memoria Dram

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(Dynamic random access memory -

Memoria de acceso aleatorio

dinámica). Tipo de memoria RAM

más usada. Almacena cada bit de datos

en un capacitor separado dentro de un

circuito integrado. Dado que los

capacitores pierden carga,

eventualmente la información se

desvanece a menos que la carga del

capacitor se refresque y cargue

periódicamente (períodos cortísimos

de refresco). Por este requerimiento de

refresco es llamada memoria dinámica

que es opuesta a las SRAM y otras

memorias estáticas.

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Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran

densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la

actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades

de acceso medidos en millones de bit por segundo.

Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la

memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una

de las memorias más usadas en la actualidad.

Esta es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de memoria,

más datos se pueden almacenar en ella y más aplicaciones pueden estar

funcionando simultáneamente. De manera similar, a mayor cantidad de

memoria mayor velocidad de acceso relativa, pues los programas no

necesitan buscar datos continuamente en el disco duro, el cual es mucho más

lento.

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La memoria puede ser de diferentes tipos de acuerdo a la

tecnología de fabricación: FPM, EDO, SDRAM, BEDO , RDRAM

y DDRRAM.

Este tipo de memoria fue tan

popular que inclusive llegó a ser

utilizada en tarjetas gráficas, sin

embargo, sus limitaciones técnicas

como el puerto simple, que sólo

permitía un acceso de 16 bits a la

vez, así como su baja velocidad de

operación dieron pie a la creación

de nuevas tecnologías con mayor

velocidad, una ruta de datos más

amplia y puerto doble para permitir

la lectura/escritura simultánea.

FPM(Fast Page Mode , Modo de

Paginamiento Rápido )

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EDO (Extended Data Output)

A diferencia de la memoria FPM que sólo podía acceder a un solo

byte (una instrucción o valor) de información de cada vez, la

memoria EDO permite mover un bloque completo de memoria a la

caché interna del procesador para un acceso más rápido. Permite

alcanzar velocidades de hasta 45 ns, suficiente para los ordenadores

Pentium, Pentium Pro, y los primeros Pentium II que demandan

mayor velocidad de proceso. Su compatibilidad es muy alta y su

precio muy bajo, lo que la ha convertido en la opción más popular

aún hoy en día. Se presenta en módulos SIMMde 72 contactos (32

bits) y módulos DIMM (Dual In-line Memory Modules)de 168

contactos (64 bits)

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SDRAM (Synchronous DRAM)

Es un tipo síncrono de memoria, que, lógicamente, se

sincroniza con el procesador, es decir, el procesador

puede obtener información en cada ciclo de reloj, sin

estados de espera. La memoria EDO está pensada para

funcionar a una velocidad máxima de BUS de 66 Mhz (la

máxima velocidad de bus de los procesador de Intel y el

doble de la del BUS PCI), llegando a alcanzar 75MHz y 83

MHz en los módulos de 45 y 50ns, aunque con cierta

inestabilidad.

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BEDO (Burst Extended Data Output)

Fue diseñada originalmente para soportar mayores

velocidades de BUS. Al igual que la memoria SDRAM,

esta memoria es capaz de transferir datos al procesador

en cada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, como

la anterior, sino a ráfagas (bursts), reduciendo, aunque no

suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del

procesador para escribir o leer datos de memoria.

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RDRAM (Direct Rambus

DRAM)

Es un tipo de memoria de 64

bits que puede producir

ráfagas de 2ns y puede

alcanzar tasas de

transferencia de 533 MHz, con

picos de 1,6 GB/s. Es el

complemento ideal para las

tarjetas gráficas AGP. El

problema de este tipo de

memoria es que los

fabricantes, a diferencia de la

DDR RAM y la SLDRAM que

son arquitecturas abiertas,

deben pagar derechos a Intel.

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$ 62 30

6 cuotas de $ 12 56

$ 144 96

6 cuotas de $ 29 23

Memoria Ram Sdram Dimm De 128 Pc-

133 Remate

$8.99 6 cuotas $1.89

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Dual Channel es una tecnología para memorias que

incrementa el rendimiento de estas al permitir el acceso

simultáneo a dos módulos distintos de memoria. Esto se

consigue mediante un segundo controlador de memoria

en el NorthBrigde.

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Uno de los casos en los que más se nota este incremento en el rendimiento

es cuando tenemos una tarjeta gráfica integrada en placa base que utilice la

memoria RAM como memoria de vídeo. Con la tecnología Dual Channel la

gráfica puede acceder a un módulo de memoria mientras el sistema accede

al otro, pero en general vamos a notar un incremento en el rendimiento en

todas aquellas aplicaciones que hagan un alto uso de la memoria.

Para que la memoria pueda funcionar en Dual Channel, la placa base

debe soportarlo y además debemos tener dos módulos de memoria

exactamente iguales (Frecuencia, Latencias y Fabricante). Si los

módulos no son exactamente iguales no funcionará el Dual channel, e

incluso se pueden dañar los módulos de memoria.

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Es de suma importancia que los módulos sean exactamente iguales.

Esto ha llevado a los principales fabricantes de memorias a comercializar

pack específicos para Dual channel, en los que vienen los dos módulos

correspondientes. Esto no quiere decir que por fuerza tengan que ser un

pack, sólo eso, que tienen que ser exactamente iguales. Si vamos a

utilizar un sistema Dual channel es muy importante que utilicemos

módulos de calidad, olvidándonos de los módulos genéricos y yendo a

módulos de marca reconocida.

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En general, los pack para Dual channel suelen ser más caros que

el precio de dos memorias sueltas de igual capacidad, pero como

ya hemos dicho, siempre y cuando sean exactamente iguales no

tienen por qué ser un pack específico para Dual channel.

Por otro lado queda la cuestión del precio si se trata de un solo

módulo o de dos. Bien, esto depende mucho de la marca, pero en

general si bien dos módulos de 512MB salen más caros que uno

de 1GB esta diferencia no suele ser muy grande (en torno al 10% -

15%), por lo que no es un factor muy determinante, pero eso si, es

algo que tenemos que evaluar, sobre todo si pensamos en una

posterior ampliación de la memoria.