Silicon On Insulator (SOI) transistor TEG の照射前後の測定
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Silicon On Insulator (SOI) transistor TEG のののののののの L=0.1 5 W=300 L=0.3 0 W=600 L=0.3 0 W=600 L=0.50 W=1000 L=0.50(um ) W=1000 gate 0 gate 3 gate 6
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Silicon On Insulator (SOI) transistor TEG の照射前後の測定. L=0.30 W=600. L=0.50(um) W=1000. L=0.15 W=300. L=0.30 W=600. L=0.50 W=1000. gate0. gate3. gate6. Vds =Vd - Vs Vgs = Vg - Vs. Vd 、 Id. Vs. Vds. Vg. Vgs. Transistor のパラメータ. Vg の値が変化すると Vs の値も変化してしまう. H06_6 float と B.T の違い. - PowerPoint PPT Presentation
Transcript of Silicon On Insulator (SOI) transistor TEG の照射前後の測定
Silicon On Insulator (SOI)
transistor TEG の照射前後の測定 L=0.15
W=300
L=0.30
W=600
L=0.30
W=600
L=0.50
W=1000
L=0.50(um)
W=1000
gate0 gate3 gate6
Vg
Vd、 Id
VsVds
Vgs
Vds =Vd - Vs
Vgs = Vg - Vs
Vg の値が変化すると Vs の値も変化してしまう
Transistor のパラメータ
H06_6 float と B.T の違いPMOSgate0
PMOSgate3
<float> <B.T>
PMOS gate6
NMOS gate0
<float> <B.T>
PMOS Low Vt L=0.15(um),W=300(um)nonirrad
sample
PMOS Low Vt L=0.30,W=600
PMOS High Vt L=0.15,W=300<float>
PMOS IO L=0.30,W=600
NMOS Low Vt L=0.15(um),W=300(um)
NMOS High Vt L=0.15,W=300
NMOS IO L=0.30,W=600
back up
NMOS gate6
NMOS gate3