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DTC115T シリーズ NPN 100mA 50V デジタルトランジスタ (抵抗内蔵トランジスタ) Datasheet l 外形図 外形図 項目 規定値 VMT3 EMT3 V CEO 50V I C 100mA R 1 100kΩ DTC115TM DTC115TE (SC-105AA) SOT-416(SC-75A) UMT3 SMT3 l 特長 特長 1) バイアス用の抵抗を内蔵している。 2) バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力 側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成 できる。(内部回路図参照) 3) バイアス用の抵抗は完全に分離した薄膜抵抗 によって構成しているため、正負の電圧を 入力できる。また寄生効果がほとんど生じ ない利点がある。 4) 入力電圧の設定でオン/オフ制御ができる ため、回路の設計が容易に行える。 5) コンプリメンタリ:DTA115Tシリーズ (PNPタイプ) 6) Pbフリー対応済み/RoHS準拠 DTC115TUA DTC115TKA SOT-323(SC-70) SOT-346(SC-59) l 内部回路図 内部回路図 B:ベース l 用途 用途 C:コレクタ スイッチング回路、インバータ回路、インターフェース回路 E:エミッタ ドライバ回路 l 包装仕様 包装仕様 形名 パッケージ パッケージ サイズ テーピング コード リール サイズ (mm) テープ幅 (mm) 基本発注 単位 (pcs) 標印 DTC115TM VMT3 1212 T2L 180 8 8000 09 DTC115TE EMT3 1616 TL 180 8 3000 09 DTC115TUA UMT3 2021 T106 180 8 3000 09 DTC115TKA SMT3 2928 T146 180 8 3000 09 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/7 20121023 - Rev.001 Not Recommended for New Designs

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DTC115T シリーズNPN 100mA 50V デジタルトランジスタ (抵抗内蔵トランジスタ) Datasheet

ll外形図外形図

項目 規定値 VMT3 EMT3

VCEO 50V

     IC 100mA

R1 100kΩ DTC115TM DTC115TE

    (SC-105AA) SOT-416(SC-75A)

UMT3 SMT3ll特長特長

     

1) バイアス用の抵抗を内蔵している。

2) バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力

 側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成

 できる。(内部回路図参照)

3) バイアス用の抵抗は完全に分離した薄膜抵抗

 によって構成しているため、正負の電圧を

 入力できる。また寄生効果がほとんど生じ

 ない利点がある。

4) 入力電圧の設定でオン/オフ制御ができる

 ため、回路の設計が容易に行える。

5) コンプリメンタリ:DTA115Tシリーズ

 (PNPタイプ)

6) Pbフリー対応済み/RoHS準拠

DTC115TUA DTC115TKASOT-323(SC-70) SOT-346(SC-59)

                                           

ll内部回路図内部回路図

B:ベース

ll用途用途 C:コレクタ

スイッチング回路、インバータ回路、インターフェース回路 E:エミッタ

ドライバ回路

ll包装仕様包装仕様

形名 パッケージ パッケージサイズ

テーピングコード

リールサイズ(mm)

テープ幅(mm)

基本発注単位(pcs)

標印

DTC115TM VMT3 1212 T2L 180 8 8000 09

DTC115TE EMT3 1616 TL 180 8 3000 09

DTC115TUA UMT3 2021 T106 180 8 3000 09

DTC115TKA SMT3 2928 T146 180 8 3000 09

                                                                                         

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DTC115Tシリーズシリーズ                   Datasheet

ll絶対最大定格絶対最大定格 (Ta = 25°C)

項目 記号 規定値 単位

コレクタ・ベース間電圧 VCBO 50 V

コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO 50 V

エミッタ・ベース間電圧 VEBO 5 V

コレクタ電流 IC 100 mA

許容損失

DTC115TM

PD*1

150

mW DTC115TE 150

DTC115TUA 200

DTC115TKA 200

ジャンクション温度 Tj 150 ℃

保存温度 Tstg -55 ~ +150 ℃

ll電気的特性電気的特性 (Ta = 25°C)        

項目 記号 条件 最小値 標準値 最大値 単位

コレクタ・ベース降伏電圧 BVCBO IC = 50μA 50 - - V

コレクタ・エミッタ降伏電圧 BVCEO IC = 1mA 50 - - V

エミッタ・ベース降伏電圧 BVEBO IE = 50μA 5 - - V

コレクタ遮断電流 ICBO VCB = 50V - - 0.5 μA

エミッタ遮断電流 IEBO VEB = 4V - - 0.5 μA

コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) IC / IB = 1mA / 0.1mA - - 0.3 V

直流電流増幅率 hFE VCE = 5V, IC = 1mA 100 250 600 -

入力抵抗 R1 - 70 100 130 kΩ

利得帯域幅積 fT*2 VCE = 10V, IE = -5mA,

f = 100MHz- 250 - MHz

*1 各端子を参考ランドパターンに実装した場合

*2 構成トランジスタの特性です

                                                                                       

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DTC115Tシリーズシリーズ                   Datasheet

ll電気的特性曲線電気的特性曲線 (Ta=25℃)

Fig.1 Grounded emitter propagation characteristics Fig.2 Grounded emitter output characteristics

Fig.3 DC Current gain vs. Collector Current Fig.4 Collector-emitter saturation voltage vs.Collector Current

                                                                                           

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DTC115Tシリーズシリーズ                   Datasheet

ll外形寸法図外形寸法図

                                                                                           

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