日本の半導体R&Dコンソーシアムの将来展望 -...
Transcript of 日本の半導体R&Dコンソーシアムの将来展望 -...
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
日本の半導体R&Dコンソーシアムの将来展望日本の半導体R&Dコンソーシアムの将来展望
SIRIJ技術委員長(株)日立製作所 半導体グループ 技師長
下東 勝博
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
目 次目 次
1. 緒 言
2. 半導体産業の転換点
3. 競争と協調 - コンソーシア
4. コンソーシア - 米国と日本
5. 日本の半導体コンソーシアの現状と将来展望
6. 結 言
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
1. 緒 言1. 緒 言1. 緒 言1. 緒 言
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
2. 半導体産業の転換点2. 半導体産業の転換点2. 半導体産業の転換点2. 半導体産業の転換点
STRJ WS: March 3, 2003
地域別半導体市場推移
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
35%
40%
45%
50%1984
1985
1986
1987
1988
1989
1990
1991
1992
1993
1994
1995
1996
1997
1998
1999
2000
2001
米国 欧州
日本 アジア太平洋
出典:WSTS
WSTS地域別半導体出荷実績地域別半導体出荷実績地域別半導体出荷実績地域別半導体出荷実績
0500
1,0001,5002,0002,5003,0003,5004,0004,5005,000
2001/2/1
2001/2/1
2001/2/1
2001/2/1
2001/3/1
2001/3/1
2001/3/1
2001/3/1
2001/4/1
2001/4/1
2001/4/1
2001/4/1
2001/5/1
2001/5/1
2001/5/1
2001/5/1
2001/6/1
2001/6/1
2001/6/1
2001/6/1
2001/7/1
2001/7/1
2001/7/1
2001/7/1
2001/8/1
2001/8/1
2001/8/1
2001/8/1
2001/9/1
2001/9/1
2001/9/1
2001/9/1
2001/10/1
2001/10/1
2001/10/1
2001/10/1
2001/11/1
2001/11/1
2001/11/1
2001/11/1
2001/12/1
2001/12/1
2001/12/1
2001/12/1
2002/1/1
2002/1/1
2002/1/1
2002/1/1
2002/2/1
2002/2/1
2002/2/1
2002/2/1
B$
米州 欧州日本 アジア
米国⇒⇒⇒⇒日本日本⇒⇒⇒⇒米国
米国⇒⇒⇒⇒ アジア
STRJ WS: March 3, 2003
STRJ WS: March 3, 2003
半導体のGDP、電子機器に対する年次変化
(出典:Proc. IEEE, Vol.87, p.537, 1999 )
10101010
1111
10101010
1970197019701970
-1
1980198019801980 1990199019901990 2000200020002000 2010201020102010 2020202020202020
1
101010102
101010103
101010104
101010105
全世界GDP全世界GDP全世界GDP全世界GDP
全電子機器産業生産高全電子機器産業生産高全電子機器産業生産高全電子機器産業生産高
全半導体生産高全半導体生産高全半導体生産高全半導体生産高投資額投資額投資額投資額
マイクロプロセッサ生産高マイクロプロセッサ生産高マイクロプロセッサ生産高マイクロプロセッサ生産高
DRAMDRAMDRAMDRAM生産高生産高生産高生産高
(年)
生産
高(
生産
高(
生産
高(
生産
高(B BBB$
)$
)$
)$
)
17%CAGR
9% CAGR
4.5% CAGR
STRJ WS: March 3, 2003
0
20
40
60
80
100
120
140
1940 1945 1950 1955 1960 1965 1970 1975 1980 1985
Semiconductor Market Comparedto Steel Production
STEE
L PR
OD
UC
TIO
N (M
t/Yea
r)
〔〔〔〔60〕〕〕〕 〔〔〔〔70〕〕〕〕 〔〔〔〔80〕〕〕〕 〔〔〔〔90〕〕〕〕 〔〔〔〔00〕〕〕〕YEAR FOR SEMICONDUCTOR
U.S.
JAPANCHINA
KOREA
SEMICONDUCTOR
STRJ WS: March 3, 2003
利益率推移
-10
-5
0
5
10
15
20
25
97年 98年 99年 00年 01年
%
半導体世界26社 携帯電話他 PC WS、オフコン他
売上高推移
0
20,000
40,000
60,000
80,000
100,000
120,000
140,000
160,000
180,000
200,000
97年 98年 99年 00年 01年
M$/年
世界の半導体と半導体応用3機器の売上高と利益率推移
(出所:矢野経済研究所)
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
半導体産業の転換点
支出増/支出減相反施策の推進一過性ではない
新製品・新技術のスピーディな開発
高コスト体質の解消
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
3. 競争と協調 - コンソーシア3. 競争と協調 - コンソーシア3. 競争と協調 - コンソーシア3. 競争と協調 - コンソーシア
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
競争と協調の時代- CO-OPETITION - A.M.Brandenburger and B.J.Nalebuff 1996
半導体業界半導体業界半導体業界半導体業界半導体業界半導体業界半導体業界半導体業界
SUPPLIERSUPPLIER製造装置業界材 料 業界
CUSTOMERCUSTOMERシステムハウス
COMPLEMENTORCOMPLEMENTOR 官 ・ 学
COMPETITORCOMPETITOR グローバル競争
テクノネットワークテクノネットワークテクノネットワークテクノネットワークテクノネットワークテクノネットワークテクノネットワークテクノネットワーク
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
A B A B A B A B A B A B A B A B C C C C C C C C
テクノネットワークテクノネットワークテクノネットワークテクノネットワーク
・ 官 ・ 官 ・ 官 ・ 官
・ 学 ・ 学 ・ 学 ・ 学
・ 関連業界 ・ 関連業界 ・ 関連業界 ・ 関連業界
過 去
過 去
過 去
過 去
過 去
過 去
過 去
過 去
将 来
将 来
将 来
将 来
将 来
将 来
将 来
将 来
パホーマンス
パホーマンス
パホーマンス
パホーマンス
パホーマンス
パホーマンス
パホーマンス
パホーマンス
A B CA B CA B CA B CA B CA B CA B CA B C
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
4. コンソーシア - 米国と日本4. コンソーシア - 米国と日本4. コンソーシア - 米国と日本4. コンソーシア - 米国と日本
STRJ WS: March 3, 2003
米国米国米国米国1982 SRC 設立設立設立設立::::大学への共同研究委託大学への共同研究委託大学への共同研究委託大学への共同研究委託
1987 SEMATECH設立設立設立設立::::国が半分出資、当初は国が半分出資、当初は国が半分出資、当初は国が半分出資、当初はDRAM開発、途中で製造装置評価に変更開発、途中で製造装置評価に変更開発、途中で製造装置評価に変更開発、途中で製造装置評価に変更
( ( ( (1992 NTRS::::半導体技術ロードマップ開始、半導体技術ロードマップ開始、半導体技術ロードマップ開始、半導体技術ロードマップ開始、1998年より国際化:年より国際化:年より国際化:年より国際化:ITRSに)に)に)に)
<日米の半導体シェアが逆転> <日米の半導体シェアが逆転> <日米の半導体シェアが逆転> <日米の半導体シェアが逆転>
2000 ISMT(International SEMATECH))))設立設立設立設立::::1996年頃より年頃より年頃より年頃よりSEMATECHに国の支援に国の支援に国の支援に国の支援
無くなる。 無くなる。 無くなる。 無くなる。1998年より国際化の子会社設立、欧台韓が加入、その後一本化。プロセス開発。年より国際化の子会社設立、欧台韓が加入、その後一本化。プロセス開発。年より国際化の子会社設立、欧台韓が加入、その後一本化。プロセス開発。年より国際化の子会社設立、欧台韓が加入、その後一本化。プロセス開発。
1998 MARCO/FCRP設立設立設立設立::::SRCの子会社、基礎テーマで大学連合を形成。の子会社、基礎テーマで大学連合を形成。の子会社、基礎テーマで大学連合を形成。の子会社、基礎テーマで大学連合を形成。
欧州欧州欧州欧州1989 JESSI 設立設立設立設立::::プロセス・アプリケーションまでの企業共同研究、プロセス・アプリケーションまでの企業共同研究、プロセス・アプリケーションまでの企業共同研究、プロセス・アプリケーションまでの企業共同研究、1998年年年年MEDEAに、に、に、に、
2001年年年年MEDEA+になり続行。になり続行。になり続行。になり続行。EUREKAプロジェクト。プロジェクト。プロジェクト。プロジェクト。
1984 IMEC設立設立設立設立::::地域の大学間研究センターが、欧州の半導体先端開発拠点に。地域の大学間研究センターが、欧州の半導体先端開発拠点に。地域の大学間研究センターが、欧州の半導体先端開発拠点に。地域の大学間研究センターが、欧州の半導体先端開発拠点に。
国際的にもオープン。 国際的にもオープン。 国際的にもオープン。 国際的にもオープン。
台湾台湾台湾台湾 1974 ERSO設立設立設立設立::::国の研究機関、国の研究機関、国の研究機関、国の研究機関、ERSOよりよりよりよりUMC、、、、TSMCなどのファンドリーを設立などのファンドリーを設立などのファンドリーを設立などのファンドリーを設立。。。。
韓国韓国韓国韓国 1983 COSAR設立設立設立設立:産官学による数次にわたる共同研究プロジェクト。:産官学による数次にわたる共同研究プロジェクト。:産官学による数次にわたる共同研究プロジェクト。:産官学による数次にわたる共同研究プロジェクト。
海外の半導体コンソーシアム海外の半導体コンソーシアム海外の半導体コンソーシアム海外の半導体コンソーシアム
STRJ WS: March 3, 2003
米国半導体産業における政府-大学-産業界の協力の仕組
国防総省(DOD)
防衛先端研究機構(DARPA)($2B/年)
主 要 関 連 省 庁
商務省(DOC)
技 術 管 理 局(TA)
OTP
NTIS
NIST($1.1B/年)
海外半導体メーカ
米国半導体メーカ 米国半導体工業会(SIA) 国立研究所
先端プロセス研究$300M/年
LBNL
LLNL
LANL
ORNL
SNL
半導体研究組合(SRC)($35M/年)
先端研究組合(MARCO)
International SEMATECH($140M/年)
SEMI/SEMATECH($3.5M/年)
設計・テスト(U.C Berkeley)
配線(Georgia工科大)
材料・デバイス 設計・ソフト 未定 未定
大学研究プロジェクト(FCRP) SRCプロジェクト参加大学
Lehigh、Cornell、Texas、UCB、Wisconsin、PRIStanford、MIT、NY、Aryeny、CMU、Illinois
開発実行機関 共同研究資 金
(将来 計$60M:$10M/センター)
75%
25% 50%
25%
($5M、10大学) ($5M、6大学) (50大学以上、300プロジェクト以上)
大 学
スポンサー
カリフォルニア
アイダホ
アリゾナ、他
ATP($200M/年)
CRADA
州政府
エ ネ ル ギ ー 省(DOE)
($7B/年)
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
MACHINERYMAKERS
INDUSTRIALPARTICIPANTS
VLSI PROJECTJOINT LABORATORIES
MATERIALSSUPPLIERS
EQUIPMENTSUPPLIERS SUBCONTRACTORS
TOSHIBA GROUPTOSHIBA MACHINETOSHIBA SEIKITOKUDATOKUDA DENKIASIA ELECTRONICS
KOKUSAIDENKI
NEC
TOSHIBA
FUJITSU
HITACHI
MITSUBISHI
LITHOGRAPHY
CRYSTAL
WAFER
TESTING
DAI NIPPONPRINTING
TOPPAN
SHINETSUHANDOTAI
OSAKATITANIUM
TOKYOOHKA
CANON
NIKON
USHIODENKI
RICOH
KOKUSAIDENKI
TAKEDARIKENNTT LABSMITI VLSI PROJECT
Source:“Creating Advantage”,T.R.Howell,1992
日本のテクノストラクチャー VLSIプロジェクト(1975-1979)
STRJ WS: March 3, 2003
国内半導体コンソーシアム・プロジェクトの推移
SIRIJ1994
STARC1995
Selete1996
ASET1996SNCC構想構想構想構想
2000
VSAC*1998
JEITA 半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会
STRJ*1998
プロジェクトプロジェクトプロジェクトプロジェクト
あすかあすかあすかあすか*2001
指針
実行フェーズ実行フェーズ実行フェーズ実行フェーズ
提案フェーズ提案フェーズ提案フェーズ提案フェーズ
半導体半導体半導体半導体MIRAI
プロジェクトプロジェクトプロジェクトプロジェクト2001
半導体技術ロードマップ委員会
システムLSI開発
支援センター
<<<<産官>産官>産官>産官>
<<<<産官学>産官学>産官学>産官学>
*(社)電子情報技術産業協会(JEITA)管轄
<<<<産>産>産>産>
(出所:SIRIJ)
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
5. 日本の半導体コンソーシアの5. 日本の半導体コンソーシアの5. 日本の半導体コンソーシアの5. 日本の半導体コンソーシアの 現状と将来展望 現状と将来展望 現状と将来展望 現状と将来展望
STRJ WS: March 3, 2003
日本の半導体産業の発展に向けて
基盤研究基盤研究基盤研究基盤研究 先行 先行 先行 先行技術開発技術開発技術開発技術開発
SoCプロセスプロセスプロセスプロセス
デバイス技術デバイス技術デバイス技術デバイス技術65nm
Selete
SoC設計技術設計技術設計技術設計技術
高位設計技術DR,IP開発
STARC
基盤技術原理実証65-45nm
MIRAI-PJ
AIST ASET
SoC基盤技術基盤技術基盤技術基盤技術ASPLA
先端SoC研究
センター(仮称)AIST
企業連携による90nmプロセス
90nmDR&LibrarySTARC
AS☆☆☆☆PLA-PJ
EUVA
EUVL-PJ
高効率生産技術
ASET
HALCA-PJ あすかあすかあすかあすか-PJ
標準化技術標準化技術標準化技術標準化技術開発開発開発開発
出所 半導体産業研究所
STRJ WS: March 3, 2003
半導体コンソーシア(民間)体系図
㈱先端SoC基盤技術開発
ASPLA
㈱半導体理工学研究センター
STARC
㈱半導体先端テクノロジース
Selete
あすかあすかあすかあすかプロジェクト
HALCAプロジェクト
MIRAIプロジェクト
SIRIJ半導体産業研究所
(技術研究組合)超先端電子技術
開発機構ASET
(技術研究組合)超先端電子技術
開発機構ASET
(独立行政法人)産業技術
総合研究所AIST
(独立行政法人)産業技術
総合研究所AIST
関係協力組織関係協力組織関係協力組織関係協力組織
つくばSCR棟
(技術研究組合)極端紫外線露光システム技術開発機構
EUVA
(技術研究組合)極端紫外線露光システム技術開発機構
EUVA
電子情報技術産業協会JEITA
半導体幹部会
JEITA半導体コンソーシア
委員会
AS☆☆☆☆PLAプロジェクト
出所 半導体産業研究所
AS☆☆☆☆PLAプロジェクトプロジェクトプロジェクトプロジェクト
(アスプラ) (アスプラ) (アスプラ) (アスプラ)
目的 目的 目的 目的 1) 1) 1) 1) 90nmノード対応ノード対応ノード対応ノード対応SoC標準プラットフォームの構築標準プラットフォームの構築標準プラットフォームの構築標準プラットフォームの構築 ・ ・ ・ ・90nm設計基準および製造プロセスの標準化,共通設計基準および製造プロセスの標準化,共通設計基準および製造プロセスの標準化,共通設計基準および製造プロセスの標準化,共通Libなどの開発環境整備などの開発環境整備などの開発環境整備などの開発環境整備 ・ ・ ・ ・90nmノード世代の設計手法の確立ノード世代の設計手法の確立ノード世代の設計手法の確立ノード世代の設計手法の確立 2) 2) 2) 2) IP・・・・SoCの試作・検証による設計資産蓄積と流通化の試作・検証による設計資産蓄積と流通化の試作・検証による設計資産蓄積と流通化の試作・検証による設計資産蓄積と流通化 ・ ・ ・ ・IP検証シャトル便などの協同運用による設計資産蓄積と流通化推進検証シャトル便などの協同運用による設計資産蓄積と流通化推進検証シャトル便などの協同運用による設計資産蓄積と流通化推進検証シャトル便などの協同運用による設計資産蓄積と流通化推進
・海外や大学などにも広く門戸を開き,デファクト化を推進 ・海外や大学などにも広く門戸を開き,デファクト化を推進 ・海外や大学などにも広く門戸を開き,デファクト化を推進 ・海外や大学などにも広く門戸を開き,デファクト化を推進
期間: 期間: 期間: 期間: 2002年年年年 10月月月月 ~~~~ 2007年年年年 9月月月月内容: 内容: 内容: 内容: 90nm対応対応対応対応 SoC設計プラットフォーム技術の確立設計プラットフォーム技術の確立設計プラットフォーム技術の確立設計プラットフォーム技術の確立
企画推進:企画推進:企画推進:企画推進: (社社社社)電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会(JEITA) 半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会
研究開発組織:研究開発組織:研究開発組織:研究開発組織: (株株株株)先端先端先端先端SoC基盤技術開発基盤技術開発基盤技術開発基盤技術開発(ASPLA): : : : 相模原相模原相模原相模原
(株株株株)半導体理工学研究センター半導体理工学研究センター半導体理工学研究センター半導体理工学研究センター (STARC): : : : 新横浜新横浜新横浜新横浜
費用: 費用: 費用: 費用: ASPLA 500億円/億円/億円/億円/5年、 年、 年、 年、 STARC 現在検討中現在検討中現在検討中現在検討中 (2002.10現在)人員: 人員: 人員: 人員: ASPLA 約約約約120人、 人、 人、 人、 STARC 現在検討中 現在検討中 現在検討中 現在検討中
STRJ WS: March 3, 2003
プロジェクト あすか (プロジェクト あすか (プロジェクト あすか (プロジェクト あすか (Asuka))))
目的 目的 目的 目的 1) 先端1) 先端1) 先端1) 先端SoC開発の共通基盤の構築開発の共通基盤の構築開発の共通基盤の構築開発の共通基盤の構築
・半導体の最先端、共通基盤技術の研究開発を世界に先駆けて行う ・半導体の最先端、共通基盤技術の研究開発を世界に先駆けて行う ・半導体の最先端、共通基盤技術の研究開発を世界に先駆けて行う ・半導体の最先端、共通基盤技術の研究開発を世界に先駆けて行う ・成果技術のディファクトスタンダード化を推進、 ・成果技術のディファクトスタンダード化を推進、 ・成果技術のディファクトスタンダード化を推進、 ・成果技術のディファクトスタンダード化を推進、SoC開発の共通インフラを提供開発の共通インフラを提供開発の共通インフラを提供開発の共通インフラを提供
2) 最先端技術の「壁」の共同克服2) 最先端技術の「壁」の共同克服2) 最先端技術の「壁」の共同克服2) 最先端技術の「壁」の共同克服 ・国研、大学との交流・連携し、半導体の基盤技術の確立と人材の育成 ・国研、大学との交流・連携し、半導体の基盤技術の確立と人材の育成 ・国研、大学との交流・連携し、半導体の基盤技術の確立と人材の育成 ・国研、大学との交流・連携し、半導体の基盤技術の確立と人材の育成 ・関連業界、海外コンソーシアムなどとの相補的協力・連携 ・関連業界、海外コンソーシアムなどとの相補的協力・連携 ・関連業界、海外コンソーシアムなどとの相補的協力・連携 ・関連業界、海外コンソーシアムなどとの相補的協力・連携
期間: 期間: 期間: 期間: 2001年年年年 4月月月月 ~~~~ 2006年年年年 3月月月月内容: 内容: 内容: 内容: 90~~~~65nm SoC技術の確立技術の確立技術の確立技術の確立
企画推進:企画推進:企画推進:企画推進: (社社社社)電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会(JEITA) 半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会
研究開発組織:研究開発組織:研究開発組織:研究開発組織: (株株株株)半導体先端テクノロジーズ半導体先端テクノロジーズ半導体先端テクノロジーズ半導体先端テクノロジーズ(Selete): : : : つくばつくばつくばつくば
(株株株株)半導体理工学研究センター半導体理工学研究センター半導体理工学研究センター半導体理工学研究センター (STARC): : : : 新横浜新横浜新横浜新横浜
費用: 費用: 費用: 費用: Selete 700億円億円億円億円/5年、 年、 年、 年、 STARC 140億円億円億円億円/5年年年年 (2001.4現在)人員: 人員: 人員: 人員: Selete 約約約約250人、 人、 人、 人、 STARC 約約約約100人人人人
あすか
STRJ WS: March 3, 2003
STRJ WS: March 3, 2003
技術力評価アンケート結果(STRJ)
0
20
40
60
80
100デバイス技術デバイス技術デバイス技術デバイス技術
設計技術設計技術設計技術設計技術
IP設計技術IP設計技術IP設計技術IP設計技術
テスト技術テスト技術テスト技術テスト技術
リソグラフィ技術リソグラフィ技術リソグラフィ技術リソグラフィ技術
フロントエンド技術フロントエンド技術フロントエンド技術フロントエンド技術
配線技術配線技術配線技術配線技術
ファクトリインテグレ-ションファクトリインテグレ-ションファクトリインテグレ-ションファクトリインテグレ-ション
素材・部品材料技術素材・部品材料技術素材・部品材料技術素材・部品材料技術
組立技術組立技術組立技術組立技術
ESHESHESHESH
計測技術計測技術計測技術計測技術
欠陥削減技術欠陥削減技術欠陥削減技術欠陥削減技術
モデリング・シミュレ-ションモデリング・シミュレ-ションモデリング・シミュレ-ションモデリング・シミュレ-ション
日日日日 米米米米 欧欧欧欧 韓国韓国韓国韓国 台湾台湾台湾台湾
設計技術、設計技術、設計技術、設計技術、IP設計設計設計設計
技術の分野では、技術の分野では、技術の分野では、技術の分野では、日本のポジションは日本のポジションは日本のポジションは日本のポジションは
低下傾向低下傾向低下傾向低下傾向
組立て、素材部組立て、素材部組立て、素材部組立て、素材部品分野分野で品分野分野で品分野分野で品分野分野では、日本のポジは、日本のポジは、日本のポジは、日本のポジションは高いションは高いションは高いションは高い
共通技術分野
共通技術分野
共通技術分野
共通技術分野
【【【【2001年上期アンケート実施】年上期アンケート実施】年上期アンケート実施】年上期アンケート実施】
STRJ WS: March 3, 2003
設計環境マッピング設計環境マッピング設計環境マッピング設計環境マッピング
ASPLA 標準プロセスライン /派生プロセス
/派生ライブラリデザインルール/標準ライブラリ/コモディティIP
トランジスタ
SI/PI
モデル
EDAツール
市販
企業内ツール
プロセス故障解析
テスト・設計故障解析
不良箇所解析
テスト組込
OS
組み込みソフトアナログ
組み込みメモリIT環境
API
共通インターフェース
データベース
企業内LAN
コア
IP
(スターIP)
(キラーIP)
プロセス
設計
システムレベル設計
Low Power
企業競争領域企業競争領域企業競争領域企業競争領域
専用性の高い共通領域専用性の高い共通領域専用性の高い共通領域専用性の高い共通領域共通性の高い領域共通性の高い領域共通性の高い領域共通性の高い領域
故障解析 IT環境 EDAツール IP・コア メモリ・アナログ OS・ソフト
<環境> <コンテンツ>
((((1111))))SoCSoCSoCSoC設計力の徹底的な強化!設計力の徹底的な強化!設計力の徹底的な強化!設計力の徹底的な強化!
SoCSoCSoCSoC設計環境開発設計環境開発設計環境開発設計環境開発
システムレベル自動設計システムレベル自動設計システムレベル自動設計システムレベル自動設計
フィジカルレベル最適化設計フィジカルレベル最適化設計フィジカルレベル最適化設計フィジカルレベル最適化設計
IP(IP(IP(IP(設計資産設計資産設計資産設計資産))))活用活用活用活用
IPIPIPIP再利用・流通化技術再利用・流通化技術再利用・流通化技術再利用・流通化技術
低消費電力化低消費電力化低消費電力化低消費電力化IPIPIPIP
SoCSoCSoCSoC設計教育設計教育設計教育設計教育
SoCSoCSoCSoC設計生産性の大幅向上設計生産性の大幅向上設計生産性の大幅向上設計生産性の大幅向上
SoCSoCSoCSoC設計者の育成設計者の育成設計者の育成設計者の育成
((((2222)大学における)大学における)大学における)大学におけるLSILSILSILSI研究支援と活性化研究支援と活性化研究支援と活性化研究支援と活性化
STARCSTARCSTARCSTARC////大学共同研究大学共同研究大学共同研究大学共同研究
あすか
あすか設計技術開発の目的
J. Ueda/ 政策科学研究所01.12.07 STRJ WS: March 3, 2003
STRJ WS: March 3, 2003
Iddq
欠陥検査装置
不良ネット推定
故障論理位置候補
レイアウト上故障位置推定
サンプル処理
故障部位絞込み、特性解析
故障原因推定
故障箇所構造解析
故障箇所物理化学分析
故障物理モデル
故障事例DB
原因プロセス特定プロセス改良
論理解析
論理解析
論理解析
論理解析
故障物理位置推定
故障物理位置推定
故障物理位置推定
故障物理位置推定
故障物理解析
故障物理解析
故障物理解析
故障物理解析
現行技術 サブ90nm要開発技術
・Cu配線欠陥(ボイド)検出技術の高度化
・ピコ秒オーダー発光解析技術の高度化
OBIRCH、EMS、FIB、液晶法、EBテスタ、S-SQUIDPICA
SEM、TEM
・三次元TEM・応力分布解析技術
TEM/EDX、TEM/EELS、SIMS、μAESAES、 XPS、
・微細三次元不純物プロファイル測定技術→ nSIMS ,SCM
・極微小部元素分析化学構造分析
故障解析ワークフロー
CADシステム、CADナビゲーション利用故障推定
量産テストデータログからの故障推定
顧客不良デバイスメーカ不良
インライン、スクリーニング、信頼性試験DFD技術
解析テスター不良再現
テストデータ解析
CD-SEM・高性能化・Scatterometry・CD-AFM・EB-Holography
・ナノサージェリー(微細パッド、裏面パッド、引き出し、断面出し)
→ 微細ダメージレスFIB装置
FIB
・post-Iddq(大電流高速測定技術)
Iddqテスト
耐圧、異物寸法、合せ、歩留
ファブデータベース
あすか
(株株株株)Selete
(株株株株)STARC
参加企業参加企業参加企業参加企業
・・・・半導体半導体半導体半導体MIRAIプロジェクトプロジェクトプロジェクトプロジェクト
・システムオンチップ先端・システムオンチップ先端・システムオンチップ先端・システムオンチップ先端 設計技術(委託プロジェクト) 設計技術(委託プロジェクト) 設計技術(委託プロジェクト) 設計技術(委託プロジェクト)・・・・ASET受託研究テーマ受託研究テーマ受託研究テーマ受託研究テーマ
製造装置・材料メーカー製造装置・材料メーカー製造装置・材料メーカー製造装置・材料メーカーEDAベンダーベンダーベンダーベンダー
連携
連携
連携
連携
共同共同共同共同開発開発開発開発
協力協力協力協力
プロジェクトプロジェクトプロジェクトプロジェクト““““あすか(あすか(あすか(あすか(Asuka))))””””0.1μm~0.07μm SoC技術開発
NEDO
協力協力協力協力
あすかの研究体制と課題あすかの研究体制と課題あすかの研究体制と課題あすかの研究体制と課題
JEITA 半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会
海外コンソーシアム海外コンソーシアム海外コンソーシアム海外コンソーシアム
大学大学大学大学
サービスサービスサービスサービスメンテナンスメンテナンスメンテナンスメンテナンス
STRJ WS: March 3, 2003
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
6. 結 言6. 結 言6. 結 言6. 結 言
STRJ WS: March 3, 2003STRJ WS: March 3, 2003
コンソーシアの将来展望 -まとめー
1. 新時代のビジネスモデル
2. 守りから攻めへ 設計技術、故障解析、材料・部品 コンソーシアム特許
3. 「関係」 - ネットワーク組織へ 官・学 - システムハウス - 材料・装置 サービス・メンテナンス
4. 運営上の諸課題の粘り強い解決 インセンティブ 成果評価
STRJ WS: March 3, 2003
あすかの心あすかの心あすかの心あすかの心
「和」「和」「和」「和」「「「「以和為貴・・・・・諧於論事以和為貴・・・・・諧於論事以和為貴・・・・・諧於論事以和為貴・・・・・諧於論事 則事理自通則事理自通則事理自通則事理自通 何事不成」何事不成」何事不成」何事不成」
(「憲法十七条」(「憲法十七条」(「憲法十七条」(「憲法十七条」 第一条)第一条)第一条)第一条)
「大和」「大和」「大和」「大和」