Scanning Tunneling Microscopy (STM)

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Scanning Tunneling Microscopy (STM). Primeira Geração. Segunda Geração. Corrente de Tunelamento. d: distância amostra-ponta : constante que depende da altura da barreira de pontecial. Para funções trabalho entre 4eV e 5eV  ~1 Å -1. - PowerPoint PPT Presentation

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  • Scanning Tunneling Microscopy (STM)

  • Primeira Gerao

  • Segunda Gerao

  • d: distncia amostra-ponta: constante que depende da altura da barreira de pontecialCorrente de TunelamentoPara funes trabalho entre 4eV e 5eV ~1-1Aumento de 1 na distncia => em um aumento de aproximadamente uma ordem de magnitude na corrente de tunelamento!

  • Modos de Medida

  • Clusters de In sobre Si(111)(7x7)Resuloo atmica: NaCl

  • Figure 9.5. LEED structure for the same Rh(111)+(3x3)+C6H6-2CO surface.

  • STM images of Si(111)-(7x7). Top left: atomic model with adatoms in yellow and rest atoms in blue; the yellow lines delimit a (7x7) unit cell. Center left: constant-current topograph at +2 V bias showing the 12 adatoms per cell.

    Top right: adatom surface states between EF and -0.4 eV, showing an asymmetry between the two halves of the (7x7) unit cell. Center right: rest atom surface states between -0.6 and -1.0 eV.

    Bottom: cross-section of atomic model along the long diagonal of the (7x7) unit cell.

    (R.M. Tromp, E.J. van Loenen, R.J. Hamers, J.E. Demuth, in "The Structure of Surfaces II", eds. J.F. van der Veen and M.A. Van Hove, Springer-Verlag, Berlin, 1988, p. 282.)

  • Tambm se faz simulao usando espalhamento

  • Verificando a composio qumica

  • Mapeamento qumico

  • Bandas de valncia E(k) de Ag e Au Na direo L-gamma,ou seja na direo (111) do cristal

  • Band structure of Cu in some selected high-symmetry directions. Lines: calculation, markers: data from ARUPS. An angle-resolved electron analyzer mounted on a two-axis goniometerLevantamento da estrutura de bandasexperimental por UPS

  • ARUPS: Fotoemisso com resoluo angular

  • ARUPS: Fotoemisso com resoluo angularDisperso de um Estado de superfcie

  • Estados eletrnicos em superfcies vicinaisVicinais de Cu(111) e Au(111)

  • Preparao das amostras:v-Cu(111):

    cortadas a partir de um monocristal na forma de barra orietadas por Laue polimento mecnico at 0.1 m com pasta de alumnio + eletropolimento ciclos de sputtering (Ar+@500eV) e annealing (800K) erro no miscut: melhor que 0.5

    v-Au(111):

    comercial (MaTeck) ciclos de sputtering (Ar+@500eV) e annealing (800K) erro no miscut: melhor do que 0.2

  • Superfcies estudadas

  • v-Cu(111)