TRS01A65C(SiC SBD)を活用した絶縁型フライバック回路シミュレーション

5
TRS10A65C(SiC SBD) ををををを ををををを PFC ををををををををををををををををををををををを ををををををををををを をををををををををををを ををををを 、。 LTspi ce 2015 を 8 を 11 を をを をををををを をを を 1

Transcript of TRS01A65C(SiC SBD)を活用した絶縁型フライバック回路シミュレーション

Page 1: TRS01A65C(SiC SBD)を活用した絶縁型フライバック回路シミュレーション

TRS10A65C(SiC SBD)を活用したアクティブ PFC機能を備えたオプトカプラ不要の絶縁型フライバック回路シミュレーション

モデルの相違は若干であり、影響なし。

LTspice

2015年 8月 11日ビー・テクノロジー

堀米 毅

1

Page 2: TRS01A65C(SiC SBD)を活用した絶縁型フライバック回路シミュレーション

2

等価回路モデルを使用した場合

Page 3: TRS01A65C(SiC SBD)を活用した絶縁型フライバック回路シミュレーション

3

等価回路モデルを使用した場合

ショットキ・バリア・ダイオードの平均損失 =591.11m[W]

Page 4: TRS01A65C(SiC SBD)を活用した絶縁型フライバック回路シミュレーション

4

パラメータモデルを使用した場合

Page 5: TRS01A65C(SiC SBD)を活用した絶縁型フライバック回路シミュレーション

5

パラメータモデルを使用した場合

ショットキ・バリア・ダイオードの平均損失 =590.95m[W]