Transistores datasheet

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Universidad Privada TELESUP Alumno: Juan C. Riva M. Carrea: Ing. De Sistemas y Computación Curso: Física Electrónica Facultad: Ingeniería y Arquitectura Abril 2014

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Transistores Datos Técnicos

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Universidad Privada TELESUP

Alumno: Juan C. Riva M.

Carrea: Ing. De Sistemas y Computación

Curso: Física Electrónica

Facultad: Ingeniería y Arquitectura

Abril 2014

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Transistores

Es un dispositivo electrónico semiconductor que

cumple funciones de amplificador, oscilador,

conmutador o rectificador.

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Tipos de Transistores

TRANSISTOR JFET

TRANSISTOR MOSFET

FOTOTRANSISTOR

TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

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Transistor JFET

Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que,

según unos valores eléctricos de entrada, reacciona

dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al

ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos

valores de entrada son las tensiones eléctricas, en

concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G

(puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor

presentará una curva cara

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Características

Tiene una resistencia de entrada extremadamente

alta (casi 100MΩ).

No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como

conmutador (interruptor).

Hasta cierto punto es inmune a la radiación.

Es menos ruidoso.

Puede operarse para proporcionar una mayor

estabilidad térmica.

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Transistor MOSFETEs un transistor utilizado para amplificar o conmutar

señales electrónicas, es el transistor más utilizado en

la industria microelectrónica, ya sea en circuitos

analógicos o digitales, aunque el transistor de unión

bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.

Prácticamente la totalidad de los microprocesadores

comerciales están basados en transistores MOSFET.

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Características

Constructiva común a todos los tipos de transistor MOS

es que el terminal de puerta (G) está formado por una

estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es

aislante, con lo que la corriente de puerta es

prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por

ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja

potencia.

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FototransistorLos fototransistores son sensibles a la radiación

electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible;

debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por

medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo

mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2

maneras diferentes: Como un transistor normal con la corriente

de base (IB) (modo común).Como fototransistor, cuando la luz

que incide en este elemento hace las veces de corriente de

base. (IP) (modo de iluminación).

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Características

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Transistor de Contacto Puntual

Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer

transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J.

Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio,

semiconductor para entonces mejor conocido que la

combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy

juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el

colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia

que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor".

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Características

• Consta de una base de germanio, semiconductor paraentonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dospuntas metálicas que constituyen el emisor y el colector.

• La corriente de base es capaz de modular la resistenciasque se “ve“ en el colector, de ahí el nombre de “transferresistor”.

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Transistor de Unión BipolarEs un dispositivo electrónico de estado sólido consistente

en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite

controlar el paso de la corriente a través de sus

terminales. La denominación de bipolar se debe a que la

conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de

portadores de dos polaridades (huecos positivos y

electrones negativos), y son de gran utilidad en gran

número de aplicaciones; pero tienen ciertos

inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada

bastante baja.

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Características

Un transistor de unión bipolar está formado por dos junturas PN en

un solo cristal semiconductor, separados por una región muy

estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones:

EMISOR .- Que se diferencia de las otras dos por estar

fuertemente dopada, comportándose como un metal.

BASE .- La intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del

colector.

COLECTOR .- De extensión mucho mayor.

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Empresas Proveedoras de

Transistores

• AG Electrónica S.A . de C.V Componentes profesionales

• AD Electronics S.A.

• Aiko Int

• A Y B INDUSTRIAL Y COMERCIAL LTDA

• ALFALED

• ASC ELECTRONICA S.A.

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Fuentes de búsqueda

• http://www.arduteka.com/2011/11/el-diodo-led/

• http://www.tuelectronica.es/tutoriales/electronica/como-conectar-un-diodo-led.html

• http://www.unicrom.com/Tut_diodo_led.asp

• http://es.wikipedia.org/wiki/JFET

• http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/2/S/K/1/2SK161.shtml

• http://www.unicrom.com/Tut_Caracteristicas_electricas_JFET.asp

• http://skory.z-net.hu/alkatresz/irfz44.pdf

• http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET

• http://mundoelectronics.blogspot.com/2009/10/tipos-de-transistores.html

• http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

• http://es.wikipedia.org/wiki/Fototransistor

• http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/vishay/85111.pdf

• http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/2/N/4/4/2N4401.shtml

• http://es.wikipedia.org/wiki/2N3055

• http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/2/N/3/0/2N3055-D.shtml