy o skła-dzie Ta0,34Si0,25N0,41 i grubości 100 nm stanowią znakomitą warstwę barierową,odporną na działanie podwyższonych aż do 800oC temperatur.
Wytwarzanie i własności barierowe cienkich warstw Ti-Si-NWpływ parametrów osadzania na rezystywność i własności barierowe warstw
Ti-Si-N jest przedstawiony na rys. 18. Otrzymane wyniki wskazują, że cienkie
150 200 250 300 350 400 4500.0
2.0x103
4.0x103
6.0x103
8.0x103
1.0x104
Channel
Ta
Au
GaAs
1.91.51.10.7Energy [ MeV ]
GaAs/Ta.53Si.20N.27(110nm)/Au(90nm)
as deposited
Ar, T = 8000C, t = 5 min.
Back
scat
terin
g yi
eld
[ a.u
. ]
150 200 250 300 350 400 4500.0
2.0x103
4.0x103
6.0x103
8.0x103
1.0x104 1.91.51.10.7
Ta
Au
GaAs
Energy [ MeV ]
GaAs/Ta.34Si.25N.41(110 nm)/Au(90nm)
as deposited
Ar, T = 8000C, t = 5 min.
Back
scat
terin
g yi
eld
[ a.u
. ]
Channel
Rys. 16. Widma RBS kontaktów GaAs/Ta0,53Si0,20N0,27/Au (a) i GaAs/Ta0,34Si0,25N0,41/Au (b) przed i powygrzewaniu w Ar, T = 800oC, t = 5 min.
a) b)
Rys. 17. Zdjęcia TEM kontaktu Au/Ta0,34Si0,25N0,41/GaN przed (a) i po (b) wygrzewaniu w Ar, T = 800oC,t = 5 min.
a) b)
a) b)
0 5 10 1510-4
10-3
10-2
10-1
Ti.30Si.22N.48
Ti.27Si.20N.53
Ti.58Si.42
P = 450 WfAr = 150 sccm
Res
istiv
ity [
Ωcm
]
N2 flow [ sccm ]0 400 500 600 700 800
0.1
1
10
100
GaAs/Ti.34
Si.26
N.40
/Au GaAs/Ti
.30Si
.22N
.48/Au
GaAs/Ti.27
Si.20
N.53
/Au GaAs/Ti
.26Si
.19N
.55/Au
GaAs/Ti.26
Si.18
N.57
/Aud
Ti-Si-N = 170 nm
dAu = 50 nm
Resi
stan
ce [
Ω/s
q. ]
Annealing temperature [ OC ]
Rys. 18. Wpływ parametrów procesu osadzania na rezystywność warstw Ti-Si-N (a) i wygrzewania narezystywność kontaktów GaAs/Ti-Si-N/Au (b)
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 13
warstwyTi0,27Si0,20N0,53 spełniają wymogi wysokiego przewodnictwa i stabilnościtermicznej w temperaturze do 800oC.
Wytwarzanie i własności barierowe cienkich warstw W-Ti-NWpływ parametrów osadzania na rezystywność, mikrostrukturę i własności
barierowe warstw W-Ti-N jest przedstawiony na rys. 1922. Otrzymane wynikiwskazują, że optymalizując parametry procesu osadzania można otrzymać prze-wodzące warstwy o strukturze amorficznej. Ich własności barierowe są jednakżegorsze w porównaniu z warstwami Ta-Si-N i Ti-Si-N. Najlepsze pod tym wzglę-dem warstwy W0,65Ti0,17N0,18 wykazują odporność na działanie podwyższonychtemperatur nie przekraczających 750oC.
Rys. 20. Obrazy AFM powierzchni warstw W-Ti-N: a) W0,78Ti0,22, b) W0,65Ti0,17N0,18, c) W0,42Ti0,12N0,46,d) W0,34Ti0,11N0,55
35 40 45 50 55 600.0
5.0x102
1.0x103
1.5x103
2.0x103
2.5x103
3.0x103
3.5x103
4.0x103
4.5x103
(111)TiN
(200)TiN
(200)β-W2N
(111)β-W2N
(110)W W.34
Ti.11
N.55
W.36
Ti.11
N.53
W.40Ti.11N.49
W.42Ti.12N.46
W.45Ti.13N.42
W.51Ti.13N.36
W.56Ti.14N.30
W.65Ti.17N.18
W.69
Ti.19
N.12
W.78
Ti.22
Inte
nsity
[ a.
u. ]
2Θ [deg]
Rys. 19. Dyfraktogramy XRD warstw W-Ti-N
a) b)
c) d)
14 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
2.2.2. Cienkowarstwowe tlenki przewodzące na bazie rutenu
Cienkie warstwy Ru-O i Ru-Si-O były wytwarzane metodą magnetronowegorozpylania katodowego w plaźmie Ar/O2 przy użyciu targetów Ru i Ru1Si1. Pro-cesy osadzania były prowadzone w urządzeniu Leybold Z400 w modzie DC.Materiałem podłożowym był kwarc, szafir, krzem i epi-GaN.
Zasadniczym zadaniem prowadzonych prac było ustalenie korelacji pomiędzyparametrami procesu osadzania a własnościami elektrycznymi i strukturą krysta-liczną otrzymywanych warstw.
0 550 600 650 700 750 8000.1
1
10
100
1000
GaAs/W.78Ti.22/Au GaAs/W.69Ti.19N12/Au GaAs/W.65Ti.17N18/Au GaAs/W.56Ti.14N30/Au GaAs/W.40Ti.11N49/Au GaAs/W.36Ti.11N53/Au GaAs/W.34Ti.11N55/Au
dW-Ti-N = 100 nmdAu = 90 nmRe
sista
nce
[ Ω
/sq.
]
Annealing temperature [ OC ]
Rys. 21. Wpływ wygrzewania na własności barierowe warstw W-Ti-N
150 200 250 300 350 4000.00
2.50x103
5.00x103
7.50x103
1.00x104
1.25x104
1.50x104
AuW
GaAs
2MeV He+GaAs/W.78Ti.22(100nm)/Au(200nm)
Channel
Bac
ksca
tter
ing
yiel
d [a
.u.] as-deposited
600oC, 5 min, Ar
700oC, 5 min, Ar
150 200 250 300 350 4000.00
2.50x103
5.00x103
7.50x103
1.00x104
1.25x104
AuW
GaAs
2MeV He+ GaAs/W.65Ti.17N.18(100nm)/Au(200nm)
Channel
Back
scat
terin
g yie
ld [a
.u.] as-deposited
750oC, 5 min, Ar
800oC, 5 min, Ar
a) b)
300 400 500 600 700 800 9000.0
2.0x103
4.0x103
6.0x103
8.0x103
1.0x104
1.2x104
1.4x104
GaAs
AuW
2MeV He+GaAs/W.56Ti.14N.30(100nm)/Au(200nm)
as-deposited
750oC, 5 min, Ar 800oC, 5 min, Ar
Bac
ksca
tter
ing
yiel
d [a
.u.]
Channel150 200 250 300 350 400 450
0.00
2.50x103
5.00x103
7.50x103
1.00x104
1.25x104
1.50x104
1.75x104
2.00x104
AuW
GaAs
2MeV He+GaAs/W.36Ti.11N.53(100nm)/Au(200nm)
Channel
Bac
ksca
tter
ing
yiel
d [a
.u.] as-deposited
650oC, 5 min, Ar
700oC, 5 min, Ar
c) d)
Rys. 22. Widma RBS kontaktów GaAs/W0,78Ti0,22/Au (a); GaAs/W0,65Ti0,17N0,18/Au (b); GaAs/ W0,56Ti0,14N0,30/Au (c)i GaAs/W0,36Ti0,11N0,53/Au (d) przed i po wygrzewaniu w Ar
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 15
Wpływ zawartości tlenu w procesie rozpylania katodowego na rezystywnośći skład chemiczny warstw Ru-O i Ru-Si-O ilustrują rys. 23 i 24. Komplementarnewyniki badań rentgenowskich wykazały, że warstwy RiO2 charakteryzują sięstrukturą nanokrystaliczną, a warstwy RuSiO4 cechuje struktura amorficzna.
Badania stabilności termicznej warstw Ru-O2/GaN i RuSiO4/GaN (rys. 25, 26)wykazały, że pierwsze z nich charakteryzują się odpornością na działanie tem-peratur do 800oC, drugie zaś cechuje stabilność termiczna aż do 900oC.
0 10 20 30 40 5010-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
Ru-O d = 50 nm
Ru-Si-O d = 50 nm
Res
istivity
[ Ωcm
]
O2 partial pressure [%]
Rys. 23. Zależność rezystywności warstw Ru-O i RuSi-O w funkcji względnego ciśnienia tlenu podczasrozpylania katodowego z targetu Ru i RuSi
0 10 20 30 40 500,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Ruthenium
Oxygen
Ru-O d = 50 nmPDC = 100 W
p = 1x10-2 mbar
At
omic
conc
entra
tion
[%at
.]
O2 partial pressure [%]100 200 300 400 500 600 700 800
0
1000
2000
3000
4000
Si
Ru0
Optimisation of reactive sputtering of RuO2 100% Ar 80% Ar + 20% O2 50% Ar + 50% O2
substrate: Si
Yiel
d
Channel
0 5 10 15 200,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
Silicon
Ruthenium
Oxygen
Ru-Si-O d = 50 nmPDC = 100 Wp = 5x10-3 mbar
Ato
mic
con
cent
ration
[%
at.]
O2 partial pressure [%]100 200 300 400 500 600 700 800
0
500
1000
1500
2000
2500
Si0
Ru0
Optimisation of reactive sputtering of Ru-Si-O 100% Ar 98% Ar + 2% O2 96% Ar + 4% O2 90% Ar + 10% O2 80% Ar + 20% O2
Substrate: SiYiel
d
Channel
a) b)
c) d)
Rys. 24. Widma RBS i skład atomowy warstw Ru-O (a, b) i Ru-Si-O (c, d) osadzonych na Si
16 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
2.3. Cienkie warstwy CdO, ZnO i RuSiO jako przezroczyste elektrodykontaktowe dla struktur półprzewodnikowych na bazie GaSb pracujących
w zakresie średniej podczerwieni
Najpopularniejszym materiałem na przezroczyste elektrody kontaktowe w przy-rządach optoelektronicznych pracujących w zakresie widzialnym i bliskiej pod-czerwieni jest tlenek indowo-cynowy (ITO). Użycie ITO dla średniej podczerwieninapotyka na znaczne ograniczenia ze względu na wzrastające w tym zakresie
0 50 100 150100
101
102
103
104
105
106
107
108
Depth [ nm ]
Ru/GaN as-deposited
O Ru Ga N
SIM
S Si
gnal
[ c/
s ]
a)
0 50 100 150100
101
102
103
104
105
106
107
108
RuO2/GaN as-deposited
Depth [ nm ]
O Ru Ga N
SIM
S S
igna
l [ c
/s ]
c)
0 50 100 150100
101
102
103
104
105
106
107
RuSiO4/GaN as-deposited
O Ru Si Ga N
Depth [ nm ]
SIM
S S
igna
l [ c
/s ]
e)
0 50 100 150100
101
102
103
104
105
106
107
RuSiO4/GaN 9000C, N
2, 1 min.
Depth [ nm ]
O Ru Si Ga N
SIM
S Si
gnal
[ c/
s ]
0 50 100 150100
101
102
103
104
105
106
107
108
Depth [ nm ]
Ru/GaN 8000C, N2, 1 min.
O Ru Ga N
SIM
S Si
gnal
[ c/
s ]
b)
0 50 100 150100
101
102
103
104
105
106
107
108
RuO2/GaN 8000C, N2, 1 min.
O Ru Ga N
Depth [ nm ]
SIM
S S
igna
l [ c
/s ]
d) f)
Rys. 25. Profile SIMS warstw na bazie Ru osadzonych na GaN przed i po wygrzewaniu w azocie przez1 min.: a), d) warstwa Ru; b), e) warstwa RuO2; c), f) warstwa RuSiO4
0 200 400 600 800 100010-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
RuSiO4
RuO2
Ru
Annealing @ N2, 1 min.
Res
istiv
ity [Ω
cm]
Temperature [oC]
Rys. 26. Zależność rezystywności warstw Ru, RuO2 i RuSiO4 od temperatury ich wygrzewania
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 17
widmowym wartości odbicia i absorpcji. Tak więc dla półprzewodników na bazieGaSb konieczne jest poszukiwanie innych tlenków przewodzących.
Biorąc po uwagę dotychczasowe doświadczenia, przeprowadzono badaniaczterech materiałów przewodzących: tlenku kadmu, tlenku cynku, tlenku cyny oraztlenku rutenowo-krzemowego.
Badane TCO były osadzane na podłożach p-GaSb (p = 3⋅1017 cm3), domiesz-kowanych germanem p-Al0,30Ga0,70As0,03Sb0,97, oraz dodatkowo do badań optycz-nych na podłożach kwarcowych.
Warstwy Cd-O, Sn-O i Ru-Si-O były nakładane metodą reaktywnego rozpylaniakatodowego z targetów Cd, Sn i RuSi w atmosferze będącej mieszaniną argonui tlenu. ZnO osadzano metodą RF sputteringu w atmosferze argonowej stosująctarget ZnO. Optymalizacja warunków osadzania (stosunek przepływu Ar/O2, mocRF, ciśnienie w komorze procesowej) była prowadzona pod kątem uzyskania jaknajwyższych wartości transmisji optycznej i przewodnictwa elektrycznego.
Charakteryzację tlenków przewodzących prowadzono wykonując pomiaryrezystancji warstw tlenkowych (sonda czteroostrzowa), szybkości ich nakładania(pomiar grubości wykonywano za pomocą profilometru Tencor α-step 200),transmisji widmowej (spektrofotometr PerkinElmer Lambda 9 w Zakladzie Fizykii Technologii Struktur Niskowymiarowych) oraz pomiary elipsometryczne (elipso-metr spektroskopowy VASE w Zakładzie Badania Struktur MOS) pozwalające nawyznaczenie zależności widmowych współczynnika załamania i współczynnikaekstynkcji. Na podstawie pomiarów transmisji wyznaczano także szerokośćprzerwy zabronionej badanych tlenków. Rezystancję właściwą kontaktówomowych wyznaczano metodą c-TLM w układzie ze źródłem pomiarowymKeithey SourceMeter 2400. Skład warstw osadzanych reaktywnie określanometodą RBS (wiązka 4He+ o energii 2 MeV) stosując do interpretacji wynikówprogram symulacyjny RUMP. Morfologię powierzchni TCO badano technikąAFM (Digital Instruments Nanoscope IIIa).
W tab. 3 podano optymalne parametry procesów wytwarzania oraz podstawowecharakterystyki uzyskanych TCO.
Tlenki kadmu, cynku i rutenowo-krzemowy tworzą zarówno z podłożami GaSb,jak i AlGaAsSb typu p kontakt omowy bezpośrednio po nałożeniu i nie wymagajądodatkowej obróbki termicznej (rys. 27). W przeciwieństwie do nich tlenek cynynie daje z p-GaSb kontaktu omowego nawet po wygrzewaniu. Wartości rezy-stancji właściwej wyznaczone metodą c-TLM wynoszą od 5⋅104 Ω⋅cm2 dlakontaktu p-GaSb/CdO do 12⋅102 Ω⋅cm2 dla p-GaSb/RuSiO2. Wyższe wartościrezystywności dla AlGaAsSb wynikają z niższego poziomu domieszkowaniawarstwy poczwórnej. Analizując parametry elektryczne, można powiedzieć, żenajbardziej obiecującymi materiałami są tlenek cynku i tlenek kadmu.
Rysunek 28 przedstawia zależności widmowe transmisji warstw badanychtlenków przewodzących o grubości 100 nm osadzonych na podłożach kwar-cowych. W zakresie widmowym 1800 ÷ 2400 nm najwyższą wartość transmisji ob-
18 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
Tabela 3. Parametry procesu wytwarzania oraz własności tlenkówprzewodzących i kontaktów TCO/półprzewodnik
TCO
Warunkiosadzania
sputeringowego
Przerwazabroniona
[eV]
RezystywnośćTCO
[Ω⋅cm]
Rezystyw.kontaktu
TCO/GaSb[Ω⋅cm2
Rezystywnośćkontaktu
TCO/AlGaAsSb[Ω⋅cm2]
CdODC
P = 50 Wp = 1⋅102 mbar10%O2 − 90%Ar
2,4 5⋅10−4 3,4⋅10−4 5⋅10−3
ZnORF
Ic = 160 mApAr = 2⋅103 mbar
3,3 2⋅10−3 2,4⋅10−4 1,3⋅10−3
RuSiODC
P = 100 Wp = 5⋅103 mbar
20%O2 − 80%Ar
− 1⋅10−2 1,5⋅10−3 −
SnO2
DCP = 75 W
p = 1⋅102 mbar20%O2 − 80%Ar
3,6 4⋅10−3 NΩ −
serwuje się dla ZnO (na poziomie 90%) oraz RuSiO4 (85%), nieco niższe wartościdla CdO i SnO2 (ok. 75%). Jak widać, tlenki te spełniają kryterium dobrej przez-roczystości w wymaganym zakresie długości fali. Dla porównania pokazana zostałarównież transmisja warstwy ITO, która dla λ = 2400 nm spada do wartości 50%.
Morfologię powierzchni analizowanych tlenków osadzonych na podłożu GaSbpokazano na rys. 29.
-2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0-200
-150
-100
-50
0
50
100
150
200 p-GaSb/ZnO p-GaSb/CdO p-GaSb/RuSiO4 p-GaSb/SnO2
Prąd
(mA)
Napięcie (V)
Rys. 27. Charakterystyki prądowo-napięciowe struktur p-GaSb/TCO
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 19
3. Współpraca międzynarodowa
W ramach 6. Programu Ramowego Zakład uczestniczył w realizacji dwóch pro-jektów europejskich współpracując z następującymi ośrodkami zagranicznymi:• DENIS
− ACREO AB, Szwecja;− Linköping University, Linköping, Szwecja;− Centrum Badań Wysokociśnieniowych UNIPRESS PAN, Warszawa;− Okmetic, Finlandia;− Universität Bremen, Brema, Niemcy;
300 600 900 1200 1500 1800 2100 24000
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
d = 100 nm
SnO2CdO
RuSiO4
ZnO
ITO
Tran
smis
ja (%
)
Długość fali (nm)
Rys. 28. Widmowa zależność transmisji warstw ZnO, RuSiO4, SnO2, CdO i ITO
RMS = 24.7 nm
SnO2CdO
RMS = 2.7 nm
ZnO
RMS = 12.5 nm
RuSiO4
RMS = 1.1 nm
Rys. 29. Obrazy AFM powierzchni ZnO, RuSiO4, CdO i SnO2 osadzonych sputteringowo na podłożu GaSb
20 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
− OSRAM-Opto Semiconductors GmbH, Niemcy;− Instytut Fizyki PAN, Warszawa.
• NANOPHOS− National Research Foundation, Ateny, Grecja; THALES, Paryż, Francja; Jenasensoric E.V., Jena, Niemcy; Cybernetix, Marsylia, Francja; 3D Digital Design & Development Ltd, Broxbourne, Wielka Brytania; Foundation for Research and Technology Hellas, Iraklion, Grecja; The Weizmann Institute of Science, Rehovot, Izrael; Universite de Droit, dEconomie et des Sciences dAix-Marseille, Marsylia,
Francja; Universita Degli Studi di Lecce, Włochy; Institutul National de Cercetare Dezvoltare Pentru Fizica Laserilor, Plasmei si
Radiatiei, Bukareszt, Rumunia; Centre National de la Recherche Scientifique, Paryż, Francja.
Publikacje2004[P1] ANTONOV A. V., GAVRILENKO V. I., DEMIDOV E. V., MOROZOV S. V., DUBINOV A. A., LUSA-KOVSKI J., KNAP W., DYAKONOVA N., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., SHUR M. S.:Electron Transport and Terahertz Radiation Detection in Submicrometer-Sized GaAs/AlGaAsField-Effect Transistors with Two-Dimensional Electron Gas. Phys. Solid State 2004 vol. 46 nr 1s. 146149.
[P2] ANTONOV A. V., GAVRILENKO V. I., DEMIDOV E. V., MOROZOV S. V., DUBINOV A. A., LUSA-KOVSKI J., KNAP W., DYAKONOVA N., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., SHUR M. S.:Electron Transport and Terahertz Radiation Detection in Submicrometer-Sized GaAs/AlGaAsField-Effect Transistors with Two-Dimensional Electron Gas. Fizika Tverdovo Teła 2004 vol. 46s. 146149 (ros.).
[P3] DENNEMERCK J., BOTTCHER T., FIGGE S., EINFIELDT S., KROGER R., HOMMEL D., KAMIŃSKA E.,WIATROSZAK W., PIOTROWSKA A.: The Role of Sub-Contact Layers in the Optimization of Low-Resistivity Contacts to p-Type GaN. phys. stat. sol. (c) 2004 vol. 1 nr 10 s. 25372540.
[P4] GRABECKI G., WRÓBEL J., DIETL T., PAPIS E., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., RATUSZNA A.,SPRINGHOLZ G., BAUER G.: Ballistic Transport in PbTe-Based Nanostructures. Physica E 2004vol. 20 nr 34 s. 236245.
[P5] DOBOSZ D., ZYTKIEWICZ Z. R., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., PIOTROWSKI T. T.:Properties of ZrN Films as Substrate Masks in Liquid Phase Epitaxial Lateral Overgrowth ofCompound Semiconductors. Cryst. Res. Technol. (w druku).
[P6] GRABECKI G., WRÓBEL J., FRONC K., ALESZKIEWICZ M., GUZIEWICZ M., PAPIS E., KAMIŃSKA E.,PIOTROWSKA A., SHTRIKMAN H., DIETL T.: Unidirectional Transmission of Electrons in a MagneticField Gradient. Physica E 2004 vol. 21 nr 24 s. 451455.
[P7] GUZIEWICZ E., GODLEWSKI M., KOPALKO K., LUSAKOWSKA E., DYNOWSKA E., GUZIEWICZ M.,GODLEWSKI M. M., PHILLIPS M.: Atomic Layer Deposition of Thin Films of ZnSe Structural andOptical Characterization. Thin Solid Films 2004 vol. 446 nr 2 s. 172177.
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 21
[P8] GUZIEWICZ E., KOPALKO K., SADOWSKI J., GUZIEWICZ M., GOLACKI Z.: Electronic Structure ofZn(Mn)O Surface Alloy a Resonant Photoemission Study. Mat. Res. Soc. Proc. 2004 vol. 786s. E6.4.1-6.
[P9] GUZIEWICZ E., KOPALKO K., SADOWSKI J., GUZIEWICZ M., GOLACKI Z., KANSKI J., ILVER L.:Mn on the Surface of ZnO(0001) - a Resonant Photoemisson Study. Physica Scripta 2004 (w druku).
[P10] JAROSZYŃSKI J., ANDREARCZYK T., KARCZEWSKI G., WRÓBEL J., WOJTOWICZ T., PAPIS E.,KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., POPOVIC D., DIETL T.: Quantum Hall Ferromagnetism in II-VIBased Alloys. phys. stat. sol. (b) 2004 vol. 241 nr 3 s. 712717.
[P11] JAROSZYŃSKI J., ANDREARCZYK T., WRÓBEL J., KARCZEWSKI G., WOJTOWICZ T., PAPIS E.,KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., POPOVIC D., DIETL T.: Quantum Hall Ferromagnet in Magnetically-Doped Quantum Wells. Physica E 2004 vol. 22 nr 13 s. 7681.
[P12] KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K., PIOTROWSKA A., KUCHUK A., KRUSZKA R., PAPIS E.,SZELOCH R., JANUS P., GOTSZALK T., BARCZ A., WAWRO A: Study of Long-Term Stability of OhmicContacts to GaN. phys. stat. sol. (c) 2004 vol. 1 nr 2 s. 219222.
[P13] KAMIŃSKA E., KOSSUT J., PIOTROWSKA A., PRZEŹDZIECKA E., DOBROWOLSKI W., DYNOWSKA E.,BUTKUTE R., BARCZ A., JAKIEŁA R., ALESZKIEWICZ M., JANIK E., KOWALCZYK E.: Transparent p-TypeZnO by Oxidation of Zn-Based Compounds. ICPS-27 Proc. (zgł. do druku).
[P14] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., KRUSZKA R., KUCHUK A., SZADE J.,WINIARSKI A., JASINSKI J., LILIENTAL-WEBER Z.: ZnO-GaN Tunnel Junction for Transparent OhmicContacts to p-GaN. J. Alloys a. Compounds 2004 vol. 371 nr 12 s. 129132.
[P15] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., ŁUKASIEWICZ R., SZCZĘSNY A., KOWALCZYK E.,JAGODZIŃSKI P., GUZIEWICZ M., KUDŁA A., BARCZ A., JAKIEŁA R.: Thermally Stable TransparentRu-Si-O Schottky Contacts for n-Type GaN and AlGaN. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (w druku).
[P16] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W., GOŁASZEWSKA K.,BARCZ A., JAKIELA R., DYNOWSKA E., PRZEZDZIECKA E., WAWER D.: P-Type in ZnO:N byCodoping with Cr. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2004 vol. 786 s. E6.1.1-6.
[P17] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W., GOŁASZEWSKA K.,BARCZ A., JAKIELA R., DYNOWSKA E., PRZEZDZIECKA E., WAWER D.: p-Type Conducting ZnO:Fabrication and Characterisation. phys. stat. sol. (c) 2004 (zgł. do druku).
[P18] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SZCZĘSNY A., ŁUKASIEWICZ R., KUCHUK A., GOŁASZEWSKA K.,KRUSZKA R., BARCZ A., JAKIEŁA R., DYNOWSKA E., STONERT A., TUROS A.: Thermally StableRu-Si-O Gate Electrode for AlGaN/GaN HEMT. phys. stat. sol. (c) (w druku).
[P19] KANIEWSKA M., SADOWSKI J., GUZIEWICZ M.: DLTS Study of Deep Centers Created by Ar-IonBombardment in n- and p-Type MBE AIGaAs. Europ. Phys. J. Appl. Phys. 2004 vol. 27 s. 213217.
[P20] KORBUTYAK D. V., KLADKO V. P., KRYLYUK S. G., LITOVCHENKO V. G., SHALIMOV A. V.,KUCHUK A.: Influence of Layer Deformation on Thermal Quenching of Exciton Photoluminescencein Short-Period GaAs/AlAs Superlattices. Semicond. Sci. a. Technol. 2004 vol. 19 s. 475479.
[P21] KUCHUK A., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., DYNOWSKA E., LYTVYN O. S.,NOWICKI L., RATAJCZAK R.: Amorphous Ta-Si-N Diffusion Barriers on GaAs. Thin Solid Films2004 vol. 459 nr 12 s. 292296.
[P22] KUCHUK A., CIOSEK J., PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., WAWRO A., LYTVYN O. S., NOWICKI L.,RATAJCZAK R.: Barrier Properties of Ta-Si-N Films in Ag-and Au-Containing Metallization. Vacuum2004 vol. 74 nr 2 s. 195199.
22 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
[P23] KUCHUK A., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., JAKIELA R., LYTVYN O. S., KLADKO V. P.,KORCHOVYI A. A., OSADCHA N. V.: The Study of Thermal Stability of Ta-Si Films on the GaAsSubstrate. Phys. a. Chem. of Solid State 2004 vol. 5 nr 1 s. 8589 (ukr.).
[P24] KUCHUK A., KLADKO V. P., MACHULIN V. F., PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K.,RATAJCZAK R., MINIKAYEV R.: Diffusion Barrier Properties of Reactively Sputtered W-Ti-N ThinFilms. Rev. Adv. Mater. Sci. 2004 vol. 8 s. 2226.
[P25] LUSAKOWSKI J., KNAP W., DYAKONOVA N., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K.,SHUR M. S., SMIRONOV D., GAVRILENKO V. I., ANTONOV A. V., MOROZOV S. V.: MagnetotransportCharacterization of THz Detectors Based on Plasma Oscillations in Submicron Field-EffectTransistors. Phys. Solid State 2004 vol. 46 nr 1 s. 138145.
[P26] LUSAKOWSKI J., KNAP W., DYAKONOVA N., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K.,SHUR M. S., SMIRONOV D., GAVRILENKO V. I., ANTONOV A. V., MOROZOV S. V.: MagnetotransportCharacterization of THz Detectors Based on Plasma Oscillations in Submicron Field-EffectTransistors. Fizika Tverdovo Teła 2004 vol. 46 s. 138145.
[P27] MYCIELSKI A., SZADKOWSKI A., KOWALCZYK L., WITKOWSKA B., JAKIELA R., BARCZ A.,ALESHEVYCH P., SZUSZKIEWICZ W., SUCHOCKI A., LUSAKOWSKA E., KAMIŃSKA E., DOBROWOLSKI W.:ZnO and ZnO:Mn Crystals Obtained with the Chemical Vapour Transport Method. phys. stat. sol. (c)2004 vol.1 nr 4 s. 884887.
[P28] MYCIELSKI A., KOWALCZYK L., SZADKOWSKI A., CHWALISZ B., WYSMOLEK A., STEPNIEWSKI R.,BARANOWSKI J. M., POTEMSKI M., BARCZ A., WITKOWSKA B., KAMIŃSKA E.: The Chemical VapourTransport Growth of ZnO Single Crystals. J. Alloys a. Compounds 2004 vol. 371 nr 12 s. 150152.
[P29] PAPIS E., PIOTROWSKA A., PIOTROWSKI T. T., GOŁASZEWSKA K., ILKA L., KRUSZKA R., RA-TAJCZAK J., KĄTCKI J., WRÓBEL J., ALESZKIEWICZ M., ŁUKASIEWICZ R.: Fabrication of GaSb Micro-lenses by Photo and E-Beam Lithography and Dry Etching. Solid St. Phenom. 2004 vol. 99100s. 8388.
[P30] PIOTROWSKA A., PAPIS E., GOŁASZEWSKA K., ŁUKASIEWICZ R., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKI T. T.,KRUSZKA R., KUDŁA A., RUTKOWSKI J., SZADE J., WINIARSKI A., WAWRO A., ALESZKIEWICZ M.:Improved Performance of GaSb-Based MIR Photodetectors Through Electrochemical Passivation inSulphur Containing Solutions. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (w druku).
[P31] PISKORSKI M., PIOTROWSKA A., PIOTROWSKI T. T., GOŁASZEWSKA K., PAPIS E., KĄTCKI J.,RATAJCZAK J., BARCZ A., WAWRO A.: LPE Growth and Characterisation of GaInAsSb andGaAlAsSb Quaternary Layers on (100) GaSb Substrates. Thin Solid Films 2004 vol. 459 nr 12 s. 26.
[P32] PRZEŹDZIECKA E., KAMIŃSKA E., DYNOWSKA E., JANIK E., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W.,SAWICKI M., KEPA H., JAKIELA R., ALESZKIEWICZ M., KOSSUT J.: Preparation and Characterizationof Hexagonal MnTe and ZnO Layers. phys. stat. sol. (c) 2004 (zgł. do druku).
[P33] WRZESIŃSKA H., ILKA L., WAWER D., HEJDUK K., KUDŁA A., BUGAJSKI M., LUSAKOWSKA E.:Investigation of Indium Tin Oxide (ITO) Films for the VCSEL Laser with Dielectric BraggReflectors. phys. stat. sol. (c) 2004 vol. 1 nr 2 s. 396400.
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 23
Konferencje2004[K1] CIOSEK J., PASZKOWICZ W., KUBICKI J., PANKOWSKI P., PRZESŁAWSKI T., ZARASKA W.:Modification of Cu-Al-O Film Microstructure During Post-Deposition Annealing. 4th Int. Conf. onSolid State Crystals: Material Science and Applications, Zakopane, 1620.05.2004 (kom.).
[K2] CIOSEK J., PASZKOWICZ W., KUBICKI J., PIOTROWSKA A., KUDŁA A., PRZESŁAWSKI T.,PANKOWSKI P., MINIKAYEV R.: Phase Relationships in Annealed Cu-Al-O Layers. E-MRS FallMeet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (plakat).
[K3] DOBOSZ D., ZYTKIEWICZ Z. R., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., PIOTROWSKI T. T.:Properties of ZrN Films as Substrate Masks in Liquid Phase Epitaxial Lateral Overgrowth ofCompound Semiconductors. 4th Int. Conf. on Solid State Crystals: Material Science andApplications, Zakopane, 1620.05.2004 (plakat).
[K4] GOŁASZEWSKA K., PAPIS E., PIOTROWSKA A., PIOTROWSKI T. T., KAMIŃSKA E., KRUSZKA R.,ŁUKASIEWICZ R., RUTKOWSKI J., SZADE J., WINIARSKI A., WAWRO A.: The Effect of SulphurPassivation Treatment on GaSb/InGaSb/AlGaSb Photovoltaic Detector Parameters. 4th Int. Conf. onSolid State Crystals: Material Science and Applications, Zakopane, 1620.05.2004 (plakat).
[K5] GOŁASZEWSKA K., KAMIŃSKA E., KOWALCZYK E., KRUSZKA R., ŁUKASIEWICZ R., PAPIS E.,PIOTROWSKA A., PIOTROWSKI T. T., SKOCZYLAS P., BARCZ A., JAKIELA R.: Transparent ConductingOxides as Ohmic Contacts for GaSb-Based Thermophotovoltaic Cells. E-MRS Fall Meet. 2004,Warszawa, 610.09.2004 (plakat).
[K6] GRABECKI G., WRÓBEL J., DIETL T., PAPIS E., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SPRINGHOLZ G.,BAUER G.: Conductance Quantization in Nanostructures of Narrow PbTe Quantum Wells. XXXIIIInt. School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.054.06.2004(plakat).
[K7] GRABECKI G., WRÓBEL J., BASTJAN M., MICHALUK E., FRONC K., ALESZKIEWICZ M., PAPIS E.,KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SPRINGHOLZ G., BAUER G., DIETL T.: Andreev Reflection byIn/PbTe Interface. XXXIII Int. School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.054.06.2004 (kom.).
[K8] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W., GOŁASZEWSKA K.,BARCZ A., JAKIELA R., DYNOWSKA E., PRZEZDZIECKA E., WAWER D.: Formation Process andProperties of p-Type ZnO Thin Films. XXXIII Int. School on the Physics of SemiconductingCompounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.054.06.2004 (plakat).
[K9] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., KUCHUK A., ŁUKASIEWICZ R., SZCZĘSNY A.,WIATROSZAK M., BARCZ A., DYNOWSKA E., JAKIELA R., STONERT A., TUROS A.: Capabilities ofRuthenium-Based Contacts to GaN. XXXIII Int. School on the Physics of SemiconductingCompounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.054.06.2004 (plakat).
[K10] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., PRZEZDZIECKA E., GOŁASZEWSKA K., DYNOWSKA E.,DOBROWOLSKA W., BUTKUTE R., BARCZ A., JAKIELA R., JANIK E., WAWER D.: Properties ofTransparent p-Type ZnO Films Grown by Oxidation of Zn-Based Compounds. 8th Int. Conf. onNanometer-Scale Science and Technology, Wenecja, Włochy, 28.062.07.2004 (kom.).
[K11] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., KUCHUK A., ŁUKASIEWICZ R., KOWALCZYK E.,BARCZ A., DYNOWSKA E., JAKIELA R., STONERT A., TUROS A., SZCZĘSNY A., WIATROSZAK M.:Thermally Stable Transparent Ru-Si-O Schottky Contacts for n-Type GaN and AlxGa1-xN. 2004MRS Fall Meet., Boston, USA, 29.113.12.2004 (plakat).
[K12] KAMIŃSKA E., KOSSUT J., PIOTROWSKA A., PRZEŹDZIECKA E., DOBROWOLSKI W., DYNOWSKA E.,BUTKUTE R., BARCZ A., JAKIEŁA R., ALESZKIEWICZ M., JANIK E., KOWALCZYK E.: Transparent
24 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki
p-Type ZnO by Oxidation of Zn-Based Compounds. 27th Conf. on the Physics of Semiconductors,Flagstaff, Arizona, USA, 2630.07.2004 (plakat).
[K13] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SZCZĘSNY A., ŁUKASIEWICZ R., KUCHUK A., GOŁASZEWSKA K.,KRUSZKA R., BARCZ A., JAKIEŁA R., DYNOWSKA E., STONERT A., TUROS A.: Thermally Stable Ru-Si-OGate Electrode for AlGaN/GaN HEMT. Cells. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004(plakat).
[K14] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W., GOŁASZEWSKA K.,BARCZ A., JAKIEŁA R., DYNOWSKA E., PRZEŹDZIECKA E., WAWER D.: p-Type Conducting ZnO;Fabrication and Characterisation. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (kom.).
[K15] KROEGER R., DENNEMARCK J., FIGGE S., BOETTCHER T., HOMMEL D., KAMIŃSKA E.,PIOTROWSKA A.: Microstructure of Highly p-Type Doped GaN Sub-Contact Layers for Low-Resistivity Contacts. 2004 MRS Fall Meet., Boston, USA, 29.113.12.2004 (plakat).
[K16] KUCHUK A., PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K., PIOTROWSKI T.T., KRUSZKA R.,MINIKAYEV R.A., LYTVYN O. S., TUROS A.: Barrier Properties of Reactively Sputter-Deposited W-Ti-N Thin Films on GaAs. 8th Int. Conf. on Nanometer-Scale Science and Technology, Wenecja,Włochy, 28.062.07.2004 (plakat).
[K17] KUCHUK A., KLADKO V. P., PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K., MACHULIN V. F.,MINIKAYEV R., RATAJCZAK R.: Diffusion Barrier Properties of Reactively Sputtered W-Ti-N ThinFilms. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (plakat).
[K18] KUCHUK A., KLADKO V. P., MACHULIN V.F., PIOTROWSKA A., MINIKAYEV R., LYTVYN O. S.:Structural Analysis of Reactively Sputtered W-Ti-N Thin Films. E-MRS Fall Meet. 2004,Warszawa, 610.09.2004 (plakat).
[K19] MANASIS G., TSIGARA A., ANYFANTIS G., MADAMOPOULOS N., MOUSDIS G., GATSOULI K.,PISPAS S., VAINOS N., PERRONE A., DATTA R., CIOSEK J., GOŁASZEWSKA K., KAMIŃSKA E.,KRUSZKA R., PIOTROWSKA K., COURIS S.: Nanocomposite Photonic Sensors: First Approach by theNanophos Initiative. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (plakat).
[K20] PAPIS E., PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKI T. T., GOŁASZEWSKA K., ILKA L.,KRUSZKA R., RATAJCZAK J., KĄTCKI J., WRÓBEL J., ALESZKIEWICZ M., ŁUKASIEWICZ R.: GaSbMicrolenses Fabricated by Photo and E-Beam Lithography and Dry Etching. 4th Int. Conf. on SolidState Crystals: Material Science and Applications, Zakopane, 1620.05.2004 (plakat).
[K21] PAPIS E., PIOTROWSKA A., PIOTROWSKI T. T., GOŁASZEWSKA K., KAMIŃSKA E., KRUSZKA R.,ŁUKASIEWICZ R., KUDŁA A., RUTKOWSKI J., SZADE J., WINIARSKI A., WAWRO A.: SulphurPassivation of GaSb Surface and GaSb-Based MIR Photodetector Heterostructures. 8th Int. Conf. onNanometer-Scale Science and Technology, Wenecja, Włochy, 28.062.07.2004 (plakat).
[K22] PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K., WIATROSZAK M., PIOTROWSKI T. T.,BARCZ A., DENNEMARCK J., FIGGE S., BOTTCHER T., HOMMEL D.: Ohmic Contacts Study for GaN-Based Laser Diodes. 4th Int. Conf. on Solid State Crystals: Material Science and Applications,Zakopane, 1620.05.2004 (plakat).
[K23] PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K., WIATROSZAK M., PIOTROWSKI T. T.,BARCZ A., DENNEMARCK J., FIGGE S., BOTTCHER T., HOMMEL D.: Application of Ta-Si-N Thin FilmDiffusion Barrier in PdAu Metalization to p-Type GaN. 8th Int. Conf. on Nanometer-Scale Scienceand Technology, Wenecja, Włochy, 28.062.07.2004 (plakat).
[K24] PIOTROWSKA A., PAPIS E., GOŁASZEWSKA K., ŁUKASIEWICZ R., PIOTROWSKI T.T., KRUSZKA R.,KUDŁA A., RUTKOWSKI J., SZADE J., WINIARSKI A., ALESZKIEWICZ M.: Improved Performance ofGaSb-Based MIR Photodetectors trough Electrochemical Passivation in Sulphur ContainingSolutions. 2004 MRS Fall Meet., Boston, USA, 29.113.12.2004 (kom.)
Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 25
[K25] PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., KUCHUK A., GOŁASZEWSKA K., WIATROSZAK M., ŁUKASIEWICZ R.,PIOTROWSKI T. T., KĄTCKI J., RATAJCZAK J., BARCZ A., JAKIELA R., TUROS A., STONERT A.,DENNEMARCK J., FIGGE S., BOTTCHER T., HOMMEL D.:TaSiN, TiSiN and TiWN Diffusion Barriers forMetallization Systems to GaN. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (plakat).
[K26] PISKORSKI M., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., PIOTROWSKI T. T., JUNG W., PRZESŁAWSKI T.,KĄTCKI J., RATAJCZAK J., BARCZ A., WAWRO A.: Sn and Te Doped InGaAsSb Quaternary Layers forTPV Applications. 8th Int. Conf. on Nanometer-Scale Science and Technol- ogy, Wenecja, Włochy,28.062.07.2004 (plakat).
[K27] PISKORSKI M., PIOTROWSKI T. T., GOŁASZEWSKA K., SKOCZYLAS P., PIOTROWSKA A., JUNG W.,PRZESŁAWSKI T., KĄTCKI J., RATAJCZAK J., BARCZ A., WAWRO A.: Luttice Matched InGaAsSb//GaSb Heterostructures for Thermophotovoltaic Cells. 6th Int. Conf. on Mid-Infrared OptoelectronicsMaterials and Devices, MIOMD-VI, 28.062.07.2004 St. Petersburg, Rosja (plakat).
[K28] PRZEŹDZIECKA E., KAMIŃSKA E., DYNOWSKA E., JANIK E., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W.,SAWICKI M., KEPA H., JAKIELA R., KOSSUT J.: In Search for Magnetism in II-VI Materials. XXXIIIInt. School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.054.06.2004(plakat).
[K29] PRZEŹDZIECKA E., KAMIŃSKA E., DYNOWSKA E., JANIK E., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W.,SAWICKI M., KEPA H., JAKIELA R., ALESZKIEWICZ M., KOSSUT J.: Preparation and Characterizationof Hexagonal MnTe and ZnO Layers. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (plakat).
[K30] SOCHACKI M., ŁUKASIEWICZ R., SZMIDT J., RZODKIEWICZ W., LEŚKO M., WIATROSZAK M.:Thermal Oxidation and Nitridation of 4H-SiC for MS and MIS Power Devices. VIII Konf. Nauk.Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jabłonki, 1922.04.2004 (plakat, abstr. s. 140141).
[K31] SZCZĘSNY A., KAMIŃSKA E., SZMIDT J.: GaN The Material for High Power MicrowaveDevices (HEMT) Working in Extreme Conditions. VIII Konf. Nauk. Technologia ElektronowaELTE 2004, Stare Jabłonki, 1922.04.2004 (plakat, abstr. s. 146147).