7/25/2019 Transmisor FM 1

1/1

ttansmisor

FM

de

un

vatio

O la realizacindeestecirctritoes

el

primer

paso

hacia

a construccin

de

otras

emisoras

e

mayor

envergadura

a

potencia

de

un vatio

que

este

t insmisor

en modulacin

de

LISTA

DE COMPONENTES

F -:1OO.OO9

ohmios-

,RG

68 ohmios

-i

Gl

:

220.000

F, poliesterplano -R7 :

O800

ohmios

miniatura

RB

2.200ohmios

'G2

:

1.000

F,

cermico

de disco

-

B9

:

150 ohmios

q3,,C4

5 pF/64

V,

electrol t icos

R10

=

220

ohmios

'

r 'CS

=

1.000

F,

cermico

de disco

,.Ril

:

22 ohmios

C6

:

Trimm

er de 612O

F,

miniatura

Todai las

resistencias de

%

W

'G?

:

100.000

F, pol iester

plano

-+-

5

o/o

miniatura

TRl

:

TransistorFET2N3819

G8

:

1.000

pF,

cermico

de

disco

TR2

TransistorNPN

2N2222

C9 : 12 pF,cermicode disco TR3 TransistorNPN2N3866,BFR9-7

'

'c10

:

' lod pr,

cermico

de

disco

?DV

:

Diodo varicap

BAl02

Gll

:

100.000

F, pol iester

plano

Zl

:

ChoqueAF de

47

"rH

miniatura

22

:

Choque

AF

de

2,2

rH

.C12

:

50

uF/25

V, electrol t ico

, 'L1,L2:

Bobinas

ver

texto)

G13

100.000

F, pol iester

plano

i$1

:

Interruptor

miniatura

Alimentacint72 18 Vcc

C14,

Ct5

:

Trimmers

de

10/60

pF,

miniat.

' .R1

4zo.ooo

hmios

R2 560ohmios

R3

.390

ohmios

R4

-

Trimmer

potenciomtrico de

5.000

ohmios

TRl,

puede

ser

la

procedente

e

un

micrfono

o de

otra

fuente de sea-

les

BF. A cuantos

quieran

construir

este transmisor para componer una

emisora,

acons-i jmos

acoplar la en-

trada

con un

mezclador,

para poder

controlar

mediante dos

potencime-

tros

la voz del

locutor con

Ia msica.

El choque de

al ta

f recuenciaZ1

y

el

condensador

C2

t ienen la misin

de

bloquear

ventuales

ealesesp-

reas de

radiofrecuencia

ue,

a l

sal i r

de la antena,podranentrar de nuevo

en

el circuito

a travs

de la toma de

entrada.

Pero esta

accin

se

ejerce

tambin

sobre

otros

t ipos ocasiona-

Varios:

I circuito

imPreso

R

2051de 63x103 mm, ver f igu-

,^l t

caja

metl ica;

2 conei-

-tFcoaxiales;

hilo de

co .

nexin

les de

seales,

dist intos a

las de baja

frecuencia

procedentes

de micrfo-

nos, magnetfonos,

ocadiscos

o mez-

cladores.De cualquier orma, a pre-

sencia de

estos dos componentes

no

provoca

alteracin

de

las seales

apli-

cadasa

la entradadel

transmisor,

qu e

conservan

ntacto su

tono

y

la even'

tual caracterst ica

Hl-Fl.

La seal

amplif icada

por

TRl se

hace

presente

en su electrodo

dre-

nador

d) .

Dq ste se eleva

mediante

la resistenciaR5 de elevado valor

hmico

y

se

apl ica

al diodo

var icaP

DV1.

ste

puede

ser considerado

o'

mo un

autnticocondensador

ariable

frecuencia

puede proporcionar,

i ta

este disposi t ivoa un nivel super ior

al de

los comunes

mcrotransmisores

otras

veces descritos.

Conectando

a

salida

del aparato

con una

antena de

t ipo

plano

de

t ierra

("ground-plane")

montada en

la

parte

ms elevada

en

el

edi f ic iodonde

se

reside,ser

posi-

ble

cubr i r ,

con un

perfecto

radio

de

accin,

una

ampl ia

zona residencial

que, en teora, pgdr_q xtendersea

varios

ki lmetros

cuadrados;

pero

que,

en

la

prctiC,

a bausa

de las

excesivas

eales

condensadas

n

el

espacio

y

emit idas

por

las

muchas

emisoras

privadas

que

se caracteri-

zan

por

elevadsimas

potencias,

es

ms

reducida.

De cualquier

orma, el

placer

que

puede der ivarsedel empleo de este

transmisores

notable,

sobre odo

por-

que

una

real izacin

de tal

gnero

puede

representar

el af ianzamiento

hacia act iv idades

e

mucha

ms en-

vergadura,

on emisoras

ms comple-

jas

y

costosas.

El

proyecto

del

transmisor,

cuyo

esquema

elctr ico se

muestra

en la

f igura 1, ut i l iza

dos

transistores

ipo-

lares (TB2-TR3) e tipo NPNy un FET

(TR1).

Cada uno

de estos

comPonen-

tes

actvos desarrol la

un

papel

muy

preciso,

que

ahora

detal laremos

a

part i r

del

pr imero

de el los,

o sea

del

transistor

FET.

A TR1se

le conf a

a misinde

am-

pl i f icar

la seal

de

baja

frecuencia

procedente

del

borne de entrada.

La

seal de baja recuenciaque,a travs

del condensador

e acoplamiento

l

y

ef choque

de

al ta

f recuencia

1, se

aplica

a la

puerta

(g)

del transistor

Diciembre

1984

-

IrsIoM@

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