Electronique Analogique _ II1F

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    Electronique Analogique

    UNIVERSITE DE LA MANNOUBA

    Premire anne-II1

    A.U. 2012-2013

    http://www.isi.rnu.tn/isihttp://www.isi.rnu.tn/isi
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    Contenu du cours d lectronique analogique

    1. Les Diodes et applications des diodes

    2. Le Transistor bipolaire et applications

    3. Les Amplificateurs oprationnels et applications

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    Chapitre 1

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    Les Diodes

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    Id

    Vd

    1.1 Dfinition

    Caractristique courant-tension dunediode idale :

    Id

    Vd sous polarisationdirecte

    (Vd0), la diode = court-circuit

    (i.e. conducteurparfait)

    sous polarisation inverse (Vd

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    1.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium

    hyp:rgime statique

    (tension et courant

    indpendants dutemps)

    Vd-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1

    20

    60

    100

    140

    Id

    Is

    PourVd> ~0.7,le courant augmente rapidement avec une variation peu prs linairela diode est dite passantemaisId nest pas proportionnel Vd (il existe une tension seuil~ Vo)

    Vo

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    Vd-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1

    20

    60

    100

    140

    Id

    1exp

    T

    dsd

    V

    VII

    Zone du coude : Vd[0,~Vo] : augmentation exponentielle du courant

    avec 12 (facteur didalit)

    VT= k T/e

    k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann

    e= 1.6 10-19Coulomb, Tla temprature en Kelvin

    Is = courant inverse

    le comportement est fortement non-linaire

    forte variation avec la temprature

    Vo

    ! VT(300K) = 26 mV / Diode idale car comportement identique celle prvue pour une jonction PN

    1.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium

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    Zone de claquage inverse

    Ordre de grandeur :Vmax= quelques dizaines de Volts

    ! peut conduire la destruction pour une

    diode non conue pour fonctionner dans

    cette zone.

    ! Vmax = P.I. V (Peak Inverse Voltage) ou

    P.R.V (Peak Reverse Voltage)

    Id

    Vd

    Vmax

    claquage par effet

    Zener ou Avalanche

    Vo

    L imi tes de fonctionnement :

    Il faut que VdId=Pmax

    L imi tation en puissance

    VdId=Pmax

    I nf luence de T :

    Vd( Id constant) diminue de ~2mV/C

    diode bloque : Id= IS double tous les 10C

    diode passante :

    (diode en Si)

    (1/2W pour les diodes standards)

    1.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium

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    1.3 Diode dans un circuit et droite de charge

    Point de fonctionnement

    Val RL VR

    Id

    Id , Vd,?

    Comment dterminer la tension aux bornes dune diode insre dans un circuit et lecourant qui la traverse?

    Vd

    Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

    Id et Vd sont sur la caractristique I(V) du composant

    Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

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    Val/RL

    Val

    Droi te de charge

    Id

    Vd

    Caractristique I(V)

    Droite de charge

    Loi de Kirchoff :L

    dald

    R

    VVI

    = Droite de chargede la diode dans le circuit

    ConnaissantId(Vd) on peut dterminer graphiquement le point de fonctionnement

    !procdure valable quelque soit la caractristique I(V) du composant !

    On peut calculer le point de fonctionnement en dcrivant la diode par unmodle simplifi.

    Q= Point de fonctionnementIQ

    VQ

    Q

    1.3 Diode dans un circuit et droite de charge

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    Modle de 3ime ApproximationId

    Vd tension seuil Vonon nulle

    rsistance directe Rfnon nulle

    Vd Vo:

    Val

    Ri

    Id

    Vd

    Val Rr

    diode bloqueVal> MW,

    1.4 Modles statiques

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    Remarques :

    d

    df

    I

    VR

    Le choix du modle dpend de la prcision requise.

    Les effets secondaires (influence de la temprature, non-linarit de la

    caractristique inverse, .) sont pris en compte par des modles plus volus(modles utiliss dans les simulateurs de circuit de type SPICE).

    1.4 Modles statiques

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    Variation suffisamment lente pour queID(VD) soit toujours en accord avec la

    caractristique statique de la diode.

    Variationde petite amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :

    la caractristiqueId(Vd) peut tre approxime par la tangente en Q

    d

    Qd

    dd v

    dV

    dIi

    schma quivalentdynamique

    correspondant au point Q :

    1

    Qd

    d

    dV

    dI= rsistance dynamique

    de la diode

    Id

    Vd

    Vo

    Q

    Qdd

    dVdI

    pente :

    Qd

    I

    Qd

    V

    2|id|

    2| v|

    Modle petits signaux, basses frquences

    !Ce schma ne peut tre utilis QUEpour une analyse dynamiquedu circuit !

    1.5 Modles dynamiques

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    Notation :rf= = rsistance dynamique pour Vd

    Q> 0

    rr= = rsistance dynamique pour VdQ

    < 0

    1

    0

    dVd

    d

    dV

    dI

    1

    0

    dVd

    d

    dV

    dI

    ! temprature ambiante :

    125

    W mAI

    rd

    f

    Pour Vd>> Vo, rf Rf

    Pour Vd< 0 , rr Rr

    Pour Vd[0, ~Vo] ,

    d

    Ts

    V

    V

    sdVd

    df

    I

    VIeI

    dV

    d

    dV

    dIr T

    d

    d

    11

    !proche de Vo la caractristiqueI(V) scarte de la loi exponentielle

    rf ne devient jamais infrieure Rf (voir courbe exprimentale, p27)

    1.5 Modles dynamiques

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    16

    Exemple :

    Vd(t)Ve

    ve

    Ra

    1kW C

    10F D

    Rb2kW

    5V

    Analyse statique : VVmAI DD 62,0,2,22000

    6,05

    diode: Si, Rf= 10W, Vo = 0,6V ,

    Temprature : 300K

    tve 210sin1,03

    Analyse dynamique : ,122,2

    26 Wfr ac RZ W16

    Schma dynamique :

    1kW

    ve

    2kW

    ~ 12W

    vd

    tvd 210sin102,1 33

    Amplitude des ondulations rsiduelles : 1,2 mV

    1.5 Modles dynamiques

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    1 6 Q l di d i l

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    Sous polarisation inverse, la photodiode dlivre un courant proportionnel

    lintensit de la lumire incidente.

    Diode Schottky

    Une diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension Vo trs bas et un temps de

    rponse trs court.

    Diode Varicap

    Une varicap est une diode capacit variable. Elle utilise la variation de Ct avec Vd

    en polarisation inverse.

    Photodiode

    1.6 Quelques diodes spciales

    1 7 A li ti d Di d

    http://fr.wikipedia.org/wiki/Tensionhttp://images.google.fr/imgres?imgurl=http://www.microscopy-uk.org.uk/mag/imgdec00/photodiode.jpg&imgrefurl=http://www.microscopy-uk.org.uk/mag/artdec00/photodiode.html&h=218&w=360&sz=26&tbnid=A2CejK_ZncKs9M:&tbnh=70&tbnw=117&hl=fr&start=16&prev=/images%3Fq%3Dphotodiode%26svnum%3D10%26hl%3Dfr%26lr%3D%26sa%3DGhttp://fr.wikipedia.org/wiki/Tension
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    Limiteur de crte (clipping)

    Fonction : Protger les circuits sensibles (circuits intgrs, amplificateur grand gain) contre

    une tension dentre trop leve ou dune polarit donne.

    Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode.

    Clipping paral lle

    VeVg circuit protger

    Rg

    Ze

    (diode // charge)

    Cl ipping srie :

    Ve(t)circuit

    protgerZeVg

    Rg

    Ve ne peut dpasser significativement Vo

    Ie ne peut tre ngatif

    Ie

    1.7 Applications des Diodes

    1 7 A li ti d Di d

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    Protection par diode :

    Vmax

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    Alimentation

    Transformer un signal alternatif en tension continue stable

    (ex: pour lalimentation dun appareil en tension continue partir du secteur)

    Objectif:

    Les fonctions effectues par une alimentation :

    Redressement Filtrage passe-bas Rgulation

    V>0

    V

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    Redressement simple alternance

    220V

    50HzR

    cV

    s

    7.0 mVVs

    t(cf avant)

    Ri =rsistance de sortie du transformateur

    Vm =amplitude du signal du secondaire

    Redressement double alternance (pont de Graetz)

    D1 D2

    D3 D4

    R

    RcVi Vs

    Vi

    t

    Vs,

    VVi 4.1

    ~1.4V

    1.7 Applications des Diodes

    1 7 A li ti d Di d

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    avec fi l trage :

    avec condensateur

    sans condensateur

    D1 D2

    D3 D4

    R

    Vs

    50 W

    Rc=10

    kW

    Vi200F

    Charge du condensateur traversR

    et dcharge traversRc

    RC

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    1 7 Applications des Diodes

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    VcVg(t)

    C

    VdD

    Rg Cas par ticul ier :

    0poursin ttVV mg

    0pour0 tVc (C dcharg)

    Phase transitoireau cours de laquelle le condensateur se charge

    t (s)

    C=1F

    Rg=1kW

    f= 100hz

    Vm =5VVc

    Vg

    Vd

    charge du condensateur

    Vd0.7V

    Simulation

    1.7 Applications des Diodes

    1 7 Applications des Diodes

    http://d/spice8d/Circuits/Cours/Exemple%20Cours%201.DWGhttp://d/spice8d/Circuits/Cours/Exemple%20Cours%201.DWG
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    Exercice :Modifier le circuit pour obtenir une composante continuepositive.

    Charge de Cavec une constante de temps de RgC chaque fois que la diode est passante

    Dchargede Cavec une constante de temps RrC

    Le circuit remplit ses fonctions, si pourf >>1/RrC (105hz dans lexemple) :

    en rgime permanent: Vd Vg - Vm

    composante continue

    1.7 Applications des Diodes

    1 7 Applications des Diodes

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    30

    Multiplieur de tension

    Exemple : doubleur de tension

    clamping redresseur monoalternance avec filtre RC

    ~Vg Rc>> Rg

    Rg

    VD1 VRcVm=10V, f=50Hz, C=10F

    Rc=100kW.

    C

    Cl

    0pour2sin

    ttfVV mg

    t

    VD1,VRc

    rgime transitoire / permanent

    * En rgime tabli, le courant dentre du

    redresseur est faible(~ impdance dentre

    leve)

    mmR VVV c 24,12

    * Il ne sagit pas dune bonne source de

    tension,puisque le courant de sortie (dansRc)

    doit rester faible (~ rsistance interne leve)

    1.7 Applications des Diodes

    1 7 Applications des Diodes

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    Limpdance dentre de la charge doit tre >>Rf+ Rtransformateur+Rprotection

    ! source flottante ncessit du transformateur

    charge

    source

    AC

    Autreexemples: Doubleur de tension

    1.7 Applications des Diodes

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    2 1 Introduction

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    34

    on distingue le transisorbipolaire du transistor effet de champ

    diffrents mcanismes physiques

    Ils agissent, en 1ire approx., comme une source de courant command

    Idalement : ltage dentre ne dpend pasde ltage de sortie.

    Icontrle

    source de courant

    commande par un

    courant

    contrlecommand IAI

    A =gain en courant

    transistor bipolaire : command par un courant

    Vcontrle

    source de courant

    commande par une

    tension

    contrlecommand VGI

    G= transconductance.

    transistor effet de champ: command parune tension

    2.1 Introduction

    2 2 Structure et fonctionnement dun transistor bipolaire

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    Structure simplifie

    P+

    P

    N

    E

    B

    C

    metteur

    collecteur

    base

    Transistor PNP

    E

    C

    Transistor NPN

    N

    N

    P

    B

    +

    couplage

    entre lesdiodes

    diode EB

    diode BC

    Deux jonctions PN ou diodes couples effet transistor

    Symtrie NPN/PNP

    diode EB

    diode BC

    2.2 Structure et fonctionnement d un transistor bipolaire

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    2 2 Structure et fonctionnement dun transistor bipolaire

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    Premires di ffrencesentre le transistor bipolaire et la source commande idale...

    Contraintes de polarisation : VBE> ~0.7V, VCB>- 0.5V

    .

    Symboles

    B

    NPN

    C

    E

    B

    C

    E

    PNP

    IE >0 en mode actif

    PNP

    IC

    IE

    IB

    Conventions des courants :

    NPN

    IC

    IE

    IB

    IE= IB+IC

    2.2 Structure et fonctionnement d un transistor bipolaire

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    2.3 Caractristiques du transistor NPN

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    Caractristiques en configuration EC :

    IB(VBE, VCE):

    VBE(V)

    IB(A)

    0.1 0.2 0.30

    0.51.5

    3

    0.1V

    > 1V

    E

    IC

    IB

    IE

    N NPVCE=

    VBE> 0.6V, jonction PN passante

    IB

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    2.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit

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    43

    Point de fonctionnement

    VBEQ0.6-0.7V, ds que Vth> 0.7V

    (diode passantetransistor actif ou satur)

    VBE(V)

    IB

    0.1 0.2 0.3

    QIBQ

    VBEQ

    thBEthB

    R

    VVI

    CCCECE VVV Qsat

    c

    CC

    c

    CECCcCO

    R

    V

    R

    VVII sat

    Ic(mA)

    VCE(V)

    IBQ

    C

    CECCC

    R

    VVI

    Q

    VCEQ

    ICQ

    VCEsat

    ICO

    Q fixe le mode de fonctionnement du transistor

    . odes de o c o e e du s s o d s u c cu

    2.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit

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    Exemple : Calcul du point de fonctionnement

    +VCC

    =10V

    Vth =1V

    Rth=30kW

    Rc=3kW

    hFE=100

    AIQB

    10

    mAI QC 1

    VVQ

    CE 7

    On a bien : ~0,3

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    Remplacement deRthpar3kW :

    AI QB 100

    mAI QC 10

    VV QCE 20 !!

    Rsultatincompatible avec le mode actif

    ! le modle donne des valeurs erronnes

    Cause :Ic(mA)

    VCE(V)

    IBQQ

    VCEQ

    En ayant augmentIBQ,(rduction deRth)

    Q a atteint la limite de la zone

    correspondant au mode actifVV QCE 3.0~

    et mAIQC

    2.3

    +VCC=10V

    Vth =1V

    Rth=3kWRc=3kW

    hFE=100

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    2.5 Circuits de polarisation du transistor

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    47

    Circuit de polarisation de base ( courant IB constant)

    B

    cc

    B

    BEccB

    RV

    RVVI 7.0

    ccccBFEc IRVVIhIQ CEet:

    VCC

    RC

    RB

    Consquence : DhFE DIc DVCE

    Le point de repos dpend fortement de hFE= inconvnient majeur

    Circuit de polarisation peu utilis.

    IC

    VCE

    c

    cc

    R

    V

    ccV

    Q1

    VCE1

    IC1

    2 transistors

    di ffrentsmme IBQ2

    VCE2

    IC2

    Exemple :Transistor en mode satur RB tel que

    en prenant pourhFEla valeurminimalegarantie par le constructeur.

    FEc

    ccBB

    hR

    VII

    sat

    Dispersion de fabrication:

    hFEmal dfini

    p

    2.5 Circuits de polarisation du transistor

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    48

    Polarisation par raction de collecteur

    +VCC

    RCRB

    FE

    BC

    CCC

    h

    R

    R

    VI

    7.0

    Le point de fonctionnement reste sensible hFE

    Propritintressante du montage :

    Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque VCE

    ne peut tre infrieur 0.7V

    Cas parti culi er :RB=0C

    CCC

    R

    VI

    7.0

    Le transistor se comporte comme un diode.

    VVCE 7.0

    p

    2.5 Circuits de polarisation du transistor

  • 7/27/2019 Electronique Analogique _ II1F

    49/73

    49

    Polarisation par diviseur de tension - polarisation courant (metteur) constant

    R1

    R2

    RE

    RC

    +VCC

    Peu sensible hFE:

    Bonne stabilit thermique de IC condition que Vth >>Vo VB >>Vo

    E

    othCE

    FE

    th

    R

    VVIR

    h

    Rsi

    +VCC

    Vth

    Rth

    Rc

    CECCCCE IRRVV

    CCth VRR

    RV

    21

    2

    21 // RRRth

    avec et

    FEthE

    othEC

    hRR

    VVII

    /

    (Vo~0.7V)

    Rgles dor pour la conception du montage :

    Rth/RE 0.1 hFEmin ou encore R2 < 0.1 hFE

    minRE IR210Ib

    VE ~VCC/3

    DiminuerRthaugmente le courant de polarisationIR1

    p

    2.6 Modle dynamique petits signaux

  • 7/27/2019 Electronique Analogique _ II1F

    50/73

    50

    Variation de faibles amplitudes autour dun point de fonctionnement statique

    Comportement approximativement linaire

    Modles quivalents

    Caractristique dentre :+VCC

    VBB

    vB

    RE

    RC

    VSortie

    E

    B

    IC

    IBQ

    VBE

    0.2 0.4 0.60

    IB

    VBEQ

    vBE

    iB

    t

    t

    Q Bv

    Pour vB petit:

    "" ie

    bebe

    TFE

    Ebe

    QBE

    Bb

    h

    vv

    Vh

    Iv

    V

    Ii

    FETBEsB hV

    VII

    1exp

    hie = rsistance dentre dynamique du

    transistor en EC

    y q p g

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    2.6 Modle dynamique petits signaux

  • 7/27/2019 Electronique Analogique _ II1F

    52/73

    52

    Caractristique de sortie en mode actif :

    bfec ihi ""

    En premire approximation :Ic

    VCE

    IBQQ

    droite de charge

    ic=hfeib

    t IBQ+ib

    QCEV

    vce

    En tenant compte de leffet Early: ceoebfec vhihi oQCE

    coe

    V

    Ih

    hfe= gain en courant dynamiquehFEen Q (* )

    ib

    hie hfeib

    B

    E

    Cic

    B ib

    hiehfeib

    E

    Cic

    hoe-1

    1oeh = impdance de sortie du transistoren EC

    Ordre de grandeur : 100kW- 1MW

    Le modle dynamique ne dpend pas du type (NPN ou PNP) du tr ansistor

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    +V

    2.6 Modle dynamique petits signaux

  • 7/27/2019 Electronique Analogique _ II1F

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    57

    +VCC

    -VEE RL

    vg

    Rg

    source

    charge

    vL

    ve

    ie

    iLZe

    vsZs

    Gain en tension :Comme Zs 0 le gain en tension dpend de la charge

    e

    s

    Re

    L

    v v

    v

    v

    v

    AL

    Gain en circuit ouvert :

    Dfini ti ons

    Gain sur charge :v

    sL

    L

    e

    LvL A

    ZR

    R

    v

    vA

    Comme Ze ,Avc diffre de AvLvLei

    e

    g

    Lvc A

    ZR

    Z

    v

    vA

    Gain composite:

    (tient compte de la

    rsistance de sortie

    de la source)

    Gain en courant :L

    evL

    e

    Li

    RZA

    iiA

    Gain en puissance : iveg

    LLp AA

    iv

    ivA

    c

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    Chapitre 3

    58

    Amplificateur oprationnel

    3.1 structure idale

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    59

    e

    VS

    +

    -

    +Valim

    -Valim

    - structure damplification deux entres et une sortie

    - lnergie ncessaire pour amplifier est apporte par une alimentation DC externe qui peut-tre :

    une alimentation symtrique : Valim = +Valim = -Valimune alimentation positive : Valim = +Valim etValim = 0

    En gnral : (Vsat = -Valim + Tdchet) < Vs < (Vsat = +ValimTdche) avec (Tdchet = 0,6 V)

    il existe des ampli-oprationnels rail to rail pour lesquels : -Valim < Vs < +Valim

    Cest un amplificateur en tension :

    Fonction ralise : VSAe AV+-V-)

    A: gain en tension infini dans le cas idal

    Caractristique de la fonction de transfert :

    e

    VS

    Pente infinie

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    3.1 structure idale

  • 7/27/2019 Electronique Analogique _ II1F

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    61

    Un fonctionnement linaire

    -montage avec contre raction

    Un fonctionnement non linaire

    - montage avec raction positive

    Mais, si on prlve une partie du signal de sortie pour linjecter :

    Sur la borne (-) on obtient : Sur la borne (+) on a alors :

    Seule, cette structure est peu intressante (except pour le fonctionnement en

    comparateur) puisque :

    - si e > 0 alors VS = Vsat- si e < 0 alors VS = -Vsat

  • 7/27/2019 Electronique Analogique _ II1F

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    3.1 structure idale

  • 7/27/2019 Electronique Analogique _ II1F

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    63

    e

    vS

    +

    -v

    e

    R1

    R2

    Mise en quation :

    V-=Ve

    On a diviseur de tension en V+ :

    ss kvvRR

    Rv

    21

    1

    e V+-V-= kvs - ve

    kk

    vv eS

    e droite de pente 1/k

    vSDiscussion :

    Reprsentation graphique :

    Ve/k nest pas un point de fonctionnement stable :

    e > 0 conduit VS = +Vsate < 0 conduit VS = -Vsate

    k

    ve

    +vsat

    -vsat

    pente : +1/k

    A

    B

    Fonctionnement non linaire :

    montage avec raction positive

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    65/73

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    3.3 Comportement en frquence

  • 7/27/2019 Electronique Analogique _ II1F

    67/73

    67

    Avertissement : Pour comprendre le fonctionnement en frquence dun AOP

    Il faut abandonner le modle parfait utilis dans la premire partie

    Par construction le comportement en frquence de lAOP est de type passe-bas avec :

    - une frquence de coupure ( c) de lordre de 10 Hz- un gain en tension Avimportant (et non plus infini) de lordre de 10

    5

    Ce qui conduit au diagramme de Bode en gain :

    Cette fonction de transfert scrit :

    C

    v

    j

    A)j(H

    1

    log

    20 log (Vs/Ve)

    0 c

    pente20 dB/dec

    20 log (AV)

    3.3 Comportement en frquence

  • 7/27/2019 Electronique Analogique _ II1F

    68/73

    68

    Comportement en frquence du montage non inverseur (1/2) :

    e

    vS

    -

    +ve

    R1

    R2

    ie

    ib ss kVVRR

    Rv

    21

    1

    Mise en quation :

    )VV)(j(H)j(HVdonc

    j

    A)j(H eS

    C

    ve

    1

    Fonction de transfert :

    'c

    'v

    vc

    v

    v

    c

    vc

    c

    v

    c

    v

    c

    v

    e

    s

    j

    A

    )kA(j

    kA

    A

    j

    kAj

    j

    A

    j

    Ak

    j

    A

    V

    V

    11

    1

    1

    1

    1

    1

    1

    1

    1

    6

    1

    21 101

    1

    v

    v

    v'v Acar

    R

    RR

    kkA

    AA

    cvcvckA)kA(' 1

    3.3 Comportement en frquence

  • 7/27/2019 Electronique Analogique _ II1F

    69/73

    69

    Comportement en frquence du montage non inverseur (1/2) :

    log

    20 log (Vs/Ve)

    0 c

    20 log (AV)

    20 log (AV)

    c

    Diagramme de Bode obtenu :

    On constate que :

    le produit gain bande est constant puisque : Avc = Avc

    vS

    -

    +ve

    R1

    R2

    ieib

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    72/73

    3.3 Comportement en frquence

  • 7/27/2019 Electronique Analogique _ II1F

    73/73

    Montage drivateur ou passe-haut (2/2) :

    ve

    R

    vS

    -

    +

    Ci

    i

    R1

    => limitation du gain hautes frquences

    CjR

    CjR

    R

    R

    CjR

    jRC

    v

    v

    e

    s

    1

    1

    11 11

    log

    20 log (Vs/Ve)

    20 log (AV)

    1/RC 1/R1C

    20 log (R/R1)