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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA LECTRICA Y ELECTRONICA

INFORME FINAL N°1

Curso: Microelectrónica

Código de Curso: EE425M

Laboratorio: INFORME FINAL Nº

Alu!no: N"lene Rut# Ma!ani Ma!ani

Código de Alu!no: 2$$%$$4&' 

Fec#a de (resentación: $)$4)5

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* (resentar en laboratorio el L+O,- del in.ersor /in.0!s1*0considerar ara el la"out el es3ue!a de la Fig0 A " laFig0 del diagra!a de barras /-IC'*0 -ratar de

conseguir un la"out de di!ensiones !6ni!as0

SOLUCIÓN

Inversor CMOS

De los LAYOUTmostrados, se tiene que un solo corte debe demostrar la seccin de los dos transistores a la ve!"

-ransistor NMO:

Canal N MOS#$%olicilicio &'($Di)usion N* & + ( ambos lados del -olisilicio.

IN OUT/ 00 0

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-ransistor (MO:

Canal % MOS#$ %olisilicio &' ($ Di)usion % * & + ( ambos lados del

-olisilicio.$ 1e2ion n34ell &5 ( alrededor de%*. Teniendo en cuenta estas condicionesde dise6o, obtenemos el si2uienteLAYOUT#

2* (ara el LA+O,- del in.ersor7 #allar las di!ensiones /8)L*de los transistores7 la 9recuencia MAIMA de oeración "dar resuesta escrita a todas las interrogantes de lagu6a 3ue est;n arriba lanteadas0 En laboratorio se ideresonder dic#as reguntas0

SOLUCIÓN

Utili!ando el comando MOST LIST Navi2ator. obtenemos lasdimensiones de los transistores"

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Simulacin en el tiem-o#

Se muestran los delays de 9ps y 16ps, entonces la f max = 80Ghz 

Interrogantes:

• Identi7cacin del Nmos 8 el %mos#

MOS 9λ . Lλ . 9:L

N ; ' '

% ; ' '

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Al utili!ar la visin en

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rinciales de sintanea" ?l nmerode caracteres -or l>nea es E/"

•  D?SC1I%CION CI1 ?FT1AIDA#

CI1CUIT D#G1UTHG1UTHGmicroelectronicaGLab0GLaboratorio03%resentacioninalG%re2unta0Ginversorne4"MSJ KK IC Tec=nolo28# ST /"'m 3 5 Metal "" #tecnolo$%a utilizada&

KDD 0 / DC '"/ "" #alimentación del Sistema&cloc0 5 / %ULS?/"// '"/ /";N /"/N /"/N /";N 0"//N. ""#onda deentrada&

KK List o) nodesK PoutP corres-onds to nQ<K Pcloc0P corres-onds to nQ5KK MOS devices  "" #medidas de cada '(S&

MN0 < 5 / / TN 9B /"+U LB /"'UM%0 0 5 < 0 T% 9B /"+U LB /"'UK  "" #Condensadores&C' 0 / 0";++)C< < / 0"'/')C; 0 / /"5

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K Crosstal ca-acitanceKKK n3MOS Model < # "" #)alores f%sicos del * mos&+"MOD?L TN NMOS L??LB< TOB/"; J%Bnea que contiene DS muestra si =a8 una escala a tener encuenta, esto -ermite -rocesar dimensiones in)eriores a lasmicras"

Siem-re que se =a8a es-eci)icado muestra el t-ocell"Los -ol>2onos %. deben tener al menos tres -untos" Un

-ol>2ono cualquiera de m@s -untos es ace-tado"

Las l>neas L. deben tener al menos un -unto"%ueden introducirse comentarios, -ero son i2norados"La letra )inal ? indica el )inal del arc=ivo"

Sintais" ?st@ com-uesto -or una secuencia de caracteres-ertenecientes a un conunto limitado" ?l arc=ivo contiene unalista de comandos, los cuales se se-aran -or un -unto 8 coma,se2uidos -or un marcador 7nal" Los comandos son#

D?SC1I%CION CI ?FT1AIDA#

ile # PD#G1UTHG1UTHGmicroelectronicaGLab0GLaboratorio03%resentacioninalG%re2unta0Ginversorne4"CIP.

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Conversion )rom Micro4ind 'b 3 0+"/0"'/// to CI.

ersion /;:/;:'/0,/0#'#' a"m".

DS 0 0 0

V to-cell

L 0% 055',5

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4* (ara circuitos digitales CMO !ostrados en las Figuras7 2 7&0 Anali=ar " deter!inar la 9unción lógica de salidade los circuitos0 (resentar el LA+O,- /!anual* co!o!6ni!o de >O de ellos " corroborar su 9unción lógica!ediante si!ulación0Medir el ?REA del la"out " #allar la 9recuencia M?IMAde oeración0

FI@,RA:

/i$ 1 Circuito y 2(34 su$erido

L2ica de )uncionamiento#

 

IN IN2 F

$ / / 0$ / 0 /

$0 / 0

$ 0 0 / / / 0 / 0 0 0 / / 0 0 /

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%or mtodo de anrnau2t=

 Lo cual nos lleva a obtener la )uncin#

 

 F = ´¿1 x S+

 ´¿2 x

 ´S

?l la8out obtenido es el si2uiente#

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Usando la =erramienta M?SU1? DISTANC?, el @rea de trabao es# ;"5'um /"5'um

La res-uesta del circuito es la si2uiente STA1 SIMULATION.#

Se observa que cum-le lo que nos ei2e el dise6o#

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?l dela8 m@imo es#

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Usando la=erramienta Measure distance, el @rea de trabao es# 0;"