INTRODUCCIN

Esta prctica consiste principalmente en calcular voltaje de entrada mediante el uso de una fuente de alimentacin las diferentes corrientes y tensiones arrojadas por el tester con el fin de calcular la resistencia que ofrece un diodo. Con el fin ltimo de graficar e interpretar la curva caracterstica que este diodo genera.

MARCO TERICO

SEMICONDUCTOR:Es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. QUE ES UN DIODO SEMICONDUCTOR:

Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativa (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones).

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO

Tensin umbral, de codo o de partida (V): La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (I max): Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is): Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C en la temperatura. Corriente superficial de fugas: Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ): Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. Efecto Zener (diodos muy dopados): Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm.

MATERIALES: Un Tablero PB 3000. Una Fuente. Cables. Tester.

PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL: Para el siguiente circuito completar la tabla de valores (Voltaje mnimo de conduccin de un diodo es: 0,493 v).

Tabla De ValoresV R5 (v)V Diodo (v)

0,000,000

0,050,402,27 x

0,150,456,81 x

0,430,501,95 x

1,040,554,72 x

2,200,600,01

4,510,650,02

8,330,700,03

GRAFICA

ANALISIS DE RESULTADOSe puede observar que a medida que se aumente el voltaje en el diodo, se registran mayores voltajes en la resistencia. Al ir aumentando estos voltajes las intensidades a obtener tambin deberan presentar este comportamiento. Tomando en cuenta esto ltimo es fcil predecir el comportamiento de la grfica, sin embargo es necesario acotar que para cada voltaje obtenido no existe una proporcin. En la grfica se refleja una curva ascendente, que en un principio muestra un crecimiento muy suave y en cierto momento la curva aumenta, esto coincide con las expectativas generadas durante la elaboracin de la experiencia.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAShttp://es.wikipedia.org/wiki/Diodo#Diodo_semiconductorhttp://es.wikipedia.org/wiki/Diodo#Curva_caracter.C3.ADstica_del_diodo