微粉末造粒技術とフラックス開発力の融合で、0201部品を実装

JPCA15-01

M705-RGS800 Type6

A fusion of fine powder granulation technology and flux development capabilities for the mounting of 0201 components

特　長

仕　様

● 部品の小型化に伴い、はんだ材料も微粉末化

● Type6微粉末の採用で、極薄微小パターンでも充分なはんだ量を確保します

● RGS800は活性力を増加させ、リフローでの再酸化を抑制、Type6粉に最適化しました

● Type6に最適化されたRGS800で良好な印刷性と溶融性を発揮、微小部品の実装を可能に

● Type8製造を可能とする造粒技術で、高品質Type６を製造● 微粒子化による酸化の増大を、活性力を向上したRGS800で解決● 高度な粘弾性制御技術で良好な印刷性を確保、0201の実装を可能に

微小狭ピッチ化

粉末の微細化に伴い、フラックスも開発極薄微小パターンでの印刷は、従来のはんだ粉では充分なはんだ量を得られません

Type4

Type5Type6

1005型部品 0603型部品 0402型部品 0201型部品

2000年

2010年

2020年

GRN360

GWS

S70G

GLV

RGS800RGS800

印刷仕様：開口φ130umマスク厚60um

表面積の増大で酸化膜も増大（Type５→Type６で２倍）、従来のフラックスでは溶融性が不足

Type4

Type6

Type6Type5Type4

Φ20～38μｍ Φ15～25μｍ Φ5～15μｍ

印刷量不足の発生

十分な印刷量

Type5

0603 0402 0201

Type4 Type5 Type6

Type6 + 従来フラックス

Type6 + RGS800

未融合不良発生

JPCA15-02

M40-LS720V　M773-LS720VOur material technologies solved problems of rise in melting point, bonding strength degradation, and wettability decrease caused by low-silver & no-silver process

低銀＆無銀化による、融点上昇/接合強度劣化/濡れ性低下を素材技術で解決

特　長

仕　様

● 固溶強化を施したM40は、 接合強度が高い

● M4０は、M705と同じ温度プロファイルで実装可能 ● M40/M47は、落下衝撃性に優れている

● 0.3％Agと0％Ag品に対する固溶強化の効果を確認

サイクル数（cyc.) サイクル数（cyc.)

シェ

ア強

度（Ｎ

）

● M705と同様な温度プロファイルで実装できる、M40　● 接合界面反応制御で落下衝撃性にも優れている、M47● Bi,Ni の添加で、Sn-Cu系はんだの接合信頼性を向上した、M773● 低銀、無銀専用フラックス　LS720Vでボイドを低減

● 低銀 ＆ 無銀はんだ合金で、低価格化を実現

破壊モード [PKG Side]

拡散層 [Board Side]

M40で効果を確認した固溶強化技術を、0.3％Agと0％Ag品にも応用0％AgのM773は、固溶強化を施していないSn-Cu-Ni-Ge品よりも接合強度が高いことを確認

M47は、接合界面反応の制御により接合強度に加え、落下衝撃性にも優れている

M40は、３％AgのM705よりも接合強度が高く、同じ１％AgのSAC107よりも大幅に高いことを確認

固溶強化の効果

TCT条件：-40℃/+85℃ 30min　評価部品：3216R

<DSC Chart> <Melting Temp>

TCT条件：-40℃/+85℃ 30min　評価部品：3216R

040

50

60

70

80

90

シェ

ア強

度（Ｎ

）累

積故

障率（

％）

20

110 100 1000

10

99.9

70

80

90

200 400 600 800 1000 1200 1400 0 200 400 600 800 1000 1200 14001600 1800 2000

0.3%Ag

0%Ag0%Ag

3%Ag

M705

M705

M705

Sn-Cu-Ni-Ge

M47

M47

M773

-2500

-2000

-1500

-1000

-500

0

500

DSC[

uW]

Temp[degC]Drop Number

　M705（SAC305)

217℃ 220℃

　M40 211℃ 222℃

　M47 216℃ 228℃

　M773 225℃ 229℃

Sn-Cu-Ni-Ge 228℃ 230℃

合金 固相線液相線

<落下試験 ワイブルプロット>

拡散層；約2.8um 拡散層；約1.5um（薄い）

● 低銀化による析出強化の低下を、固溶強化で補う

純粋な金属（Sn）

欠陥 固溶強化

外部ストレス

外部ストレス

異質な原子の混入で変形を抑制低銀化による析出強化の低下を、Ｂｉ.Ｉｎの固溶強化で補う

転移・変形

M773M47M40

M47

SAC107

Biの添加による固溶強化で、Snを強化

1％Ag

3％Ag

1％Ag

0.3％Ag

M705

SAC 0307

SAC107

M40

M47 M40

M773 Sn-Cu-Ni-Ge M705

210 220 230 240 250

価格

安価

M705

M40

M47

M773

3.0% Ag

1.0% Ag

0% Ag

0.3% AgSn-0.3Ag-0.5Cu

Sn-1.0Ag-0.7Cu-1.6Bi-In

Sn-0.3Ag-0.7Cu-0.5Bi-Ni

Sn-0.0Ag-0.7Cu-0.5Bi-Ni

M705

M40

M47

M773

2000年 2010年 2015年 2020年

JPCA15-03

The development of a flux with good wettability results in less voids

M705-GLV

良好な濡れ性を示すフラックスの開発で、ボイドを低減しました

特　長

仕　様

● GLVは、ボイドが停留し易い230℃でもボイドを抑制

リフロー温度の上昇がボイドの発生を低減します

● 一般的なボイド発生解決策 厚いはんだ膜厚は、ボイドの排出を容易とします

一般的に高活性フラックスはボイドの発生を低減

マスク厚６０μｍ

230℃ 240℃

マスク厚18０μｍ

低フラックスの活性力

中 高

ボイドの面積比率（％）

リフロー温度（℃）

リフロー温度（℃）

ボイドの面積比率（%）

ボイドの面積比率（％）

25 50

40

30

20

10

0

20

15

10

5

0

60

50

40

30

20

10

0228 230 232 234 236 238 240 242

24１℃実装

24１℃実装

● 新規フラックスGLVで、ボイド低減と経時安定性を両立　● 温度上昇が困難な大型部品でも、GLVでボイドを低減● GLVは、M705や車載用途のM794とM758に適応

PwTr、QFN

PWB

ボイド はんだ

不濡れ抑制フラックスの開発

プロファイルの検討

はんだ厚の検討 （クリアランス）

材料開発

工法開発

工法開発

従来品2

従来品2

GLV

GLV

従来品１

従来品１255℃

240℃230℃

230 235 240 245 250 255

不濡れ箇所にボイドは停滞

3D実装POP用転写ペースト NSV320

JPCA15-04

Transfer paste for 3D PoP (Package of Package) packaging NSV320

M705-NSV320

特　長

仕　様

● 良好な転写性を有し、Ball-Ball 実装での未融合を激減● POPやTMV Packageにも対応し、良好なはんだ付け性を実現● 反りに強く、ハロゲンフリーでありながら、従来製品以上の性能

● NSV320は一定量のはんだを良好に転写

● NSV320を使用したBall to BallによるPOP実装

● Dwell Time 300ms 以上で転写量が安定

転写性が欠如する印刷用ペースト

良好な転写性を示す NSV320

印刷

印刷

接合

接合

搭載

搭載

転写1

転写1

転写2

転写2

転写3

転写3

不十分なはんだ量

充分なはんだ量

NSV320

未融合が激減

従来品未融合が見られる

dwell time 50ms dwell time 300ms dwell time 999ms

未融合部

未融合部

Wei

ght(

mg)

Dwell time(ms)

20 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

2.5

3

3.5

4

4.5

5

M705-G3000　 MACROS M705

Migration-free mounting is now possible with the residual crack preventive flux

JPCA15-05

残渣割れ防止フラックスでマイグレーションフリー実装を実現

特　長

仕　様

● PCT条件下でも『イオンマイグレーション』発生せず

● 耐残渣割れ性を強化したソルダペーストG3000● 軟残渣フラックスは割れません

● 結露に起因するマイグレーションは発生しません

従来品

G3000

従来品

従来品

MACROS

MACROS

50cycで割れ発生

3000cyc後、割れの発生無し

熱衝撃による『ストレス』でも

機械的な『曲げ』でも

-30℃/30min ⇔+110℃/30min 1000cyc.

-40℃/30min ⇔125℃/30min

-30℃/30min ⇔+110℃/30min 1000cyc.純水滴下後　５V 印加

● 熱でも曲げても残渣が割れない、やに入りはんだ MACROS● 耐熱疲労試験でも残渣が割れない、ソルダペースト G3000● 割れないフラックスが、結露起因のマイグレーションを防止● 優れたフラックスが、高温耐湿試験でのマイグレーションを防止

【試験条件】　温度：121℃ 　湿度：100%RH　気圧：2気圧 　印加電圧：50V

MACROS

H2O H2OH2O

従来品 MACROS

Y

はんだ付け 割れの発生 割れ部に水路形成

温湿度サイクル（日常生活）

マイグレーションでショート不良

割れ部に水路形成

水

イオンマイグレーション割れフラックス残渣

はんだ

曲げ熱衝撃 結露 電圧印加

高絶縁性、高撥水性、高接着性がイオンマイグレーションを抑制

● 85℃／85%RH試験でも高い絶緑信頼性を示し、　 マイグレーションの発生無し

抵抗値[Ω]

1.E+000 200 400 600 800 1000

1.E+011.E+021.E+031.E+041.E+051.E+061.E+071.E+081.E+091.E+101.E+11

85℃85%RH1000hr後

測定時間[hour]クラック

水

G3000

JPCA15-06

Three new technologies were leveraged to develop the state-of-the-art thermal fatigue resistance solder alloy

M794-GLV 　M758-GLV

新しい3つの技術で、最先端の耐熱疲労性はんだ合金を開発

特　長

仕　様

Ag

Bi

Sn SbCu

Ni

● 析出強化 ● 固溶強化

● 接合界面反応制御 ● 結晶粒粗大化抑制

● 各合金の接合強度比較

異種金属原子を粒界に介在させてＳｎ組織粗大化抑制し、強度低下防止及びクラックを抑制接合界面反応の制御で、破壊モードの変化を防止し接合強度を向上Ｎｉの添加は、脆い接合界面の拡散層を薄く微細平滑化し、強度を確保

金属間化合物：延性に欠けるが非常に硬いため、継手の物理的強度が向上

● 析出強化と固溶強化の併用で、機械的強度を改善● 接合界面反応制御で、破壊モードの変化を防止し接合強度を向上した、M758● Sn結晶粒の粗大化の抑制で、熱疲労試験での強度劣化を低減した、M794

原子レベルまで拡大

溶質金属の固溶状態

固溶していない状態

固溶原子は原子レベルで分散。均質に並ぶ状態と比較し、異質な原子が入り込んだ場合は、抵抗が生じるため変形抑制。

Sn Sn

Sn Sn

ミクロンレベルまで拡大

金属間化合物（Cu₆Sn₅、Ag₃Sn等）による強度改善

化合物が粒界に介在することでピンニング効果を発揮し、変形を抑制。

Snへの固溶（Sb/Bi/In/etc..）による強度改善

固溶原子（溶質原子）Sn原子

Sn相金属間化合物（析出）

結晶粒 粗大化抑制

固溶強化

Sn-Ag-CuSn-Ag-Cu-Sb

Sn-Ag-Cu-Bi-Sb-Ni-x

耐熱疲労性合金

接合強度　（N）

1990年 2015年

Sn-Ag-Bi-In

M53M731M705

Sn-Ag-Cu-Bi-Ni

M758 M794

析出強化

接合界面反応制御

0

10

20

30

40

50

60

70

0500 1000 1500 2000 2500 3000

M794M758M731M53SAC305

サイクル数（cyc.）

–40℃/30min ⇔ 125℃/30min

リフロー１回

リフロー4回 ● 結晶粒の粗大化を抑制

異種金属原子を粒界に介在させる

M794SAC305M758SAC305

Initial 3000cyc 3000cycInitial

Cu₆Sn₅,Ag₃Sn金属間化合物

Sn

● 新しい技術を駆使して耐熱疲労合金を開発

優れた３つの技術が融合し、水平実装を実現

JPCA15-07

特　長

仕　様

Niボール入りはんだ

Combining three outstanding techniques to achieve horizontal mounting

● 卓越した造粒技術が、狭公差真球Niボールを実現　● 独自のNiボール封入技術が、ボイドの発生を抑制● 特殊な加工技術が、フラックスフリー実装を実現● ボールがスペーサーとなり、クラックと短絡を防止

● パワーデバイスのダイボンド用途に最適

● Niボールがスペーサーとなり、底面電極部品実装　 での短絡不良を防止する

● 水平な実装でクラックの発生を防止し、高い放熱　 効果を発揮します

● 独自製法のNiボールがスペーサーとなり、　 水平実装を実現します

● Ｎｉボールの造粒からプリフォーム化まで、一貫製造

● 高い放熱効果クラックの空気層が、熱伝導性を阻害し放熱効果を低下させる

はんだが薄いことによるクラック

傾斜が起因となるクラック

底面電極部品

Niボール

ブリッジの発生

ブリッジを抑制

Ｎｉボール含有ソルダプリフォームによる、3 か所のはんだ接合

大電力半導体素子

プリフォームベアチップ

良好な放熱性 Niボール

汎用品 フラックスフリー

市販品

当社開発品

造粒 プリフォーム化 実装

卓越した造粒技術で狭公差真球ボールを製造

Ｎｉボールが部品のスタンドオフを確保する

2つの技術で、ボイドの少ない水平な実装を実現

独自のボール封入技術が、はんだと良好な反応を示す

PWB PWB

PWB PWB

汎用仕様品は表面の酸化膜厚が厚いため、濡れ性が劣り外観が変色する。

HQ品は汎用品より表面酸化が少ないため、良好なぬれ性を示し変色もしない。

汎用品は、ボイド率が高い。 HQ品は、汎用品よりボイド率が低い。

・下地：NiめっきCu板 ・不活性雰囲気リフロー

・下地：NiめっきCu板 ・リフロー雰囲気：水素窒素混合 ・減圧時真空度：3000Pa以下

フラックス塗布や還元雰囲気での実装に適します。すべての構造品にラインナップしています。

特殊加工により、表面の酸化膜が僅少で、フラックスフリー実装や還元および不活性雰囲気での実装に適しています。

S Standard Surface Condition HQ High-Quality Surface Condition

【 フラックス未使用での濡れ性評価 】

【 ダイボンド後のボイド発生率 】

Niボール無しの場合；傾斜と厚みにバラツキが生じます

Niボール入りの場合；水平で一定な厚さを保証します

リフロー

リフロー

はんだ

Niボール Niボール

はんだ はんだ はんだ

はんだ

aa a

半導体 半導体 半導体

はんだ

半導体 半導体 半導体Niボール

100μmシート

Niボール無し

Niボール有り

Niボール

Chip solder

JPCA15-08

Choose the optimum chip solder from among three types

3種類の中から、最適なチップソルダーを選択

特　長

仕　様

● SMDと同時に自動搭載可能なテーピング仕様　● ソルダペーストと同時に溶融、追いはんだ付けが不要● 適切なはんだ量の供給で、高い接続信頼性を確保

● チップソルダーを自動搭載、同時溶融 ● 大型部品の接合補強に

● 吸着面を平滑にして搭載精度を向上

曲面は空気が入り吸着力が弱まる

チップソルダー

ソルダプリフォーム フラックス 粘着力の高いフラックス

・ソルダペースト上に搭載・溶融・低価格仕様

・はんだ濡れ性を向上・リフロー炉での再酸化抑制・大気リフローも可能

・銅ランドや部品に直接搭載・溶融

フラックス・コーテッド　チップソルダー　Type A

フラックス・コーテッド　チップソルダー　Type B

平面は空気が入らず吸着力が強い

※ 平滑化仕様は、0603 サイズ未満※ 特許出願中

※0402サイズは、営業にお問い合わせ願います。

平滑化したチップソルダーチップソルダー

空気 空気

● 3種類の中から、用途に応じて選択

● チップソルダー寸法公差

（単位；ｍｍ）

チップソルダー搭載

チップソルダーソルダペースト印刷 部品搭載 リフロー

ソルダペースト印刷 部品搭載 リフロー

ランド ソルダペースト

ペーストはんだ印刷 部品搭載

チップソルダー

大型部品

はんだ付け完了

l

±0.05

±0.1

±0.1

±0.1

0402

0603

1005

1608

±0.05

±0.1

±0.1

±0.1

w

±0.05

±0.05

±0.05

±0.05

t

参考出展

JPCA15-09

"ES-100SA" which prevents whiskers due to corrosion Patent: 4325746

ES-100SA

腐食起因のウィスカを抑制する『ES-100SA』特許：4325746

特　長

仕　様

● 腐食起因のウィスカ

● 腐食起因ウィスカの断面SEM像

● 腐食抑制剤添加による、腐食物質生成の抑制 ● 腐食抑制剤添加によるウィスカ発生の抑制効果

● 高温高湿下での、腐食が原因で発生するウィスカを抑制・フラックスに添加した腐食抑制剤がはんだ表面に吸着し、高温高湿環境下での酸化を抑制・ウィスカ発生の起因となるハロゲン成分を減量しつつ、はんだ濡れ性を確保・酸化抑制剤を有するフラックスで、ウィスカ発生を低減

● フラックス残渣は、非腐食性で信頼性に優れており、無洗浄での使用に　適しております

ウィスカ

はんだ

パッド or 電極

はんだ

パッド or 電極

腐食物

ウィスカ

Snの腐食

内部応力内部応力

85℃ 85%RH 1000h

腐食抑制剤を添加しないフラックス ES－100SA

吸着被膜は、O、Br、Cl、有機酸や酸素などの腐食を促進する物質から保護。

腐食抑制剤が、はんだ表面に物理的もしくは化学的に吸着し吸着被膜を生成、Br，Cl、Oなど腐食性物質のはんだ表面への接触を抑制。

腐食抑制剤によるSn の腐食防止のメカニズム はんだ（Sn）

有機酸

Ｂｒ、ＣｌＯ

Ｂｒ、ＣｌＯ

吸着皮膜 （疎水性基）

（極性基）

腐食（酸化）　→　体積膨張　→　内部応力発生 Ｏ，Br，Cl

はんだ（Sn）

内部応力腐食（酸化）

85℃ 85%RH 1000h

ウィスカ発生数(個)

ウィスカの長さ（μｍ）

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0 10-20 20-30 30-40 50-6040-50 60-70 70-80 80-90

汎用品

ES-100SA

はんだ（Sn）

ウィスカ

はんだ（Sn）

● 腐食抑制剤配合フラックス『ES-100SA』 によるSnの腐食抑制

JPCA15-10

M805E

Solving the problem of reduced bonding reliability in Ag-free or low-Ag solders

無銀化や銀量低下に起因した接合信頼性の低下を解決

特　長

仕　様

● 析出強化と固溶強化の併用で接合信頼性を向上

Sn-0.3Bi-0.7Cu-P

● 析出強化と固溶強化の併用で接合信頼性を向上● Pの微量添加でドロスを抑制、省資源化と工程コストを削減● Sn-Cu-Ni系はんだ材料よりも、良好な材料物性を示す　

● 各はんだの材料コスト比較 ● M805E は、実作業温度領域でM705よりも　耐Cu食われ性に優れるはんだ材料費

[ ￥/kg ]

実はんだ付け温度領域

0

● Sn-Cu-Ni系はんだ材料よりも、良好な材料物性を示すM805E

Sn-3.0Ag-0.5Cu（M705）

Sn-0.3Ag-0.7Cu（M35）

Sn-0Ag-0.7Cu

各材料のDSC曲線

Disconnection time of Cu-Wire in solder bath1000 2000 3000 4000 5000

Sn Ag Cu

約50%削減

※2014,8相場参照

組成 融点 [℃] 引張強度

[MPa]破断伸び

[%] 濡れ時間

[sec] 固相 液相

Sn-Cu-Ni-Ge

M705 Sn-3.0Ag-0.5Cu 217 220 53.3 47 1.03

M805E Sn-0.3Bi-0.7Cu-P 226 229 39.2 41 1.93

M35 Sn-0.3Ag-0.7Cu 217 227 37.3 50 1.79

Sn-0.6Cu-0.055Ni-Ge 227 246 30.9 26 2.10

0

-500

-1000

-1500

-2000

-2500210 220 230 240

M24MTM805EM35M771M705

Disc

onne

ctio

n Ti

me[

sec]

Temperature [℃]

Temperature [degC]

DSC

[μW

]

0 255 265 275 285 295

30

60

90

120

M805EM35M705

M35

M705

M805E

実装工程でドロス抑制、低コスト化のアプローチ

Sn-Cu系の最適Cu共晶量バランスが良く、使い勝手が良い析出強化で耐熱疲労性を改善

Agの不使用で材料コスト削減、固溶強化で耐熱疲労性を改善

JPCA15-11

GAO M24AP

Delivers excellent work platform and an impressive external condition

良好な作業環境の確保と、外観の美しさを追求

特　長

仕　様

● 45０℃での焦げ付き状態の比較

● フラックス残渣に残存する気泡の評価

● 各温度での発煙量比較（３秒後）

● 各温度３sec後の発煙量比較

● 付着フューム重量の比較

● 焦げ付くまでの温度と時間の比較

従来品

従来品

GAO-ST

GAO-ST GAO-LF

フィルター写真 初期 試験後

● 焦げ付きと、気泡を徹底的に抑制した、GAO-ST● 更に、煙や刺激臭の抑制を強化した、GAO-LF● GAOの特性を効果的に発揮する、Sn-Cu-Ni系 M24AP　

0

20

10

40

30

60

50

70

350300 400 450ホットプレート温度（℃）

コテ先温度（℃）

付着フューム重量（ｇ）

0

1

2

3

4

5

従来品

GAO-ST

GAO-LF

初期 2Sec 4Sec 6Sec焦げ発生

気泡残存

従来品

GAO-ST

GAO-LF

320℃ 380℃ 450℃

320℃ 380℃ 450℃

煙強度

時間（秒）

0

1

2

3

4

5

コテ温度；380℃送り速度：20mm/sec　はんだ量：500g

はんだ：M24AP φ0.8コテ温度：380、420、450℃　はんだ送り速度 ： 20mm/s

GAO-ST

GAO-LF

従来品

従来品

GAO-STGAO-LF

接合に悪影響を与えないPとGeの複合添加で、ドロスを抑制

JPCA15-12

M24MT / M24AP

P and Ge compound additive that has no negative influence on the bond and prevents dross

特　長

● Sn-Cu-Ni系に、PとGeを複合添加することでドロスを抑制● Agを使わず、ドロスの抑制と回収作業の短縮化でコストダウン● P添加による長期信頼性への悪影響はない

PとGeは、はんだバルクではなくサラサラなドロスに存在

Pは接合に寄与しない元素であり、Niの効果は阻害しない

ドロスの発生を約７０％削減

● ドロス発生を最大70％抑制　 従来品（Sn-Cu-Ni）より約46％はんだ材料コストを削減

● P+Geの効果

● 接合品質へのPの影響

分析結果 組織組織の断面写真

Cu

Sn-Cu化合物及びSn-Cu-Ni化合物

Sn

はんだを巻き込んだ塊状ドロス P+Ge含有のサラサラなドロス

M24MT/M24APのドロスは粉状化となり、メンテナンスが容易で生はんだの廃棄量も大幅削減

Input

廃棄物

製品

Output

最大70％削減

約46％の使用量削減

ドロス

はんだ材料フロー ソルダリング

1.0従来品 ; 2.95

Ｍ24MT ; 1.59

Ｍ24MT ; 0.59従来品 ; 1.95

仕　様仕　様

Sn-Cu-Ni-Ge

Sn-Cu-Ni-P-Ge（M24AP）

Sn123456

Cu Ni P Ge0.00 100.00 0.00 0.00 0.00

24.83 68.48 6.69 0.00 0.0028.47 63.55 7.98 0.00 0.0025.68 67.67 0.00 0.00 6.6523.51 76.49 0.00 0.00 0.00100.0 0.00 0.00 0.00 0.00

Sn123456

Cu Ni P Ge0.00 100.00 0.00 0.00 0.00

24.52 67.72 7.76 0.00 0.0027.62 64.28 8.10 0.00 0.0029.07 67.65 3.28 0.00 0.0021.68 78.32 0.00 0.00 0.00100.0 0.00 0.00 0.00 0.00

M24AP/M24MT

Sn-Cu-Ni

いずれのクラックも、TH 円周部の50％以下

● P添加による耐熱疲労特性への影響

0

20

40 30

10

60

80 70

100 90

50

クラ

ック

発生

[%]

ヒートサイクル数 [cyc]

M24AP

P添加による、長期信頼性への悪影響はない

M24APからPのみ削除品

0 250 500 750 1000 1250

M24APのP抜きVerM24AP

M24APSn-Cu-Ni

Cu

Sn-Cu化合物及びSn-Cu-Ni化合物

Sn

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