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EL SCR.pdf
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![Page 1: EL SCR.pdf](https://reader034.fdocuments.net/reader034/viewer/2022051219/5695d0741a28ab9b029286b2/html5/thumbnails/1.jpg)
• Los tiristores fueron, durante muchos años, los dispositivos quedominaban la electrónica de potencia
• Son dispositivos bipolares de más de dos uniones
• Por ser bipolares, son lentos, pero capaces de manejar grandescorrientes y tensiones (modulación de la conductividad)
• Los más importantes son:
- El Rectificador Controlado de Silicio (Silicon Controlled Rectifier,SCR), al que se le aplica muchas veces el nombre de Tiristor
- El GTO (Gate Turn-Off thyristor) o Tiristor apagado por puerta
- El TRIAC (Triode AC ) o Triodo para Corriente Alterna
- El DIAC (Diode AC)
• Todos ellos los estudiaremos con menos profundidad que los diodos,los MOSFETs y los IGBTs
Los
Tiri
sto
res
Introducción a los Tiristores
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Los
Tiri
sto
res
La estructura de 3 uniones (4 capas)
E1
B1
C1
E2
B2
C2
• La base de los tiristores es la estructura PNPN
P
N
N
P
P
N
P
N
N
P
Se trata de una estructura realimentada que admite dos estados estables (es como un “biestable”)
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Rg
Vg
Los
Tiri
sto
res
R
VCCE1
B1C1
E2
B2C2
-+Pol.
inversa
+-Polarización
directa
Polarización directa+-
La estructura de 4 capaspuede soportar tensión sinconducir corriente, ya queuna unión queda polarizadainversamente
La estructura de 3 uniones (4 capas)
R
VCCE1
B1C1
E2
B2C2
-+
+-
+-
Ahora inyectamos corriente enla unión B1-E1 desde una fuenteexterna Vg
iB1
Ahora circula iB1 = ig por la unión B1-E1
ig
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Los
Tiri
sto
res
La estructura de 3 uniones (4 capas)
RgVg
R
VCCiB1
• iB1 genera iC1 = b1·iB1
• Pero iC1 = iB2; por tanto:
• iC2 = b2·iB2 = b2·b1·iB1
• La corriente iB1 será ahora:
iB1’ = ig + iC2 = ig + b2·b1·iB1
• Es decir, iB1’ b2·b1·iB1 >> iB1
iC1
iB2
iC2ig
iB1’
Conclusiones:
- La corriente de base crece hasta saturar a los dos transistores
- Como consecuencia, el dispositivo se comporta como un cortocircuito
- La corriente ig puede eliminarse y la situación no cambia
b1
b2
-+
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Los
Tiri
sto
res
R
VCC
La estructura de 3 uniones (4 capas)
+-0 V
+-0 V
-
+VCC
iCC = 0 A
R
VCC
+-
0,7 V
+-0,7 V
+-0,5 V
iCC VCC/R
0,9 V
+
-
• Por tanto, el mismo circuito puede estar en dos estados, dependiendo dela “historia” anterior:
- Con la estructura de 4 capas sin conducir
- Con la estructura de 4 capas conduciendo
VCC
+
-
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Rg
Vg
Los
Tiri
sto
res
La estructura de 3 uniones (4 capas)
iCC VCC/R
¿Cómo se puede conseguir que la estructura de 4 capas conduzca? (I)
- Inyectando corriente en B1
(ya explicado)
0,9 V+
-
R
VCCB1
- Aumentando mucho VCC: las corrientesinversas de las uniones base-colectoralcanzan valores suficientes para lasaturación mutua de los transistores
R
VCC
iCC VCC/R
0,9 V+
-
iC1iC2
Esto sólo ocurre cuando las b
son suficientemente grandes,lo que se alcanza cuando lascorrientes inversas también loson
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Los
Tiri
sto
res
La estructura de 3 uniones (4 capas)
¿Cómo se puede conseguir que la estructura de 4 capas conduzca? (II)
- Sometiendo a la estructura a una fuertederivada de tensión: la corriente de cargade la capacidad parásita colector base poneen conducción la estructura
iCC VCC/R
0,9 V+
-
iC1iC2
R
VCC
+
iB2
iB1
- Haciendo incidir radiación (luz)en la zona B1
iCC VCC/R
iC2
iB2
iB1
0,9 V+
-
R
VCCB1
Luz
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Los
Tiri
sto
res
El SCR • Es el tiristor típico
• Su símbolo es como el de un diodo con un terminal más(la puerta)
• Se enciende (dispara) por puerta
• No se puede apagar por puerta
Ánodo (A)
Cátodo(K)
Puerta(G)
iA
VAK
+
-
P
N-
NP-
A
K G
Estructura interna
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Los
Tiri
sto
res
El SCR • Curva característica sin corriente de puerta
-600 V
0
iA [A]
VAK [V]
600 V
Disparo porsobretensiónánodo-cátodo
Polarización directa cuando está yadisparado (como un diodo enpolarización directa)
Polarización inversa (como un diodo)
Polarización directa a tensiónmenor de la disparo porsobretensión ánodo-cátodo(como un diodo enpolarización inversa)
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ig = 0
Los
Tiri
sto
res
El SCR • Curva característica con corriente de puerta
-600 V
0
iA [A]
VAK [V]600 V
Polarización directa cuando está yadisparado (como un diodo enpolarización directa)
ig1ig2ig3
ig4
Disparo porsobretensiónánodo-cátodo
0 < ig1 < ig2 < ig3 < ig4
Disparo por puerta
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Los
Tiri
sto
res
El SCR • Disparo por puerta:
- Es el modo de disparo deseado
0 ig
VGK Unión fría
Zona de disparo imposible
Rg
Vg
A
K G
iA
VAK
+
- ig
VGK
+
-
Unión caliente
Límite de disipación de potencia
En disparo se realiza con poca potencia (bajosniveles de corriente y tensión)
Vg/Rg
Vg
- Para que se mantenga disparado, la corriente ánodo-cátodo tiene queser mayor que el valor llamado “latching current”
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Los
Tiri
sto
res
El SCR
• Apagado del SCR :
- No se puede hacer por puerta
- Para apagarse, el valor de su corriente ánodo-cátodo tiene quebajar por debajo de un valor llamado “corriente de mantenimiento”(holding current)
- Aunque en el pasado los SCRs se usaban en todo tipo deconvertidores, su dificultad para apagarlos los ha relegado aconversiones con entrada en alterna y a aplicaciones de altísimapotencia
- En aplicaciones de entrada en continua, se usaban circuitosauxiliares para conseguir el apagado (con bobinas, condensadores ySRCs auxiliares)
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Los
Tiri
sto
res
Características de un ejemplo de SCR
![Page 14: EL SCR.pdf](https://reader034.fdocuments.net/reader034/viewer/2022051219/5695d0741a28ab9b029286b2/html5/thumbnails/14.jpg)
Los
Tiri
sto
res
Características de un ejemplo de SCR
![Page 15: EL SCR.pdf](https://reader034.fdocuments.net/reader034/viewer/2022051219/5695d0741a28ab9b029286b2/html5/thumbnails/15.jpg)
Los
Tiri
sto
res
Características de un ejemplo de SCR
![Page 16: EL SCR.pdf](https://reader034.fdocuments.net/reader034/viewer/2022051219/5695d0741a28ab9b029286b2/html5/thumbnails/16.jpg)
Los
Tiri
sto
res
Características de un ejemplo de SCR