Composants optoélectroniques P. Lévêque CNRS-InESS, Strasbourg.

Composants optoélectroniques

P. Lévêque

CNRS-InESS, Strasbourg

Plan du cours

1 Introduction2 Interaction rayonnement-semiconducteur3 Photodétecteurs4 Emetteurs de rayonnement à semiconducteur

Photoémetteurs

-Diode électroluminescente LED-Laser à semiconducteur-Emetteurs à SC et télecommunications

PhotoémetteursDiode électroluminescente LED

Principe : jonction p-n polarisée en direct

Jonction p-n polarisée en direct

EV

EC

EFp

WdiffusionEF

diffusionEF

p n

E

VF

EFneVF



Jonction p-n polarisée en direct

W

EV

EC

EFp

EFneVF

n

p

Ln

Lp

h


Rappel : jonction p-n polarisée en direct

p n

VF W

xdp dn

Ln Lp

pnF x)/L(xkT

eV

nnon e1eppp

Ln(p) << dn(p)

x’c

xp xnxc


Rappel : jonction p-n polarisée en direct

p n

VF W

xdp dn

Ln Lp

pnF x)/L(xkT

eV

pd

p2i

p e1eLN

Den(x)j

x’c

xp xnxc

x

peD(x)j pp



Si VF est suffisante W étroite rôle mineur dans émission

Injection de trous dans zone de type n

1e

LN

Den)(xj kT

eV

pd

p2i

npF

Injection d’électrons dans zone de type p

1e

LN

Den)(xj kT

eV

na

n2i

pnF



Courant total J conservatif (indépendant de x)

)(xj)(xjJ pnnp

na

n2i

pd

p2ikT

eV

LN

Den

LN

Den1eJ

F

JS



Taux d’injection des porteurs minoritaires

J

)(xjγ;

J

)(xjγ

npp

pnn

1N

N

τμ

τμ

NLD

NLD

γ

γ

a

d

np

pn

anp

dpn

p

n (n >> p)

Recombinaisons essentiellement dans zone p


Structure LED

n

substrat

pSiO2

Al

Au


Spectre d’émission

Lié à Eg de SC de type p et au dopant utilisé

III-V miscibles : GaAsxP1-x ; GaxIn1-xP

Eg = Eg (x)

Emission dans le bleu difficile

GaN



Matériau Pic (nm) Couleur Rendement (%)

GaAs (Si) 1000 IR 10

GaAs (Zn) 900 IR 0.1

GaP (Zn, O) 699 Rouge 4

GaAs0.6P0.4 (Te) 644 Rouge 0.2

GaAs0.35P0.35 (S, N) 632 Orange 0.2

GaP (N) 690 Jaune 0.1

GaAs0.15P0.85 (S, N) 589 Jaune 0.05

GaP (N) 570 Vert 0.1Gapindirect


Rendement Rendement quantique interne i

nrr

rri rr

r

r

rη

Taux de recombinaison radiatif

ornr

nrr

r τ

Δnr;

τ

Δnr

1ττ

τη

nrr

nri

(nr >> r SC à gap direct)

Rendement radiatif


Rendement Rendement optique o

Photons réabsorbés avant sortie de la diode

Réflexion totale

Semiconducteur (n1 ~3.5)

Air (n2 = 1)

1

2

Loi de Snell-Descartes

n1sin1 = n2sin 2

rt 16θ

3.5

π/2sinsinθ rtrt



Photon réfléchià interface air/SC

Photon sortantde la diode

rt

Angle solide couvrant espace :

4πdθsinθdφΩ2π

0

π

0o

Angle solide sous-tendu par rt :

rt

2π

0

θ

0rt cosθ-12πdθsinθdφΩ

rt



R)-(1

2

θT

4π

cosθ-12πT

Ω

Ωη

2rtrt

o

rto

n = 3.5 o = 1 %

+ interface transparent en plastique d’indice np = 1.5

o = 4 %

+ interface hémisphérique (incidence normale)

T = 96 %


Rendement

Rendement quantique externe e

e = i o =

Rendement global

él.

opt.

W

Wη

él.

ph

N

N Nb photons émis

Nb porteurs traversant p-n


Rendement Rendement global

él.

opt.

W

Wη

ds

ge

él.

ph

VIr

/eEη

eVN

hNη

LED AlGaInP (rouge / jaune) > lampe à incandescence


Temps de réponse, fréquence de coupure

Modulation par courant injecté dans la diode

Fréquence de modulation limitée par diffusion dans jonction

p n

Vo+V1sin(t) W

dp

Ln

- dp >> Ln

- Vo >> V1

- faible injection

~ constant



Distribution des électrons dans zone p :

n2

2

n τ

t)Δn(x,

x

t)n(x,D

t

t)Δn(x,

avec tj1o (x)eΔn(x)Δnt)Δn(x,

Vo V1sin(t)




0L

(x)Δn

x

(x)n2n

o2

o2

0L

(x)Δn

x

(x)n2*

n

12

12

avec

nnn τDL

n

nn*n τj1

τDL

ω




n

p

L

)x-(x-

poo )e(xΔn(x)Δn

*n

p

L

)x-(x-

p11 )e(xΔn(x)Δn

(dp >> Ln)



Courant traversant la jonction :

J = jn(xp) + jp(xn) ~ jn(xp)

tj

x

1n

x

on

xn e

x

ΔneD

x

ΔneD

x

t)Δn(x,eDJ

ppp

ω

soit tjo eωJJJ ω avec )(xΔn

L

eDωJ p1*

n

n



Nombre de photons émis (/cm2 s) : N

e = i o =él.

ph

N

N Nb photons émis

Nb porteurs traversant p-n

dxτ

Δneηdx

τ

Δnηdx

τ

ΔnηN

ppp x n

1tje

x n

oe

x ne

ω

soit tjo eωNNN ω avec )(xΔn

τ

LηωN p1

n

*n

e



)(xΔnτ

LηωN p1

n

*n

e )(xΔnL

eDωJ p1*

n

n et

Efficacité de modulation ωJ

ωNωR

Modulation du rayonnement

Modulation du courantd’excitation

n

e2

n

*ne

τj1

1

e

η

L

L

e

ηωR

ω



Efficacité de modulation n

e

τj1

1

e

ηωR

ω

avece

ηR e

o (efficacité de modulation basse fréquence)

etn

c τ

1ω

2

c

o

ωω

1

RωRR

(passe-bas)



Fréquence de coupure

oro

n Bp

1τ

2π

ωf cc

(B : probabilité de transition radiative)

fc augmente si po (dopage) augmente

Utilisation de forts dopages dans limites de solubilité



Fréquence de coupure2π

Bp

2π

ωf occ

fc = 114 MHz

Ex : GaAs

Limite de solubilité ~ 1018 /cm3 et B = 7.2x10-10 cm3/s


Brillance : Br (W/sr m2)

Emission dans demi-plan et non isotrope

Bro brillance dans direction axiale ; S surface émettrice

Flux d’énergie t = SBro


Structure des LEDs usuelles

3 applications usuelles :

- affichage- photocoupleurs- transmission par fibre

Application conditionne la structure


Structure des LEDs usuelles : affichage

- Emission dans le visible (Eg)

- Surface émettrice suffisante (géométrie)


Structure des LEDs usuelles : photocoupleurs

LED Photo diode (Si)

Circuit 1 Circuit 2

Transmission de signaux logiques entre 2 circuits isolés

Emission LED compatible avec Si : GaAsP


Structure des LEDs usuelles : transmission par fibres

- Emission LED compatible avec = 1.3 ou 1.5 µm

- Possibilité de modulation


Structure des LEDs usuelles : caractéristique commune

Fort rendement quantique interne i

Matériaux purs (chimique et cristallographique)

(nr >> r)

Réalisations de couches épitaxiées


Structure des LEDs usuelles : Molecular Beam Epitaxy (MBE)


Structure des LEDs usuelles : Molecular Beam Epitaxy (MBE)

Ga

As

P

dopants

Ultravide (10-10 Torr)Dopage durant croissanceNettoyage substrat in-situTsubstrat ~ 400-900 °CVitessedépôt ~ 10-3-0.3 µm/min


Structure des LEDs usuelles : GaAs0.35P0.65 (orange)

GaP n+

isolant

contact

GaAsxP1-x (0<x<0.35)

GaAs0.35P0.65

GaAs0.35P0.65 nGaAs0.35P0.65 p

contact

Germe (cristal) + conductivité

Couche tamponaccord du paramètre de maille

Couche activeinjection des électrons (n)

Recombinaison (p)gap direct pour x = 0.35


Structure des LEDs usuelles : GaAs0.35P0.65 (orange)

Encapsulation

- Protection de LED et contacts- Augmente rendement (discontinuité d’indices,

diminution de réflexion : incidence normale)


Exemple de LEDs usuelles

Photoémetteurs


PhotoémetteursLaser à semiconducteur

Principe

LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation

- 1917 : découverte de l’émission stimulée (Einstein)- 1960 : premier LASER à rubis (Maiman)- 1958 : théorie de LASER à semiconducteur (Aigrain)- 1962 : premier LASER à semiconducteur (AsGa)


Principe : Laser E

0

Pompage(excitation externe)

1

23

Durée de vie dans état 2 >> durées de vie transitions (3 → 2) et (1 → 0)

N2 > N1 : inversion de population


Principe : Spécificité des lasers à semiconducteur

Niveaux discrets remplacés par bandes d’énergie

N2 > N1 EFn-EFp > Eg (condition d’inversion)

Rayonnement amplifié réabsorbé par transitions intrabandes



EFn-EFp > Eg (condition d’inversion)

E

EV

EC

EF

Eg

N(E)

E

EV

EC

EFp

Eg

N(E)

EFn

E

EV

EC

EFp

Eg

N(E)

EFn

Équilibre thermodynamique Inversion (0 K) Inversion (RT)



Rayonnement réabsorbé par transitions intrabandes

h

E = h

E = h


Principe : Jonction p-n dégénérée polarisée en direct

Régions n et p très fortement dopées ; régime de forte injection

Extréma BV et BC perturbés

Gap effectif E’g < Eg

Laser à injection ou diodes lasers



p n

Eg

Ec

EF

Ev

Equilibre thermique

p n

Eg

Ec

EFv

Ev

Polarisation directe

EFc

VF



p n

Eg

Ec

EF

Ev

Equilibre thermique

p n

Eg

Ec

EFv

Ev

Forte injection

EFc

VF

d

Zone d’inversion


Principe : caractéristiques communes

- faibles dimensions (~ µm)- puissance et cohérence spatiale << lasers conventionnels - rendement >> lasers conventionnels (conversion efficace)- grande facilité de modulation (transmission par fibres)- spectre couvert visible proche IR (III-V ; II-VI)


Gain : g(E)

(E) : flux de photons dans le matériau

dx

Ed

(E)

1g(E)

Gain

(gain ↔ coefficient d’absorption (E) si g(E) < 0)

xEgo (E)eΦΦ(E)


Gain : g(E)

rst(E) : taux d’émission stimulée

Φ(E)

(E)rg(E) st

rst(E) = (Nb photons créés par stimulation) / V t

Injection donnée, g = g(E)


Gain : g(E)

Condition d’émission stimulée :

g(E) > 0 (inversion de population)et

g(E) supérieur aux pertes (transitions intrabandes)


Gain : g(E)

h

E = h

E = h

Transitions intrabandes

Absorption par porteurs libres (Auger)

Coefficient d’absorptionpar porteurs libres p(E)

Coefficient net d’absorptionA(E) = g(E) - p(E)


Gain net : A(E) = g(E) - p(E)

Condition d’émission stimulée : A(E) > 0

- augmentation de l’intensité du signal lumineux émis- directivité de l’émission (direction la + grande de diode)

Diode superradiante


Gain

Electrodes métalliques

p

n

Zone active

L

d

L : longueur de la diode ~ 300 µmd : épaisseur de zone active ~ 0.2 µm


Gain

Semiconducteur, n ~ 3.5

Réflexion (~ 30 %) interface air / SC

Cavité résonante (Fabry-Pérot)

p

n

L

Photon stimuléémis

Photons transmis

d


Gainp

n

L

Photon stimuléémis

d

M1 M2/3

M4/5

Flux en M1 : (E) flux (E)eA(E)L en M2 (avant réflexion)

flux R(E)eA(E)L en M3 (après réflexion)

flux R(E)e2A(E)L en M4 (avant réflexion)

flux R2(E)e2A(E)L en M5 (après réflexion)

Résonance si R2(E)e2A(E)L > (E)


Gain Condition de résonance : R2(E)e2A(E)L > (E)

R

1Ln

L

1(E)αg(E) p

Avec p(E) ~ 70 cm-1 ; n = 3.6 ; R ~ 30 % ; L = 300 µm

g(E) > 100 cm-1


Gain

E

g(E) (cm-1)

50

100

150

p

p+ (1/L)Ln(1/R)

E’g E1 E2 E’2 E’1

E0

Pas de photonémis

E < E’g

Pas d’inversionémission

spontanée

E > E0

A(E) < 0émission

spontanée

A(E) < 0émission

spontanée

résonanceémissionstimulée


Distribution spectrale du rayonnement sans résonance

kT

ΔF)-(E

spst e-1(E)r(E)r où F = EFn - EFp

Position de raie stimulée : 0dE

(E)drst

1e

1(E)r

kT

1

dE

(E)dr/kTEΔFsp

maxr

sp

st

> 0 (inversion)



0dE

(E)drst 1e

1(E)r

kT

1

dE

(E)dr/kTEΔFsp

maxr

sp

st

0dE

(E)drlim

maxr

sp

ΔFst

Raie d’émission stimulée sur flancmontant de rsp(E) = f(E)

0dE

(E)dr

maxr

sp

st

Forte injection (F grand)raie d’émission stimulée

au maximum du spectre d’émissionspontanée



(E)

EFaible injection

pas d’émission stimulée

Forte injectionémission stimulée

Très forte injectionémission stimulée

Pic d’émissionstimulée sur le flanc

montant de rsp(E)

Pic d’émissionstimulée au maximum de rsp(E) à très forte

injection


Distribution spectrale du rayonnement avec résonance

L

k = 1 k = 2 k = 3 d

Résonance possible pour k modes avec 2nL = k

milieu d’indice n



2nL = k

1λ

n

n

λ

λ

2nL

λ

k2

entre 2 modes, k = -1

distance intermode2nL

λ

λ

nλn

2L

λλ

212



E (eV)

E (eV)


Distribution spatiale du rayonnement

l ~ 10 µm

d < 1 µm

L ~300 µm

n

1 %

d

Variation d’indice (~ 1 %) dans zone de forte injection

Guide d’onde (confinement)



l ~ 10 µm

d < 1 µm

L ~300 µm

Amplification maximaledans la direction la plus

grande (L)



l ~ 10 µm

d < 1 µm

L ~300 µm

1

2

= 1 µm ~ d ~ l

Ouverture faisceauconditionnée par

diffraction

6l

λθ1

60d

λθ2


Courant de seuil : Jo

Courant excitateur JFlux (E)

J

Jo

Emission spontanée ~ J

Emission stimulée ~ J



J = jn(xp) + jp(xn) ~ jn(xp) (n >> p)

Hypothèses : - zone active homogène

- e- injectés recombinés dans zone active

d

Δj

x

j nn

0dxj pn



d

J

d

xj

d

dxjxj

d

Δj

x

j pnpnpnnn

red

J

dt

dn (équation de continuité)

i

stn

stsp iR

τ

nRRr

Durée de vie des e- en régime d’émission spontanée

Taux de recombinaison des e- stimulés dans mode i




Taux d’émission de photons stimulés dans mode i

L

i = 1 i = 2 i = 3 d

milieu d’indice n~




Taux d’émission de photons stimulés dans mode i

iist (n)NARi

Densité de photons sur le mode i



iist (n)NARi où Ai(n) ~ gain du laser

On stipule Ai(n) = Ain avec Ai (cm3/s)

i

iin

nNAτ

n

ed

Jr

ed

J

dt

dn



iii rg

dt

dN

Génération de photon dans mode i

Recombinaison de photon dans mode i

niiii τ

nγnNAg

Probabilité de génération spontanée d’un photon dans mode i

N

ii τ

Nr

Durée de vie d’un photon dans mode idans la cavité



N : Durée de vie d’un photon du mode i dans la cavité

R

1Ln

L

1α

n~c

τ

1p

N

Vitesse du photon dans cavité d’indice n~

Pertes dans la cavité



N

i

niii

i

τ

N

τ

nγnNA

dt

dN

i

iin

nNAτ

n

ed

J

dt

dn

Hypothèses : - diode monomode

- i ~ 0



Nτ

NAnN

dt

dN

AnNτ

n

ed

J

dt

dn

n

En régime stationnaire, J constant n et N constants

ed

J

τ

n

τ

N

nN



ed

Jτn n

Si J < Jo, N négligeable(rayonnement spontané seulement)

ed

J

τ

n

τ

N

nN

eted

J

τ

nR

nsp

J

Jo



ed

τJn no

o Si J = Jo

ed

J

τ

n

τ

N

nN

et

J

Jo

0τ

NAnN

dt

dN

N

No Aτ

1n

R

1Ln

L

1α

n~c

Aτ

ed

τAτ

edJ p

nnNo



ed

τJnn no

o Si J > Jo

ed

J

τ

n

τ

N

nN

J

Jo

(n diminue car émission stimulée → n sature)

0NAnτ

n

ed

Jo

n

o

oN

onJJ

ed

τ1

J

J

Aτ

1N



E (eV)

Comportement réel

diodes multimodeszone active non homogène

(comportement filamentaire)

Mode plus intense peut changer au cours du temps

(influence dans communication par fibres)



J

Jo

Variation linéaire = f(J)

Modulation d’amplitude pour communication par fibre

Fréquence de coupure fc conditionnée par n

LED émission spontanée, n ~ 1 nsDiode laser, n plus faible (émission stimulée) fc plus grande



J’ = J + Jejt avec J > Jo ; J << J – Jo

n’ = n + nejt

N’ = N + Nejt

tjtj

n

tjtjNeNnenA

τ

nen

ed

JeJ

dt

dn'

ΔΔΔΔ

AnNτ

n

ed

J

dt

dn

n tjnetj

dt

dn

dt

dn' Δ



En régime stationnaire, 0AnNτ

n

ed

J0

dt

dn

n

ed

ΔJNAnjωAN

τ

1n

n

ΔΔ

tjtj

n

tjtjNeNnenA

τ

nen

ed

JeJ

dt

dn'

ΔΔΔΔ



De même,

0NjωAnτ

1-nAN

N

ΔΔ

Nτ

NAnN

dt

dN



0NjωAnτ

1-nAN

N

ΔΔ

ed

JNAnjωAN

τ

1n

n

ΔΔΔ

et

oN

onJJ

ed

τ1

J

J

Aτ

1N

(J > Jo)

No Aτ

1nn (n sature car émission stimulée)



0τ

njω-n1

J

J

ττ

1

NonN

ΔΔ

ed

J

τ

Njω

J

J

τ

1n

Non

ΔΔΔ

On pose

1

J

J

ττ

1ω

onN

20 et

on J

J

τ

1



0τ

njω-nω

No

ΔΔ

ed

J

τ

Njωβn

N

ΔΔΔ

/ωωω/ωjβ/ω

1

ω

1

ed

Jn

oooo

ΔΔ

jβωω

1τ

ed

JN

22o

N

Δ

Δ



jβωω

J/J

ττ

1

N

N22

o

o

nN

ΔΔmodulation

On poseoω

βγ et 2

o

o

nNo

ω

J/J

ττ

1A

Δ

Amplitude de modulation2/1

2o

22

2

2o

2

o

ω

ωγ

ω

ω1

A

N

NA

Δ



2/1

2o

22

2

2o

2

o

ω

ωγ

ω

ω1

A

N

NA

Δ

A ~ Ao si << o

A ~ Aoo2/2

si >> o

A = Amax = Ao/si >> o

Fréquence de résonance

2/1

onN

oo 1

J

J

ττ

1

π2

1

π2

ωf



0.01

0.1

1

10

100

0.01 0.1 1 10

n

N1/2

A/A

o

fo

Amax

J=1.01Jo

J=1.1Jo

J=1.5Jofo augmente

avec J



Ordres de grandeur

n ~ 10-9 s (LED émission spontanée)

R

1Ln

L

1α

n~c

τ

1p

N

avec p ~ 60cm-1, L ~ 300 µmR ~ 30 % et ~ 3.5n~

N ~ 10-12 s

Pour J = 1.1Jo GHz6.11J

J

ττ

1

π2

1f

2/1

onNo

10 x supérieure à fc pour LED


Structure réelle des diodes lasers : double hétérojonction (DH)

l ~ 10 µm

d ~ 0.1 µm

L ~300 µm

p GaAs1 µm

Confinement des électrons et des photons dans zone active


Structure réelle des diodes lasers

Confinement des photons dans zone active par variationimportante d’indice entre AlGaAs et GaAs (~ 5 %)

Meilleur confinement que dans homojonction ( )%1~

~

n

n



Confinement des électrons dans zone active par variation

du gap entre Al0.7Ga0.3As (1.9 eV)et GaAs (1.4 eV)



Confinement supplémentaire des électrons dans zone active par irradiation

sélective aux protons

zones fortement résistives

Irradiation aux protons

Zones résistives


Structure réelle des diodes lasers : double hétérojonction (DH)

Confinement des électrons et des photons dans zone activelimite le courant de seuil Jo

Utilisation de puits quantiques (hétérostructures qqs 10 nm)augmente encore confinement des électrons


Structures verticales (VCSEL)

Vertical Cavity Surface Emitting Laser

Emission de lumière ┴ zone active

- Nombreux lasers sur même substrat- Connexion plus simple avec fibres optiques



Mais un seul passagedes photons dans zone active

résonance

Puissance faible



Distributed Bragg Reflectors

+ confinement



Distributed Bragg Reflectors :

multicouches de semiconducteurd’indice différent

Réflectivité ~ 99.9 % (/ 30 % pour miroirs classiques)

Photoémetteurs


PhotoémetteursEmetteurs à SC et télécommunications

Choix de l’émetteur

- Spectre d’émission compatible avec fibres optiques- Modulation- Couplage émetteur / fibre



Fibres optiques :- transparence et faible dispersion = 1.3 - 1.5 µm- diamètres qqs µm → qqs 100 µm

Emetteurs :- rayonnement modulable = 1.3 - 1.5 µm- surface active de faibles dimensions

LED’s et diodes lasers



LED’s :

moins chères meilleure durée de vie facilement modulables

Diodes laser :

surface active plus faible rayonnement + monochromatique rayonnement + puissant et directif

Diminue dispersion intermodeFavorise couplage


Ouverture numérique de la fibre

2n~

2n~

0n~

1n~

r

gaine

cœur

Fibre

Fibre à variation brutale d’indice


2n~

2n~

0n~

1n~

r


r1o sinαn~sinαn~

Réflexion totale

1

2c n~

n~sinθ

Angle d’incidence maximal m ↔ c

0

22

21

m n~n~n~

ArcsinαOuverture Numérique ON


2n~

2n~

0n~

1n~

r


0

22

21

m n~n~n~

Arcsinα

Ex : Cœur en silice dopée (SiO2-GeO2) :Gaine en silice pure (SiO2) :Fibre dans l’air :

53.1n~1 5.1n~2

1n~0

ON = 0.3 et m = 18° (fibres à gradient d’indice moins tolérantes)


Couplage émetteur-fibre

mΩ

rf dΩBS

LED de surface émettrice S ↔ fibre de section de cœur > S

Flux d’énergie transmis par la fibre :

2n~

2n~

0n~

1n~m

LED

S

m mm cosα-12πΩ



mΩ

rf dΩBS mα

0rf sinαB2πΦ dS où Br : brillance

or Br = Bro cos (Bro : brillance dans direction axiale)

20

2

rom2

rofn~

ONπSBαsinπSBΦ



20

2

rofn~

ONπSBΦ : flux transmis par fibre

: flux total émis par la dioderot πSBΦ

Rendement de couplage c

20

22

21

20

2

t

fc

n~n~n~

n~ON

Φ

Φη

c ~ 10 % pour ON = 0.3



Rendement de couplage : 20

22

21

20

2

t

fc

n~n~n~

n~ON

Φ

Φη

Si surface de la fibre Sf < S c réduit de Sf / S

Couplage optimal si ON maximal et Sf > S


Couplages LED-fibre


Couplages diode laser-fibre

Composants Optoélectroniques

Références

H. Mathieu : Physique des semiconducteurs et des composants électroniquesMasson

S.M. Sze : Semiconductor devicesWiley

http://britneyspears.ac/lasers.htmhttp://www.arcelect.com/fibercable.htmhttp://www.lanshack.com/fiber-optic-tutorial-fiber.asphttp://www.nepcorp.com/http://www.rohm.com/products/shortform/18led/led_index.htmlhttp://micro.magnet.fsu.edu/primer/lightandcolor/ledsintro.htmlhttp://en.wikipedia.org/wiki/Light-emitting_diodehttp://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Light-Emitting-Diodes-dot-org/

Composants optoélectroniques P. Lévêque CNRS-InESS, Strasbourg.

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