METODE FABRIKASI
-
Upload
nellanello-siiladyboyo -
Category
Documents
-
view
273 -
download
0
Transcript of METODE FABRIKASI
7/21/2019 METODE FABRIKASI
http://slidepdf.com/reader/full/metode-fabrikasi 1/10
METODE FABRIKASI
“CVD, ETSA, dan Fotolitografi”
Disusun Oleh :
Desi Nurillah (12030224029)
Redy Bagas Setyadi (12030224207)
Asriah (12030224223)
!RO"RA# S$%D& '&S&A
'A%$AS #A$*#A$&A DAN &#% !*N"*$A+%AN AA#
%N&,*RS&$AS N*"*R& S%RABA-A
7/21/2019 METODE FABRIKASI
http://slidepdf.com/reader/full/metode-fabrikasi 2/10
'O$O&$O"RA'&
PENDAH!AN
*#A.%AN $*NOO"&
$*NOO"&
S*#&OND%$OR
*$SA/,D
$eni euatan
7/21/2019 METODE FABRIKASI
http://slidepdf.com/reader/full/metode-fabrikasi 3/10
C"#$i%al Va&o'r D#&o(ition )CVD*
Kondisi vakum atau bertekanan rendah
Salah satu teknik pembuatan
semikonduktor yang dilakukan
melalui pelapisan (coating ) pada
bagian permukaan substrat.
Metodenya :
Mengendapkan logam ke permukaan
substrat melalui fase uap
7/21/2019 METODE FABRIKASI
http://slidepdf.com/reader/full/metode-fabrikasi 4/10
Skema proses yang terjadi didalam CVD
7/21/2019 METODE FABRIKASI
http://slidepdf.com/reader/full/metode-fabrikasi 5/10
BAGIAN DALAM REAKTOR
CVD
a. Sistem suplai reaktan
b. Ruang deposisi
c. Sistem daur ulang
7/21/2019 METODE FABRIKASI
http://slidepdf.com/reader/full/metode-fabrikasi 6/10
Ti&# C"#$i%al Va&o'r D#&o(ition
Proses CV yang ter!adi
pada tekanan atmosfer
A PC V D
Proses CV yang ter!adi
pada tekanan rendah
L PC V D
Proses CV yang ter!adi
dengan menggunakan
bahan"bahan metal
organik
MOC V D
7/21/2019 METODE FABRIKASI
http://slidepdf.com/reader/full/metode-fabrikasi 7/10
Sistem LPCVD
7/21/2019 METODE FABRIKASI
http://slidepdf.com/reader/full/metode-fabrikasi 8/10
Proses MOCVD
Prinsip LCVD
7/21/2019 METODE FABRIKASI
http://slidepdf.com/reader/full/metode-fabrikasi 9/10
Pelapisan permukaansubstrat dengan
memanfaatkan sinar laser
L PC V D
Proses CV denganmemanfaatkan media
plasma
P EC V D
7/21/2019 METODE FABRIKASI
http://slidepdf.com/reader/full/metode-fabrikasi 10/10
A&li+a(i P#ngg'naan CVD
Proses CVD ini digunakan untuk
memanfaatkan pembuatan lapisan
isolator semikonduktor dan logam