MOSFET TRANZISTORI -...

16
MOSFET TRANZISTORI ZADATAK 42. NMOS tranzistor ima napon praga = 2 V i kroz njega protiฤe struja 1 = 1 mA kada je = = 3 V. Odrediti struju drejna za = 4 V. Reลกenje: Na osnovu ispunjenosti uslova da je > dolazi se do zakljuฤka da tranzistor nije zakoฤen. Napon () odreฤ‘uje se kao: () = โˆ’ = 1 V S obzirom da je > () zakljuฤuje se da je tranzistor u zasiฤ‡enju, a tada struja iznosi: = โˆ™ ( โˆ’ ) 2 Do nepoznatog parametra dolazi se na osnovu poznate struje drejna pri poznatim naponima i : = 1 ( โˆ’ ) 2 = 1 โˆ™ 10 โˆ’3 (3 โˆ’ 2) 2 =1 mA V 2 Pa se za struju drejna, pri naponu = 4 V dobija: = โˆ™ ( โˆ’ ) 2 = 1 โˆ™ 10 โˆ’3 โˆ™ (4 โˆ’ 2) 2 = 4 mA ZADATAK 43. Kod NMOS tranzistora je poznato: = 2.5 V, = 5 ฮผm, = 50 ฮผm, = 800 cm 2 Vs โ„ i kapacitivnost oksida gejta po jedinici povrลกine 8.63 ยท 10 โˆ’8 F/cm 2 . Odrediti struje gejta i drejna ovog tranzistora i navesti u kojoj oblasti rada se nalazi ako su poznati naponi na njegovim izvodima: a) = 1.2 V, = 4 V b) = 4 V, = 1.2 V c) = 4 V, = 4 V Naฤ‡i snagu disipacije. Reลกenje: Struja gejta je uvek jednaka nuli!!! a) Uslov > nije ispunjen, ลกto znaฤi da je tranzistor u zakoฤenju i da struja iznosi = 0 A. Snaga disipacije ฤ‡e biti: = โˆ™ = 0 W b) Uslov > je ispunjen ลกto znaฤi da tranzistor nije u zakoฤenju pa se moลพe nastaviti sa daljim ispitivanjem. Naredni korak je proveravanje da li je > () , ลกto nije ispunjeno, pa znaฤi da je tranzistor u linearnoj oblasti rada.

Transcript of MOSFET TRANZISTORI -...

Page 1: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

MOSFET TRANZISTORI

ZADATAK 42. NMOS tranzistor ima napon praga ๐‘‰๐‘‡ = 2 V i kroz njega protiฤe struja ๐ผ๐ท1 = 1 mA kada je

๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐ท๐‘† = 3 V. Odrediti struju drejna ๐ผ๐ท za ๐‘‰๐บ๐‘† = 4 V.

Reลกenje:

Na osnovu ispunjenosti uslova da je ๐‘‰๐บ๐‘† > ๐‘‰๐‘‡ dolazi se do zakljuฤka da tranzistor nije zakoฤen. Napon ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)

odreฤ‘uje se kao:

๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) = ๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡ = 1 V

S obzirom da je ๐‘‰๐ท๐‘† > ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) zakljuฤuje se da je tranzistor u zasiฤ‡enju, a tada struja iznosi:

๐ผ๐ท = ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2

Do nepoznatog parametra ๐‘˜ dolazi se na osnovu poznate struje drejna pri poznatim naponima ๐‘‰๐บ๐‘† i ๐‘‰๐‘‡:

๐‘˜ =๐ผ๐ท1

(๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2=

1 โˆ™ 10โˆ’3

(3 โˆ’ 2)2= 1

mA

V2

Pa se za struju drejna, pri naponu ๐‘‰๐บ๐‘† = 4 V dobija:

๐ผ๐ท = ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2 = 1 โˆ™ 10โˆ’3 โˆ™ (4 โˆ’ 2)2 = 4 mA

ZADATAK 43. Kod NMOS tranzistora je poznato: ๐‘‰๐‘‡ = 2.5 V, ๐ฟ = 5 ฮผm, ๐‘Š = 50 ฮผm, ๐œ‡๐‘› = 800 cm2 Vsโ„ i

kapacitivnost oksida gejta po jedinici povrลกine 8.63 ยท 10โˆ’8 F/cm2. Odrediti struje gejta i drejna ovog tranzistora

i navesti u kojoj oblasti rada se nalazi ako su poznati naponi na njegovim izvodima:

a) ๐‘‰๐บ๐‘† = 1.2 V, ๐‘‰๐ท๐‘† = 4 V

b) ๐‘‰๐บ๐‘† = 4 V, ๐‘‰๐ท๐‘† = 1.2 V

c) ๐‘‰๐บ๐‘† = 4 V, ๐‘‰๐ท๐‘† = 4 V

Naฤ‡i snagu disipacije.

Reลกenje:

Struja gejta ๐ผ๐บ je uvek jednaka nuli!!!

a) Uslov ๐‘‰๐บ๐‘† > ๐‘‰๐‘‡ nije ispunjen, ลกto znaฤi da je tranzistor u zakoฤenju i da struja iznosi ๐ผ๐ท = 0 A. Snaga

disipacije ฤ‡e biti:

๐‘ƒ = ๐ผ๐ท โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘† = 0 W

b) Uslov ๐‘‰๐บ๐‘† > ๐‘‰๐‘‡ je ispunjen ลกto znaฤi da tranzistor nije u zakoฤenju pa se moลพe nastaviti sa daljim

ispitivanjem.

Naredni korak je proveravanje da li je ๐‘‰๐ท๐‘† > ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) , ลกto nije ispunjeno, pa znaฤi da je tranzistor u

linearnoj oblasti rada.

Page 2: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

Parametar ๐‘˜ odreฤ‘uje se kao:

๐‘˜ =๐œ‡๐‘› โˆ™ ๐œ€๐‘œ๐‘ฅ โˆ™ ๐‘Š

2 โˆ™ ๐‘ก๐‘œ๐‘ฅ โˆ™ ๐ฟ= ๐œ‡๐‘› โˆ™ ๐ถ๐‘œ๐‘ฅ โˆ™

๐‘Š

2 โˆ™ ๐ฟ= 3.452 โˆ™ 10โˆ’4

A

V2

Pa struja drejna iznosi:

๐ผ๐ท = 2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ [(๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡) โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘† โˆ’๐‘‰๐ท๐‘†

2

2] = 7.456 โˆ™ 10โˆ’4 A

Snaga disipacije ฤ‡e biti:

๐‘ƒ = ๐ผ๐ท โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘† = 7.456 โˆ™ 10โˆ’4 โˆ™ 1.2 = 0.895 mW

c) Uslov ๐‘‰๐บ๐‘† > ๐‘‰๐‘‡ je ispunjen ลกto znaฤi da tranzistor nije u zakoฤenju.

Zatim proveriti da li je ๐‘‰๐ท๐‘† > ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก), ลกto je taฤno, pa znaฤi da je tranzistor u zasiฤ‡enju.

Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule:

๐ผ๐ท = ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2 = 7.767 โˆ™ 10โˆ’4 A

Snaga disipacije iznosi:

๐‘ƒ = ๐ผ๐ท โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘† = 7.767 โˆ™ 10โˆ’4 โˆ™ 4 = 3.107 mW

ZADATAK 44.

a) Za kolo sa slike odrediti vrednost otpornosti otpornika ๐‘…1 i napona na drejnu ๐‘‰๐ท tako da je struja drejna

๐ผ๐ท = 80 ฮผA , ako je upotrebljen NMOS tranzistor (M1) ฤiji je napon praga ๐‘‰๐‘‡ = 0.6 V ,

๐œ‡๐‘› โˆ™ ๐ถ๐‘œ๐‘ฅ = 200 ฮผA V2โ„ , ๐ฟ = 0.8 ฮผm, ๐‘Š = 4 ฮผm. Poznato je ๐‘‰๐ท๐ท = 3 V.

b) Ukoliko se napon ๐‘‰๐ท primeni na gejt tranzistora M2, odrediti radnu taฤku (๐ผ๐ท , ๐‘‰๐ท๐‘†) ovog tranzistora.

Tranzistori M1 i M2 su identiฤni. Naฤ‡i snagu disipacije tranzistora. Poznato je ๐‘…2 = 20 kฮฉ.

a) b)

Reลกenje:

a)

Page 3: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

Parametar ๐‘˜ iznosi:

๐‘˜ = ๐œ‡๐‘› โˆ™ ๐ถ๐‘œ๐‘ฅ โˆ™๐‘Š

2 โˆ™ ๐ฟ= 500

ฮผA

V2

Uoฤiti da su u kolu kratkospojeni gejt i drejn tranzistora, ลกto znaฤi da je ๐‘‰๐บ = ๐‘‰๐ท , a samim tim je i

๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐ท๐‘†!

S obzirom da je ๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐ท๐‘†, tranzistor je sigurno u zasiฤ‡enju. Iz izraza za struju tranzistora u zasiฤ‡enju

moลพe se odrediti ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก):

๐ผ๐ท = ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2 = ๐‘˜ โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)2 โ†’ ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) = โˆš

๐ผ๐ท

๐‘˜= 0.4 V

Iz relacije ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) = ๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡ moguฤ‡e je izraziti vrednost napona ๐‘‰๐บ๐‘† za koji se zna da je jednak naponu

๐‘‰๐ท๐‘†, pa se onda zakljuฤuje:

๐‘‰๐ท๐‘† = ๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) + ๐‘‰๐‘‡ = 1 V

Do vrednosti otpornika ๐‘…1 dolazi se iz jednaฤine:

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘…1 โˆ™ ๐ผ๐ท + ๐‘‰๐ท๐‘† โ†’ ๐‘…1 =๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐‘‰๐ท๐‘†

๐ผ๐ท= 25 kฮฉ

b)

Page 4: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

Uoฤiti da za dato kolo vaลพi:

๐‘‰๐บ๐‘†2 = ๐‘‰๐ท๐‘†1 = 1 V

Uslov ๐‘‰๐บ๐‘†2 > ๐‘‰๐‘‡ je ispunjen ลกto znaฤi da tranzistor nije u zakoฤenju. Moguฤ‡e je odrediti napon ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)2:

๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)2 = ๐‘‰๐บ๐‘†2 โˆ’ ๐‘‰๐‘‡ = 0.4 V

Zadatak raditi pod pretpostavkom da je tranzistor M2 u zasiฤ‡enju, i na kraju obavezno ispitati da li je

pretpostavka bila taฤna. U sluฤaju da je tranzistor u zasiฤ‡enju struja ๐ผ๐ท2 iznosi:

๐ผ๐ท2 = ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘†2 โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2 = 80 ฮผA

Kolo se moลพe opisati jednaฤinom odakle ฤ‡e se odrediti napon ๐‘‰๐ท๐‘†2:

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘…2 โˆ™ ๐ผ๐ท2 + ๐‘‰๐ท๐‘†2 โ†’ ๐‘‰๐ท๐‘†2 = ๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐‘…2 โˆ™ ๐ผ๐ท2 = 1.4 V

Poslednji korak je OBAVEZNO proveravanje pretpostavke na osnovu koje je kolo reลกavano! Ukoliko je

ispunjen uslov ๐‘‰๐ท๐‘† > ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก), pretpostavka je taฤna i tranzistor je stvarno u zasiฤ‡enju. Ukoliko uslov nije

ispunjen, potrebno je opet reลกiti kolo za odgovarajuฤ‡u oblast rada. U ovom sluฤaju je:

๐‘‰๐ท๐‘†2 > ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)2

ลกto znaฤi da je pretpostavka bila taฤna i da je tranzistor u zasiฤ‡enju.

ZADATAK 45.

a) Odrediti vrednost otpornosti otpornika ๐‘…๐ท tako da napon na drejnu NMOS tranzistora bude ๐‘‰๐ท = 0.1 V.

Poznato je ๐‘‰๐ท๐ท = 5 V , ๐‘‰๐‘‡ = 1 V , ๐‘˜ = 0.5 mA

V2 . Odrediti i otpornost kanala tranzistora (๐‘Ÿ๐ท๐‘† ) u ovom

sluฤaju.

b) Odrediti radnu taฤku (๐ผ๐ท, ๐‘‰๐ท๐‘†) ukoliko se upotrebi otpornik ๐‘…๐ท dvostruko veฤ‡e vrednosti otpornosti.

Reลกenje:

Page 5: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

a) U kolu se moลพe uoฤiti da je:

๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐บ โˆ’ ๐‘‰๐‘† = ๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ 0 = 5 V

S obzirom da je ๐‘‰๐บ๐‘† > ๐‘‰๐‘‡ znaฤi da tranzistor nije zakoฤen. Naredni korak je odreฤ‘ivanje napon ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก):

๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) = ๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡ = 5 โˆ’ 1 = 4 V

Uslov zadatka je da napon na drejnu tranzistora iznosi ๐‘‰๐ท = 0.1 V, a iz kola se vidi da je ๐‘‰๐ท = ๐‘‰๐ท๐‘†, pa se

dolazi do zakljuฤka da je tranzistor u triodnoj oblasti jer je:

๐‘‰๐ท๐‘† < ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)

Struja drejna u triodnoj oblasti iznosi:

๐ผ๐ท = 2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ [(๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡) โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘† โˆ’๐‘‰๐ท๐‘†

2

2] = 0.395 mA

Kolo se moลพe opisati jednaฤinom odakle se odreฤ‘uje otpornost otpornika ๐‘…๐ท:

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘…๐ท โˆ™ ๐ผ๐ท + ๐‘‰๐ท๐‘† โ†’ ๐‘…๐ท =๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐‘‰๐ท๐‘†

๐ผ๐ท=

5 โˆ’ 0.1

0.395 โˆ™ 10โˆ’3= 12.4 kฮฉ

Otpornost kanala tranzistora zavisi od njegove radne taฤke, pa se dobija:

๐‘Ÿ๐ท๐‘† =๐‘‰๐ท๐‘†

๐ผ๐ท=

0.1

0.395 โˆ™ 10โˆ’3= 253 ฮฉ

b) Za duplo veฤ‡u otpornost koja iznosi ๐‘…๐ท = 24.8 kฮฉ i ๐‘‰๐บ๐‘† = 5 V, zamenom struje odgovarajuฤ‡im izrazom,

dobija se jednaฤina kola:

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘…๐ท โˆ™ {2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ [(๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡) โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘† โˆ’๐‘‰๐ท๐‘†

2

2]} + ๐‘‰๐ท๐‘†

Koja se svodi na kvadratnu jednaฤinu ฤija su reลกenja:

๐‘‰๐ท๐‘†1,2 =โˆ’[๐‘…๐ท โˆ™ 2 โˆ™ ๐‘˜(๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡) + 1] ยฑ โˆš[๐‘…๐ท โˆ™ 2 โˆ™ ๐‘˜(๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡) + 1]2 โˆ’ 4 โˆ™ ๐‘…๐ท โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ ๐‘‰๐ท๐ท

โˆ’2 โˆ™ ๐‘…๐ท โˆ™ ๐‘˜

Page 6: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

๐‘‰๐ท๐‘†1 = 0.04 V i ๐‘‰๐ท๐‘†2 = 8.03 V

Da bi tranzistor bio u triodnoj oblasti, neophodno je da ๐‘‰๐ท๐‘† < ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก), ลกto ispunjava prvo reลกenje, pa se

usvaja da je ๐‘‰๐ท๐‘† = 0.04 V. Vrednost struje drejna se nalazi iz jednaฤine kojom je opisano kolo:

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘…๐ท โˆ™ ๐ผ๐ท + ๐‘‰๐ท๐‘† โ†’ ๐ผ๐ท =๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐‘‰๐ท๐‘†

๐‘…๐ท= 0.2 mA

ZADATAK 46. Odrediti sve struje i napone u kolu sa slike, ako je upotrebljen NMOS tranzistor ฤiji je napon

praga ๐‘‰๐‘‡ = 1 V, a ๐‘˜ = 0.5 mA

V2 . Poznato je ๐‘‰๐ท๐ท = 10 V, ๐‘…1 = ๐‘…2 = 10 Mฮฉ, ๐‘…๐ท = ๐‘…๐‘† = 6 kฮฉ.

Reลกenje:

S obzirom na to da je struja gejta ๐ผ๐บ = 0 A, napon na gejtu tranzistora odreฤ‘uje se iz razdelnika napona:

Page 7: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

๐‘‰๐บ =๐‘…2

๐‘…2 + ๐‘…1โˆ™ ๐‘‰๐ท๐ท = 5 V

Za kolo vaลพi relacija:

๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐บ โˆ’ ๐‘‰๐‘† = ๐‘‰๐บ โˆ’ ๐‘…๐‘† โˆ™ ๐ผ๐ท

Zadatak raditi pod pretpostavkom da je tranzistor u zasiฤ‡enju, ลกto bi znaฤilo da je struja:

๐ผ๐ท = ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2

Zamenom ๐‘‰๐บ๐‘† u jednaฤinu struje, dobija se kvadratna jednaฤina:

(๐‘˜ โˆ™ ๐‘…๐‘†) โˆ™ ๐ผ๐ท2 + (โˆ’1 โˆ’ 2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ ๐‘‰๐บ โˆ™ ๐‘…๐‘† + 2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ ๐‘‰๐‘‡ โˆ™ ๐‘…๐‘†) โˆ™ ๐ผ๐ท + (๐‘˜ โˆ™ ๐‘‰๐‘‡

2 + ๐‘˜ โˆ™ ๐‘‰๐บ2 โˆ’ 2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ ๐‘‰๐บ โˆ™ ๐‘‰๐‘‡) = 0

Reลกenja jednaฤine su:

๐ผ๐ท1 = 0.89 mA i ๐ผ๐ท2 = 0.5 mA

Za struju ๐ผ๐ท1, napon ๐‘‰๐‘†1 iznosi:

๐‘‰๐‘†1 = ๐‘…๐‘† โˆ™ ๐ผ๐ท1 = 6 โˆ™ 103 โˆ™ 0.89 โˆ™ 10โˆ’3 = 5.34 V

Pa bi napon ๐‘‰๐บ๐‘†1 = 5 โˆ’ 5.34 = โˆ’0.34 V bio negativan, ลกto nije prihvatljivo.

Za struju ๐ผ๐ท2, napon ๐‘‰๐‘†2 iznosi:

๐‘‰๐‘†2 = ๐‘…๐‘† โˆ™ ๐ผ๐ท2 = 6 โˆ™ 103 โˆ™ 0.5 โˆ™ 10โˆ’3 = 3 V

Pa napon ๐‘‰๐บ๐‘†2 iznosi ๐‘‰๐บ๐‘†2 = 5 โˆ’ 3 = 2 V, ลกto je prihvatljivo reลกenje. Usvaja se da je ๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐บ๐‘†2.

I OBAVEZNO proveriti da li je tranzistor stvarno u zasiฤ‡enju! Tranzistor nije zakoฤen jer je ispunjen uslov:

๐‘‰๐บ๐‘† > ๐‘‰๐‘‡

U ovom sluฤaju napon ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) iznosi:

๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) = ๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡ = 2 โˆ’ 1 = 1 V

S obzirom da je:

๐‘‰๐ท๐‘† > ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)

Pretpostavka je bila taฤna, i tranzistor radi u oblasti zasiฤ‡enja!

Iz jednaฤine kola moguฤ‡e je odrediti napon ๐‘‰๐ท๐‘†:

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘…๐ท โˆ™ ๐ผ๐ท + ๐‘‰๐ท๐‘† + ๐‘‰๐‘† โ†’ ๐‘‰๐ท๐‘† = ๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐‘…๐ท โˆ™ ๐ผ๐ท โˆ’ ๐‘‰๐‘† = 4 V

Ostalo je odrediti napon ๐‘‰๐ท:

๐‘‰๐ท๐‘† = ๐‘‰๐ท โˆ’ ๐‘‰๐‘† โ†’ ๐‘‰๐ท = ๐‘‰๐ท๐‘† + ๐‘‰๐‘† = 7 V

Page 8: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

ZADATAK 47. NMOS tranzistor u kolu sa slike ima napon praga ๐‘‰๐‘‡ = 1.5 V i ๐‘˜ = 0.4 mA

V2 . Ako je napon koji

se dovodi na gejt (๐‘‰๐ผ๐‘) โ€“ impulsni (0 V i 5 V), odrediti izlazni napon ๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡. Poznato je ๐‘‰๐ท๐ท = 5 V, ๐‘…๐ท = 1 kฮฉ

Reลกenje:

Uoฤiti da je napon na gejtu ๐‘‰๐บ jednak ulaznom naponu ๐‘‰๐ผ๐‘! Takoฤ‘e je izlazni napon ๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ jednak naponu ๐‘‰๐ท๐‘†!

Za sluฤaj ๐‘‰๐ผ๐‘ = 0 V, vaลพi da je ๐‘‰๐บ = 0 V, kao i da je napon ๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐บ โˆ’ ๐‘‰๐‘† = 0 V. U ovom sluฤaju vaลพi:

๐‘‰๐บ๐‘† < ๐‘‰๐‘‡

Zakljuฤuje se da je tranzistor zakoฤen, ลกto znaฤi da je struja kroz njega ๐ผ๐ท = 0 A, pa izlazni napon iznosi:

๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ = ๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐‘…๐ท โˆ™ ๐ผ๐ท = ๐‘‰๐ท๐ท = 5 V

Za sluฤaj ๐‘‰๐ผ๐‘ = 5 V, vaลพi da je ๐‘‰๐บ = 5 V, kao i da je napon ๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐บ โˆ’ ๐‘‰๐‘† = 5 V. U ovom sluฤaju vaลพi:

๐‘‰๐บ๐‘† > ๐‘‰๐‘‡

Zakljuฤuje se da tranzistor nije zakoฤen, i da njegov napon zasiฤ‡enja iznosi:

๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) = ๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡ = 3.5 V

Zadatak raditi pod pretpostavkom da je tranzistor u zasiฤ‡enju, i na kraju OBAVEZNO proveriti da li je

pretpostavka taฤna!

Page 9: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

Za struju se dobija:

๐ผ๐ท = ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2 = 4.9 mA

Iz jednaฤine kola, moguฤ‡e je odrediti napon ๐‘‰๐ท๐‘† na osnovu koga se zakljuฤuje da li je pretpostavka bila taฤna:

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘…๐ท โˆ™ ๐ผ๐ท + ๐‘‰๐ท๐‘† โ†’ ๐‘‰๐ท๐‘† = ๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐‘…๐ท โˆ™ ๐ผ๐ท = 0.1 V

S obzirom da je:

๐‘‰๐ท๐‘† < ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)

Zakljuฤuje se da pretpostavka nije taฤna, i da je tranzistor u trodnoj oblasti! Neophodno je odraditi proraฤune sa

formulama za triodnu oblast kako bi rezultati bili validni.

U triodnoj oblasti struja iznosi:

๐ผ๐ท = 2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ [(๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡) โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘† โˆ’๐‘‰๐ท๐‘†

2

2]

A kolo se moลพe opisati jednaฤinom:

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘…๐ท โˆ™ ๐ผ๐ท + ๐‘‰๐ท๐‘†

Zamenom izraza za struju u jednaฤinu kola, dobija se kvadratna jednaฤina:

(โˆ’๐‘˜ โˆ™ ๐‘…๐‘†) โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘†2 + [2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ ๐‘…๐ท โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡) + 1] โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐ท๐ท = 0

Njena reลกenja su:

๐‘‰๐ท๐‘†1 = 1.6 V i ๐‘‰๐ท๐‘†2 = 7.9 V

Drugo reลกenje (๐‘‰๐ท๐‘†2) nema smisla, jer bi za tu vrednost napona ๐‘‰๐ท๐‘† tranzistor bio u zasiฤ‡enju, a ovde je poznato

da tranzistor radi u triodnoj oblasti.

Prihvata se prvo reลกenje ๐‘‰๐ท๐‘† = ๐‘‰๐ท๐‘†1 = 1.6 V zato ลกto ispunjava uslov za triodnu oblast:

๐‘‰๐ท๐‘† < ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)

Na kraju, za struju se dobija:

๐ผ๐ท =๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐‘‰๐ท๐‘†

๐‘…๐ท= 3.4 mA

ZADATAK 48. Odrediti vrednosti otpornosti otpornika ๐‘…๐ท i ๐‘…๐‘† tako da je struja drejna ๐ผ๐ท = 0.4 mA i

๐‘‰๐ท = 0.5 V . NMOS tranzistor ima napon praga ๐‘‰๐‘‡ = 0.7 V , ๐œ‡๐‘› โˆ™ ๐ถ๐‘œ๐‘ฅ = 100 ฮผA

V2, ๐ฟ = 1 ฮผm , ๐‘Š = 32 ฮผm .

Poznato je ๐‘‰๐ท๐ท = 2.5 V i ๐‘‰๐‘†๐‘† = โˆ’2.5 V.

Page 10: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

Reลกenje:

Za kolo vaลพi da je struja gejta ๐ผ๐บ = 0 A i napon na gejtu tranzistora ๐‘‰๐บ = 0 V. Napon na sorsu tranzistora je:

๐‘‰๐‘† = ๐‘…๐‘† โˆ™ ๐ผ๐ท + ๐‘‰๐‘†๐‘†

Za napon ๐‘‰๐บ๐‘† vaลพi:

๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐บ โˆ’ ๐‘‰๐‘† = 0 โˆ’ ๐‘…๐‘† โˆ™ ๐ผ๐ท โˆ’ ๐‘‰๐‘†๐‘†

Zadatak raditi pod pretpostavkom da je tranzistor u zasiฤ‡enju, i na kraju OBAVEZNO proveriti da li je

pretpostavka taฤna!

U zasiฤ‡enju struja se nalazi kao:

๐ผ๐ท = ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2 = ๐‘˜ โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)2

Parametar ๐‘˜ se odreฤ‘uje na sledeฤ‡i naฤin:

Page 11: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

๐‘˜ = ๐œ‡๐‘› โˆ™ ๐ถ๐‘œ๐‘ฅ โˆ™๐‘Š

2 โˆ™ ๐ฟ= 1.6

mA

V2

Iz prethodne dve formule, moลพe se odrediti napon ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก):

๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) = โˆš๐ผ๐ท

๐‘˜= 0.5 V

Neophodno je odrediti napon ๐‘‰๐ท๐‘†, kako bi se proverila taฤnost pretpostavke! S obzirom da je ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) = ๐‘‰๐บ๐‘† โˆ’ ๐‘‰๐‘‡

moguฤ‡e je odrediti napon ๐‘‰๐บ๐‘† preko koga ฤ‡e se naฤ‡i napon ๐‘‰๐‘†, i na kraju napon ๐‘‰๐ท๐‘†.

๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก) + ๐‘‰๐‘‡ = 1.2 V

Napon ๐‘‰๐‘† ฤ‡e biti:

๐‘‰๐บ๐‘† = ๐‘‰๐บ โˆ’ ๐‘‰๐‘† โ†’ ๐‘‰๐‘† = ๐‘‰๐บ โˆ’ ๐‘‰๐บ๐‘† = โˆ’1.2 V

Sada je moguฤ‡e odrediti napon ๐‘‰๐ท๐‘† i proveriti pretpostavku:

๐‘‰๐ท๐‘† = ๐‘‰๐ท โˆ’ ๐‘‰๐‘† = 0.5 + 1.2 = 1.7 V โ†’ ๐‘‰๐ท๐‘† > ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)

Pretpostavka je bila taฤna, tranzistor stvarno radi u oblasti zasiฤ‡enja! Ostalo je joลก odrediti vrednosti otpornika

๐‘…๐ท i ๐‘…๐‘†:

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘…๐ท โˆ™ ๐ผ๐ท + ๐‘‰๐ท โ†’ ๐‘…๐ท =๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐‘‰๐ท

๐ผ๐ท= 5 kฮฉ

๐‘‰๐บ๐‘† = โˆ’๐‘…๐‘† โˆ™ ๐ผ๐ท โˆ’ ๐‘‰๐‘†๐‘† โ†’ ๐‘…๐‘† = โˆ’๐‘‰๐บ๐‘† + ๐‘‰๐‘†๐‘†

๐ผ๐ท= 3.25 kฮฉ

ZADATAK 49. Odrediti ๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ i ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ (kroz otpornik ๐‘…๐‘†) u kolu dvostepenog pojaฤavaฤa prikazanog na slici, kada

je ๐‘‰๐บ = 4 V. Upotrebljeni su identiฤni tranzistori ฤiji je napon praga ๐‘‰๐‘‡ = 3 V i ๐‘˜ = 1 A

V2. Poznato je ๐‘‰๐ท๐ท = 12 V,

๐‘…๐ท = ๐‘…๐‘† = 2 ฮฉ.

Page 12: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

Reลกenje:

Struje gejta ๐ผ๐บ1 i ๐ผ๐บ2 su jednake nuli. Struja ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ je jednaka struji drejna tranzistora M2, a izlazni napon ๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡

predstavlja napon na sorsu tranzistora M2. Za kolo vaลพi da je:

๐‘‰๐บ๐‘†1 = ๐‘‰๐บ1 โˆ’ ๐‘‰๐‘†1 = 4 โˆ’ 0 = 4 V

S obzirom da je ๐‘‰๐บ๐‘†1 > ๐‘‰๐‘‡, tranzistor M1 nije zakoฤen. Odrediti ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)1:

๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)1 = ๐‘‰๐บ๐‘†1 โˆ’ ๐‘‰๐‘‡ = 4 โˆ’ 3 = 1 V

Reลกavati zadatak pod pretpostavkom da je tranzistor u zasiฤ‡enju, i potom OBAVEZNO proveriti pretpostavku.

Struja zasiฤ‡enja iznosi:

๐ผ๐ท1 = ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘†1 โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2 = ๐‘˜ โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)12 = 1 A

Iz jednaฤine kola za tranzistor M1 moลพe se odrediti napon ๐‘‰๐ท๐‘†1:

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘…๐ท โˆ™ ๐ผ๐ท1 + ๐‘‰๐ท๐‘†1 โ†’ ๐‘‰๐ท๐‘†1 = ๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐‘…๐ท โˆ™ ๐ผ๐ท1 = 10 V

S obzirom da je:

๐‘‰๐ท๐‘†1 > ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)1

Pretpostavka je bila taฤna, tranzistor M1 jeste u zasiฤ‡enju!

Sa kola se uoฤava da je:

๐‘‰๐บ2 = ๐‘‰๐ท๐‘†1 = 10 V

Pa se napon ๐‘‰๐บ๐‘†2 moลพe zapisati kao:

๐‘‰๐บ๐‘†2 = ๐‘‰๐บ2 โˆ’ ๐‘‰๐‘†2 = ๐‘‰๐บ2 โˆ’ ๐‘…๐‘† โˆ™ ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡

Poznato je i da je:

Page 13: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

๐‘‰๐‘†2 = ๐‘…๐‘† โˆ™ ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ = ๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡

Pretpostaviti da i tranzistor M2 radi u zasiฤ‡enju, ลกto bi znaฤilo da je struja ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡:

๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ = ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘†2 โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2 = ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ2 โˆ’ ๐‘…๐‘† โˆ™ ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ โˆ’ ๐‘‰๐‘‡)2

Pa se dobija kvadratna jednaฤina sa reลกenjima:

(4 โˆ™ ๐‘˜) โˆ™ ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡2 + (โˆ’28 โˆ™ ๐‘˜ โˆ’ 1) โˆ™ ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ + (49 โˆ™ ๐‘˜) = 0

๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡1 = 4.57 A i ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡2 = 2.68 A

Za dobijene vrednosti struja odgovarajuฤ‡i naponi bi bili:

๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡1 = 4.57 A

๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡2 = 2.68 A

๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ = ๐‘…๐‘† โˆ™ ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡1 = 9.14 V ๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ = ๐‘…๐‘† โˆ™ ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡2 = 5.36 V

๐‘‰๐บ๐‘†2 = ๐‘‰๐บ2 โˆ’ ๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ = 10 โˆ’ 9.14 = 0.86 V ๐‘‰๐บ๐‘†2 = ๐‘‰๐บ2 โˆ’ ๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ = 10 โˆ’ 5.36 = 4.64 V

๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)2 = ๐‘‰๐บ๐‘†2 โˆ’ ๐‘‰๐‘‡ = 0.86 โˆ’ 3 = โˆ’2.14 V ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)2 = ๐‘‰๐บ๐‘†2 โˆ’ ๐‘‰๐‘‡ = 4.64 โˆ’ 3 = 1.64 V

Za vrednost struje ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡1 vrednost napona saturacije nema smisla i to reลกenje se odbacuje, a prihvata kao reลกenje

vrednost struje ๐ผ๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡2.

Ostalo je odrediti vrednost napona ๐‘‰๐ท๐‘†2 i proveriti da li je pretpostavka za tranzistor M2 bila taฤna.

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘‰๐ท๐‘†2 + ๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ โ†’ ๐‘‰๐ท๐‘†2 = ๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ = 12 โˆ’ 5.36 = 6.64 V

S obzirom da je ispunjen uslov:

๐‘‰๐ท๐‘†2 > ๐‘‰๐ท๐‘†(๐‘ ๐‘Ž๐‘ก)2

Dolazi se do zakljuฤka da je pretpostavka za tranzistor M2 taฤna, pa su dobijene vrednosti regularne.

ZADATAK 50. NMOS i PMOS tranzistor su upareni (ฤine CMOS invertor) tako da je napon praga

๐‘‰๐‘‡๐‘ = โˆ’๐‘‰๐‘‡๐‘ƒ = 1 V i ๐‘˜๐‘ = ๐‘˜๐‘ƒ = 0.5 mA

V2 . Odrediti struje ๐ผ๐ท๐‘ i ๐ผ๐ท๐‘ƒ, kao i izlazni napon ๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡, kada je:

a) ๐‘‰๐ผ๐‘ = 0 V

b) ๐‘‰๐ผ๐‘ = 2.5 V

Poznato je: ๐‘‰๐ท๐ท = 2.5 V i ๐‘…๐ฟ = 10 kฮฉ.

Page 14: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

Reลกenje:

a) Za NMOS tranzistor vaลพi:

Kada je ๐‘‰๐ผ๐‘ = 0 V, napon ๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ = 0 V, tako da je ๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ < ๐‘‰๐‘‡๐‘, ลกto znaฤi da je tranzistor zakoฤen i da je

struja ๐ผ๐ท๐‘ = 0 A.

Za PMOS tranzistor vaลพi:

Napon ๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ƒ = ๐‘‰๐บ โˆ’ ๐‘‰๐‘†๐‘ƒ = โˆ’๐‘‰๐ท๐ท = โˆ’2.5 V, a s obzirom da je |๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ƒ| > |๐‘‰๐‘‡๐‘ƒ| tranzistor nije zakoฤen.

PMOS tranzistor radi u omskoj โ€“ linearnoj oblasti, tako da je struja:

๐ผ๐ท๐‘ƒ = 2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ƒ โˆ’ ๐‘‰๐‘‡๐‘ƒ) โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘†๐‘ƒ

Kolo se moลพe opisati jednaฤinom:

๐‘‰๐ท๐ท = ๐‘‰๐‘†๐ท๐‘ƒ + ๐ผ๐ท๐‘ƒ โˆ™ ๐‘…๐ฟ โ†’ ๐‘‰๐‘†๐ท๐‘ƒ = ๐‘‰๐ท๐ท โˆ’ ๐ผ๐ท๐‘ƒ โˆ™ ๐‘…๐ฟ

๐‘‰๐ท๐‘†๐‘ƒ = โˆ’๐‘‰๐‘†๐ท๐‘ƒ = ๐ผ๐ท๐‘ƒ โˆ™ ๐‘…๐ฟ โˆ’ ๐‘‰๐ท๐ท

Zamenom ๐‘‰๐ท๐‘†๐‘ƒ u izraz za struju ๐ผ๐ท๐‘ƒ, dobija se jednaฤina koja za reลกenje ima:

๐ผ๐ท๐‘ƒ =โˆ’2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ ๐‘‰๐ท๐ท โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ƒ โˆ’ ๐‘‰๐‘‡๐‘ƒ)

1 โˆ’ 2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ ๐‘…๐ฟ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ƒ โˆ’ ๐‘‰๐‘‡๐‘ƒ)= 0.234 mA

Page 15: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

Pa je izlazni napon:

๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ = ๐ผ๐ท๐‘ƒ โˆ™ ๐‘…๐ฟ = 2.34 V

b) Za NMOS tranzistor vaลพi:

Kada je ๐‘‰๐ผ๐‘ = 2.5 V , napon ๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ = ๐‘‰๐บ โˆ’ ๐‘‰๐‘†๐‘ = 2.5 V , uslov ๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ > ๐‘‰๐‘‡๐‘ je ispunjen, ลกto znaฤi da

tranzistor nije zakoฤen. Moลพe se uoฤiti da je:

๐‘‰๐‘‚๐‘ˆ๐‘‡ = ๐‘‰๐ท๐‘†๐‘ = 0 V

To znaฤi da i struja iznosi:

๐ผ๐ท๐‘ = 2 โˆ™ ๐‘˜ โˆ™ (๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ โˆ’ ๐‘‰๐‘‡๐‘) โˆ™ ๐‘‰๐ท๐‘†๐‘ = 0 V

Za PMOS tranzistor vaลพi:

Kada je ๐‘‰๐ผ๐‘ = 2.5 V, napon ๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ƒ = 0 V, tako da je |๐‘‰๐บ๐‘†๐‘ƒ| < |๐‘‰๐‘‡๐‘ƒ|, ลกto znaฤi da je tranzistor zakoฤen i da

je struja ๐ผ๐ท๐‘ƒ = 0 A.

ZADATAK 51. Na slici je data prenosna karakteristika CMOS invertora. Oznaฤiti karakteristiฤne naponske nivoe

(๐‘‰๐ผ๐ฟ, ๐‘‰๐‘‚๐ฟ, ๐‘‰๐ผ๐ป, ๐‘‰๐‘‚๐ป), odrediti njihove vrednosti i proraฤunati margine ลกuma ovog invertora.

Reลกenje:

Page 16: MOSFET TRANZISTORI - mikro.elfak.ni.ac.rsmikro.elfak.ni.ac.rs/wp-content/uploads/Racunske-zadaci-MOSFET.pdfย ยท Struja drejna odrediฤ‡e se pomoฤ‡u formule: ๐ผ๐ท=๐‘˜โˆ™( โˆ’ )2=7.767โˆ™10โˆ’4

Grafiฤkim putem oฤitane su vrednosti:

๐‘‰๐‘‚๐ป = 4.83 V, ๐‘‰๐‘‚๐ฟ = 0.1 V, ๐‘‰๐ผ๐ฟ = 2.05 V, ๐‘‰๐ผ๐ป = 2.7 V

Pa margine ลกuma iznose:

๐‘๐‘€๐ป = ๐‘‰๐‘‚๐ป โˆ’ ๐‘‰๐ผ๐ป = 4.83 โˆ’ 2.7 = 2.13 V

๐‘๐‘€๐ฟ = ๐‘‰๐ผ๐ฟ โˆ’ ๐‘‰๐‘‚๐ฟ = 2.05 โˆ’ 0.1 = 1.95 V