연료전지 기본개념 및 응용분야 -...

신에너지신에너지 첨단첨단 소재소재 및및 혁신혁신 융합융합 기술기술 -- 제제 18 18 강강

태양광발전태양광발전 시스템의시스템의 소재소재(1)(1)

목목 차차

화합물화합물 반도체반도체 태양전지태양전지

CISCIS 박막박막 태양전지태양전지

CdTeCdTe 박막박막 태양전지태양전지


화합물화합물 반도체반도체 태양전지태양전지실리콘실리콘 태양전지는태양전지는 모듈원가의모듈원가의 약약 50~60%50~60%가가

실리콘실리콘 성장과성장과 웨이퍼링이웨이퍼링이 차지차지

박막박막 태양전지는태양전지는 실리콘에실리콘에 비해비해 원가비중이원가비중이

현저하게현저하게 낮기낮기 때문에때문에, , 기술개발을기술개발을 통한통한 효율효율

증가를증가를 이룰이룰 수수 있다면있다면 가격가격 경쟁력경쟁력 기대기대

화합물화합물 반도체반도체 태양전지의태양전지의 경우경우 박막박막 실리콘실리콘

태양전지에태양전지에 비해비해 더욱더욱 더더 얇은얇은 박막으로박막으로

태양전지를태양전지를 만들만들 수수 있어있어 원가절감효과원가절감효과 극대화극대화

실리콘의실리콘의 경우경우 빛을빛을 효과적으로효과적으로 흡수하기흡수하기 위해위해

100 100 ㎛㎛ 이상의이상의 박막을박막을 증착하지만증착하지만, , 광흡수계수가광흡수계수가

높은높은 화합물화합물 태양전지의태양전지의 경우경우 2 2 ㎛㎛ 만으로도만으로도

충분히충분히 빛을빛을 흡수흡수


SiSi 태양전지와태양전지와 비교한비교한 상대적상대적 효율과효율과 성능성능

Cell TypeCell Type

SiSi

SiSi

CIGSCIGS

CdTeCdTe

aa--SiSi

aa--SiSi

기기 술술

standardstandard

HIT cellHIT cell

1 junction1 junction




모듈모듈 효율효율

17.0%17.0%

19.8%19.8%

15.6%15.6%

13.2%13.2%

8.0%8.0%

9.7%9.7%

상대상대 성능성능

1.001.00

1.181.18

0.920.92

0.780.78

0.470.47

0.570.57

상대상대 가격가격

1.001.00

0.850.85

0.650.65

0.770.77

1.281.28

1.051.05


SiSi 태양전지와태양전지와 비교한비교한 상대적상대적 효율과효율과 성능성능가장가장 현실적인현실적인 대안은대안은 SiSi HIT cellHIT cellCIGSCIGS와와 CdTeCdTe는는 많은많은 연구가연구가 진행되고진행되고 있어있어차세대차세대 태양전지로태양전지로 각광각광

CdTeCdTe가가 CIGSCIGS보다보다 가격경쟁면에서가격경쟁면에서 쳐지는쳐지는 이유는이유는효율이효율이 낮기낮기 때문때문

비정질비정질 SiSi은은 낮은낮은 제조제조 가격에도가격에도 불구하고불구하고 효율이효율이너무너무 낮음낮음..

CIS CIS 박막박막 태양전지태양전지

CISCIS 박막박막 태양전지란태양전지란CuInSeCuInSe22로로 대표되는대표되는 II--IIIIII--VIVI22족족 ChalcopyriteChalcopyrite계계화합물화합물 반도체는반도체는 직접천이형직접천이형 에너지밴드갭을에너지밴드갭을

가지고가지고 있고있고, , 흡수계수가흡수계수가 1 X 101 X 1055 cmcm--11로로반도체중에서반도체중에서 가장가장 높아높아 두께두께 1~2 1~2 ㎛㎛ 의의 박막으로도박막으로도고효율의고효율의 태양전지태양전지 제조가제조가 가능하고가능하고, , 또한또한

장기적으로장기적으로 전기광학적전기광학적 안정성이안정성이 매우매우 우수한우수한 특성특성

CuInSeCuInSe22는는 밴드갭이밴드갭이 1.04 1.04 eVeV로로 이상적인이상적인 밴드갭밴드갭1.4 1.4 eVeV를를 맞추기맞추기 위해위해 InIn의의 일부를일부를 GaGa으로으로, , SeSe의의일부를일부를 SS로로 치환하기도치환하기도 하는데하는데 InIn의의 일부를일부를 GaGa으로으로, , SeSe의의일부를일부를 SS로로 대체한대체한 오원화합물은오원화합물은CIGSS{Cu(InCIGSS{Cu(InxxGaGa11--xx)(Se)(SeyySS11--yy))22}}로로 표기되며표기되며, , 대표적으로대표적으로이들을이들을 CIS(CuInSeCIS(CuInSe22), CIGS(Cu(In,Ga)Se), CIGS(Cu(In,Ga)Se22))로로 표기하며표기하며포괄적으로포괄적으로 CISCIS 태양전지라고태양전지라고 표현표현


CISCIS 박막박막 태양전지태양전지현재현재 사용되고사용되고 있는있는 고가의고가의 결정질결정질 실리콘실리콘

태양전지를태양전지를 대체하여대체하여 태양광태양광 발전의발전의 경제성을경제성을

획기적으로획기적으로 향상시킬향상시킬 수수 있는있는 저가저가, , 고효율의고효율의

태양전지태양전지 재료로재료로 부각부각

고에너지의고에너지의 방사선에방사선에 안정하며안정하며 고효율고효율 태양전지의태양전지의

경량화가경량화가 가능하여가능하여 미래미래 우주용우주용 태양전지로도태양전지로도

주목주목


태양전지태양전지 재료별재료별 흡수계수흡수계수


CISCIS를를 광흡수층으로광흡수층으로 하는하는 태양전지의태양전지의 구조구조

유리를유리를 기판으로기판으로 55개의개의

단위단위 박막박막--배면전극배면전극, ,

광흡수층광흡수층, buffer, buffer층층, , 앞면앞면

투명전극투명전극, , 반사방지막을반사방지막을

순차적으로순차적으로 형성형성

단위박막별로단위박막별로 다양한다양한

종류의종류의 재료와재료와 조성조성, , 또한또한

제조방법에서는제조방법에서는 갖가지갖가지

물리적물리적, , 화학적화학적 박막박막

제조방법이제조방법이 사용사용


기판기판

기판의기판의 재질로는재질로는 일반적으로일반적으로 유리가유리가 사용사용, , 그밖에그밖에

알루미나와알루미나와 같은같은 세라믹세라믹 기판기판, , 스테인레스스테인레스 스틸스틸, ,

Cu tapeCu tape 같은같은 금속금속 기판기판, , 폴리머폴리머 등도등도 사용이사용이 가능가능..유리기판으로유리기판으로 값싼값싼 소다회소다회 유리유리 ((SodalimeSodalimeglass)glass)를를 사용사용. . 소다회소다회 유리유리 기판은기판은 코닝코닝 유리유리기판에기판에 비해비해 저렴하여저렴하여 공정온도의공정온도의 한계한계

(600 (600 ℃℃))가가 있음에도있음에도 기판재료로기판재료로 사용사용연구가연구가 진행되면서진행되면서 소다회소다회 유리에서유리에서 확산된확산된 NaNa이이태양전지의태양전지의 광전압광전압 특성을특성을 향상시킨다는향상시킨다는 사실이사실이

알려져알려져 최근최근 가장가장 널리널리 사용사용


배면전극배면전극Ni, CuNi, Cu를를 배면전극으로배면전극으로 시도된시도된 바가바가 있으나있으나 MoMo이이가장가장 광범위하게광범위하게 사용사용 –– MoMo이이 가진가진 높은높은전기전도도전기전도도, , CIGSCIGS에의에의 ohmicohmic contact, Secontact, Se분위기분위기 하에서의하에서의 고온고온 안정성안정성 때문때문

MoMo 박막의박막의 제조는제조는 D.C. sputteringD.C. sputtering이이 가장가장 널리널리이용이용. . MoMo 박막은박막은 전극으로서전극으로서 비저항이비저항이 낮아야낮아야하고하고 또한또한 열팽창계수의열팽창계수의 차이로차이로 인하여인하여

박리현상이박리현상이 일어나지일어나지 않도록않도록 유리유리 기판에의기판에의 점착성이점착성이

우수해야우수해야 한다한다. . ArAr 분압을분압을 높여높여 점착성이점착성이 좋은좋은 막을막을 얇게얇게형성시키고형성시키고 그그 위에위에 저항이저항이 낮은낮은 박막을박막을 형성하는형성하는 22중중

구조를구조를 통하여통하여 높은높은 점착성과점착성과 낮은낮은 비저항의비저항의 배면배면 전극을전극을

형성형성


BufferBuffer 층층CISCIS 태양전지는태양전지는 pp형형 반도체인반도체인 CuInSeCuInSe22 박막과박막과nn형형 반도체로반도체로 windowwindow 층으로층으로 사용되는사용되는 ZnOZnO박막이박막이 pnpn 접합을접합을 형성형성. . 두두 물질은물질은 격자상수와격자상수와에너지밴드갭의에너지밴드갭의 차이가차이가 크기크기 때문에때문에 양호한양호한

접합을접합을 형성하기형성하기 위해서는위해서는 밴드갭이밴드갭이 두두 물질의물질의

중간에중간에 위치하는위치하는 bufferbuffer층이층이 필요필요. . 현재현재 가장가장 높은높은효율의효율의 태양전지에태양전지에 사용되고사용되고 있는있는 것은것은 CdSCdSCdSCdS 박막은박막은 CBD(ChemicalCBD(Chemical Bath Deposition)Bath Deposition)방법을방법을 사용하여사용하여 두께두께 약약 500 500 ÅÅ 정도의정도의 박막으로박막으로형성형성. . 2.46 2.46 eVeV의의 에너지밴드갭을에너지밴드갭을 가지며가지며, , 이는이는 약약550nm550nm의의 wavelengthwavelength에에 해당해당..


BufferBuffer 층층CdSCdS 박막은박막은 nn형형 반도체이며반도체이며, In, , In, GaGa, Al, Al 등을등을dopingdoping함으로써함으로써 낮은낮은 저항값을저항값을 얻음얻음..CBDCBD 방법에방법에 있어있어 증착되는증착되는 CdSCdS막의막의 특성을특성을결정하는결정하는 가장가장 중요한중요한 변수로는변수로는 증착온도증착온도, , 용액의용액의

pHpH, , 막의막의 두께두께 등등. . CBDCBD 법이란법이란 용액용액 내에내에적정량의적정량의 CdCd++와와 SS——이온을이온을 만들고만들고 용액의용액의 온도를온도를 조절하여조절하여각각 이온이온 농도의농도의 곱이곱이 용액의용액의 용해도적보다용해도적보다 큰큰 경우에경우에 CdSCdS의의형태로형태로 석출되는석출되는 성질을성질을 이용한이용한 것것. .

CdSCdS 박막은박막은 값싼값싼 공정으로공정으로 우수한우수한 특성의특성의 박막을박막을 얻을얻을 수수있지만있지만 단점은단점은 우선우선 CdCd 물질물질 자체가자체가 독성인독성인 점과점과 또한또한 여타여타단위단위 박막과는박막과는 달리달리 습식습식 화학공정을화학공정을 이용한다는이용한다는 점점


BufferBuffer 층층대안으로대안으로 물리적물리적 박막공정으로박막공정으로 제조제조 가능한가능한

InInxxSeSeyy을을 사용사용. . 약약 2 2 eVeV의의 에너지밴드갭을에너지밴드갭을 가진가진InInxxSeSeyy는는 광특성이광특성이 양호하고양호하고, , CISCIS와와 비슷한비슷한defect chalcopyritedefect chalcopyrite 결정구조로결정구조로 접합접합 특성이특성이개선될개선될 수수 있는있는 장점장점

InInxxSeSeyy는는 CISCIS와와 동일동일 장치로장치로 제조가제조가 가능하기가능하기때문에때문에 경제적으로도경제적으로도 훨씬훨씬 유리유리. . 효율은효율은 CdSCdS에에비해비해 낮음낮음

InInxxSeSeyy외에외에 bufferbuffer 층의층의 대체재료로대체재료로 연구되는연구되는물질물질 –– Zn(O,S,OH)Zn(O,S,OH)xx, , In(OH)In(OH)xxSSyy, , ZnInZnInxxSeSeyy, , ZnSeZnSe 등등


광흡수층광흡수층초기에초기에 사용된사용된 삼원화합물인삼원화합물인 CuInSeCuInSe22는는에너지밴드갭이에너지밴드갭이 1.04 1.04 eVeV로로 단락전류는단락전류는 높으나높으나, , 개방전압이개방전압이 낮아낮아 높은높은 효율을효율을 얻을얻을 수수 없었으나없었으나, ,

현재현재 개방전압을개방전압을 높이기높이기 위해위해 CuInSeCuInSe22의의 InIn의의일부를일부를 GaGa 원소로원소로 대치하거나대치하거나 SeSe를를 SS로로 대치하는대치하는방법을방법을 사용사용

CuGaSeCuGaSe22는는 밴드갭이밴드갭이 약약 1.7 1.7 eVeV로로 GaGa이이 첨가된첨가된Cu(InCu(InxxGaGa11--xx)Se)Se22 화합물화합물 반도체의반도체의 밴드갭은밴드갭은 GaGa첨가량에첨가량에 따라따라 조절조절 가능가능

광흡수층의광흡수층의 에너지밴드갭이에너지밴드갭이 클클 경우경우 개방전압은개방전압은

증가하지만증가하지만, , 단락전류가단락전류가 감소하므로감소하므로 GaGa의의 적정한적정한함량조절이함량조절이 필요필요


광흡수층광흡수층CISCIS 박막은박막은 다원화합물이기다원화합물이기 때문에때문에 제조공정이제조공정이매우매우 까다롭다까다롭다. . 물리적인물리적인 박막제조방법으로는박막제조방법으로는

진공증발법진공증발법(evaporation), sputtering + (evaporation), sputtering + selenizationselenization,, 화학적인화학적인 방법으로는방법으로는electrodepositionelectrodeposition 등이등이 있고있고, , 각각 방법에방법에있어서도있어서도 출발물질출발물질((금속금속, , 22원원 화합물화합물 등등))의의 종류에종류에따라따라 다양한다양한 제조제조 방법이방법이 가능가능

CISCIS 박막의박막의 특성은특성은 박막의박막의 조성뿐만조성뿐만 아니라아니라기판의기판의 온도온도, , 증착시간증착시간 등에등에 의해서도의해서도 크게크게

변하기변하기 때문에때문에 엄밀한엄밀한 공정제어가공정제어가 필수적필수적


WindowWindow 층층nn형형 반도체로서반도체로서 CISCIS와와 pnpn접합을접합을 형성하는형성하는windowwindow층은층은 태양전지태양전지 전면의전면의 투명전극으로서의투명전극으로서의기능을기능을 하기하기 때문에때문에 광투과율이광투과율이 높아야높아야 하고하고 전기전기

전도성이전도성이 좋아야좋아야 한다한다..

현재현재 사용되고사용되고 있는있는 ZnOZnO는는 에너지밴드갭이에너지밴드갭이 약약3.3 3.3 eVeV이고이고, , 약약 80%80% 이상의이상의 높은높은 광투과도를광투과도를가지며가지며, , AlAl이나이나 BB 등으로등으로 도핑하여도핑하여 1010--33 ΩΩcmcm이하의이하의 낮은낮은 저항값을저항값을 얻을얻을 수수 있다있다. . BB의의 도핑은도핑은근적외선근적외선 영역의영역의 광투과도가광투과도가 증가하여증가하여 단락전류를단락전류를

증가하는증가하는 효과효과


WindowWindow층층ZnOZnO 박막은박막은 RF sputteringRF sputtering방법으로방법으로 ZnOZnOtargettarget을을 사용하여사용하여 증착하는증착하는 방법과방법과, , Zn metalZn metal을을이용한이용한 reactive sputtering,reactive sputtering, 그리고그리고 MOCVD MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)방법방법 등이등이 사용사용

전기광학적전기광학적 특성이특성이 뛰어난뛰어난 ITO (Indium Tin ITO (Indium Tin Oxide)Oxide) 박막을박막을 ZnOZnO 박막위에박막위에 증착한증착한 22중중 구조를구조를채택하기도채택하기도 한다한다. . 최근에는최근에는 CdSCdS 박막위에박막위에 우선우선도핑하지도핑하지 않은않은 ii형의형의 ZnOZnO 박막을박막을 증착한증착한 다음다음, , 그그 위에위에 낮은낮은 저항을저항을 가진가진 nn형의형의 ZnOZnO 박막을박막을증착하여증착하여 태양전지의태양전지의 효율을효율을 개선개선


반사방지막반사방지막, , 그리드그리드 전극전극

태양전지에태양전지에 입사되는입사되는 태양광의태양광의 반사반사 손실을손실을

줄이면줄이면 약약 1%1% 정도의정도의 태양전지태양전지 효율효율 향상이향상이 가능가능. . 반사방지막의반사방지막의 재질로는재질로는 보통보통 MgFMgF22가가 사용되는데사용되는데, , 물질적인물질적인 박막박막 제조법으로제조법으로 EE--beam beam evaporationevaporation이이 가장가장 대표적대표적그리드그리드 전극은전극은 태양전지태양전지 표면에서의표면에서의 전류를전류를

수집하기수집하기 위한위한 것으로것으로 Al,Al, 또는또는 Ni/AlNi/Al 재질이재질이일반적일반적. . 그리드그리드 면적은면적은 태양광이태양광이 흡수되지흡수되지 않기않기

때문에때문에 그그 면적만큼면적만큼 효율의효율의 손실요인손실요인


CdTeCdTe 태양전지의태양전지의 구조구조 및및 원리원리유리유리 기판기판 위에위에 투명전극투명전극 (transparent (transparent conductive oxide, TCO)conductive oxide, TCO)가가 전면전면 코팅되어코팅되어있으며있으며 빛을빛을 투과시키고투과시키고 전자를전자를 모으는모으는 전면전극전면전극

(front electrode)(front electrode) 역할역할. . 그그 위에위에 CdSCdS, , CdTeCdTe,,배면전극으로배면전극으로 구성구성. . 투명전극은투명전극은 InIn22OO33, SnO, SnO22, , Indium Tin Oxide (ITO)Indium Tin Oxide (ITO) 등이등이 이용이용..CdTeCdTe 태양전지의태양전지의 핵심은핵심은 nn--CdS/pCdS/p--CdTeCdTe이종접합이종접합. . CdTeCdTe와와 CdSCdS가가 격자격자 불일치가불일치가 적어적어nn--CdS/pCdS/p--CdTeCdTe 이종접합을이종접합을 쉽게쉽게 구성구성. . CdSCdS는는밴드갭이밴드갭이 약약 2.4 2.4 eVeV로로 커서커서 가시광선가시광선 중중 단파장단파장일부만일부만 흡수하고흡수하고 다른다른 대부분의대부분의 가시광선은가시광선은

CdTeCdTe로로 투과투과


CdTeCdTe 태양전지의태양전지의 구조구조 및및 원리원리CdTeCdTe에서에서 생성된생성된 excess carrierexcess carrier들은들은 CdTeCdTe 내의내의내부전장에내부전장에 의해의해 분리분리

CdTeCdTe의의 경우경우 광흡수계수가광흡수계수가 매우매우 높아높아 excess excess carriercarrier들이들이 pp--type type CdTeCdTe의의 전기장전기장 발생발생지역에서지역에서 많이많이 생성되기생성되기 때문에때문에 전하의전하의 수집은수집은

bulkbulk확산보다는확산보다는 내부내부 전기장에전기장에 의해의해 결정결정


CdSCdS 광투과층광투과층CdSCdS에서는에서는 내부내부 전기장이전기장이 거의거의 발생되지발생되지 않고않고minority carrier life timeminority carrier life time 또한또한 매우매우 작아서작아서광전압광전압 반응에반응에 있어서있어서 CdSCdS는는 큰큰 열할을열할을 하지하지 못함못함. . 빛의빛의 투과를투과를 최대로최대로 하기하기 위해서위해서 CdSCdS의의 두께는두께는최소화최소화..

CdSCdS 밴드갭이밴드갭이 2.4 2.4 eVeV라라 청색광이청색광이 흡수되어흡수되어손실이손실이 일어나므로일어나므로 고효율고효율 셀셀 제조를제조를 위해서는위해서는

밴드갭이밴드갭이 더더 큰큰 투과층이투과층이 필요필요..

CdSCdS는는 박막박막 또는또는 결정의결정의 성장성장 과정에서과정에서 생성된생성된과잉의과잉의 CdCd로로 인해인해 발생된발생된 SS의의 공공이공공이 donordonor로로작용하므로작용하므로 불순물을불순물을 첨가하지첨가하지 않더라도않더라도 쉽게쉽게

0.1cm0.1cm이하의이하의 비저항을비저항을 얻을얻을 수수 있음있음


CdSCdS 광투과층광투과층CdSCdS를를 증착하는증착하는 방법으로는방법으로는 진공진공 증착법증착법(vacuum evaporation), sputtering(vacuum evaporation), sputtering, , 화학기상증착법화학기상증착법, , 열분해법과열분해법과 CBDCBD법법 등등


CdTeCdTe 광흡수층광흡수층CdTeCdTe는는 Sputtering, Evaporation, Sputtering, Evaporation, ElectrodepositionElectrodeposition, chemical spraying, screen , chemical spraying, screen printing,printing, 화학기상증착법화학기상증착법, , 근접승화법근접승화법 등등 다양한다양한방법으로방법으로 제조가제조가 가능가능

증착된증착된 CdTeCdTe 태양전지는태양전지는 10~16%10~16%의의 효율효율근접승화법근접승화법 -- 반응챔버의반응챔버의 하부하부 소스소스 온도는온도는 600600℃℃

정도로정도로 상부기판은상부기판은 약약 550550℃℃ 정도로정도로 하부하부 소스소스

온도를온도를 상부상부 기판기판 온도보다온도보다 높게높게 해주면해주면 온도온도

차이에차이에 의해의해 CdTeCdTe 소스가소스가 고온에서고온에서 저온으로저온으로승화승화 이동이동..

Borosilicate glassBorosilicate glass 기판에서기판에서 기판온도가기판온도가 600600℃℃근처에서근처에서 제조한제조한 태양전지가태양전지가 고효율을고효율을 나타냄나타냄..


배면전극배면전극CdTeCdTe 태양전지에서태양전지에서 가장가장 중요하게중요하게 해결해야해결해야 할할과제는과제는 저항이저항이 낮고낮고 안정한안정한 배면전극을배면전극을

형성하는형성하는 것것

CdTeCdTe는는 일함수가일함수가 매우매우 커서커서 ((약약 6 6 eVeV) ) 보통의보통의금속전극을금속전극을 사용했을사용했을 경우경우 pp--type type CdTeCdTe와와금속금속 간에는간에는 SchottkySchottky contactcontact 형성형성, , 이이 경우경우CdTeCdTe와와 CdSCdS의의 junction diodejunction diode와와 반대방향으로반대방향으로다른다른 에너지에너지 장벽장벽 발생발생

서로서로 다른다른 두두 개의개의 다이오드가다이오드가 연결되어연결되어 있으면있으면

pnpn접합에접합에 순방향순방향 전압이전압이 걸렸을걸렸을 때때 SchottkySchottkycontactcontact에에 역방향역방향 전압이전압이 걸려걸려 정류작용을정류작용을 일으켜일으켜전체적으로전체적으로 전압증가에전압증가에 따른따른 전류증가를전류증가를 억제하는억제하는

roll overroll over현상현상 발생발생


배면전극배면전극

배면전극을배면전극을 형성하는형성하는 방법은방법은 비교적비교적 일함수가일함수가 큰큰

금속을금속을 증착하거나증착하거나 CuCu를를 dopingdoping하는하는 방법방법, , p+p+반도체를반도체를 CdTeCdTe와와 금속전극금속전극 사이에사이에 끼워끼워 넣는넣는방법이방법이 있음있음

Au, Cu/Au, Te, Ni/Al, Au, Cu/Au, Te, Ni/Al, ZnTe:CZnTe:C, Cu, Cu--doped doped graphitegraphite 등의등의 물질들이물질들이 배면전극으로배면전극으로 사용사용CuCu를를 dopingdoping하거나하거나 CuCu--doped carbondoped carbon을을사용하는사용하는 것이것이 고효율을고효율을 보이며보이며, , CuCu가가 포함되지포함되지않는않는 물질로는물질로는 Ni:PNi:P, Sb, Sb22TeTe33, , HgTeHgTe 등이등이 제안제안

태양광발전 시스템의 소재(1)목 차화합물 반도체 태양전지화합물 반도체 태양전지화합물 반도체 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CIS 박막 태양전지CdTe 박막 태양전지CdTe 박막 태양전지CdTe 박막 태양전지CdTe 박막 태양전지CdTe 박막 태양전지CdTe 박막 태양전지CdTe 박막 태양전지

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