昇圧型DC-DCコンバータの効率解析 - Gunma University...概要 •...
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昇圧型DC-DCコンバータの効率解析
群馬大学
松田順一
2015年6月14日
1
概要
• スイッチングレギュレータ概要
• 昇圧型DC-DCコンバータ解析(多灯白色LEDドライバー)
– 不連続、臨界、連続モードに於ける解析
• 主なエネルギー損失
• エネルギー効率計算手順とシミュレーション結果
– 各ノードの電圧・電流の時間変化
– 各特性の周波数依存性 • 効率、ピーク電流/許容電流比、ピーク電流、デューティ比、リップル電圧、
スイッチングTr消費電力
– スイッチングTr特性のゲート幅依存性 • 消費電力とスイッチング用MOSFETのRON、効率とチップ総原価
「群馬大学アナログ集積回路研究会 第49回講演会(2006年10月13日)」から作成
2
スイッチングレギュレータの基本構成
DC-DCコンバータ
ドライブ PWM 誤差増幅
VoVi
Vr
3
スイッチングによるコイルの起電力
-
+
電流+
-
電流
4
DC-DCコンバータの基本回路
ViVo
-
+
ViVo
+
-
ViVo
+
-
降圧型 昇圧型
昇降圧型 5
昇圧型DC-DCコンバータ回路図 ー負荷:白色LEDー
L
SW Tr C
白色LED
ミラーTr
Vi
VOIi Io
VgSW
6
不連続モード時の電流の時間変化
IP
Ii
tTON TOFF
T
TF TON TOFF
T
VgSW
t
7
エネルギーの流れ
• TON時
– コイルへのエネルギー蓄積
• TOFF(TF)時
– TON時にコイルに蓄積されたエネルギーの放出
– 電源からのエネルギー供給
– ダイオードを通して負荷へのエネルギー供給
8
不連続モードの解析1 (コイルのエネルギー蓄積と放出)
放出エネルギー
れるエネルギー間にコイルから放出さ
流の間コイルに流れる電
らの供給エネルギー)るエネルギー(電源か間にコイルに蓄えられ
流の間コイルに流れる電
22
2
0
222
0
2
1
2
1
2
1
2
1
1,,
PFoi
T
ioiCF
F
oii
F
PioF
F
PF
ioi
F
PONi
T
iiON
ON
ONi
iiP
ON
Pi
ON
Pii
ON
LITL
VVdtIVVE
T
VVdt
dIL
T
I
L
VVtT
T
ItT
L
VVI
T
LITL
VdtIVE
T
Tf
T
TDV
dt
dIL
Lf
DVI
T
I
L
Vt
T
It
L
VI
T
F
ON
9
不連続モードの解析2 (電源から供給されるエネルギー)
FONONi
FONi
ONi
FONIN
FON
ON
Pi
F
PioFON
iFPi
Fioi
T
Fio
i
T
iiF
F
P
ON
Pi
F
Pio
io
ONiF
F
TTTL
VTT
L
VT
L
VEEE
TT
T
I
L
V
T
I
L
VVTT
L
VTIV
TL
VVVdttT
L
VVVdtIVE
T
IT
I
L
V
T
I
L
VV
VV
TVT
T
FF
22
1
2
1
,2
1
2
1
2
,,
222
2
2
2
00
ネルギー)るエネルギー(入力エ間に電源から供給されと
るエネルギー間に電源から供給され
消去
は以下で与えられる。
10
不連続モードの解析3 (出力電圧と負荷側消費電力)
oii
oiONi
o
oo
i
o
ii
o
ONio
oioONiF
FONONi
ooo
IN
IVLf
DVIV
LT
TVP
PI
VLfI
DVV
LTI
TVV
VVVTVT
TTTLT
VIVP
TE
22
22
2
2222
2222
2
の別の式が求まる。をかけるととなる。これに、
を求めると、を代入してとなる。上式に
費電力はれるとすると、その消の間に負荷側で消費さが
11
臨界モードの解析
となる。
から力電圧は、また、臨界モードの出
以下で表される。
になる場合であり、がは不連続モードの臨界モードの
と同じで以下になる。は不連続モードの場合臨界モードの
ii
OFF
ONo
ioONiOFF
Pii
ONi
OFFONONi
o
OFFFo
iON
iP
P
VD
VT
TV
VVTVT
IVDLf
VT
L
VTTT
LT
VP
TTP
Lf
DVT
L
VI
I
1
11
2
1
222
222
12
連続モード時の電流の時間変化
T
TOFFTON
t
VgSW
T
TOFFTON
臨界モード
連続モードIP
IB
t
Ii
13
連続モードの解析1
(コイルのエネルギー蓄積と放出)
放出エネルギー
れるエネルギー間にコイルから放出さ
流の間コイルに流れる電
らの供給エネルギー)るエネルギー(電源か間にコイルに蓄えられ
流の間コイルに流れる電
22
0
22
0
2
1
2
1
2
1
BP
T
ioiCF
OFF
oii
OFF
BPio
OFF
BPP
ioPi
OFF
BPBPONi
T
iiON
ON
ii
ON
BPi
ON
BPB
iBi
ON
IILdtIVVE
T
VVdt
dIL
T
II
L
VVt
T
IIIt
L
VVII
T
IILIITVdtIVE
T
Vdt
dIL
T
II
L
Vt
T
IIIt
L
VII
T
OFF
ON
14
連続モードの解析2
(電源から供給されるエネルギー)
費電力はれるとすると、その消の間に負荷側で消費さが
ネルギー)るエネルギー(入力エ間に電源から供給されと
るエネルギー間に電源から供給され
BPiooo
IN
BPi
OFFONIN
OFFON
ONOFF
ON
BPiBPBPi
BPOFFi
T
OFF
BPPi
T
iiOFF
OFF
IIVIVP
TE
TIIV
EEE
TT
TTTT
II
L
VIILTIIV
IITVdtt
T
IIIVdtIVE
T
OFFOFF
2
1
2
1
,2
1
2
1
2
22
00
15
連続モードの解析3 (出力電圧とピーク電流)
ONi
i
oBON
i
i
oP
BPioONBP
ii
OFF
ONo
o
OFF
BPioOFF
ON
BPiON
OFFON
TL
V
V
PIT
L
V
V
PI
IIVPTII
VD
VT
TV
V
T
II
L
VVT
T
II
L
VT
TT
2,
2
2/
1
11
以下で表される。
から、 時の関係式とは、上記と
じ臨界モードの場合と同
は、以下で表される。
時:、 時:
時の下記の関係から時と
16
主なエネルギー損失
• SW TrのRONによる損失
• SW Trのゲートへの充放電による損失
• SW Trのターンオフ時のもれ電流による損失
• SW Trのターンオン時のもれ電流による損失
• ミラーTrの消費電力による損失
• ダイオードの順方向消費電力による損失
• コイルの内部抵抗による損失
17
RONの導出
tGS
tGSeff
DS
DSON
ON
SDeff
ox
DStGS
tGSeff
DS
DSDS
VV
VV
I
VR
R
RR
L
WC
VVVVV
I
IV
0
00
00
0
1
1
MOSFET
は以下になる。となる。上式から
はの線型領域において、の低い
18
RDとRSがある場合の電流式
tGSeff
DStGS
tGSSD
DStGSDS
tGSSDtGS
tGS
DS
DS
DSdsgs
SDDSDSdsGSSDSGSgs
dstgs
tgs
DS
DSDSSD
VV
VVV
VVRR
VVVI
VVRRVV
VV
V
I
IVV
RRIVVVRIVV
VVVVV
I
VIRR
11
1
Tr
,
1
0
00
0
00
0
0
0
ると、の式に代入して整理すをとでは成立する。
る高耐圧側のみドリフト層のあ上記近似は、ドレイン
以下になる。
ての低い線型領域においはがある場合、と
19
SW TrのRONとゲート容量による消費電力
充電と放電の合計充電または放電時
る消費電力のゲートの充放電によ
連続モードの場合
の場合 不連続と臨界モード
による消費電力時
22
22
2
0
2
2
0
1
2
1
SWTr
3
1
3
1
ddGCddGC
GC
BBPPON
T
ON
BPB
ONRON
ONPON
T
ON
PONRON
RONONON
VCT
PVCT
P
P
DIIIIRdttT
III
T
RP
T
TDDIRdtt
T
I
T
RP
PRT
ON
ON
20
(注)この電力はSWTrを駆動するPre-Driverのオン抵抗で消費される
SW Trターンオフ時の回路
SW TrPre-driver
Vg Vd
id
容量Cd
in
idSW
VdSW
ip
Vg Vd
t tt
VgSW
21
プリドライバーTrの入出力電圧
Vd Vg
Vd,Vg
tt1 t3t2t0 t6t5t4
Vcc
Vtn
|Vtp|
PTr offPTr飽和PTr線型
NTr飽和 NTr線型NTr off
Vg1
Vg4
Vg3
Vg2
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
① OFF 線型
② 飽和 線型
③ 飽和 飽和
④ 線型 飽和
⑤ 線型 OFF
⑥ 線型 OFF
NTr PTr
22
SW Trターンオフ時の消費電力導出概要
• 近似 – SWTrのゲート容量Cdの電荷はプリドライバーn-chTrのみのONにより放電
(p-chTr:OFF)
• プリドライバーn-chTrの飽和電圧Vdsatを導出 – 3次方程式から導出
• プリドライバーn-chTrのゲート電圧の時間変化(線型)に対するドレイン電圧Vdの変化導出 – 飽和領域⇒線型領域( Vdsatで場合分け)
• SWTrのゲート電圧Vgsw(=Vd)の時間変化に対するドレイン電圧Vdswの変化導出 – 線型領域⇒飽和領域( SWTr飽和電圧で場合分け)
• SWTrの線型領域から飽和領域までのエネルギー累積
23
SW Trターンオフ時の消費電力1(1) -プリドライバーn-chTrのVdsat導出1-
tg
dsatdsatdsatccd
tgdsatccd
V
Vgtg
t
ttg
V
Vdd
ox
F
ddtgdn
g
dsat
g
VVVV
aVVC
VVa
VVC
dVVVa
dtVVdVC
L
WC
dt
dVCVVii
atV
V
VccV
g
t
dsat
cc
332
3
3
22
2
6
6
22
,22
1,2
Tr 0
chTr-
33
1
飽和条件
を求める。飽和電圧
線型 動作領域:飽和 :
。のみの動作を考慮するイバーのn簡単化して、プリドラ
24
SW Trターンオフ時の消費電力1(2) -プリドライバーn-chTrのVdsat導出2-
ccdd
dsat
dsat
ccd
dsatd
dsat
dsat
VaC
qaC
p
pqq
z
pqq
y
zyV
V
VaC
VaC
V
V
22
3
32
3
32
22
3
6,
6
2
27
4
,2
27
4
066
は以下の如くになる。3次方程式を解いて
3次方程式になる。に関する式は、以下の
25
SW Trターンオフ時の消費電力2(1) -プリドライバーn-chTrのゲートとドレイン電圧時間変化-
sdlddld
lnln
ldld
lglg
ccddtg
tgn
gg
tdsatggt
llCQVV
tii
taVV
VVQVV
VVi
VaatV
VVVVV
,2,1,0/
SWT2
,0,
2
:
:
1,0,1,
,1,
,1,
,1,
0,0,0,
2
3
・・・
rゲート放電電荷
初期値
飽和領域での電流
):ゲート電圧線型変化定数(
飽和領域
26
SW Trターンオフ時の消費電力2(2) -プリドライバーn-chTrのゲートとドレイン電圧時間変化-
ldmddmd
mnmn
mdmd
mgmg
lddlddlggg
ddtgn
ccgg
mmCQVV
tii
taVV
VVQQVVV
VVVVi
VVV
sss
,2,1,0/
SWT2
,,
2
:
1,0,1,
,1,
,1,
,1,
1,0,1,0,1,30,
2
3
・・・
rゲート放電電流
初期値
線型領域での電流
線型領域
27
SW Trターンオフ時の消費電力3(1) -SWTr ON時の回路方程式とSWTr線型領域の電流式-
SW
ndSWtngSWtngSW
ndSW
oxSWndSWndSWtngSWSWndSW
dSW
lndSWi
ndSW
indSW
ndSW
iVVVVV
L
WCVVVVi
V
nnVVLdt
di
VVdt
diL
,
2
,,
,
2
,,,,
,
,
,
,
822
2
1
SWTr:,2
SWT
,2,1,0,1
ONSWT
は以下になる。rのドレイン電圧線型領域での
・・・
になる。時の回路方程式は以下rが
28
SW Trターンオフ時の消費電力3(2) -SWTr線型領域の消費エネルギー-
) (
ーは、以下になる。後の累積消費エネルギ
を求める。から)と(
・・・
める。後のドレイン電流を求時間ステップ
電流の初期値ゲート電圧とドレイン
0,
,2,1,0,
,
0,1,1,,1,
1,1,,1,
,
,1,
0,
0,0,0,0,
SWOFFndSWndSWnSWOFFnSWOFF
ndSWndSWndngSW
l
ndSW
ndSWndSW
dSW
dSWPdSWccdgSW
EtViEE
t
ViVV
nntdt
diii
t
dt
diVIiVVV
29
SW Trターンオフ時の消費電力3(3) ーSWTr飽和領域の電流式とドレイン電圧の近似-
で近似
電力が逆転) (コイルにかかる起
であるから、
の場合である。は初期値
・・・
は以下になる。ドレイン電流
のの飽和領域
omdSW
dSW
mdSWmdSWmgSWmgSW
ngSWmgSWdSW
stmgSWSW
mdSW
dSW
dSWdsatSWtgSW
VV
dt
di
iiVV
VVi
mmVVi
i
VVVV
l
1,
1,,1,,
1,,0,
2
,,
0
,2,1,0,2
SWTr
30
SW Trターンオフ時の消費電力3(4) ーSWTr線型領域から飽和領域の消費エネルギー-
T
EP
E
mmtViEE
EE
t
s
s
l
mSWOFF
SWOFF
mSWOFF
somdSWmSWOFFmSWOFF
nSWOFFSWOFF
1,
1,
1,,1,
1,0,
SWTr
,2,1,0
,
SWT
以下になる。この場合の消費電力は
エネルギーになる。はターンオフ時の消費
まで累積を取ると、が充分ターンオフする
・・・
ーは以下になる。毎の累積消費エネルギ
領域までのrの線型領域から飽和
31
ミラーTr消費電力
)列の (
は、以下となる。の消費電力したがって、ミラー
は、以下で表される。この場合の飽和電圧
ミラー
なる。のゲート電圧は以下とミラー
とすると、を流れる電流を一列の
LED
Tr
Tr:,2
,2
Tr
LED
2
mVmIPVIP
P
VVV
V
L
WCVVII
VI
V
I
dsatLEDTMRdsatLEDMR
MR
tgMR
dsat
dsat
oxMRtgMR
MRMRLED
t
MR
LEDgMR
LED
32
コイル内部抵抗の消費電力1 (不連続モード)
DVV
VIRPPP
T
DVV
VIRdttT
T
I
T
RP
T
T
TDDIRdtt
T
I
T
RP
RT
io
oPCOILOFFCOILONCOILCOIL
io
iPCOIL
T
F
F
PCOILOFFCOIL
OFF
ONPCOIL
T
ON
PCOILONCOIL
ONON
F
ON
2
,,
2
2
0
,
2
2
0
,
3
1
3
1
3
1
SWTr
、以下で表される。の期間での消費電力は
時
に以下になる。による消費電力と同様の時
不連続モードの場合
33
コイル内部抵抗の消費電力2 (臨界モード)
2
,,
2
2
0
,
2
2
0
,
3
1
13
1
3
1
SWTr
PCOILOFFCOILONCOILCOIL
PCOIL
T
OFF
OFF
PCOILOFFCOIL
OFF
ONPCOIL
T
ON
PCOILONCOIL
ONON
IRPPP
T
DIRdttTT
I
T
RP
T
T
TDDIRdtt
T
I
T
RP
RT
OFF
ON
、以下で表される。の期間での消費電力は
時
に以下になる。による消費電力と同様の時
臨界モードの場合
34
コイル内部抵抗の消費電力3 (連続モード)
22
,,
22
0
2
,
,
22
2
0
,
,
3
1
13
1
3
1
BBPPCOILOFFCOILONCOILCOIL
BBPPCOIL
T
OFF
OFF
BPB
COILOFFCOIL
OFFCOILCOILOFF
BBPPCOIL
T
ON
BPB
COILONCOIL
ONCOILCOILON
IIIIRPPP
T
DIIIIR
dttTT
III
T
RP
PRT
DIIIIRdttT
III
T
RP
PRT
OFF
ON
、以下で表される。の期間での消費電力は
による消費電力時
による消費電力時
連続モードの場合
35
ダイオードの消費電力
と同じになる。
分して得られる結果を掛け、それを時間積を流れる電流に
オード、臨界、連続)でダイは、各モード(不連続上記
で表される。
とすると、列)を流れる電流を全体(とし、
を一定は、順方向の電圧降下ダイオードの消費電力
F
D
FLEDD
LED
F
V
P
VmIP
mIm
V
LED
36
効率
制御部での消費電力
よる消費電力:コイルの内部抵抗に
費電力:ダイオードによる消
による消費電力全ミラー
電流による消費電力のターンオン時の漏れ
電流による消費電力のターンオフ時の漏れ
費電力のゲート容量による消:
による消費電力の:
)による消費電力出力部の負荷(
:入力電力
は、以下で表される。全体の効率
:
Tr:
SWTr:
SWTr:
SWTr
SWTr
LED:
CTL
COIL
D
TMR
SWON
SWOFF
GC
ONRON
o
in
CTLCOILDTMRSWONSWOFFGCRONo
o
in
oT
T
P
P
P
P
P
P
P
RP
P
P
PPPPPPPPP
P
P
P
37
エネルギー効率計算手順概要
• 出力の消費電力算出
– LEDの場合:LEDの数(並列×直列)
• 出力電流×出力電圧=負荷側(出力)の消費電力
• 臨界モードの周波数算出
– Lの入力⇒fcrの算出
• 各特性の周波数依存性の抽出
– f<fcr:不連続、 f=fcr:臨界、 f>fcr:連続
– デューティ比、ピーク電流
– エネルギー損失の抽出
– エネルギー効率の計算
38
臨界時の各特性の時間変化
0
5
10
15
20
25
30
0 5 10 15 20
時間 (ns)
Vg,
Vd,
Vds
w (
V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
idsw
(A
)
Vg(V)
Vd(V)
Vdsw(V)
idsw(A)
39
連続時の各特性の時間変化
0
5
10
15
20
25
30
0 5 10 15 20
時間 (ns)
Vg,
Vd,
Vds
w (
V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
idsw
(A
)
Vg(V)
Vd(V)
Vdsw(V)
idsw(A)
40
不連続時の各特性の時間変化
0
5
10
15
20
25
30
0.0 5.0 10.0 15.0 20.0
時間 (ns)
Vg,
Vd,
Vds
w (
V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
idsw
(A
)
Vg(V)
Vd(V)
Vdsw(V)
idsw(A)
41
効率の周波数依存性
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
100 1000 10000
効率
(%
)
周波数 (kHz)
効率の周波数依存性 (Vin=7V) コイルDE2812C
効率(1.2)
効率(2)
効率(3.3)
効率(4.7)
効率(6.8)
効率(10)
42
インダクタンス
単位μH
効率の周波数依存性
効率の周波数依存性(Vin=12V) コイルDE2812C
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
100 1000 10000
周波数 (kHz)
効率
(%
)
効率(1.2)
効率(2)
効率(3.3)
効率(4.7)
効率(6.8)
効率(10)
43
インダクタンス
単位μH
ピーク電流/許容電流比の周波数依存性
ピーク電流/許容電流比の周波数依存性 (Vin=7V) コイルDE2812C
0%
50%
100%
150%
200%
250%
300%
350%
400%
450%
100 1000 10000
周波数 (kHz)
ピー
ク電
流/許
容電
流比
(%
)
電流比(1.2)
電流比(2)
電流比(3.3)
電流比(4.7)
電流比(6.8)
電流比(10)
44
インダクタンス
単位μH
ピーク電流/許容電流比の周波数依存性
ピーク電流/許容電流比の周波数依存性 (Vin=12V) コイルDE2812C
0%
50%
100%
150%
200%
250%
300%
350%
400%
450%
100 1000 10000
周波数 (kHz)
ピー
ク電
流/許
容電
流比
(%
)
電流比(1.2)
電流比(2)
電流比(3.3)
電流比(4.7)
電流比(6.8)
電流比(10)
45
インダクタンス
単位μH
ピーク電流の周波数依存性
ピーク電流の周波数依存性 (Vin=7V) コイルDE2812C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
100 1000 10000
周波数 (kHz)
ピー
ク電
流
(A
) ピーク電流(1.2)
ピーク電流(2)
ピーク電流(3.3)
ピーク電流(4.7)
ピーク電流(6.8)
ピーク電流(10)
46
インダクタンス
単位μH
ピーク電流の周波数依存性
ピーク電流の周波数依存性 (Vin=12V) コイルDE2812C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
100 1000 10000
周波数 (kHz)
ピー
ク電
流
(A
) ピーク電流(1.2)
ピーク電流(2)
ピーク電流(3.3)
ピーク電流(4.7)
ピーク電流(6.8)
ピーク電流(10)
47
インダクタンス
単位μH
デューティ比の周波数依存性
デューティ比の周波数依存性 (Vin=7V) コイルDE2812C
0%
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
100 1000 10000
周波数 (kHz)
デュ
ーテ
ィ比
(%
) デューティ比(1.2)
デューティ比(2)
デューティ比(3.3)
デューティ比(4.7)
デューティ比(6.8)
デューティ比(10)
48
インダクタンス
単位μH
デューティ比の周波数依存性
デューティ比の周波数依存性(Vin=12V) コイルDE2812C
0%
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
100 1000 10000
周波数 (kHz)
デュ
ーテ
ィ比
(%
) デューティ比(1.2)
デューティ比(2)
デューティ比(3.3)
デューティ比(4.7)
デューティ比(6.8)
デューティ比(10)
49
インダクタンス
単位μH
SW Tr消費電力の周波数依存性
SW Tr消費電力の周波数依存性 (Vin=7V) コイルDE2812C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
100 1000 10000
周波数 (kHz)
SW
T
r消費
電力
(m
W)
SW Tr消費電力(1.2)
SW Tr消費電力(2)
SW Tr消費電力(3.3)
SW Tr消費電力(4.7)
SW Tr消費電力(6.8)
SW Tr消費電力(10)
インダクタンス 単位μH
50
SW Tr消費電力の周波数依存性
SW Tr消費電力の周波数依存性 (Vin=12V) コイルDE2812C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
100 1000 10000
周波数 (kHz)
SW
Tr消
費電
力
(m
W)
SW Tr消費電力(1.2)
SW Tr消費電力(2)
SW Tr消費電力(3.3)
SW Tr消費電力(4.7)
SW Tr消費電力(6.8)
SW Tr消費電力(10)
51
インダクタンス 単位μH
SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性
SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性(連続f=2MHz) (Vin=7V) DE2812C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0 5 10 15 20
ゲート幅 (cm)
消費
電力
(m
W)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
RO
N (mΩ
)
Tr(C)消費電力(連続)
Tr(R)消費電力(連続)
Tr off 消費電力(連続)
ミラーTr消費電力
ダイオード消費電力(連続)
コイル消費電力(連続)
RON
D Tr GW=1500μ m
52
SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性
SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性 (不連続f=2MHz) (Vin=12V) DE2812C
0
20
40
60
80
100
120
0 5 10 15 20
ゲート幅 (cm)
消費
電力
(m
W)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
RO
N (
mΩ
)
Tr(C)消費電力(不連続)
Tr(R)消費電力(不連続)
Tr off 消費電力(不連続)
ミラーTr消費電力
ダイオード消費電力(不連続)
コイル消費電力(不連続)
RON
D Tr GW=1500μ m
53
SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性
SW Trの消費電力とRONのゲート幅依存性 (不連続f=2MHz) (Vin=12V) DE2812C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 5 10 15 20 25
ゲート幅 (cm)
消費
電力
(m
W)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
RO
N (
mΩ
)
Tr(C)消費電力(不連続)
Tr(R)消費電力(不連続)
Tr off 消費電力(不連続)
ミラーTr消費電力
ダイオード消費電力(不連続)
コイル消費電力(不連続)
RON
D Tr GW=3000μ m
54
SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性
SW Trの消費電力とRONのゲート幅依存性 (不連続f=1MHz) (Vin=12V) DE2812C
0
50
100
150
200
250
0 5 10 15 20 25
ゲート幅 (cm)
消費
電力
(m
W)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
RO
N
(mΩ
)
Tr(C)消費電力(不連続)
Tr(R)消費電力(不連続)
Tr off 消費電力(不連続)
ミラーTr消費電力
ダイオード消費電力(不連続)
コイル消費電力(不連続)
RON
D Tr GW=3000μ m
55
SW Tr効率とチップ総原価のゲート幅依存性
SW Trの効率とチップ総原価のゲート幅依存性(不連続f=2MHz)(Vin=12V) DE2812C
90%
91%
92%
93%
94%
95%
96%
97%
98%
99%
100%
0 5 10 15 20 25
ゲート幅 (cm)
効率
(%
)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
チッ
プ総
原価
(a.u
.)
エネルギー効率(Tr)(不連続)
エネルギー効率(不連続)
推定チップ総原価
D Tr GW=3000μ m
56