放熱用シリコーン - Silicone4 絶縁放熱シリコーンゴムシート お問い合わせ→ シリコーン事業本部 営業第三部 開発製品グループ TEL.03-3246-5101
万能型放熱器 UNIVERSAL TYPE HEAT SINKS EA ...EB シリーズ...
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![Page 1: 万能型放熱器 UNIVERSAL TYPE HEAT SINKS EA ...EB シリーズ ※材料在庫については別途ご確認ください。 測定環境:AI押出放熱器(黒色アルマイト・グリース使用)を常温自然冷却にて測定(フィンは垂直)。熱抵抗はΔTc=60Kのときの値。](https://reader033.fdocuments.net/reader033/viewer/2022041515/5e2ade4b1dd45840a90e3be1/html5/thumbnails/1.jpg)
060
万能型放熱器UNIVERSAL TYPE HEAT SINKS EAシリーズ
51.2IR
1.5151.5
3.5 12
熱抵抗(K/W) 重量(g)(A)L: 70(B)L:100(C)L:120(D)L:150
2.51.71.61.4
170243291364
579820980
1,221
表面積(cm2)
0 10 20 30 40 500
20
40
60
80
100
消費電力(W) Pc
半導体ケース上昇温度(K)
(周囲温度より)
(A)
(B)(C)
(D)
EA(151)�〈H0463〉
EA(101)�〈H0405〉
5 1.2
1.5101.5
12
3熱抵抗(K/W) 重量(g)
(A)L: 50(B)L: 70(C)L:100(D)L:120
4.23.52.72.4
77107153184
293406575688
表面積(cm2)
0 5 10 15 20 250
20
40
60
80
100
消費電力(W) Pc
半導体ケース上昇温度(K)
(周囲温度より)
(A)
(B)(C)
(D)
EA(196)�〈H0432〉
51.2IR
1.5196.5
3.5 12
熱抵抗(K/W) 重量(g)(A)L: 70(B)L:100(C)L:120(D)L:150
2.01.61.31.2
220314377471
7471,0571,2641,574
表面積(cm2)
0 20 40 60 80 1000
20
40
60
80
100
消費電力(W) Pc
半導体ケース上昇温度(K)
(周囲温度より)
(A) (B)(C)
(D)
EA(246)�〈H0433〉
51.2IR
1.5246.5
3.5 12
熱抵抗(K/W) 重量(g)(A)L:100(B)L:120(C)L:150(D)L:200
1.31.21.00.88
394472591787
1,3221,5811,9692,615
表面積(cm2)
0 20 40 60 80 1000
20
40
60
80
100
消費電力(W) Pc
半導体ケース上昇温度(K)
(周囲温度より)
(A)(B)(C)(D)
EA(66)�〈H0404〉
熱抵抗(K/W) 重量(g)(A)L: 50(B)L: 70(C)L:100(D)L:120
5.84.63.73.2
5171
101121
196271384459
表面積(cm2)
0 5 10 15 20 250
20
40
60
80
100
消費電力(W) Pc
半導体ケース上昇温度(K)
(周囲温度より)
(A)(B)
(C)(D)
5 1.2
1.566.5
12
3
EA(31)�〈H0401〉
熱抵抗(K/W) 重量(g)(A)L:30(B)L:40(C)L:50(D)L:70
14.011.810.48.6
15202534
6078100135
表面積(cm2)
0 5 10 15 20 250
20
40
60
80
100
消費電力(W) Pc
半導体ケース上昇温度(K)
(周囲温度より)
(A)
(B)(C)
(D)
5 1.2
1.531.5
12
3
061
万能型放熱器UNIVERSAL TYPE HEAT SINKS EBシリーズ
※材料在庫については別途ご確認ください。 ◎測定環境:AI 押出放熱器 ( 黒色アルマイト・グリース使用 ) を常温自然冷却にて測定(フィンは垂直)。熱抵抗はΔTc=60K のときの値。 単位:mm ※材料在庫については別途ご確認ください。 ◎測定環境:AI 押出放熱器 ( 黒色アルマイト・グリース使用 ) を常温自然冷却にて測定(フィンは垂直)。熱抵抗はΔTc=60K のときの値。 単位:mm
EB(200)�〈H0409〉
0 10 20 30 40 500
20
40
60
80
100
消費電力(W) Pc
半導体ケース上昇温度(K)
(周囲温度より)
(A)(B)(C)(D)
熱抵抗(K/W) 重量(g)(A)L: 70(B)L:100(C)L:120(D)L:150
1.91.41.21.0
298425510638
9071.2831,5331,908
表面積(cm2)
0.75R
20022
6 6
4
174
EB(248)�〈H0435〉
0 20 40 60 80 1000
20
40
60
80
100
消費電力(W) Pc
半導体ケース上昇温度(K)
(周囲温度より)
(A)(B)(C)(D)
熱抵抗(K/W) 重量(g)(A)L:100(B)L:120(C)L:150(D)L:200
1.21.00.900.81
485582727970
1,7162,0522,5563,396
表面積(cm2)
0.75R
2482
6
17
4
EB(302)�〈H0436〉
0 20 40 60 80 1000
20
40
60
80
100
消費電力(W) Pc
半導体ケース上昇温度(K)
(周囲温度より)
(A)(B)(C)(D)
熱抵抗(K/W) 重量(g)(A)L:100(B)L:120(C)L:150(D)L:200
0.850.800.740.63
5907088851,179
2,0842,4923,1044,124
表面積(cm2)
0.75R
3022
6
17
4
※カタログに掲載している型以外にも、お客様のご要望に応じた特注品をお受けしています。(最低発注数量:100kg 以上)※その他プレス、切削等もお受けしています。詳細は弊社営業までお問い合わせください。 ※カタログに掲載している型以外にも、お客様のご要望に応じた特注品をお受けしています。(最低発注数量:100kg 以上)※その他プレス、切削等もお受けしています。詳細は弊社営業までお問い合わせください。
EB(146)�〈H0408〉
0 10 20 30 40 500
20
40
60
80
100
消費電力(W) Pc
半導体ケース上昇温度(K)
(周囲温度より)
(A)
(B)(C)
(D)
熱抵抗(K/W) 重量(g)(A)L: 70(B)L:100(C)L:120(D)L:150
2.21.81.61.4
199284341426
9021.2801,5331,910
表面積(cm2)
0.75R
14622
6 6
4
174
EB(98)�〈H0407〉
0 10 20 30 40 500
20
40
60
80
100
消費電力(W) Pc
半導体ケース上昇温度(K)
(周囲温度より)
(A)(B)(C)
(D)
熱抵抗(K/W) 重量(g)(A)L: 50(B)L: 70(C)L:100(D)L:120
3.63.12.42.0
96134191229
458636902
1,080
表面積(cm2)
0.75R
9822
6 6
4
174