Electrotehnica -Teste Dioda

8/20/2019 Electrotehnica -Teste Dioda

1/12

1

Capitolul 1

Dioda semiconductoare “p-n”

1.1p

Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu p a fost notată:

ANp ≅

A

DNn ≅

C

Jonţ iune

metalurgică

Figura 1.1

a) concentraţia de atomi acceptori;b) concentraţia de atomi donori;c) concentraţia de electroni;d) concentraţia de goluri.

2.1p

Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu n a fost notată:

a) concentraţia de atomi acceptori;b) concentraţia de atomi donori;c) concentraţia de electroni;

d) concentraţia de goluri.

3.1p

Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu N A a fost notată:

a) concentraţia de atomi acceptori;b) concentraţia de atomi donori;c) concentraţia de electroni;d) concentraţia de goluri.

4.1p

Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu N D a fost notată:

a) concentraţia de atomi acceptori;b) concentraţia de atomi donori;

c) concentraţia de electroni;d) concentraţia de goluri.


2/12

Dida semiconductoare „p-n”

2

5.1p Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu A a fostnotat:

iA

vA

A C

Figura 1.2

a.) anod;b.) catod;c.) valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă;d.) valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;

6.1p

Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu C a fostnotat:


7.1p

Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu v A a fostnotat:


8.

1p

Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu i A a fost

notat:a.) anod;b.) catod;c.) valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă;d.) valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;

9.3p

Prin efect de diod ă se înţelege:

a.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă numai de la catod spre anod;

b.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă numai de la anod spre catod;

c.) în funcţionare normală – practic – sensul curentului prin diodă este dictat de circuitul exterior diodei;

d.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă


3/12

Elemente de electronică analogică - teste

3

uneori de la anod la catod alteori de la catod la anod;

10.1p

Figura 1.3 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notată 1 reprezintă

p n

- -

- -

- -

- -

- -

- -

- -

+ + + +

+ + + +

+ + + +

+ + + +

+ + + +

+ + + +

E

1. 3.2.

Figura 1.3

a.) regiunea neutră p;b.) regiunea neutră n;c.) regiunea de tranziţie;d.) nu are o semnificaţie deosebită.

11.1p



12.1p



14.2p

Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea detranziţie -responsabilă pentru apariţia efectului de diodă - apare în jurul joncţiunii metalurgice ca efect al:

p n

- - - -- - - -- - - -- - - -- - - -

+ + + + ++ + + + ++ + + + ++ + + + ++ + + + +

E

Regiuneneutra p Regiuneneutră n

Regiune detranziţ ie

Figura 1.4

a.) difuziei purtătorilor fixi;


4/12


4

b.) sarcinii purtătorilor mobili;c.) sarcinii purtătorilor fixi;d.) difuziei purtătorilor mobili.

15.3p

Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea detranziţie -responsabilă pentru apariţia efectului de diodă - apare în jurul joncţiunii metalurgice ca efect al difuziei purtătorilor mobili. Fenomenulde difuzie este cauzat de:

a.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintreregiunea neutră p şi regiunea de tranziţie;

b.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintreregiunea neutră n şi regiunea de tranziţie;

c.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintre

regiunea neutră n şi regiunea neutră p;d.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori din

jurul joncţiunii metalurgice.

16.3p

Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea detranziţie -responsabilă pentru apariţia efectului de diodă - apare în jurul joncţiunii metalurgice ca efect al difuziei purtătorilor mobili. Fenomenulde difuzie este cauzat de gradientul de concentraţie existent în jurul joncţiunii metalurgice. Urmare a acestui fenomen în structură aparsarcini fixe reprezentate de:

a.) ionii prinşi în reţeaua cristalină;b.) electronii din structură;c.) golurile din structură;

d.) structura reţelei cristaline

17.2p

Câmpul electric intern existent la nivelul regiunii de tranziţie estedatorat:

a.) ionilor prinşi în reţeaua cristalină;b.) electronilor din structură;c.) golurilor din structură;d.) structurii reţelei cristaline.

18.2p

La polarizare inversă plus (+) pe catod şi minus (-) pe anod barierainternă de potenţial este:

a.) crescută;b.) coborâtă;c.) neafectată;d.) uneori crescută, uneori coborâtă.


5/12


5

19.2p

La polarizare directă plus (+) pe anod şi minus (-) pe catod barierainternă de potenţial este:

a.) crescută;b.) coborâtă;c.) neafectată;d.) uneori crescută, uneori coborâtă.

20.2p

Din punct de vedere formal, dioda este integral descrisă de:

a.) singură ecuaţie caracteristică;b.) un sistem de două ecuaţii caracteristice;c.) un număr de ecuaţii care depinde de topologia circuitului;

d.) un număr de ecuaţii care depinde de regimul de funcţionare

21.3p

Din punct de vedere formal, în regim cvasistatic de semnal mare diodaeste integral descrisă de o ecuaţie de tipul:

a.) 0,,,,,,,,,, 1 =

pm

A

m

A An

A

n

A A

dt

vd

dt

dvv

dt

id

dt

dii E θ θ KKK

b.) ( ) 0, = A A vi E c.)

aaa vgi =

d.) 0,,,,,,, =

m

A

m

A An

A

n

A A

dt

vd

dt

dvv

dt

id

dt

dii E KK

22.3p

Din punct de vedere formal, în regim cvasistatic de semnal mic diodaeste integral descrisă de o ecuaţie de tipul:

a.) 0,,,,,,,,,, 1 =

pm

A

m

A An

A

n

A A

dt

vd

dt

dvv

dt

id

dt

dii E θ θ KKK

b.) ( ) 0, = A A

vi E c.)

aaa vgi =

d.) 0,,,,,,, =

m

A

m

A An

A

n

A A

dt

vd

dt

dvv

dt

id

dt

dii E KK

23.2p

Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) adiodei ideale este

a.)

−

= 1exp A

T

S A v

e

I i


6/12


6

b.)

−

= 1expT

AS A

e

v I i

c.)

+

= 1exp

T

AS A

e

v I i

d.)

+

= 1exp

A

T S A

v

e I i

24.2p

Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) adiodei ideale este:

−

= 1exp

T

AS A

e

v I i

unde:

q

kT eT =

şi poartă numele de tensiune termică. S-au folosit notaţiile:k constanta lui Boltzman;q sarcina electronului;T temperatura absolută.

La temperatura ambiantă eT are valoarea:a.) eT ≅2.5 mVb.) eT ≅25 mVc.) eT ≅250 mVd.) eT ≅2.5 V

25.1p

Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode.

IS

VBR

vA

iA

Vγ

1.

4.2.

3.

Figura 1.5

IS reprezintă:a) curentul mediu redresat monoalternanţă;b) curentul maxim admisibil;


7/12


7

c) curentul rezidual;d) curentul mediu redresat dublă alternanţă.

26.1p


Vγ reprezintă:a) tensiunea de străpungere;b) tensiunea de prag;c) tensiunea medie redresată monoalternanţă;d) tensiunea medie redresată dublă alternanţă

27.1p


VBR reprezintă:a) tensiunea de străpungere;b) tensiunea de prag;c) tensiunea medie redresată monoalternanţă;d) tensiunea medie redresată dublă alternanţă

28.1p

Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Cu 1 a fost notată regiunea de:

a) străpungere;b) blocare la polarizare inversă;c) blocare la polarizare directă;d) conducţie

29.1p



30.1p



31. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Cu 4 a fost notată


8/12


8

1p regiunea de:a) străpungere;b) blocare la polarizare inversă;c) blocare la polarizare directă;d) conducţie

32.2p

Figura 1.6 prezinta o posibilă liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 şipoartă numele de model de ordin zero.

vA

iA

Model de ordin zero Caracteristica reală

Figura 1.6

Conform acestei aproximări schema echivalentă a diodei este:a.)

A Cconducţ ie

blocare

A

A C

V γ C

rB

b.)A C

conducţ ie

blocare

A A C

Vγ

C

c.)A C

conducţ ie

blocare

A

A C

C

d.)A C

conducţ ie

blocare

A

A C

C

33.2p

Figura 1.6 prezinta o posibilă liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 şipoartă numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximări înregim de conducţie dioda se comportă ca:

a) un rezistor;b) un circuit întrerupt;c) un scurtcircuit;

d) un condensator

34. Figura 1.6 prezinta o posibilă liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 şi


9/12


9

2p poartă numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximări înregim de blocare dioda se comportă ca:a) un rezistor;b) un circuit întrerupt;c) un scurtcircuit;d) un condensator

35.3p

Multiplicarea în avalan şă are loc la:

a) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor slab dopate.b) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor slab dopate.c) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.d) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.

36.3p

Efectul "tunel" are loc:

a) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor slab dopate.b) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor slab dopate.c) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.d) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.

37.2p

Figura 1.7 prezintă caracteristica statică a unei diode stabilizatoare.

IZM

IZm

VZ vZ

iZ

Figura 1.7

Pentru a putea realiza funcţia de stabilizare a tensiunii o asemenea diodă trebuie să lucreze în regim de:


38.

2p

Figura 1.7 prezintă caracteristica statică a unei diode stabilizatoare.

Pentru a putea realiza funcţia de stabilizare a tensiunii trebuie să satisfacă condiţia:a)

M m Z Z Z I i I ≤≥


10/12


10

b) M m Z Z Z I i I ≤≤ c)

M m Z Z Z I i I ≥≥

d) M m Z Z Z

I i I ≥≤

39.2p

În situaţii reale există anumite limitări pentru a evita distrugerea uneidiode redresoare. Cele mai uzuale limitări sunt:

a) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VBR (tensiunea destrăpungere);

b) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi VZ (tensiuneanominală de stabilizare)

c) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VZ (tensiunea nominală

de stabilizare)d) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi IFM (curentuldirect maxim admisibil)

40.2p

În situaţii reale există anumite limitări pentru a evita distrugerea uneidiode stabilizatoare. Cele mai uzuale limitări sunt:

a) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VBR (tensiunea destrăpungere);

b) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi VZ (tensiuneanominală de stabilizare)

c) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VZ (tensiunea nominală de stabilizare)

d) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi IFM (curentul

direct maxim admisibil)

41.4p

Valoarea curentului IA care circulă prin dioda din figura esteaproximativ:

IA

VA

E(10V)

I(2mA)

IR

D

R1(1k Ώ)

R2(1k Ώ)

Figura 1.8

a) mA I A 4≅

b) mA I A 4−≅

c) mA I A

0≅

d) mA I A 2≅


11/12


11

42.4p Căderea de tensiune pe dioda prezentă în circuitul din figura 1.8 esteaproximativ:

a) V V A 10−=

b) V V A 8−=

c) V V A 8=

d) V V A 10=

43.3p

Condiţia de semnal mic pentru o diodă semiconductoare este îndeplinită dacă:

a) semnalul pe diodă este mai mic de 2.5 mVb) semnalul pe diodă este mai mic de 10 mVc) semnalul pe diodă este mai mic de 25 mVd) semnalul pe diodă este mai mic de 100 mV

44.3p

Conductanţa de semnal mic a diodei semiconductoare are valoarea:

a) [ ] [ ]mA I mS g Aa 25=

b) [ ] [ ]mA I mS g Aa 5.2=

c) [ ] [ ]mA I mS g Aa 4=

d) [ ] [ ]mA I mS g Aa 40=

45.3p

Modelul matematic al unei diode semiconductoare care lucrează în regimcvasistatic de semnal mic este:

a) aaa vgi = b)

−

= 1exp

T

AS A

e

v I i

c) 1−= aaa vgi

d)

=

T

AS A

e

v I i exp

46.3p

Schema echivalentă a unei diode semiconductoare care lucrează în regimcvasistatic de semnal mic este:a.)

C ga

A

Ca

b.)

C

ga

A

c.)

C A

d.)

C A


12/12


12

Ră spunsuri

1. Răspuns corect: d.) 24. Răspuns corect b.)2. Răspuns corect: c.) 25. Răspuns corect c.)3. Răspuns corect: a.) 26. Răspuns corect b.)4. Răspuns corect: b.) 27. Răspuns corect a.)5. Răspuns corect a.) 28. Răspuns corect a.)6. Răspuns corect b.) 29. Răspuns corect b.)

7. Răspuns corect c.) 30. Răspuns corect c.)8. Răspuns corect d.) 31. Răspuns corect d.)9. Răspuns corect b.) 32. Răspuns corect d.)10. Răspuns corect a.) 33. Răspuns corect c.)11. Răspuns corect c.) 34. Răspuns corect c.)12. Răspuns corect b.) 35. Răspuns corect a.)14. Răspuns corect d.) 36. Răspuns corect d.)15. Răspuns corect d.) 37. Răspuns corect a.)16. Răspuns corect a.) 38. Răspuns corect b.)17. Răspuns corect a.) 39. Răspuns corect a.)18. Răspuns corect a.) 40. Răspuns corect b.)19. Răspuns corect b.) 41. Răspuns corect c.)20. Răspuns corect a.) 42. Răspuns corect b.)

21. Răspuns corect b.) 43. Răspuns corect b.)22. Răspuns corect c.) 44. Răspuns corect d.)23. Răspuns corect b.) 45. Răspuns corect a.)24. Răspuns corect b.) 46. Răspuns corect b.)

Electrotehnica -Teste Dioda

Documents

Transcript of Electrotehnica -Teste Dioda