Electronica Transistores Bjt

8/19/2019 Electronica Transistores Bjt

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TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN

•El primer transistor el 23 de Dic. De 1947

•Desarrollado por Walter H. Brattain y Joseph Barden

•Es un dispositivo semiconductor ormado por dos

capas de material tipo n !" p# y una capa entre ellas de

material tipo p !" n#.

•E$isten transistores npn " pnp

•Dispositivos de 3 terminales !emisor% &ase y colector#

•'a capa del emisor est( uertemente dopada

•'a del colector li)eramente dopada

•* la de la &ase muy poco dopada% adem(s m(s

del)ada.


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n p p

B

+E

•,iene dos uniones- EmisorBase y +olectorBase

•,iene 3 modos de operaci"n- +orte% /aturaci"n y

0ctivo.

Modo Unión E-B Unión C-B

+orte nverso nverso

0ctivo Directo nverso

/aturaci"n Directo Directo


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Transistores BJT en modo activo

pnn

B

+E +/!eBE

,#

•En este modo la corriente de colector es determinada por la

ecuaci"n anterior.

•'a corriente de &ase es una racci"n de la corriente de

colector

•El valor de β es t5pico de 166 a 266% y en dispositivosespeciales hasta de 1666.

•'a corriente del emisor es la suma de las corrientes

B+βE+B+α


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+onsidere un transistor npn con BE6.7 cuando c1m0.

Encuentre BE cuando la corriente del colector es 6.1m0 y

16m0. !,28m a temperatura am&iente#

'os transistores de cierto tipo se especiican para tener

valores de β en el intervalo de 86 a 166% encuentre elintervalo de valores de α.


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+onsidere un transistor npn con E6.7 % una β86 .

Encuentre las corrientes de emisor% &ase y colector% adem(s

el voltae de colector.


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pnn

B

+ E

B

+ E

B +

E

B

+

E

,ransistor BJ, npn /5m&olo

:odelos de primer orden en modo activo

βBBE

BE

αE


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n p p

B

+ E

B

+ E

B

+

E

B

+

E

,ransistor BJ, pnp /5m&olo

:odelos de primer orden en modo activo

βB

EB

BE

αE


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Confguración de BASEcomún

'a corriente de colector es

constante% por tanto el

colector se comporta comouna uente de corriente

constante en la re)i"n activa.

+aracter5sticas de

salida del transistor en

coni)uraci"n de &asecom;n.


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+aracter5sticas de

salida del transistor enconi)uraci"n de

emisor com;n.

Confguración de EMISORcomún

0 dierencia de la coni)uraci"n

anterior% el voltae +E si tieneinluencia so&re la ma)nitud de

la corriente de colector.


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Confguración de COLECTORcomún

Esta coni)uraci"n se utili


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Punto de Oeración

1. El an(lisis de circuitos a transistores% re>uiere de conocimiento de la

operaci"n del mismo tanto en D+ como en 0+

2. El teorema de la superposici"n puede ser aplicado al circuito

3. Ana ve< deinidos los niveles de D+ se de&e esta&lecer el punto de

operaci"n deseado.

4. +ada diseo determinar( la esta&ilidad del sistema

8. El punto de operaci"n es un punto io so&re las caracter5sticas deltransistor >ue deinen una re)i"n para la ampliicaci"n de la seal

aplicada.


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Circuito de o!ari"ación f#a$

@ecta de car)a

cc

c@c

ariando @ B

ariando @ +


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cc

c@c


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=olari


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=olari


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/aturaci"n- :($imos niveles de operaci"n

+E6

@ +E6

+/atcc@c

+/atcc!@c @ E#


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=olari


18/21

10V

4V

3.3k

4.7k

=100

10V

6V

3.3k

4.7k

=100

10V

3.3k

4.7k

=100


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10V

-10V

1k

2k

=100

10V

5V 2k

100k

=100


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An%!isis en AC de transistores BJT

:odelos del transistor-

:odelo r e

+oni)uraci"n de &ase

com;n

+oni)uraci"n de

emisor com;n

I c= α I e

I c= α I e

I c= β I b


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:odelo H5&rido E>uivalente

+oni)uraci"n deemisor com;n

hie=β r ehfe= β

hoe=1/r 0’

+oni)uraci"n de &ase

com;n

hib=r ehfb= -α

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