SC6820 PCB设计指南

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保密信息 . 22012-2-7

培训目的

Ø 提高客户PCB layout质量Ø 减少PCB layout 风险

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保密信息 . 32012-2-7

Table of Contents

ü PCB叠层指导ü PCB布局指导ü PCB Layout 指导

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保密信息 . 42012-2-7

SC6820 PCB叠层指导

6820的PCB Layout的叠层一般有以下几种：

l 8层HDI板

l 6层HDI板

PCB

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8层HDI板叠层指导

TOP：Component（RF）

L2：Signal

L3：GND

L4： Signal（重要信号）

L5：GND

L6： Signal

L7： Signal

Bottom：LCM，KEY

PCB

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6层（HDI）板叠层指导

TOP：Component（RF）

L2：Signal

L3：GND

L4：Signal（重要信号）

L5：Signal

Bottom：LCM，KEY

PCB

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保密信息 . 72012-2-7

过孔指导

HDI板：

PCB

一般（mil） 最小（mil）

盲孔 4/12 4/10

埋孔 8/18 8/18通孔 10/20 8/18

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Table of Contents

ü PCB叠层指导ü PCB布局指导ü PCB Layout 指导

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保密信息 . 92012-2-7

SC6820 PCB推荐布局

芯片设计时,已经考虑布局,最优布局如下:

Ø 推荐RF器件放在Baseband上方；

SC6820 MCP

Transceiver

SIM0T-Flash

RTC Crystal

Analog Parts

Baseband

RF Part

PCB

BTPA

SIM1

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保密信息 . 102012-2-7

SC6820布局原则

Ø 布局服务于走线,在布局时先考虑好走线方向Ø 根据ID结构设计要求(天线位置),确定RF位置和方向Ø 根据已经确定RF,确定BaseBand的位置和方向Ø BaseBand和MCP的相对位置请参考参考设计。Ø 6820的pinch是0.5mm的，芯片的第一，二排需要表层出线，所以在芯片周围的器件不要靠的太近，方便出线。

Ø BT+WIFI，TV等如用Transceiver的时钟，尽量靠近RF摆放

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保密信息 . 112012-2-7

参考手机板的布局参考

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保密信息 . 122012-2-7

BaseBand和MCP

Ø 如图,BaseBand和MCP的P1脚采用如下的相对位置放置，两者之间留些位置方便走线，最好能有3mm以上。

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保密信息 . 132012-2-7

RTC布局

Ø RTC Crystal和相关器件,必须靠近BaseBand相应管脚布局

Ø 后备电池,可以远离BaseBand,但是走线需要保护,务必不能和数字信号走线同层或隔层平行走线

Digital Data

Vbackup

上图是后备电池靠近数字信号的波形

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保密信息 . 142012-2-7

LDO和模拟部分滤波电容

Ø LDO滤波电容,需要靠近输出管脚放置，电容可以根据原理图中的位置靠近pin摆放，VBAT的TVS管要靠近VBATD的pin摆放。

Ø 模拟部分的电容需要靠近相应管脚放置(VCOM,MICBIAS,TXREF,MCLKI)

Ø 优先顺序: 模拟管脚>模拟LDO>数字LDO

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保密信息 . 152012-2-7

VDDCORE_1V1&LX

Ø VDDCORE_1V1的走线宽度至少0.5mm。

Ø 电感要靠近芯片的pin摆放，走线宽度0.5mm。DC2DC的走线都需要0.5mm，VFB的走线0.1mm就可以。

Ø LX的电容的地PAD上要有地孔到主地层。

Ø DC2DC的电感以及LX走线相邻层不要有走线和其它信号过孔，需要是地。

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保密信息 . 162012-2-7

VDDARM_1V2&LX_ARM

Ø VDDARM_1V2的线宽至少0.5mm。

Ø 电感要靠近芯片的pin摆放，走线宽度0.5mm。DC2DC的走线都需要0.5mm，VFB的走线0.1mm就可以。

Ø LX_ARM的电容的地PAD上要有地孔到主地层。

Ø DC2DC的电感以及LX走线相邻层不要有走线和其它信号过孔，需要是地。

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保密信息 . 172012-2-7

音频和USB

• 音频部分,MIC滤波电路分成2个部分,一部分靠近MIC端,一部分靠近BaseBand.• 靠近BaseBand部分,尽量布在屏蔽罩以内• Receiver滤波电容靠近Receiver布局• Audio PA可以放在屏蔽罩内,也可以放在屏蔽罩外，6820自带的PA输出部分要靠近芯片摆放，部分靠近SPK摆放。

• USB匹配电路布局应满足差分的要求,ESD器件,靠近IO口放置

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保密信息 . 182012-2-7

RF布局

Ø RF布局,根据天线位置,确定RF方向Ø SWITCH的ANT口靠近天线

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保密信息 . 192012-2-7

BT+WIFI布局

• BT+WIFI要靠近自身的天线布局

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保密信息 . 202012-2-7

GPS布局

• GPS要靠近自身的天线布局

• GPS的TCXO要靠近摆放

• GPS的电源注意保护

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保密信息 . 212012-2-7

ATV布局

• ATV要靠近自身的天线布局

• ATV的CRYSTAL要靠近摆放

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保密信息 . 222012-2-7

G/M/L-Sensor 布局

• G/M/L-Sensor的布局和布线的要求请参考厂家的指导.

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保密信息 . 232012-2-7

Table of Contents

ü PCB叠层指导ü PCB布局指导ü PCB Layout 指导

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保密信息 . 242012-2-7

走线前准备

Ø 线路走线全局规划，确定叠层。

Ø 熟悉原理图，了解关键信号线

Ø 确定走线顺序

Ø 6820的pinch是0.5mm的，芯片的第一，二排需要表层出线，所以在芯片处局部需要3mil/3mil

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保密信息 . 252012-2-7

Memory走线

Ø DDR的数据线和对应的DQS，DQM信号8位一起走，走线要等长，最好都在1，2层走完，4个8位数据线之间的长度不要相差太大。

Ø CLKDP，DM要差分走线，走线要完全保护好，过孔要尽量的少。

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保密信息 . 262012-2-7

DDR 走线

• DQ,DM to DQS (in a byte)±3mm• DQS to DQS (byte to byte) ±4mm• CLKDM to CLKDP±0.5mm• CLK to DQS ±5mm• Address to Address±3mm• Address to control ±3mm• Address , control to CLK ±5mm• 相同性质的信号线上过孔的数量要一致 (DQ≤ 3,CLK,Address,control ≤4)

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保密信息 . 272012-2-7

DDR 电源

• VDDMEM 要做电源平面（在6820的MCP区域和DDR区域） , 相邻层要是地. 对 8 层板（器件在top层), 最好在L7层（相邻的L8层最好是地）.对 6 层板（器件在 top层), 最好在L5层（相邻的L6层最好是地）.

• VDDMEM 的线宽至少 0.5mm• 每个电源管脚都要有过孔到电源平面.• VDDMEM 的电容要靠近电源管脚摆放，0.1和0.01UF的电容要搭配在一起，分散在DDR的周围。

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保密信息 . 282012-2-7

6820的GND

Ø 6820的地pin需要就近1-2，2-5的过孔到主地层，相邻的pin可以共用过孔

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保密信息 . 292012-2-7

关键信号线

• RTC下面第二层要有完整的地保护• 模拟部分下面第二层不能是高速数字信号，最好是完整的地

• KPLED的走线0.15mm； VIBR的走线0.2mm

RTC

模拟部分

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保密信息 . 302012-2-7

LCD总线

• LCD建议串EMI，EMI要靠近LCM摆放，同时注意EMI的地要连接好

• LCD总线，在条件允许的情况下，采用立体走线（分在２层），减小占板面积，可以多打地孔．

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保密信息 . 312012-2-7

Sensor

• Sensor总线，在条件允许的情况下，采用立体走线（分在２层），减小占板面积，可以多打地孔．走线不要在表层

• Sensor的时钟线MCLK，PCLK注意包地处理• Sensor的本体的位置最好不要在天线下面，离天线的金属片的位置至少要2-3mm• Sensor的连接最好用connector，用焊接的FPC时，不要在天线的下面，FPC要短

上面的图是极其不好的布局，Sensor本体就在天线金属片的边上，FPC很长，还在天线的正下方

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保密信息 . 322012-2-7

星型走线－－电源线

Ø 电源线采用星型走线

Ø VBAT走线，从电池座分别给BB，RF PA，Audio PA和charge等

Ø RF PA电源埋孔>=4,PA下面要多打地孔Ø Charger的走线要根据电流的大小来，过孔也要相应的增加

Ø 各个电源的线宽要根据电流的大小来定，WHTLED_IB0~5的走线也需要0.15mm以上

Ø １mm走１A电流

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保密信息 . 332012-2-7

Charge 部分

Ø 充电相关的器件建议靠近电池座放置，电池座注意增加地孔保证接地

Ø Charge相关的四根走线（VCHG，VDRV，ISENSE，VBATSENSE 应走在一起做包地处理

Ø VCHG到BB的走线不需要加粗，按默认线宽走线即可Ø ISENSE和VBATSENSE按差分走线

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保密信息 . 342012-2-7

RF部分1/3

Ø RF部分的TX，RX需要包地保护，要做５０欧姆阻抗控制Ø RF的TX，RX表层走线需要考虑线宽Ø RF的TX，RX内层带状线（6层板一般走在L4层），要保证上下层为地，铺铜间距设为３倍线宽

Ø CRYSTAL的相邻层需要挖地处理Ø RF的电容要根据原理图靠近pin摆放Ø RF的天线需要所有层挖地

天线 Crystal

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保密信息 . 352012-2-7

RF部分2/3

Ø 对于8层板：微带线的参考地是主地层L3层；带状线（L4，L6层）的参考地是上下的相邻层。走线的宽度根据叠层会有不同。参考设计中微带线为0.3mm，带状线为0.1mm。

Ø 对于6层板：微带线的参考地是主地层L3层；带状线（L4层）的参考地是上下的相邻层。走线的宽度根据叠层会有不同。参考设计中微带线为0.3mm，带状线为0.1mm。

阻抗线

L4层带状线 表层微带线

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保密信息 . 362012-2-7

RF部分3/3

Ø IQ走差分走线，需要包地保护Ø 26M输出需要保护Ø RF_RAMP,AFC信号线需要保护Ø PA的VBAT线宽要求2mm，过孔至少4～5个Ø PA，Transceiver，Switch下面过孔要足够

VBATGND

IQ，26M，RAMP

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保密信息 . 372012-2-7

BT部分

Ø BT的天线部分的走线需要包地保护，要注意50欧姆阻抗控制。Ø BT-26M用RF时钟，走线要保护好Ø BT的天线需要所有层都挖地处理

BT-26M RF时钟阻抗线

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保密信息 . 382012-2-7

WIFI部分

Ø WIFI如和BT共用天线的话，要靠近摆放。Ø WIFI的天线部分的走线需要包地保护，要注意50欧姆阻抗控制Ø 26M crystal L1，L2需要挖地处理，注意L3层应是地，如用RF时钟，走线要保护好

Ø WIFI的天线需要所有层都挖地处理

Crystal 阻抗线

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保密信息 . 392012-2-7

GPS部分

Ø GPS的天线部分的走线需要包地保护，要注意50欧姆阻抗控制Ø GPS的TCXO和TCXO的信号线相邻层要是地Ø GPS-32K的信号线要保护好Ø GPS的天线需要所有层都挖地处理Ø GPS的电源线要保护好

TCXO 阻抗线GPS-32K

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保密信息 . 402012-2-7

ATV部分

Ø ATV的天线部分的走线需要包地保护，要注意50欧姆阻抗控制Ø ATV的CRYSTAL的信号线相邻的L2层要挖地处理，L3层要是地Ø ATV-26M的信号线要保护好Ø ATV的天线需要所有层都挖地处理

CRYSTAL 阻抗线ATV-32K

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保密信息 . 412012-2-7

FM部分

Ø FM的天线部分的走线需要包地保护。Ø FM 32K的走线尽量保护好Ø FM的天线如果和尾插的地pin共用的话，注意尾插到BEAD处的走线要加粗，BEAD的接地要好

尾插地FM 天线

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保密信息 . 422012-2-7

Audio部分（1）

Ø VCOM，MICBIAS的电容要靠近pin摆放，走线尽量保护好Ø 内置SPK的走线至少0.5mm，BEAD尽量靠近pin摆放。

MICBIAS，VCOM内置SPK

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保密信息 . 432012-2-7

Audio部分（2）

Ø Audio部分的走线要注意包地处理。差分对注意要差分走线。

Ø MICBIAS，REC和耳机的走线注意加粗到0.15mm。SPK的走线加粗到0.5mm。耳机的信号线要分开保护。

Audio 走线

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保密信息 . 442012-2-7

USB部分

Ø USB需要差分走线，走线需要包地处理Ø USB的走线一定要先经过ESD器件，ESD器件的地PAD要有过孔到主地

Ø USB走线需要做差分90欧姆阻抗控制

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保密信息 . 452012-2-7

TP部分

Ø TP的走线需要包地处理

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保密信息 . 462012-2-7

SIM，T卡部分

Ø SIM卡和T卡部分的走线最好一组一起走，尽量和其他信号线隔开

Ø 走线先过ESD器件。Ø 走线在内层

Ø 电容靠近SIM，T卡的PAD摆放。

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保密信息 . 472012-2-7

ESD部分1/3

Ø 有ESD器件的信号，走线时先经过ESD器件。

Ø 在空余的部分多加些地孔，板边增加露铜。

Ø 走线不要太靠近板边，最好能打一排地过孔。

Ø 除了屏蔽罩内，表层不要走长线

板边走线

板边露铜

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保密信息 . 482012-2-7

ESD部分2/3

Ø LCM的下面要有露铜。

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保密信息 . 492012-2-7

ESD部分3/3

Ø IO口的地PAD的接地要充分

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