Lucrarea Nr. 2 Amplificatoare cu mai multe etajedce.etti.tuiasi.ro/cef/laborator/l2cef.pdf · ·...
Click here to load reader
Transcript of Lucrarea Nr. 2 Amplificatoare cu mai multe etajedce.etti.tuiasi.ro/cef/laborator/l2cef.pdf · ·...
1
Lucrarea Nr. 2 Amplificatoare cu mai multe etaje
Scopul lucrării
- recapitularea etajelor elementare studiate la disciplina DE; - scrierea rapidă a funcţiilor de transfer; Schema electrică pentru studiul experimental este prezentată în figura de mai jos:
Figura 1. Circuitul electric pentru studiul experimental
2
Curenţii de PSF prin cei trei tranzistori sunt daţi de:
3
3223
2
2112
1
121
2
1
E
BECCE
E
EBCCE
E
BECCBB
B
E
RVIRI
RVIRI
R
VVRR
R
I
−=
−=
−+
=
(1)
Schema echivalentă valabilă pentru regimul de semnal mic:
Figura 2. Schema echivalentă pentru regimul de semnal mic în bandă Determinarea amplificării în tensiune prin metoda clasică
1232
2
3
3vvv
i
in
in
in
in
o
i
ov aaa
vv
vv
vv
vva ===
( )
( )( )( )
( )( )
=++=
=⇐
++=
++=−=
⇐
+=
+=
⇐
i
Ei
mCiin
v
mEin
ELi
mCiin
v
oin
mELov
vvRrR
vgRRva
rvvgRvv
RRrRvgRRv
a
vvvrvvgRRv
a
1
2222
11122
1
2
222222
3333
22233
2
33
3
3333
3
1//
//1//
//
β
β
π
π
π
π
(2)
3
Determinarea amplificării în tensiune prin metoda rapidă Se va folosi o schemă echivalentă valabilă în regim de semnal mic, fară însă a înlocui tranzistorii cu modelul π-hibrid.
Figura 3. Schema echivalentă folosită pentru scrierea rapidă
Vom exprima tensiunea de ieşire funcţie de mărimi de semnal dinspre intrare, până în momentul când ajungem la tensiunea de intrare. Folosim relaţiile dintre curenţii la terminalele tranzistorului, precum şi cele caracteristice divizorului de tensiune şi celui de curent.
( )( )
i
ii
iEei
Ee
ec
ciC
Cb
bc
ciC
Cb
be
eELo
Rvi
iRR
Ri
ii
iRR
Ri
ii
iRR
Ri
iiiRRv
=
+−=
=+
=
=+
=
+==
11,
11
111
121
12
222
232
23
333
33
1//
α
β
β
(3)
Expresia lui av se obţine substituind relaţiile anterioare, de jos în sus:
( )( )3332
22
21
11
11,
1 //11
ELiC
C
iC
C
Eei
E
iv RR
RR
R
RR
R
RR
R
Ra +
+++−= ββα (4)
4
Studiu experimental a. Se realizează montajul din Figura 1 utilizând TB BC107 şi BC177. Se
masoară/verifică toate componenetele utilizate! b. Se determină prin măsurători PSF ale celor trei tranzistori. Se compara rezultatele
experimentale cu cele date de relaţiile (1). c. Identificaţi tipul de etaj elementar corespunzător fiecărui etaj de amplificare.
Determinaţi amplificările parţiale av1, av2 şi av3 folosind relaţiile consacrate caracteristice fiecărui tip de etaj.
d. Aplicând la intrarea circuitului, de la generatorul de tensiune, un semnal armonic
de amplitudine şi frecvenţă corespunzătoare regimului de semnal mic şi mijlocului de bandă, determinaţi experimental valoarea amplificării în tensiune a etajului precum şi a celor trei amplificări parţiale. Comparaţi rezultatele experimentale cu cele obţinute teoretic.
e. Determinaţi experimental Ri, masurând tensiunea de intrare vi normal şi în gol
(vigol=vg), cunoscând Rg.
imgm
gim
ig
gii VV
RVvv
RvR
−=
−=
f. Prin aceeaşi metodă de la punctul (e), determinaţi Ro mutând generatorul în locul
lui RL şi înlocuindu-l la intrare cu o o rezistenta R=Rg.
g. Justificaţi alegerea ieşirii de 600Ω a generatorului.
h. Determinaţi direct expresia amplificării în tensiune, dată de relaţia (4), prin inspecţie, fară a vă folosi de relaţiile (3).
5
Tema 2 Sa se determine funcţiile de transfer vo/vi şi vo/vg pentru următoarele circuite echivalente:
(a)
(b)
(c)