oglinzi curent

13
CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent 1 1. Oglinda simplă de curent cu tranzistoare MOS Schema de test (ogl-simpla-MOS.asc): Exerciţii propuse: 1. Dimensionaţi tranzistoarele din oglindă pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare de 30μA şi V od de 200mV. 2. Verificaţi PSF ale componentelor şi determinaţi rezistenţa de intrare respectiv ieşire. Utili - zaţi formula de calcul de la curs şi parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Completaţi următorul tabel pentru oglinda NMOS: V GS V DS I D V od V Th g m g DS M n1 M n2 3. Demonstraţi prin simulare că dacă tranzistoarele sunt identice, iar oglinda este echilibrată în tensiune (V DS1 =V DS2 ), atunci eroarea factorului de reflexie tinde la zero. 4. Simulaţi variaţia factorului de reflexie (n=Id(Mn2)/Id(Mn1)) cu dezechilibrul tensiunilor drenă-sursă V DS2 -V DS1 =V out -V in . 5. Simulaţi caracteristica de ieşire a oglinzii, măsuraţi rezistenţa de ieşire în jurul PSF şi deter- minaţi valoarea aproximativă a V o-min . 6. Simulaţi caracteristica de intrare a oglinzii şi măsuraţi rezistenţa de intrare în jurul PSF. 7. Repetaţi exerciţiile 1-6 pentru varianta cu tranzistoare PMOS. 2. Oglinda de curent cascodă cu tranzistoare MOS Schema de test (ogl-cascoda-MOS.asc):

description

oglinzi curent

Transcript of oglinzi curent

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    1

    1. Oglinda simpl de curent cu tranzistoare MOS Schema de test (ogl-simpla-MOS.asc):

    Exerciii propuse:

    1. Dimensionai tranzistoarele din oglind pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare de 30A i Vod de 200mV.

    2. Verificai PSF ale componentelor i determinai rezistena de intrare respectiv ieire. Utili-zai formula de calcul de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Completai urmtorul tabel pentru oglinda NMOS:

    VGS VDS ID Vod VTh gm gDS Mn1 Mn2

    3. Demonstrai prin simulare c dac tranzistoarele sunt identice, iar oglinda este echilibrat n tensiune (VDS1=VDS2), atunci eroarea factorului de reflexie tinde la zero.

    4. Simulai variaia factorului de reflexie (n=Id(Mn2)/Id(Mn1)) cu dezechilibrul tensiunilor dren-surs VDS2-VDS1=Vout-Vin.

    5. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i deter-minai valoarea aproximativ a Vo-min.

    6. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF. 7. Repetai exerciiile 1-6 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

    2. Oglinda de curent cascod cu tranzistoare MOS Schema de test (ogl-cascoda-MOS.asc):

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    2

    Exerciii propuse:

    8. Dimensionai tranzistoarele din oglind pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare de 30A i Vod de 200mV.

    9. Verificai PSF ale componentelor i determinai rezistena de intrare respectiv ieire. Utili-zai formula de calcul de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Ct este ten-siunea minim admis la ieirea oglinzii? Completai urmtorul tabel pentru oglinda NMOS:

    VGS VDS ID Vod VTh gm gDS Mn1 Mn2 Mn3 Mn4

    10. Demonstrai prin simulare c dac tranzistoarele sunt identice factorul de reflexie tinde spre unitate chiar dac oglinda nu este echilibrat n tensiune (VinVout). Ce rol au tranzistoarele cascod?

    11. Simulai variaia factorului de reflexie (n=ID(Mn4)/I(I1)) cu dezechilibrul tensiunilor de in-trare i de ieire.

    12. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i deter-minai valoarea aproximativ a Vo-min.

    13. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF. 14. Repetai exerciiile 8-13 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

    3. Oglinda de curent cascod de joas tensiune cu tranzistoare MOS Schema de test (ogl-cascodaLV-MOS.asc):

    Exerciii propuse:

    15. Dimensionai tranzistoarele din oglind pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare de 30A i Vod de 200mV.

    La dimensionare se ine cont de faptul c toate tranzistoarele, cu excepia Mn6 vor fi polarizate n regim saturat. Dac factorul de reflexie este unitar, atunci curentul de intrare n oglind va fi egal cu curentul de ieire. Astfel, toate tranzistoarele vor fi parcurse de aceleai curent de 30A. Tensiunile Vod fiind deasmenea identice, toate tranzistoarele vor avea aceeai geometrie. La determinarea geo-metriei se iau n calcul parametrii punctului static de funcionare de referin.

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    3

    ID W/L Vod VTh NMOS 50A 5/1 240mV 450mV PMOS 50A 15/1 257mV 450mV

    Procedura de scalare a PSF duce la urmtorii parametrii pentru tranzistoarele saturate:

    2 2

    2

    5 30 4.32401 50 1200

    0.2 0.86pm2 9m0.2

    od refD

    ref odD ref

    VIW WVL IL

    AS AD WPS PD W

    Tranzistorul Mn6 va fi polarizat n regim liniar, constrngere datorat topologiei circuitului. Geo-metria tranzistorului se determin considernd rezistena echivalent dren-surs n regim liniar. Cderea de tensiune VDS6 a tranzistorului Mn6 va fi aproximativ egal cu VDS1 a tranzistoarelor Mn1 i Mn2. Totodat, pentru funcionarea corect a oglinzii este necesar ca tranzistoarele Mn1 i Mn2 s fie saturate, adic VDS1Vod1 i VDS3Vod3, iar VGS1=VDS1+VDS3. Tensiunea gril-surs VGS1 a tranzis-torului Mn1 va fi

    1 1 1 200mV 450mV 650mVGS od ThV V V

    Din condiia de saturaie a Mn1 rezult

    1 1 1 1 3 1 11.5 300 350mVDS od DS od DS GS DSV V V V mV V V V

    Totodat

    3 1 3 3 1

    6 6 6 6

    200mV 450mV 100mV 300mV 1.05VV 1.05V 450mV 600mV

    casn GS DS od Th DS

    od GS Th casn Th

    V V V V V V VV V V V

    Cderile de tensiune VDS1, VDS2 i VDS6 sunt aproximativ egale ca efect al tranzistoarelor cascod. Astfel, rezistena echivalent dren-surs a lui Mn6 este dat de legea lui Ohm (se aplic numai n regim liniar deoarece tranzistorul este o rezisten comandat)

    66

    1

    300mV 10k30A

    DSDS lin

    VrI

    tiind c rezistena echivalent n regim liniar este dat de ecuaia

    6

    2

    DSDS lin

    DSDox od

    V LrVI C W V

    ,

    se calculeaz geometria necesar din formula

    6

    666 6

    1

    2

    n

    DSnox DS lin od

    WVL C r V

    Constanta de proces Cox se obine din tabelul cu PSF de referin

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    4

    2 2

    2 A347V

    D ref refox

    ref od ref

    I LC

    W V

    nlocuirea parametrilor conduce la raportul Wn6/Ln6=0.64=1.3/2. Parametrii de arie i peri-metru ai tranzistorului Mn6 vor fi AS=AD=0.26pm2 i PS=PD=3m.

    16. Verificai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor. Ajustai parametrii geometrici astfel nct PSF simulate s corespund cu cele impuse n specificaii. Completai tabelul de mai jos cu parametrii specifici fiecrui tranzistor.

    Se ruleaz o analiz a punctelor statice de funcionare (.OP). Dup terminarea simulrii se acce-seaz fiierul de ieire (ViewSpice Error Log sau combinaia de taste CTRL+L) i se citesc para-metrii cerui. Din cderile de tensiune i PSF ale tranzistorului Mn6 se observ c geometria acestuia necesit ajustare. Modificnd iterativ W6, L6, AS, AD, PS i PD pn cnd tensiunile ajung la valori-le cerute, se obine geometria final cu parametrii W6/L6=1.8/2, AS=AD=0.36pm2, PS=PD=4 m.

    VGS VDS ID Vod VTh gm gDS

    Mn1 671mV 301mV 30A 207mV 450mV 222S 5.86S Mn2 671mV 304mV 30A 207mV 450mV 222S 5.67S Mn3 760mV 370mV 30A 214mV 531mV 218S 3.7S Mn4 757mV 696mV 30A 211mV 532mV 221S 2.63S Mn5 757mV 757mV 30A 210mV 532mV 221mV 2.6S Mn6 1.06V 305mV 30A 509mV 422mV - 0.563S

    17. Determinai rezistena de intrare respectiv ieire. Utilizai formula de calcul de la curs i pa-rametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Estimai tensiunea minim admis la ieirea oglin-zii.

    Rezistena de intrare se calculeaz din urmtoarea formul

    1

    1 1 4.5k222Sin m

    Rg

    Rezistena de ieire va fi

    42 4 4 2 4

    2 4 2 4

    1 1 15.44Mmout DS DS m DS DSDS DS DS DS

    gR r r g r rg g g g

    Tensiunea minim admis la ieire este

    min 2 4 207mV 211mV 420mVo od odV V V

    18. Simulai variaia factorului de reflexie cu dezechilibrul tensiunilor de intrare i de ieire.

    Pentru a simula variaia factorului de reflexie, definit ca i raportul dintre Iout i Iin, se ruleaz o analiz .DC, n care sursa Voutn influeneaz curentul de ieire, n timp ce curentul de intrare rmne constant. Se creaz profilul de simulare astfel nct sursa Voutn s se modifice liniar ntre 0V i 3V cu un pas de 1mV. Comanda Spice de pe schem va fi .dc Voutn 0 3 1m.

    Dup rularea simulrii, n fereastra grafic se afieaz factorul de reflexie ca i raportul dintre

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    5

    curentul Iout=Id(Mn4) i Iin=Id(Mn3). Pentru a pune n eviden dependena factorului de reflexie de dezechilibrul n tensiune dintre ieirea i intrarea oglinzii, se schimb variabila de pe axa Ox cu di-ferena V(outn)-V(inn). Din curba obinut se observ c factorul de relfexie este unitar atunci cnd oglinda este echilibrat. Deasemenea, factorul de reflexie se va menine unitar i la tensiuni de dez-echilibru diferite de zero datorit tranzistoarelor cascod, care prin tensiunile lor gril-surs asigur echilibrul oglinzii fundamentale Mn1-Mn2. La tensiuni de dezechilibru negative tensiunea de ieire a oglinzii nu respect Vo-min, astfel nct tranzistoarele Mn2 i Mn4 nu pot fi polarizate n regim saturat, iar curentul de ieire devine dependent de Voutn.

    19. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i deter-minai valoarea aproximativ a Vomin.

    Caracteristica de ieire rezult simplu din exerciiul precedent dac variabila pe axa Oy va fi cu-rentul de ieire Id(Mn4), iar variabila pe axa Ox va fi tensiunea de ieire V(outn).

    Rezistena de ieire se msoar poziionnd cele dou cursoare n jurul punctului static de func-ionare definit de tensiunea Voutn=1V i curentul de ieire Iout=30A. Din fereastra de msurare se citete panta caracteristicii (Slope), rezistena de ieire fiind

    1 19.6MoutR Slope

    Diferena fa de valoarea calculat la analiza punctului static de funcionare este dat de trans-conductana de substrat gmb4 al tranzistorului Mn4 care a fost neglijat, dar contribuie totui la defini-ia curentului de dren.

    20. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    6

    Variaia sursei Voutn nu influeneaz ramura de intrare a oglinzii. Astfel, pentru a gsi caracteris-tica de intrare se modific liniar curentul de intrare Iin furnizat de sursa I1. n profilul de simulare se schimb sursa n mod corespunztor, limitele de variaie fiind de la 0 la 60A cu pasul de 10nA. Comanda Spice de pe schem devine .dc I1 0 60u 10n.

    Dup rularea simulri n primul pas se ajusteaz variabila de pe axa Oy afind curentul de in-trare Id(Mn3). n al doilea pas se schimb variabila de la axa Ox n tensiunea de intrare V(inn).

    Panta caracteristicii se msoar poziionnd cursoarele n jurul punctului static de funcionare definit de curentul de intrare de 30A i citind parametrul Slope din fereastra de msurare. Rezis-tena de intrare a oglinzii se calculeaz

    1

    1 1 1 4.6k217Sin m

    RSlope g

    Valoarea de mai sus a Rin corespunde aproximativ cu cea determinat prin calcul la analiza PSF. Precizia de calcul este influenat de poziionarea cursoarelor i aproximarea variaiilor infinitezi-male impuse de definiia transconductanei (ID/VGS).

    21. Repetai exerciiile 15-20 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

    4. Oglinda de curent Wilson asimetric Schema de test (ogl-wilson-asim-MOS.asc):

    Exerciii propuse:

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    7

    22. Dimensionai tranzistoarele din oglind pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare de 30A i Vod de 200mV.

    23. Verificai PSF ale componentelor i determinai rezistena de intrare respectiv ieire. Utili-zai formula de calcul de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Ct este ten-siunea minim admis la ieirea oglinzii? Completai urmtorul tabel pentru oglinda NMOS:

    VGS VDS ID Vod VTh gm gDS Mn1 Mn2 Mn3

    24. Demonstrai prin simulare c dac tranzistoarele sunt identice, eroarea factorului de reflexie nu se reduce, chiar dac oglinda este echilibrat n tensiune. Explicai motivul.

    25. Simulai variaia factorului de reflexie (n=Id(Mn3)/Id(Mn1)) cu dezechilibrul tensiunilor de intrare i de ieire. Se observ eroarea sistematic a factorului de reflexie.

    26. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i deter-minai valoarea aproximativ a Vo-min.

    27. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF. 28. Repetai exerciiile 22-27 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

    5. Oglinda de curent Wilson echilibrat Schema de test (ogl-wilson-MOS.asc):

    Exerciii propuse:

    29. Dimensionai tranzistoarele din oglind pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare de 30A i Vod de 200mV.

    30. Verificai PSF ale componentelor i determinai rezistena de intrare respectiv ieire. Utili-zai formula de calcul de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Ct este ten-siunea minim admis la ieirea oglinzii? Completai urmtorul tabel pentru oglinda NMOS:

    VGS VDS ID Vod VTh gm gDS Mn1 Mn2 Mn3 Mn4

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    8

    31. Demonstrai prin simulare c dac tranzistoarele sunt identice, factorul de reflexie tinde la unitate chiar dac oglinda nu este echilibrat n tensiune. Care este rolul tranzistoarelor cascod?

    32. Simulai variaia factorului de reflexie (n=Id(Mn4)/Id(Mn3)) cu dezechilibrul tensiunilor de intrare i de ieire.

    33. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i deter-minai valoarea aproximativ a Vo-min.

    34. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF. 35. Repetai exerciiile 29-34 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

    6. Oglinda de curent simpl cu tranzistoare bipolare Schema de test (ogl-simpla-BJT.asc):

    Exerciii propuse:

    36. Simulai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor PNP din schem. Completai ur-mtorul tabel cu parametrii fiecrui tranzistor:

    VEB VEC IC IB gm rBE rCE Qp1 646mV 646mV 29.2A 409nA 71.4 1.05mS 64k 1.82M Qp2 646mV 1V 29.4A 409nA 71.9 1.05mS 64k 1.82M

    Punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor se obin rulnd o analiz de tip .OP. Dup cre-

    area profilului corespunztor de simulare i rularea analizei se acceseaz fiierul de ieire i se ci-tesc pe rnd parametrii pentru fiecare tranzistor.

    37. Echilibrai oglinda n tensiune i aflai valoarea amplificrii n curent pentru tranzistoare din eroarea factorului de reflexie. Comparai rezultatul cu cel din tabelul de la exerciiul 36.

    Echilibrarea oglinzii se face egalnd tensiunile de intrare i de ieire. Din simularea PSF rezult c tensiunea de intrare a oglinzii este Vin=VEBp1, iar tensiunea de ieire este Vout=VECp2. Pentru a ega-la Vin cu Vout se regleaz sursa de tensiune Voutp la valoarea VCC-Vin=3V-646mV=2.354V. Dup o nou rulare a simulrii .OP se poate determina factorul de reflexie a oglinzii din raportul

    2

    2

    29.18A 0.97330A

    Cpout

    in

    IInI I

    innd cont de faptul c oglinda este echilibrat n tensiune (VECp1=VECp2), din dependena fac-torului de reflexie de amplificarea n curent a tranzistoarelor se deduce expresia lui

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    9

    2 2 0.973 72.12 1 1 0.973

    nnn

    Aceast valoare este apropiat de cea calculat de simulator la analiza PSF i trecut n tabelul cu parametrii tranzistoarelor Qp1 i Qp2.

    38. Calculai rezistenele de intrare i de ieire utiliznd ecuaiile de la curs i parametrii de sem-nal mic ai tranzistoarelor.

    Rezistena de intrare a oglinzii se calculeaz conform ecuaiei

    1

    1 1 9521.05mSin m

    Rg

    Rezistena de ieire este Rout=rCE2=1.82M.

    39. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i deter-minai valoarea aproximativ a Vo-min.

    Caracteristica de ieire se obine printr-o analiz .DC n care tensiunea de ieire a oglinzii se mo-dific liniar. Variabila modificat n simulare va fi sursa Voutp, valorile date de aceasta variind de la 0V la 3V cu un pas de 1mV. Comanda Spice corespunztoare va fi .dc Voutp 0 3 1m. Dup termina-rea analizei, n fereastra grafic se afieaz Ic(Qp2). Semnul negativ este necesar datorit conven-iei de semne. n pasul al doilea se schimb variabila de pe axa Ox n 3-V(outp).

    Atand ambele cursoare curbei afiate se msoar panta caracteristicii n jurul PSF dat de tensi-unea de ieire egal cu 1V. Din fereastra de msurare se citete parametrul Slope, iar rezistena de ieire msurat va fi

    1 1 1.83M0.546Sout

    RSlope

    Aceast valoare corespunde cu cea gsit la analiza punctelor statice de funcionare.

    40. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.

    Caracteristica de intrare se obine tot cu ajutorul unei analize de curent continuu, dar sursa varia-t va fi I2, corespunztoare curentului de intrare. n profilul de simulare se completeaz parametrii astfel nct I2 s varieze de la 0 la 50A cu un pas de 10nA. Comanda Spice corespunztoare este

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    10

    .dc I2 0 50u 10n. Dup terminarea simulrii se afieaz I(I2), apoi se schimb parametrul de la axa Ox n 3-V(inp).

    Rezistena de intrare se msoar mrind suficient poriunea caracteristicii din jurul curentului de 30A i evalund panta. Rezistena de intrare obinut corespunde aproximativ valorii calculate n urma analizei punctelor statice de funcionare.

    1

    1 1 1 9261.08mSout m

    RSlope g

    41. Repetai exerciiile 36-40 pentru varianta NPN a oglinzii de curent.

    7. Oglinda de curent bipolar cu compensare de Schema de test (ogl-efa-BJT.asc):

    Exerciii propuse:

    42. Simulai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor NPN din schem. Completai ur-mtorul tabel cu parametrii fiecrui tranzistor:

    VBE VCE IC IB gm rBE rCE Qn1 Qn2 Qn3

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    11

    43. Echilibrai oglinda n tensiune i aflai valoarea amplificrii n curent pentru tranzistoare din eroarea factorului de reflexie. Comparai rezultatul cu cel din tabelul de la exerciiul 42.

    44. Calculai rezistenele de intrare i de ieire utiliznd ecuaiile de la curs i parametrii de sem-nal mic ai tranzistoarelor.

    45. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i deter-minai valoarea aproximativ a Vo-min.

    46. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF. 47. Repetai exerciiile 42-46 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.

    8. Oglinda de curent cu degenerare rezistiv Schema de test (ogl-degR-BJT.asc):

    Exerciii propuse:

    48. Simulai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor NPN din schem. Completai ur-mtorul tabel cu parametrii fiecrui tranzistor:

    VBE VCE IC IB gm rBE rCE Qn1 Qn2

    49. Echilibrai oglinda n tensiune i aflai valoarea amplificrii n curent pentru tranzistoare din eroarea factorului de reflexie. Comparai rezultatul cu cel din tabelul de la exerciiul 48.

    50. Calculai rezistenele de intrare i de ieire utiliznd ecuaiile de la curs i parametrii de sem-nal mic ai tranzistoarelor.

    51. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i deter-minai valoarea aproximativ a Vo-min.

    52. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF. 53. Modificai circuitul astfel nct s obinei un factor de reflexie egal cu 2. Pentru ca circuitul

    s funcioneze corect, densitile de curent prin tranzistoare trebuie meninute constante. 54. Repetai exerciiile 48-53 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.

    9. Oglinda de curent cascod cu tranzistoare bipolare Schema de test (ogl-cascoda-BJT.asc):

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    12

    Exerciii:

    55. Simulai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor NPN din schem. Completai ur-mtorul tabel cu parametrii fiecrui tranzistor:

    VBE VCE IC IB gm rBE rCE Qn1 Qn2 Qn3 Qn4

    56. Echilibrai oglinda n tensiune i aflai valoarea amplificrii n curent pentru tranzistoare din eroarea factorului de reflexie. Comparai rezultatul cu cel din tabelul de la exerciiul 55.

    57. Calculai rezistenele de intrare i de ieire utiliznd ecuaiile de la curs i parametrii de sem-nal mic ai tranzistoarelor.

    58. Simulai variaia factorului de reflexie (n=IC(Qn4)/I(I1)) cu dezechilibrul dintre tensiunile de ieire i de intrare.

    59. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i deter-minai valoarea aproximativ a Vo-min.

    60. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF. 61. Repetai exerciiile 55-60 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.

    10. Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare bipolare Schema de test (ogl-wilson-BJT.asc):

  • CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

    13

    Exerciii propuse:

    62. Simulai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor NPN din schem. Completai ur-mtorul tabel cu parametrii fiecrui tranzistor:

    VBE VCE IC IB gm rBE rCE Qn1 Qn2 Qn3 Qn4

    63. Echilibrai oglinda n tensiune i aflai valoarea amplificrii n curent pentru tranzistoare din eroarea factorului de reflexie. Comparai rezultatul cu cel din tabelul de la exerciiul 62.

    64. Calculai rezistenele de intrare i de ieire utiliznd ecuaiile de la curs i parametrii de sem-nal mic ai tranzistoarelor.

    65. Simulai variaia factorului de reflexie (n=IC(Qn4)/I(I1)) cu dezechilibrul dintre tensiunile de ieire i de intrare.

    66. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i deter-minai valoarea aproximativ a Vo-min.

    67. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF. 68. Repetai exerciiile 62-67 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.