IC Decap & SEM
-
Upload
api-3760998 -
Category
Documents
-
view
136 -
download
10
Transcript of IC Decap & SEM
3
5. Burning Resulted in Shortcircuit
Picture 7, 100X Picture 8, 50X
˙Sampling From: NSG NSD EFA
˙Inspection Date: 2004/2/3˙Description: Showing the burning trace between two ball bounding resulted in shortcircuit.
三、典型檢測案例
4
6. Touching Resulted in Shortcircuit
Picture 9, 50X Picture 10, 100X
˙Sampling From: NSBG NSG 品保 ˙Inspection Date: 2004/8/4˙Description: Showing two goldwire pads touching together resulted in shortcircuit.
三、典型檢測案例
9
四 典型案例之一
Black dots
AlAl 陽極膜表面黑斑分析陽極膜表面黑斑分析
問題描述 :Q37 C-shell Al 板經陽极氧化處理后 , 裁切面出現少量黑色斑點 , 該缺陷位置及外觀如上圖所示 .
X=2.07mmY=1.51mm
X
Y黑點 1
X=229μmY=166μm
X
Y
黑點 2
10
AlAl 陽極膜表面黑斑分析陽極膜表面黑斑分析缺陷區域 1
OAl
SC NiSi
缺陷區域 2
C Ni
Si
AlO
S Cl
正常區域OAl
SNiC
元素 C O Al Si S Cl Ni
正常區域 7.28 54.51 31.25 3.88 3.08
缺陷區域 1 13.41 45.28 24.06 11.42 2.98 2.85
缺陷區域 2 12.27 47.70 21.35 14.21 2.52 0.47 1.47
分析 : 缺陷區域富含元素 Si, 且缺陷區域表面有白色顆粒狀物質 ( 富含 C 和 Si), 推斷該缺陷為 SiC 或 Si 砂類污染 .建議 : 后續噴砂后清洗徹底 , 以避免此類缺陷再發生 .
12
BGA BGA 焊接不良分析焊接不良分析
Pb SnPbNi
Cu
Pb
Sn
0 1 2 3 4 5Full Scale 1459 cts Cursor: 0.025 keV (5653 cts)keVFull Scale 1459 cts Cursor: 0.025 keV (5653 cts)keVFull Scale 1459 cts Cursor: 0.025 keV (5653 cts)keV
S1
Pb SnPb
Pb Sn
0 1 2 3 4 5Full Scale 1459 cts Cursor: 0.025 keV (5658 cts)keVFull Scale 1459 cts Cursor: 0.025 keV (5658 cts)keVFull Scale 1459 cts Cursor: 0.025 keV (5658 cts)keV
S1
Ni Cu Sn Pb Total68.55 31.45 100
6.83 11.47 61.39 20.31 100
SpectrumAB
A:良品焊盤
B:不良品焊盤
13
BGA BGA 焊接不良分析焊接不良分析• 分析 :
在焊錫與焊盤上的 Cu 鍍層之間存在較多的 Cu/Sn 金屬間化合物 : Cu6Sn5/Cu3Sn1. 這兩種化合物性脆易裂 , 含量過高容易引起零件脫落 .
建議 :
在 Cu 層上方再鍍一層 Ni, 或者在回爐焊之前預先在焊盤上鍍Sn/Pb 合金 , 將會阻擋 Cu 原子的擴散作用 , 避免產生過多的金屬間化合物 .
14
四 典型案例之三Metal DomeMetal Dome 破裂失效分析破裂失效分析
問題描述 :Switch 核心部件 Metal Dome 在沖壓切邊後發現邊緣出現微小裂紋 , 不良率居高不下 . 分析其破裂失效的原因 .
切邊
16
Metal DomeMetal Dome 破裂失效分析破裂失效分析
• 分析 :
由裂紋樣品表面及斷面觀察可知 , 基材晶粒沿料帶方向延長 , 裂紋邊緣晶粒嚴重變形后撕裂 , 說明刀口切邊不良 , 切邊時邊緣產生微觀裂紋 , 裂紋沿徑向擴展導致破裂 .
建議 :
縮小模具間隙 , 或者研磨沖頭 , 減小沖壓時與材料的磨擦 .