1

LT6210/LT6211

62101fb

様々な消費電流のライン・ドライバの構成

小信号応答と消費電流

–

+LT6210

RSET

75Ω75Ω

CABLE

RF

RG

75Ω

6210 TA01

VOUT

5V

–5V

63VIN

4

1

5

2

RF887Ω1.1k11k

RLOAD150Ω150Ω

1k

IS6mA3mA

300µA

RSET20k56k1M

RG887Ω1.1k11k FREQUENCY (MHz)

GAIN

AT

LT62

10 O

UTPU

T (d

B)

GAIN AT VOUT (dB)

9

6

3

0

–3

–6

3

0

–3

–6

–9

–120.1 10 100 1000

6210 TA01b

1

VS = ±5VAV = 2TA = 25°CVOUT = 100mVP-P

IS = 300µA

IS = 3mA

IS = 6mA

消費電流をプログラム可能なレール・トゥ・レール出力の

シングル/デュアル電流帰還アンプ特長■ 消費電流と帯域幅をプログラム可能： 300μA/アンプで10MHzから6mA/アンプで200MHzまで ■ レール・トゥ・レール出力： 単一3V電源で0.05V～2.85V ■ 高いスルーレート：700V/μs ■ 高い出力ドライブ： 最小±75mAの出力電流 ■ あらゆる容量性負荷をドライブするC-Load™オペアンプ ■ 低歪み： 1MHz、2VP-PでHD2 が−70dB、1MHz、2VP-PでHD3が−75dB ■ 高速セトリング： 0.1%へのセトリング時間が20ns（2Vステップ時） ■ 150Ωの負荷に対する優れたビデオ性能： 微分利得0.20%、微分位相0.10° ■ 広い電源電圧範囲： 3V～12Vの単一電源 ±1.5V～±6Vの両電源 ■ 小型サイズ： 高さの低い（1mm）6ピンThinSOT™パッケージ、

3mm×3mm×0.8mm DFNパッケージ、 10ピンMSOPパッケージ

、LT、LTC、LTM、Linear Technologyおよびリニアのロゴは リニアテクノロジー社の登録商標です。C-Loadはリニアテクノロジー社の商標です。他の全ての商標はそれぞれの所有者に所有権があります。

概要LT®6210/LT6211は、消費電流と帯域幅を300μA/アンプで10MHzから6mA/アンプで200MHzまで外部設定可能なシングル/デュアル電流帰還アンプです。これらのデバイスは、低歪みのレール・トゥ・レール出力段、700V/μsのスルーレート、75mAの最小出力電流ドライブを特長としています。

LT6210/LT6211は単一3Vの低い電源電圧から12Vまたは±6Vの電源電圧までの範囲で動作します。ISETピンにより、特定の帯域幅、歪み、またはスルーレート要求に対して消費電流を最適化することができます。消費電流は、電源電圧と関係なく、外付け抵抗や電流源を使用して、アンプ1

個当たりわずか300μAから6mAまでの範囲でプログラム可能です。

LT6210は高さの低い（1mm）6ピンTSOT-23パッケージで供給されます。LT6211は10ピンMSOPおよび3mm×3mm×0.8mm DFNパッケージで供給されます。

アプリケーション■ バッファ ■ ビデオ・アンプ ■ ケーブル・ドライバ ■ モバイル通信 ■ 低消費電力/バッテリ・アプリケーション

標準的応用例

2

LT6210/LT6211

62101fb

絶対最大定格

全電源電圧（V＋～V−） .....................................................13.2V　入力電流（Note 8） .....................................................±10mA　出力電流....................................................................±80mA出力短絡時間（Note 2） .................................................無期限動作温度範囲（Note 3） ...................................... −40℃～85℃規定温度範囲（Note 4） ...................................... −40℃～85℃

（Note 1）

TOP VIEW

DD PACKAGE10-LEAD (3mm × 3mm) PLASTIC DFN

10

119

6

7

8

4

5

3

2

1 V+

OUT B

–IN B

+IN B

ISET B

OUT A

–IN A

+IN A

ISET A

V–

+–

+–

TJMAX = 150°C, θJA = 43°C/W (NOTE 5)

EXPOSED PAD (PIN 11) CONNECTED TO V–

(PCB CONNECTION OPTIONAL)

12345

OUT A–IN A+IN AISET A

V–

109876

V+

OUT B–IN B+IN BISET B

TOP VIEW

MS PACKAGE10-LEAD PLASTIC MSOP

+–

+–

TJMAX = 150°C, θJA = 120°C/W (NOTE 5)

OUT 1

V– 2

+IN 3

6 V+

5 ISET

4 –IN

TOP VIEW

S6 PACKAGE6-LEAD PLASTIC TSOT-23

+ –

TJMAX = 150°C, θJA = 230°C/W (NOTE 5)

ピン配置

発注情報

鉛フリー仕様 テープアンドリール 製品マーキング* パッケージ 温度範囲LT6211CDD#PBF LT6211CDD#TRPBF LBCD 10-Lead (3mm × 3mm) Plastic DFN –40°C to 85°C

LT6211IDD#PBF LT6210IS6#TRPBF LBCD 10-Lead (3mm × 3mm) Plastic DFN –40°C to 85°C

LT6211CMS#PBF LT6210CS6#TRPBF LTBBN 10-Lead Plastic MSOP –40°C to 85°C

LT6211IMS#PBF LT6210IS6#TRPBF LTBBP 10-Lead Plastic MSOP –40°C to 85°C

LT6210CS6#PBF LT6210CS6#TRPBF LTA3 6-Lead Plastic TSOT-23 –40°C to 85°C

LT6210IS6#PBF LT6210IS6#TRPBF LTA3 6-Lead Plastic TSOT-23 –40°C to 85°C

鉛ベース仕様 テープアンドリール 製品マーキング* パッケージ 温度範囲LT6211CDD LT6211CDD#TR LBCD 10-Lead (3mm × 3mm) Plastic DFN –40°C to 85°C

LT6211IDD LT6210IS6#TR LBCD 10-Lead (3mm × 3mm) Plastic DFN –40°C to 85°C

LT6211CMS LT6210CS6#TR LTBBN 10-Lead Plastic MSOP –40°C to 85°C

LT6211IMS LT6210IS6#TR LTBBP 10-Lead Plastic MSOP –40°C to 85°C

LT6210CS6 LTC4263CDE#TR LTA3 6-Lead Plastic TSOT-23 –40°C to 85°C

LT6210IS6 LTC4263IDE#TR LTA3 6-Lead Plastic TSOT-23 –40°C to 85°Cさらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。　*温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで識別されます。鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/ をご覧ください。テープアンドリールの仕様の詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/tapeandreel/ をご覧ください。

接合部温度（Note 5） .......................................................150℃接合部温度（DDパッケージ） .........................................150℃保存温度範囲................................................... −65℃～150℃保存温度範囲　（DDパッケージ） .......................................... −65℃～150℃リード温度（半田付け、10秒）........................................300℃

3

LT6210/LT6211

62101fb

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITSVOS Input Offset Voltage –1 ±6 –1 ±6.5 mV ● ±9 ±10 mVIIN+ Noninverting Input Current –3.5 ±7 –3 ±6.5 μA ● ±9 ±8 μAIIN– Inverting Input Current –13.5 ±39 2.5 ±25 μA ● ±55 ±40 μAen Input Noise Voltage Density f = 1kHz, RF = 887Ω, 6.5 6.5 nV/√Hz RG = 46.4Ω, RS = 0Ω+in Input Noise Current Density f = 1kHz 4.5 4.5 pA/√Hz–in Input Noise Current Density f = 1kHz 25 25 pA/√HzRIN+ Noninverting Input Resistance VIN = V+ – 1.2V to V– + 1.2V ● 0.5 2 0.3 1.7 MΩCIN+ Noninverting Input Capacitance f = 100kHz 2 2 pFVINH Input Voltage Range, High (Note 10) ● 3.8 4.2 1.8 2.2 VVINL Input Voltage Range, Low (Note 10) ● –4.2 –3.8 0.8 1.2 VVOUTH Output Voltage Swing, High RL = 1k (Note 11) 4.8 2.85 V RL = 150Ω (Note 11) 4.4 4.6 2.65 2.75 V RL = 150Ω (Note 11) ● 4.2 2.6 VVOUTL Output Voltage Swing, Low RL = 1k (Note 11) –4.95 0.05 V RL = 150Ω (Note 11) –4.8 –4.55 0.1 0.3 V RL = 150Ω (Note 11) ● –4.4 0.35 VCMRR Common Mode Rejection Ratio VIN = V+ – 1.2V to V– + 1.2V 46 50 46 dB ● 43 dB–ICMRR Inverting Input Current VIN = V+ – 1.2V to V– + 1.2V 0.15 ±1.5 0.2 μA/V Common Mode Rejection ● ±2 μA/VPSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±1.5V to ±6V (Note 6) ● 60 85 60 85 dB–IPSRR Inverting Input Current VS = ±1.5V to ±6V (Note 6) 2 ±7 2 ±7 μA/V Power Supply Rejection ● ±8 ±8 μA/VIS Supply Current per Amplifier 6 8.5 5.8 8.3 mA ● 10 9 mA

V+ = 5V, V– = –5V, IS = 6mA V+ = 3V, V– = 0V, IS = 6mA

電気的特性（IS = アンプ1個あたり6mA）●は全規定動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、V＋= 5V、V-= – 5Vの場合：RSET = 20kをグランドに接続、AV =＋2、RF = RG = 887Ω、RL = 150Ω；V＋= 3V、V-= 0Vの場合：RSET = 0ΩをV–に接続、AV =＋2、RF = 887Ω、RG = 887Ωを1.5Vに接続、RL = 150Ωを1.5Vに接続。

4

LT6210/LT6211

62101fb

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITSIOUT Maximum Output Current RL = 0Ω ● ±75 ±45 mA (Notes 7, 11)ROL Transimpedance, ∆VOUT/∆IIN– VOUT = V+ – 1.2V to V– + 1.2V 65 115 65 115 kΩSR Slew Rate (Note 8) 500 700 200 V/μstpd Propagation Delay 50% VIN to 50% VOUT, 1.5 2.4 ns 100mVP-P, Larger of tpd+, tpd– BW –3dB Bandwidth <1dB Peaking, AV = 1 200 120 MHzts Settling Time To 0.1% of VFINAL, VSTEP = 2V 20 25 nstf, tr Small-Signal Rise and Fall Time 10% to 90%, VOUT = 100mVP-P 2 3.5 nsdG Differential Gain (Note 9) 0.20 0.35 %dP Differential Phase (Note 9) 0.10 0.20 DegHD2 2nd Harmonic Distortion f = 1MHz, VOUT = 2VP-P –70 –65 dBcHD3 3rd Harmonic Distortion f = 1MHz, VOUT = 2VP-P –75 –75 dBc

V+ = 5V, V– = –5V, IS = 6mA V+ = 3V, V– = 0V, IS = 6mA

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITSVOS Input Offset Voltage –1 ±5.5 –1.5 ±5.5 mV ● ±8.5 ±8.5 mVIIN+ Noninverting Input Current –1.5 ±5 –1.5 ±5 μA ● ±7 ±7 μAIIN– Inverting Input Current – 12 ±36 –3 ±15 μA ● ±52 ±20 μAen Input Noise Voltage Density f = 1kHz, RF = 1.1k, 7 7 nV/√Hz RG = 57.6Ω, RS = 0Ω+in Input Noise Current Density f = 1kHz 1.5 1.5 pA/√Hz–in Input Noise Current Density f = 1kHz 15 15 pA/√HzRIN+ Noninverting Input Resistance VIN = V+ – 1.2V to V– + 1.2V ● 0.5 3 1 2.5 MΩCIN+ Noninverting Input Capacitance f = 100kHz 2 2 pFVINH Input Voltage Range, High (Note 10) ● 3.8 4.1 1.8 2.1 VVINL Input Voltage Range, Low (Note 10) ● –4.1 –3.8 0.9 1.2 VVOUTH Output Voltage Swing, High RL = 1k (Note 11) 4.8 2.9 V RL = 150Ω (Note 11) 4.3 4.6 2.6 2.8 V RL = 150Ω (Note 11) ● 4.1 2.55 VVOUTL Output Voltage Swing, Low RL = 1k (Note 11) –4.95 0.05 V RL = 150Ω (Note 11) –4.8 –4.55 0.1 0.3 V RL = 150Ω (Note 11) ● –4.4 0.35 VCMRR Common Mode Rejection Ratio VIN = V+ – 1.2V to V– + 1.2V 46 50 46 dB ● 43 dB–ICMRR Inverting Input Current VIN = V+ – 1.2V to V– + 1.2V 0.3 ±1.5 0.4 μA/V Common Mode Rejection ● ±2 μA/V

V+ = 5V, V– = –5V, IS = 3mA V+ = 3V, V– = 0V, IS = 3mA

電気的特性（IS = アンプ1個あたり6mA）●は全規定動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、V＋= 5V、V-= – 5Vの場合：RSET = 20kを グランドに接続、AV =＋2、RF = RG = 887Ω、RL = 150Ω；V＋= 3V、V-= 0Vの場合：RSET = 0ΩをV–に接続、AV =＋2、RF = 887Ω、RG = 887Ωを1.5Vに 接続、RL = 150Ωを1.5Vに接続。

（IS = アンプ1個あたり3mA）●は全規定動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、 V＋= 5V、V-= – 5Vの場合：RSET = 56kをグランドに接続、AV =＋2、RF = RG = 1.1k、RL = 150Ω；V＋= 3V、V- = 0Vの場合：RSET = 10kをV-に接続、 AV =＋2、RF = 1.27k、RG = 1.27kを1.5Vに接続、RL = 150Ωを1.5Vに接続。

5

LT6210/LT6211

62101fb

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITSVOS Input Offset Voltage –1 ±4.5 –1.5 ±4.5 mV ● ±8 ±8 mVIIN+ Noninverting Input Current 0.2 ±1 0.2 ±1 μA ● ±2 ±1.5 μAIIN– Inverting Input Current –3 ±8.5 –0.5 ±3 μA ● ±11 ±4.5 μAen Input Noise Voltage Density f = 1kHz, RF = 13k, RG = 681Ω, 13.5 13.5 nV/√Hz RS = 0Ω+in Input Noise Current Density f = 1kHz 0.75 0.75 pA/√Hz–in Input Noise Current Density f = 1kHz 5 5 pA/√HzRIN+ Noninverting Input Resistance VIN = V+ – 1.2V to V– + 1.2V (Note 8) ● 1 25 1 15 MΩCIN+ Noninverting Input Capacitance f = 100kHz 2 2 pFVINH Input Voltage Range, High (Note 10) ● 3.8 4.1 1.8 2.1 VVINL Input Voltage Range, Low (Note 10) ● –4.1 –3.8 0.9 1.2 VVOUTH Output Voltage Swing, High RL = 1k (Note 11) 4.75 4.85 2.75 2.85 V ● 4.7 2.7 VVOUTL Output Voltage Swing, Low RL = 1k (Note 11) –4.95 –4.85 0.05 0.15 V ● – 4.8 0.2 V

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITSPSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±1.5V to ±6V (Note 6) ● 60 85 60 85 dB–IPSRR Inverting Input Current VS = ±1.5V to ±6V (Note 6) 1.5 ±7 1.5 ±7 μA/V Power Supply Rejection ● ±8 ±8 μA/VIS Supply Current per Amplifier 3 4.1 3 4.1 mA ● 4.55 4.4 mAIOUT Maximum Output Current RL = 0Ω ● ±70 ±45 mA (Notes 7, 11)ROL Transimpedance, ∆VOUT/∆IIN– VOUT = V+ –1.2V to V– +1.2V 65 120 65 120 kΩSR Slew Rate (Note 8) 450 600 150 V/μstpd Propagation Delay 50% VIN to 50% VOUT, 3.1 4.7 ns 100mVP-P, Larger of tpd+, tpd– BW –3dB Bandwidth <1dB Peaking, AV = 1 100 70 MHzts Settling Time To 0.1% of VFINAL, VSTEP = 2V 20 25 nstf, tr Small-Signal Rise and Fall Time 10% to 90%, VOUT = 100mVP-P 3 5.6 nsdG Differential Gain (Note 9) 0.35 0.42 %dP Differential Phase (Note 9) 0.30 0.44 DegHD2 2nd Harmonic Distortion f = 1MHz, VOUT = 2VP-P –65 –60 dBcHD3 3rd Harmonic Distortion f = 1MHz, VOUT = 2VP-P –65 –65 dBc

V+ = 5V, V– = –5V, IS = 3mA V+ = 3V, V– = 0V, IS = 3mA

V+ = 5V, V– = –5V, IS = 300µA V+ = 3V, V– = 0V, IS = 300µA

電気的特性（IS = アンプ1個あたり3mA）●は全規定動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、V＋= 5V、V–= – 5Vの場合：RSET = 56kを グランドに接続、AV =＋2、RF = RG = 1.1k、RL = 150Ω；V＋= 3V、V–= 0Vの場合：RSET = 10kをV–に接続、AV =＋2、RF = 1.27k、RG = 1.27kを 1.5Vに接続、RL = 150Ωを1.5Vに接続。

（IS = アンプ1個あたり300μA）●は全規定動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、 V＋= 5V、V–= – 5Vの場合：RSET = 1Mをグランドに接続、AV =＋2、RF = RG = 11k、RL = 1k；V＋= 3V、V– = 0Vの場合：RSET = 270kをV–に接続、 AV =＋2、RF = 9.31k、RG = 9.31kを1.5Vに接続、RL = 1kを1.5Vに接続。

6

LT6210/LT6211

62101fb

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITS

CMRR Common Mode Rejection Ratio VIN = V+ – 1.2V to V– + 1.2V 46 50 46 dB ● 43 dB–ICMRR Inverting Input Current VIN = V+ – 1.2V to V– + 1.2V 0.15 ±1.5 0.2 μA/V Common Mode Rejection ● ±2 μA/VPSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±1.5V to ±6V (Note 6) ● 60 85 60 85 dB–IPSRR Inverting Input Current VS = ±1.5V to ±6V (Note 6) 0.4 ±2.2 0.4 ±2.2 μA/V Power Supply Rejection ● ±4 ±4 μA/VIS Supply Current per Amplifier 0.3 0.525 0.3 0.38 mA ● 0.6 0.43 mAIOUT Maximum Output Current RL = 0Ω ● ±30 ±10 mA (Notes 7, 11)ROL Transimpedance, ∆VOUT/∆IIN– VOUT = V+ – 1.2V to V– + 1.2V 300 660 65 120 kΩSR Slew Rate (Note 8) 120 170 20 V/μstpd Propagation Delay 50% VIN to 50% VOUT, 30 50 ns 100mVP-P, Larger of tpd+, tpd– BW –3dB Bandwidth <1dB Peaking, AV = 1 10 7.5 MHzts Settling Time To 0.1% of VFINAL, VSTEP = 2V 200 300 nstf, tr Small-Signal Rise and Fall Time 10% to 90%, VOUT = 100mVP-P 40 50 nsHD2 2nd Harmonic Distortion f = 1MHz, VOUT = 2VP-P –40 –45 dBcHD3 3rd Harmonic Distortion f = 1MHz, VOUT = 2VP-P –45 –45 dBc

V+ = 5V, V– = –5V, IS = 300µA V+ = 3V, V– = 0V, IS = 300µA

電気的特性（IS = アンプ1個あたり300μA）●は全規定動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、V＋= 5V、V-= – 5Vの場合：RSET = 1Mを グランドに接続、AV =＋2、RF = RG = 11k、RL = 1k；V＋= 3V、V-= 0Vの場合：RSET = 270kをV–に接続、AV =＋2、RF = 9.31k、RG = 9.31kを1.5Vに 接続、RL = 1kを1.5Vに接続。

Note 1： 絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可能性がある。また、絶対最大定格状態が長時間続くと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響を与える恐れがある。

Note 2： 出力電流と接合部温度が絶対最大定格以下に保たれている限り、デバイスは損傷を受けない。電源電圧によっては、ヒートシンクが必要になることがある。

Note 3： LT6210C/LT6211Cは – 40°C～85°Cの動作温度範囲で動作することが保証されている。

Note 4： LT6210C/LT6211Cは0°C～70°Cの温度範囲で性能仕様に適合することが保証されている。LT6210C/LT6211Cは– 40°C～85°Cの温度範囲で性能仕様に適合するように設計され、特性が評価されており、性能仕様に適合すると予想されるが、これらの温度ではテストされないし、QAサンプリングも行われない。LT6210I/LT6211Iは– 40°C～85°Cの温度範囲で性能仕様に適合することが保証されている。

Note 5： V−ピンに金属部分が接続されていないLT6210のθJAは230°C/Wである。ただし、熱抵抗はデバイスのピン2に接続されたPCボードの金属部の量によって変わる。両面が2オンスの銅で覆われた2500mm2の3/32" FR-4ボードに搭載されたLT6210では、ピン2にちょうど20mm2の銅を接続すると、θJAは160°C/Wに低下する。熱特性は、4層基板を使用するか、またはピン2に接続される金属部の面積を増やすことによってさらに改善することができる。

MSOP-10パッケージのLT6211の熱抵抗は、両面が2オンスの銅で覆われた2500mm2の3/32" FR-4ボードで、ピン5に100mm2の銅を接続した状態に対して規定されている。この特性はLT6210とほとんど同じで、銅の量を増やすことによって改善することもできる。

DFN-10パッケージのLT6211で規定されている43°C/WのθJAを実現するには、露出パッドをPCBに半田付けする必要がある。このパッケージでは、θJAは露出パッドに接続された銅の面積を増やすことによって改善される。

TJは、周囲温度TAおよび消費電力PDから次式に従って計算される。TJ = TA＋(PD • θJA)

最大消費電力は次のように計算できる。PD(MAX) = (VS • IS(MAX))＋(VS/2)2/RLOAD

Note 6： PSRRおよび–IPSRRのテストでは、ISETピンに流入する電流を一定にし、LT6210/LT6211の消費バイアス・ポイントを一定に維持する。「標準的性能特性」の「PSRRと周波数」のグラフに、ISETからグランドにRSETを接続したときの＋PSRRと−PSRRが示されている。

Note 7： LT6210とLT6211の回路には規定レベルを超えるほど大きな出力電流が流れることがあるが、±80mAの絶対最大定格を超えた短絡電流が継続して流れるとデバイスに永続的な損傷を与える可能性がある。

Note 8： このパラメータは設計と特性評価によって性能仕様に適合することが保証されている。製造時のテストは行われない。

Note 9： 微分利得と微分位相はTektronixのTSG120YC/NTSC信号発生器とTektronixの1780Rビデオ測定セットを使用して測定されている。これらの装置の分解能は0.1%と0.1°である。同じアンプを5段カスケード接続して、0.02%と0.02°の実効分解能が得られている。

Note 10： ±5V両電源の入力電圧範囲はCMRRによって保証されている。3V単一電源では、設計および±5Vの入力電圧範囲の制限との相関によって保証されている。

Note 11： このパラメータは、反転入力と非反転入力間に50mVの差動電圧を強制することによってテストされている。

7

LT6210/LT6211

62101fb

IS (mA) per SMALL-SIGNAL SMALL-SIGNAL

VS (V) Amplifier RSET (Ω) AV RL (Ω) RF (Ω) RG (Ω) – 3dB BW, <1dB PEAKING (MHz) ±0.1dB BW (MHz)

±5 6 20k 1 150 1200 — 200 30

±5 6 20k 2 150 887 887 160 30

±5 6 20k –1 150 698 698 140 20

±5 3 56k 1 150 1690 — 100 15

±5 3 56k 2 150 1100 1100 100 15

±5 3 56k –1 150 1200 1200 80 15

±5 0.3 1MEG 1 1k 13.7k — 10 2

±5 0.3 1MEG 2 1k 11k 11k 10 2

±5 0.3 1MEG –1 1k 10k 10k 10 1.8

3, 0 6 0 1 150 1100 — 120 20

3, 0 6 0 2 150 887 887 100 20

3, 0 6 0 –1 150 806 806 100 20

3, 0 3 10k 1 150 1540 — 70 15

3, 0 3 10k 2 150 1270 1270 60 15

3, 0 3 10k –1 150 1200 1200 60 15

3, 0 0.3 270k 1 1k 13k — 7.5 2

3, 0 0.3 270k 2 1k 9.31k 9.31k 7 1.5

3, 0 0.3 270k –1 1k 10k 10k 7 1.5

TEMPERATURE (C)–50

SUPP

LY C

URRE

NT (m

A)

7.5

7.0

6.5

6.0

5.5

5.0

4.525 75

6210 G01

–25 0 50 100 125TEMPERATURE (C)

–50

SUPP

LY C

URRE

NT (m

A)

100

6210 G02

0 50

4.00

3.75

3.50

3.25

3.00

2.75

2.50

2.25

2.00–25 25 75 125

TEMPERATURE (C)–50

SUPP

LY C

URRE

NT (A

)

400

380

360

340

320

300

280

260

240

220

2000 50 75

6210 G03

–25 25 100 125

RL = ∞ RL = ∞ RL = ∞

VS = ±5VRSET = 1M TO GND

VS = ±1.5VRSET = 270k TO V–

VS = ±5VRSET = 20k TO GND

VS = ±1.5VRSET = 0Ω TO V– VS = ±5V

RSET = 56k TO GND

VS = ±1.5VRSET = 10k TO V–

標準的AC特性

標準的性能特性

アンプ1個あたりの消費電流と温度

アンプ1個あたりの消費電流と温度

アンプ1個あたりの消費電流と温度

8

LT6210/LT6211

62101fb

TEMPERATURE (°C)–50

OUTP

UT V

OLTA

GE (V

)

100

6210 G10

0 50

5.0

4.8

4.6

4.4

–4.4

–4.6

–4.8

–5.0–25 25 75 125

TEMPERATURE (°C)–50

OUTP

UT V

OLTA

GE (V

)

100

6210 G11

0 50

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

–1.1

–1.2

–1.3

–1.4

–1.5–25 25 75 125

OUTPUT LOW

VS = ±5VVCM = 0V∆VOS = 50mV

OUTPUT HIGH

IS = 300µARL = 1k

IS = 6mARL = 1k

IS = 6mARL = 150Ω IS = 300µA

RL = 1k

OUTPUT LOW

VS = ±1.5VVCM = 0V∆VOS = 50mV

OUTPUT HIGH

IS = 6mARL = 100Ω

IS = 6mARL = 1k

IS = 300µARL = 1k IS = 6mA

RL = 100Ω

IS = 300µARL = 1k

LOAD CURRENT (mA)0

OUTP

UT V

OLTA

GE (V

)

5.0

4.8

4.6

4.4

4.2

4.0

3.8

3.6

3.4

3.2

3.040 50 60 70

6210 G12

10 20 30

VS = ±5VVCM = 0V∆VOS = 50mVTA = 25°C

IS = 6mARL = 150Ω

IS = 300µA

IS = 3mAIS = 6mA

FREQUENCY (kHz)

0.1 1 10 100

62101GO4

0.010.001 0.1 1 10 1000.010.001 0.1 1 10 1000.010.0010.1

INPU

T NO

ISE

(nV/

√Hz

OR p

A/√H

z)

1

10

100

0.1

INPU

T NO

ISE

(nV/

√Hz

OR p

A/√H

z)1

10

100

0.1

INPU

T NO

ISE

(nV/

√Hz

OR p

A/√H

z)

1

10

100

FREQUENCY (kHz)62101GO5

FREQUENCY (kHz)62101GO6

VS = ±5VRL = 150ΩTA = 25°C

VS = ±5VRL = 150ΩTA = 25°C–in

+inen

VS = ±5VRL = 1kTA = 25°C

–in

+in

en

–in

+in

en

INPUT COMMON MODE VOLTAGE (V)

OFFS

ET V

OLTA

GE (m

V)

20

15

10

5

0

–5

–10

–15

–20

62101 G07

–2 –1–3–5 –4 0 21 3 54

VS = ±5VAV = 1TA = 25°CTYPICAL PART

TEMPERATURE (°C)–50

5.0

4.5

4.0

–4.0

–4.5

–5.025 75

62101 G08

–25 0 50 100 125

INPU

T CO

MM

ON M

ODE

LIM

IT (V

)

62101 G09

VS = ±5VAV = 1CMRR > 48dBTYPICAL PART

IS = 6mARF = 1200ΩRL = 150Ω

IS = 300µARF = 13.7kRL = 1k

IS = 300µARF = 13.7kRL = 1k

IS = 6mARF = 1200ΩRL = 150Ω

IS = 3mARF = 1690ΩRL = 150Ω

IS = 300µARF = 13.7kRL = 1k

IS = 3mARF = 1690ΩRL = 150Ω

TEMPERATURE (°C)–50

1.5

1.0

0.5

0

–0.5

–1.0

–1.525 75–25 0 50 100 125

INPU

T CO

MM

ON M

ODE

LIM

IT (V

)

VS = ±1.5VAV = 1CMRR >46dBTYPICAL PART

IS = 300µARF = 13kRL = 1k

IS = 300µARF = 13kRL = 1k

IS = 6mARF = 1100ΩRL = 150Ω

IS = 3mARF = 1540ΩRL = 150Ω

入力ノイズのスペクトル密度（IS = アンプ1個あたり6mA）

入力オフセット電圧と入力同相電圧

入力ノイズのスペクトル密度（IS = アンプ1個あたり300μA）

入力ノイズのスペクトル密度（IS = アンプ1個あたり3mA）

入力同相範囲と温度 入力同相範囲と温度

出力電圧振幅と温度 出力電圧振幅とILOAD出力電圧振幅と温度

標準的性能特性　（消費電流Isはアンプごとに測定）

9

LT6210/LT6211

62101fb

LOAD CURRENT (mA)0

OUTP

UT V

OLTA

GE (V

)

OUTP

UT V

OLTA

GE (V

)

–3.0

–3.2

–3.4

–3.6

–3.8

–4.0

–4.2

–4.4

–4.6

–4.8

–5.040 50 60 70

6210 G13

10 20 30

VS = ±5VVCM = 0V∆VOS = 50mVTA = 25°C

LOAD CURRENT (mA)0 40 50 60 70

6210 G14

10 20 30

VS = ±1.5VVCM = 0V∆VOS = 50mVTA = 25°C

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

OUTP

UT V

OLTA

GE (V

)

LOAD CURRENT (mA)0 40 50 60 70

6210 G15

10 20 30

VS = ±1.5VVCM = 0V∆VOS = 50mVTA = 25°C

–0.1

–0.3

–0.5

–0.7

–0.9

–1.1

–1.3

–1.5

IS = 300µA

IS = 300µA

IS = 3mAIS = 6mA

IS = 3mAIS = 6mA

IS = 300µA

IS = 3mAIS = 6mA

FREQUENCY (MHz)

GAIN

(dB)

9

6

3

0

–3

–60.1 10 100 1000

6210 G19

1

VS = ±5VRL = 150ΩTA = 25°CVOUT = 100mVP-P

AV = 2RF = RG = 887Ω

AV = –1RF = RG = 698Ω

AV = 1RF = 1.2k

FREQUENCY (MHz)

GAIN

(dB)

9

6

3

0

–3

–60.1 10 100 1000

6210 G20

1

VS = ±5VRL = 150ΩTA = 25°CVOUT = 100mVP-P

AV = 2RF = RG = 1100Ω

AV = –1RF = RG = 1200Ω

FREQUENCY (MHz)0.001 0.1 1 100

6210 G16

0.01 10

REJE

CTIO

N RA

TIO

(dB)

70

60

50

40

30

20

10

0

FREQUENCY (MHz)0.001 0.1 1 1000.01 10

REJE

CTIO

N RA

TIO

(dB)

70

60

50

40

30

20

10

0

FREQUENCY (MHz)0.001 0.1 10.01 10

REJE

CTIO

N RA

TIO

(dB)

70

60

50

40

30

20

10

0

6210 G17 6210 G18

–PSRR

+PSRR

CMRR

–PSRR

+PSRR

CMRR

VS = ±5VRL = 150ΩTA = 25°C

VS = ±5VRL = 150ΩTA = 25°C

–PSRR

+PSRR

CMRR

VS = ±5VRL = 1kTA = 25°C

AV = 1RF = 1690Ω

FREQUENCY (MHz)

GAIN

(dB)

9

6

3

0

–3

–60.1 10 100

6210 G21

1

VS = ±5VRL = 150ΩTA = 25°CVOUT = 100mVP-P

AV = 2RF = RG = 11k

AV = –1RF = RG = 10k

AV = 1RF = 13.7k

出力電圧振幅とILOAD

CMRRおよびPSRRと周波数（IS = アンプ1個あたり6mA）

CMRRおよびPSRRと周波数（IS = アンプ1個あたり3mA）

CMRRおよびPSRRと周波数（IS = アンプ1個あたり300μA）

周波数応答と閉ループ利得（IS = アンプ1個あたり6mA）

周波数応答と閉ループ利得（IS = アンプ1個あたり3mA）

周波数応答と閉ループ利得（IS = アンプ1個あたり300μA）

出力電圧振幅とILOAD 出力電圧振幅とILOAD

標準的性能特性　（消費電流Isはアンプごとに測定）

10

LT6210/LT6211

62101fb

FREQUENCY (MHz)

1OUTP

UT IM

PEDA

NCE

(Ω)

10

100

1000

0.1 10 100 500

6210 G26

0.11

IS = 300µARF = RG = 11kRL = 1k

IS = 6mARF = RG = 887ΩRL = 150Ω

VS = ±5VAV = 2TA = 25°C

FREQUENCY (MHz)

DIST

ORTI

ON (d

Bc)

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0.01 1 10 100

6210 G22

0.1

VS = ±5VRF = RG = 887ΩVOUT = 2VP-PRL = 150ΩTA = 25°C

HD2

HD3

FREQUENCY (MHz)0.01 1 10 100

6210 G23

0.1FREQUENCY (MHz)

0.01 1 10

6210 G24

0.1

VS = ±5VRF = RG = 11kVOUT = 2VP-PRL = 1kTA = 25°C

HD2

HD3

FREQUENCY (MHz)

OUTP

UT V

OLTA

GE S

WIN

G (V

P-P)

0

–10

–20

–30

– 40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

DIST

ORTI

ON (d

Bc)

0

–10

–20

–30

– 40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

DIST

ORTI

ON (d

Bc)

0

–10

–20

–30

– 40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

0.1 10 100

6210 G25

1

VS = ±5VHD2, HD3 <–40dB

AV = 2TA = 25°C

IS = 6mARF = RG = 887ΩRL = 150Ω

IS = 300µARF = RG = 11kRL = 1k

FREQUENCY (MHz)

CHAN

NEL

SEPA

RATI

ON (d

B)

120

100

80

60

40

20

00.1 10 100 500

6210 G27

1

RL = 150Ω

RL = ∞

VS = ±5VIS = 6mARF = RG = 887ΩTA = 25°C

CAPACITIVE LOAD (pF)10

OVER

SHOO

T (%

)

70

60

50

40

30

20

10

0100 1000 10000

6210 G28

IS = 3mARF = RG = 1100ΩRL = 150Ω

VS = ±5VAV = 2VOUT = 100mVP-PTA = 25°C

CAPACITIVE LOAD (pF)10

0

OUTP

UT S

ERIE

S RE

SIST

ANCE

(Ω)

10

20

30

40

15

5

25

35

45

50

100 1000

6210 G29

FEEDBACK RESISTANCE (Ω)800

CAPA

CITI

VE L

OAD

(pF)

10000

1000

100

101000 1200 1400 1600 1800 2000

6210 G30

VS = ±5VOVERSHOOT < 10%VOUT = 100mVP-PIS = 6mARF = RG = 887ΩRL = ∞TA = 25°C

VS = ±5VAC PEAKING < 3dBVOUT = 100mVP-PIS = 6mARG = RFRL = 150ΩTA = 25°C

VS = ±5VRF = RG = 1.1kVOUT = 2VP-PRL = 150ΩTA = 25°C

HD2

HD3

IS = 300µARF = RG = 11kRL = 1k

IS = 6mARF = RG = 887ΩRL = 150Ω

2次および3次高調波歪みと周波数（IS = アンプ1個あたり6mA）

2次および3次高調波歪みと周波数（IS = アンプ1個あたり3mA）

2次および3次高調波歪みと周波数（IS = アンプ1個あたり300μA）

歪みのない最大出力正弦波と周波数 出力インピーダンスと周波数 LT6211のチャネル分離と周波数

オーバーシュートと容量性負荷 最大容量性負荷と出力直列抵抗 最大容量性負荷と帰還抵抗

標準的性能特性　（消費電流Isはアンプごとに測定）

11

LT6210/LT6211

62101fb

OUTP

UT (5

0mV/

DIV)

OUTP

UT (5

0mV/

DIV)

OUTP

UT (5

0mV/

DIV)

OUTP

UT (2

V/DI

V)

OUTP

UT (2

V/DI

V)

OUTP

UT (2

mV/

DIV)

TIME (10ns/DIV) TIME (10ns/DIV) TIME (100ns/DIV)

TIME (10ns/DIV) TIME (10ns/DIV) TIME (100ns/DIV)

VS = ±5VVIN = ±25mVRF = RG = 887ΩRSET = 20k TO GNDRL = 150Ω

VS = ±5VVIN = ±25mVRF = RG = 1.1kRSET = 56k TO GNDRL = 150Ω

VS = ±5VVIN = ±25mVRF = RG = 11kRSET = 1M TO GNDRL = 1k

VS = ±5VVIN = ±1.75VRF = RG = 887ΩRSET = 20k TO GNDRL = 150Ω

VS = ±5VVIN = ±1.75VRF = RG = 1.1kRSET = 56k TO GNDRL = 150Ω

VS = ±5VVIN = ±1.75VRF = RG = 11kRSET = 1M TO GNDRL = 1k

62101 G33

62101 G34 62101 G35 62101 G36

62101 G37 62101 G38 62101 G39

SUPPLY CURRENT PER AMPLIFIER (mA)0.1

1

–3dB

BAN

DWID

TH (M

Hz)

10

100

1000

1 10

AV = 2VOUT = 100mVP-PTA = 25°C

VS = ±1.5V

VS = ±5V

SUPPLY CURRENT PER AMPLIFIER (mA)0.1

0

SLEW

RAT

E (V

/µs)

200

400

600

800

1 10

62101 G32

1000

100

300

500

700

900VS = ±5VAV = 2VOUT = 7VP-PTA = 25°C

RISINGEDGE RATE

FALLINGEDGE RATE

SUPPLY CURRENT PER AMPLIFIER (mA)

HARM

ONIC

DIS

TORT

ION

(dBc

)

–30

–40

–50HD2

HD3

62101 G31

–80

–60

–70

100.1 1

VS = ±5VAV = 2VOUT = 2VP-PTA = 25°C

小信号過渡応答（IS = アンプ1個あたり6mA）

小信号過渡応答（IS = アンプ1個あたり3mA）

小信号過渡応答（IS = アンプ1個あたり300μA）

大信号過渡応答（IS = アンプ1個あたり6mA）

大信号過渡応答（IS = アンプ1個あたり3mA）

大信号過渡応答（IS = アンプ1個あたり300μA）

1MHzの2次および3次の高調波歪みと消費電流スルーレートと消費電流小信号の– 3dB帯域幅と消費電流

標準的性能特性　（消費電流Isはアンプごとに測定）

12

LT6210/LT6211

62101fb

6

5

V+

TOBIAS

CONTROL

600Ω 600Ω

8k

ISET 6210 F01

図1. 内部バイアスの設定回路

図2. IS制御のためのRSETの設定

10

1

0.10.01 0.1 1 10 100 1000

RSET PROGRAMMING RESISTOR (kΩ)

SUPP

LY C

URRE

NT P

ER A

MPL

IFIE

R (m

A)

6210 F02

VS = ±5VRSET TO GND

VS = 3VRSET TO GND

TA = 25°CRL = ∞

アプリケーション情報

動作時消費電流の設定（ISETピン）LT6210/LT6211の消費バイアス・ポイントは、ISETピンから低電位に接続された外付け抵抗を使用するか、またはISETピンから電流を引き出すことによって設定されます。ただし、ISETピンはシャットダウンの機能をするようには設計されていません。LT6211は2つの完全に独立したバイアス・ネットワークを使用しているので、各チャネルは異なる消費電流に設定できる一方で、どちらのISETピンも非接続のままにはできません。内部バイアス構成の簡略回路を図1に示します。図2は、3V電源および±5V電源でRSETを変化させたときの結果を示します。3V動作でISETピンを短絡すると、消費バイアスは約6mAになります。小さな抵抗を使用することによってLT6210/LT6211を6mAを超える電流レベルにバイアスしようとすると、不安定になり性能が低下することがあります。ただし、万一誤ってISETピンが負電位に直接接続されることがあっても、内部回路によってデバイスの消費電流は約15mAの安全なレベルにクランプされます。

入力に関する検討事項LT6210/LT6211の入力はバック・トゥ・バック・ダイオードによって保護されています。差動入力電圧が1.4Vを超える場合、入力電流は±10mAの絶対最大定格以下に制限する必要があります。通常動作時には、入力間の差動電圧は小さいので、±1.4Vの制限は一般に重要ではありません。ESDダイオードが両方の入力を保護するので、デバイスは同相範囲外での動作は保証されていませんが、どちらかの電源を超えダイオード上回る入力電圧では、電流制限を行って入力電流を±10mAの絶対最大定格以下に保つことも必要です。

帰還抵抗の選択LT6210/LT6211の小信号帯域幅は外付けの帰還抵抗と内部の接合容量によって設定されます。その結果、帯域幅は消費電流、電源電圧、帰還抵抗の値、閉ループ利得、および負荷抵抗と相関関係をもちます。詳細については「標準的AC特性」の表を参照してください。

レイアウトと受動部品すべての高速アンプと同様に、LT6210/LT6211ではボード･レイアウトにある程度注意を払う必要があります。低ESL/ESRのバイパス･コンデンサを正電源と負電源に直接接続します（0.1μFのセラミック・コンデンサを推奨）。最高の過渡性能を得るには、4.7μFのタンタル・コンデンサを追加します。グランド・プレーンが推奨され、特に非反転入力リードのトレース長は最小限に抑えます。

反転入力の容量電流帰還アンプでは動作を安定させるため、出力から反転入力への抵抗性帰還を必要とします。反転入力の容量によって、周波数応答にピーキングが生じ、過渡応答にオーバーシュートが生じます。反転入力からグランドへの浮遊容量、および出力と反転入力間の浮遊容量は最小限に抑えるように注意してください。所定のアプリケーションで大きな容量が避けられない場合、反転利得の設定を考慮します。反転回路に構成する際には、アンプの入力をスルーさせずに寄生成分の影響を大幅に減少させます。

13

LT6210/LT6211

62101fb

アプリケーション情報

容量性負荷LT6210/LT6211はあらゆる容量性負荷に対して安定しています。AC過渡応答にピーキングやオーバーシュートが生じることがありますが、アンプの補償機能により、出力の容量性負荷が増加するに従って帯域幅が減少し、安定性が確保されます。ピーキングを最小限に抑えた応答を維持するには、「標準的性能特性」に示すように帯域幅を犠牲にして帰還抵抗を大きくすることができます。また、代わりに、小さな抵抗（5Ω～35Ω）を出力と直列に接続してアンプの出力から容量性負荷を絶縁することができます。これには、容量性負荷が存在するときはアンプの帯域幅が減少するだけであるという利点があります。この技法の欠点は、利得が負荷抵抗と相関関係をもつことです。

電源LT6210/LT6211は、3V～12Vの単一電源と±1.5V～±6Vの両電源で動作します。絶対値が等しくない両電源を使用すると、入力オフセット電圧と反転入力電流は「電気的特性」の表に規定されている値からシフトします。電源の1

ボルトのずれに対して、入力オフセット電圧は2mVシフトし、反転入力電流は0.5μAシフトします。

スルーレート従来の電圧帰還オペアンプとは異なり、電流帰還アンプのスルーレートはアンプの利得設定と無関係ではありません。電流帰還アンプでは、入力段と出力段の両方のスルーレートが制限されています。反転モードと、非反転モードの2以上の利得では、入力ピン間の信号振幅は小さく、全体のスルーレートは出力段のスルーレートになります。非反転モードの2より小さな利得では、全体のスルーレートは入力段によって制限されます。20kのRSET抵

抗（IS = 6mA）を使用した±5V電源のLT6210/LT6211の入力のスルーレートは約600V/μsになり、これは内部の電流と容量によって設定されます。出力のスルーレートは帰還抵抗と内部容量の値によってさらに制約されます。887Ωの帰還抵抗と利得抵抗、±5V電源、上記と同じバイアスによる利得が2の場合、出力のスルーレートは標準で700V/μsになります。帰還抵抗の増加、電源電圧の低下、消費電流レベルの低下のすべてによってスルーレートは低下します。入力のスルーレートが出力のスルーレート能力を大幅に上回ると、正利得設定のスルーレート性能が実際に低下する可能性があるので、最もきれいな過渡応答はスルーレートが1000V/μs以下の入力信号から得られます。

出力振幅とドライブLT6210/LT6211の出力段は、レール･トゥ･レールの出力振幅が可能な1対のクラスABバイアスの共通エミッタで構成されています。このアンプは、規定された最小短絡電流をはるかに超えた出力電流を潜在的に供給できるので、デバイスの出力を無期限に短絡させないように注意します。出力を低インピーダンス負荷のドライブに使用する場合、デバイスの接合部温度を150°Cの絶対最大定格以下に保つように注意する必要があります。詳細については「Note 5」を参照してください。また、アンプの出力には逆バイアスされたESDダイオードがあり、各電源に接続されています。出力がどちらかの電源を超えた電圧に強制されると、大きな電流がこれらのダイオードを流れます。この電流が80mA以下に制限されていれば、デバイスは損傷を受けません。

標準的応用例

アクティブ終端付き3Vケーブル・ドライバ単一電源でバック終端ケーブルをドライブする場合、通常、ケーブルの受信端での信号振幅が非常に制限されます。ただし、正帰還を使用して直列バック終端抵抗の値を小さくすることができるので、ラインドライブ・アンプで制御される出力インピーダンスを維持しながら直列終端抵抗とシャント終端抵抗間の減衰を低減できます。

単一3V電源でこの「アクティブ終端」の手法を使用したLT6210を図3に示します。このアンプは入力信号範囲を最大にするため、AC結合と反転利得の構成になっています。VINからケーブルの受信端（VOUT）までの利得は-1に設定されています。ケーブルからアンプ回路側を見た実効インピーダンスは、使用可能な帯域幅全体で50Ωです。

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LT6210/LT6211

62101fb

–IN

8k

ISET

4

OUT

1

5V–

2

V+

6

SUPPLYCURRENTCONTROL

600Ω 600Ω

6210 SS

V+

V–

OUTPUT BIASCONTROL

+IN

3

3.00 ±0.10(4 SIDES)

NOTE：1. 図はJEDECパッケージ外形MO-229のバリエーション（WEED-2）になる予定。 バリエーションの指定の現状についてはLTCのWebサイトのデータシートを参照2. 図は実寸と異なる3. すべての寸法はミリメートル

0.38 ± 0.10

底面図̶露出パッド

1.65 ± 0.10(2 SIDES)

0.75 ±0.05

R = 0.115TYP

2.38 ±0.10(2 SIDES)

15

106

ピン1トップマーク

(NOTE 6を参照)

0.200 REF

0.00 – 0.05

(DD10) DFN 0403

0.25 ± 0.05

2.38 ±0.05(2 SIDES)

推奨する半田パッドのピッチと寸法

1.65 ±0.05(2 SIDES)2.15 ±0.05

0.50BSC

0.675 ±0.05

3.50 ±0.05

パッケージの外形

0.25 ± 0.050.50 BSC

4. パッケージ底面の露出パッドの寸法にはモールドのバリを含まない。 モールドのバリは（もしあれば）各サイドで0.15mmを超えないこと5. 露出パッドは半田メッキとする6. 網掛けの部分はパッケージの上面と底面のピン1の 位置の参考に過ぎない

–

+LT6210

RSER15Ω1%

249Ω1%

2k1%

2.2µF

154Ω1%

1.3k1%

2k1%

RTERM50Ω

VOUT

6210 F03

3V

3V

64

3VIN

1

VA2

5

2.2µF

3300pFNPO

VIN1V/DIV

VA1V/DIV

VOUT1V/DIV

200ns/DIV 6210 F04

図3. アクティブ終端付き3Vケーブル・ドライバ 図4. 1MHzでの回路の応答

標準的応用例1MHzの正弦波でのケーブル・ドライバの応答を図4に示します。この回路は50Ωの終端抵抗に1.5VP-Pの歪みのない正弦波を伝送可能で、1VP-Pのフル信号帯域幅は50MHz

です。結合コンデンサを選択することによって、小信号の-3dB帯域幅は1kHz～56MHzの範囲になります。

簡略回路図

パッケージDDパッケージ

10ピン・プラスチックDFN（3mm × 3mm）(Reference LTC DWG # 05-08-1699)

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LT6210/LT6211

62101fb

MSパッケージ10ピン・プラスチックMSOP

(Reference LTC DWG # 05-08-1661 Rev E)

S6パッケージ6ピン・プラスチックTSOT-23

(Reference LTC DWG # 05-08-1636)

MSOP (MS) 0307 REV E

0.53 ± 0.152(.021 ± .006)

シーティング・プレーン

0.18(.007)

1.10(.043)MAX

0.17 – 0.27(.007 – .011)

TYP

0.86(.034)REF

0.50(.0197)

BSC

1 2 3 4 5

4.90 ± 0.152(.193 ± .006)

0.497 ± 0.076(.0196 ± .003)

REF8910 7 6

3.00 ± 0.102(.118 ± .004)

(NOTE 3)

3.00 ± 0.102(.118 ± .004)

(NOTE 4)

NOTE：1. 寸法はミリメートル/（インチ）2. 図は実寸とは異なる3. 寸法にはモールドのバリ、突出部、またはゲートのバリを含まない。 モールドのバリ、突出部、またはゲートのバリは、各サイドで0.152mm（0.006"）を超えないこと4. 寸法には、リード間のバリまたは突出部を含まない。 リード間のバリまたは突出部は、各サイドで0.152mm（0.006"）を超えないこと5. リードの平坦度（整形後のリードの底面）は最大0.102mm（0.004"）であること

0.254(.010) 0° – 6° TYP

DETAIL “A”

DETAIL “A”

ゲージ・プレーン

5.23(.206)MIN

3.20 – 3.45(.126 – .136)

0.889 ± 0.127(.035 ± .005)

推奨する半田パッド・レイアウト

0.305 ± 0.038(.0120 ± .0015)

TYP

0.50(.0197)

BSC

0.1016 ± 0.0508(.004 ± .002)

1.50 – 1.75(NOTE 4)

2.80 BSC

0.30 – 0.45 TYP 5 PLCS (NOTE 3)

DATUM ‘A’

0.09 – 0.20(NOTE 3) S5 TSOT-23 0302 REV B

2.90 BSC(NOTE 4)

0.95 BSC

1.90 BSC

0.80 – 0.90

1.00 MAX0.01 – 0.10

0.20 BSC

0.30 – 0.50 REF

PIN ONE

3.85 MAX

0.62MAX

0.95REF

1.4 MIN2.62 REF

1.22 REF

NOTE：1. 寸法はミリメートル2. 図は実寸とは異なる3. 寸法にはメッキを含む4. 寸法にはモールドのバリやメタルのバリを含まない5. モールドのバリは0.254mmを超えてはならない6. JEDECパッケージ参照番号はMO-193

IPC CALCULATORを使用した推奨半田パッド・レイアウト

パッケージ

リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は一切負いません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料はあくまでも参考資料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。

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LT6210/LT6211

62101fb

図5. 低消費電力モード付きライン・ドライバ図6. 全速モードおよび低消費電力モードでの周波数応答

高調波歪み LOW POWER FULL SPEED

HD2 –53dBc HD2 –68dBc

HD3 –46dBc HD3 –77dBc

FREQUENCY (MHz)

–4

AMPL

ITUD

E (d

B)

–2

–1

1

3

0 10 100 1000

6210 F06

–61

0

–3

–5

2

FULL SPEEDMODEIS = 6mA

LOW POWERMODE

IS = 1mA

TA = 25°CVOUT = 100mVP-P

–

+LT6210

R1240k

R222k

RLOAD150Ω

VOUT

6210 F05

–5V

R34.02k

HS/LP

VIN

5V

4

5

2

61

3

2N7002

標準的応用例

省電力モード付きライン・ドライバ低歪みまたは高スルーレートが望ましいけれど必ずしも必要ではないアプリケーションでは、高電力性能を必要としない場合、LT6210またはLT6211の消費電流を低減できることがあります。FETスイッチを使用して消費電流を設定する方法を図5に示します。図の5V両電源の場合、ISETピンを20kの実効抵抗でグランドに短絡すると消費電流は6mAに設定され、FETをオフにしてISETピンの抵抗を240kにすると消費電流は約1mAに設定されます。4.02k

の帰還抵抗を選択することによって、低消費電力モードでのピーキングを最小限に抑えます。この回路のLT6210

の帯域幅は図6に示すように、低消費電力モードの約40MHzから全速モードの200MHz以上まで増加します。高電流の設定ではその他のAC仕様も大幅に改善されます。以下の表は、2つの設定された電流レベルにおいて2VP-P

正弦波を使用した場合の1MHzでの高調波歪みを示します。

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