ЕРЕВАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

YEREVAN STATE UNIVERSITY

СТУДЕНЧЕСКОЕ НАУЧНОЕ ОБЩЕСТВО

STUDENT SCIENTIFIC SOCIETY

ISSN 1829-4367

СБОРНИК НАУЧНЫХ СТАТЕЙ СНО ЕГУ

МАТЕРИАЛЫ ЮБИЛЕЙНОЙ НАУЧНОЙ СЕССИИ,

ПОСВЯЩЕННОЙ 95-ЛЕТИЮ ОСНОВАНИЯ ЕГУ

COLLECTION OF SCIENTIFIC

ARTICLES OF YSU SSS

MATERIALS OF THE SCIENTIFIC SESSION

DEDICATED TO THE 95TH

ANNIVERSARY OF YSU

1.2 (5)

Естественные науки

(География, геология и физико-математические науки)

Natural sciencies

(Geography, Geology and Physico-Mathematical Sciences)

ЕРЕВАН - YEREVAN

ИЗДАТЕЛЬСТВО ЕГУ - YSU PRESS

2015

ԵՐԵՎԱՆԻ ՊԵՏԱԿԱՆ ՀԱՄԱԼՍԱՐԱՆ

ՈՒՍԱՆՈՂԱԿԱՆ ԳԻՏԱԿԱՆ ԸՆԿԵՐՈՒԹՅՈՒՆ

ISSN 1829-4367

ԵՊՀ ՈՒԳԸ ԳԻՏԱԿԱՆ ՀՈԴՎԱԾՆԵՐԻ

ԺՈՂՈՎԱԾՈՒ

ԵՊՀ ՀԻՄՆԱԴՐՄԱՆ 95-ԱՄՅԱԿԻՆ ՆՎԻՐՎԱԾ

ՀՈԲԵԼՅԱՆԱԿԱՆ ԳԻՏԱԿԱՆ ՆՍՏԱՇՐՋԱՆԻ ՆՅՈՒԹԵՐ

1.2 (5)

Բնական գիտություններ

(Աշխարհագրություն, երկրաբանություն և

ֆիզիկամաթեմատիկական գիտություններ)

ԵՐԵՎԱՆ

ԵՊՀ ՀՐԱՏԱՐԱԿՉՈՒԹՅՈՒՆ

2015

Հրատարակվում է

ԵՊՀ գիտական խորհրդի որոշմամբ

Издается по решению Ученого совета ЕГУ

Published by the resolution of the Academic Council of YSU

Խմբագրական խորհուրդ`

ե. հ. գ. դ., պրոֆ. Ռ. Մինասյան

ա. գ. դ., պրոֆ. Թ. Վարդանյան

ֆ. մ. գ. դ., դոց. Ս. Մելքոնյան

ֆ. մ. գ. թ., դոց. Ա. Մակարյան

ա. գ. թ., դոց. Ա. Պոտոսյան

Редакционная коллегия:

д. м. г. н., проф. Р. Минасян

д. г. н., проф. Т. Варданян

д. ф. м. н., доц. С. Мелконян

к. ф. м. н., доц. А. Макарян

к. г. н., доц. А. Потосян

Editorial Board

DSc, prof. R. Minasyan

DSc, prof. T. Vardanyan

DSc, associate prof. S. Melkonyan

PhD, associate prof. A. Makaryan

PhD, associate prof. A. Potosyan

Ðñ³ï. å³ï³ë˳ݳïáõ ËÙµ³·Çñ` Ø. سÉ˳ëÛ³Ý

Ðñ³ï³ñ³ÏÇ㪠ºäÐ Ññ³ï³ñ³ÏãáõÃÛáõÝ Ð³ëó»ª ÐÐ, ù. ºñ¨³Ý, ²É. سÝáõÏÛ³Ý 1, (+374 10) 55-55-70, publishing@ysu.am Ðñ³ï³ñ³ÏáõÃÛ³Ý Ý³Ë³å³ïñ³ëïáÕ ëïáñ³µ³Å³ÝáõÙª ºäÐ áõë³ÝáÕ³Ï³Ý ·Çï³Ï³Ý ÁÝÏ»ñáõÃÛáõÝгëó»ª ù. ºñ¨³Ý, ². سÝáõÏÛ³Ý 1, (+37460) 71-01-94, ssspub@ysu.am, sss@ysu.am ºäÐ àô¶À Ññ³ï³ñ³ÏáõÙÝ»ñÇ Ï³Ûùª ssspub.ysu.am

140

Լիլիթ Երանյան*, Արծրունի Մարգարյան**

*ԵՊՀ, Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ, մագիստրանտ

**ՀՀ ԳԱԱ Ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ, ասպիրանտ

Գիտ. ղեկավար՝ ֆ.մ.գ.դ., դոց. Կ. Ղամբարյան

էլ. փոստ՝ yeranyan.lilit@gmail.com, artsrunmargaryan@gmail.com

n-InAs(100) ՏԱԿԴԻՐԻ ՎՐԱ ԱՃԵՑՎԱԾ InAsSbP ԲԱՂԱԴՐՈՒԹՅԱՄԲ

ՔՎԱՆՏԱՅԻՆ ԿԵՏԵՐԻ ԷԼԵԿՏՐԱՖԻԶԻԿԱԿԱՆ ՀԱՏԿՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐԻ

ՀԵՏԱԶՈՏՈՒՄԸ

Ներածություն: Վերջին տարիներին քվանտային գծերի և կետերի վերաբերյալ

կատարվել են բազմաթիվ հետազոտություններ, որոնք լայն հնարավորություններ են

տալիս՝ ստեղծելու կարևոր նշանակություն ունեցող օպտիկական և էլեկտրոնային

սարքավորումներ, ինչպիսիք են կիսահաղորդչային լազերները, ֆոտոընդունիչները,

թերմոֆոտովոլտայիկ էլեմենտները և այլն: Քվանտային կետերի արտադրության մեջ

կարևոր նշանակություն ունի Ստրանսկի-Կրաստանով աճեցման եղանակը, որի օգ-

նությամբ ստացվում են առանց դիսլոկացիաների քվանտային կետեր, որոնք էապես

բարելավում են միջին ինֆրակարմիր տիրույթի համար նախագծված ֆոտոընդունիչ-

ների, լազերների հատկությունները:

Այս հոդվածում ներկայացված են n-InAs (100) տակդիրի հիման վրա հեղուկային

էպիտաքսիայի միջոցով աճեցրած InAsSbP եռաբաղադրիչ քվանտային կետերով (ՔԿ)

ինֆրակարմիր տիրույթի ֆոտոընդունիչի վոլտ-ամպերային և վոլտ-ֆարադային բնու-

թագրերի՝ սենյակային (300Կ) և հեղուկ ազոտի (77Կ) ջերմաստիճանի պայմաններում

կատարված չափումների մեթոդիկան և ստացված արդյունքները: Ֆոտոընդունիչը

նախատեսված է 3-5 մկմ ալիքի երկարություն ունեցող կարևոր տիրույթում կիրա-

ռելու համար:

InAsSbP քվանտային կետերով նմուշի նկարագիրը: Նմուշն իրենից ներկայացնում

է InAs(100) տակդիրի հիման վրա հեղուկային էպիտաքսիայի ձևափոխված տեխնո-

լոգիայով աճեցված InAsSbP բաղադրությամբ ՔԿ-երով ֆոտոընդունիչ, որի օհմական

հպակները (կոնտակտները) պատրաստելու համար օգտագործվել է ջերմային վա-

կուումային փոշեցրման (ՋՎՓ) տեխնոլոգիան (նկ.2):

Առաջին ֆոտոընդունիչը (ՖԸ-1) n-InAs(100) միաբյուրեղային տակդիրի հիման

վրա պատրաստված ավանդական ֆոտոդիմադրություն է: Երկրորդ ֆոտոընդունիչը

(ՖԸ-2) նույնպես ֆոտոդիմադրություն է, պարզապես ֆոտոհաղորդիչ մակերևույթի

վրա առկա են InAsSbP բաղադրությամբ ՔԿ-եր (նկ. 2):

Նկ. 1

Հպակներ InAsSbP ՔԿ-

եր

ՖԸ-1 ՖԸ-2

Նկ. 2

141

Նմուշի օհմական հպակների ձևավորումը: Ջերմավակուումային փոշեցրման

պրոցեսը իրականացվում է 10­5­10

-6 մմ. ս. ս. ճնշման պայմաններում` հատուկ վա-

կուումային խցիկում: Գոլորշիացող (փոշեցրվող) նյութի տաքացումն իրականացվում

է ուղղակի` էլեկտրական հոսանքի անմիջական անցկացմամբ, կամ անուղղակի ձևե-

րով` ինդուկցիոն հոսանքներով (մագնետրոնային), բարձր էներգիայով էլեկտրոնների

ռմբակոծմամբ, հզոր իմպուլսային լազերի ճառագայթման օգնությամբ և այլն: ՋՎՓ

աշխատանքի սկզբունքը հետևյալն է. գոլորշիացող 4 նյութը տեղադրվում է 5 տաքա-

ցուցչի մեջ, իսկ տակդիրը` համապատասխան բռնիչ-տաքացուցչի վրա (նկ. 3): Եթե

կա անհրաժեշտություն, ապա տակդիրի մակերեսին տեղադրվում է համապատաս-

խան դիմակ: Այնուհետև աշխատանքային խցիկում ստեղծվում է վակուում, որից հե-

տո տաքացուցչի միջով էլեկտրական հոսանք բաց թողնելով՝ իրականացվում է փո-

շեցրման պրոցեսը: Որպես կանոն, լավ կպչողունակություն ապահովելու համար տա-

քացվում է նաև տակդիրը: Ժամանակակից ՋՎՓ սարքերում մինչև փոշեցրման պրո-

ցեսը բարձր վակուումում կատարվում է տակդիրի մակերևույթի իոնային խածատում`

ատոմային մաքուր մակերևույթ ստանալու համար:

Այս տեխնոլոգիական եղանակը հիմնականում կիրառվում է մետաղական նյու-

թերի բարակ թաղանթների ստացման համար, մասնավորապես՝ կիսահաղորդչային

սարքերին օհմական հպակներ ձևավորելու համար։

Նշված տեխնոլոգիական մեթոդը իրականցվել է §ВУП-5 վակուումային փո-

շեցրման սարքավորման միջոցով: Նմուշը տեղադրվում է վառարանի մեջ նախատես-

ված հատուկ տեղում և ամրացվում հատուկ բռնիչի միջոցով: Տակդիրին, որի վրա ամ-

րացվում է նմուշը, անմիջապես հպվում է թերմոզույգի ծայրը, որի միջոցով չափվում է

ջերմաստիճանը: Նշված գործողություններից հետո վառարանը պտտվում և տեղա-

շարժվում է այնպես, որ վառարանի նմուշի տեղադրման տիրույթը անմիջապես

գտնվի նյութի փոշեցրման համար նախատեսված անցքի վրա: Ջերմային վակուումա-

յին փոշեցրման տեխնոլոգիայով օհմական հպակների պատրաստման համար նմուշ-

ների վրա փոշեցրվել է քրոմի ենթաշերտով ոսկի (Cr/Au): Լավ կպչողունակություն

ստանալու համար մինչև փոշեցրման պրոցեսը նմուշները տաքացվել են մինչև 2000C:

Մետաղական շերտերի միջև ակտիվ մակերևույթի մակերեսը 1 մմ2 է: Այսպիսի կա-

ռուցվածքներով պատրաստված ֆոտոընդունիչները, ըստ էության, ֆոտոդիմադրու-

թյուններ են:

142

Նկ. 5

Վոլտ-ամպերային բնութագիր: Չափման մեթոդիկա: Վոլտ-ամպերային բնութա-

գրերի չափումների համար օգտագործված պարզագույն սխեման ներկայացված է նկ.

4-ում (Ա-ամպերմետր, Վ-վոլտմետր, ՖԸ-ֆոտոընդունիչ, ՀԱ-հաստատուն հոսանքի

աղբյուր): Հոսանքի չափման համար օգտագործվել է §Keithley 6514 էլեկտրոմետրը,

իսկ լարման համար` §В7-38 վոլտմետրը:

Ստացված արդյունքները: Սենյակային ջերմաստիճաններում կատարված փորձի

արդյունքում ստացված n-InAs (100) տակդիրի վրա աճեցված InAsSbP քվանտային

կետերով նմուշի վոլտ-ամպերային բնութագիծը ներկայացված է նկ. 5-ում:

Գրաֆիկից նկատվում է, որ ՖԸ-2-ն ունի մի յուրահատկություն. 35-70Վ լարում-

ների տիրույթում նկատվել է գծայնությունից շեղում, ինչն էլ հենց պայմանավորված է

քվանտային կետերի ազդեցությամբ: Կարելի է սպասել, որ InAsSbP/InAs ՔԿ-երով հա-

մակարգում ավելի ցածր ջերմաստիճանների դեպքում ոչգծայնությունը կմեծանա:

ՎԱԲ-ի մաթեմատիկական մոտարկմամբ ստացված ուղիղ գծի թեքության աստիճա-

նով գնահատվել է ֆոտոընդունիչի դիմադրության արժեքը. Rմիջ=3,622Օհմ:

Համեմատելով առանց քվանտային կետերի նմուշի հետ, որի դիմադրությունը

մոտ 2,572ՕՀմ է, դժվար չէ տեսնել, որ, պայմանավորված քվանտային կետերի առկա-

յությամբ, նմուշի դիմադրությունն աճում է: Քվանտային կետերով նմուշի նման վար-

քագիծը կարելի է բացատրել նրա էներգետիկ դիագրամով (նկ․ 6): InAsSbP համակար-

143

Նկ. 7

գի արգելված գոտու համար եթե կիրառենք գծային մոտարկում, ըստ բաղադրիչների

մասնաբաժնի, ապա վերոհիշյալ համակարգն իրենից կներկայացնի երկրորդ սեռի հե-

տերոանցում: Այստեղ խոռոչների համար առաջանում է պոտենցիալային հոր, և խո-

ռոչները կարող են տեղայնացվել քվանտային կետերում, ինչը բերում է դիմադրության

աճի, և հետևաբար ՎԱԲ-ը շեղվում է գծայինից։

Նկ. 6․ InAs և InAsSbP կառուցվածքի էներգետիկ դիագրամ

Վոլտ-ֆարադային բնութագիր: Չափման մեթոդիկա: Ֆոտոընդունիչների վոլտ-

ունակային ուսումնասիրությունների համար օգտագործվել է “1920 Precision LCR

meter” մոդելի ինդուկտիվության, ունակության և դիմադրության ճշգրիտ չափման

համար նախատեսված սարքը (նկ. 7ա): Այն հնարավորություն է տալիս ունակության

չափման համար կիրառված փոփոխական լարման ամպլիտուդը փոքրացնել մինչև 20

մՎ արժեքը: Այդ ազդանշանի հաճախությունը կարելի է փոփոխել 20 Հց-ից մինչև 1

ՄՀց հաճախությունների տիրույթում, իսկ չափումների սխալը չի գերազանցում 0.1 %-

ը: InAs -ի հիման վրա պատրաստված ֆոտոընդունիչների ունակությունը չափվել է

ունակությանը զուգահեռ դիմադրության միացման ռեժիմով: Նշված ռեժիմը կիրառ-

վում է այն դեպքում, երբ չափվող նմուշի ունակությունը և ակտիվ դիմադրությունը

կարելի է ներկայացնել դրանց զուգահեռ միացման համարժեք սխեմայով (նկ. 7բ):

Սույն աշխատանքում չափվել են 3 տարբեր նմուշների վոլտ-ֆարադային բնութա-

գծեր:

Չափվել են ինչպես n-InAs տակդիրի, այնպես էլ InAsSbP քվանտային կետերով 2

տարբեր նմուշների վոլտ-ունակային բնութագծերը: Քվանտային կետերով վերջին 2

նմուշների տարբերությունը կայանում է ՔԿ-երի չափերի բաշխվածության մեջ: Ավելի

մեծ չափերով քվանտային կետեր ունեցող նմուշի դեպքում կատարվել են չափումներ

նաև հեղուկ ազոտի ջերմաստիճանում (77K):

Չափման արդյունքներ: Նկար 8-ում բերված են վոլտ-ֆարադային բնութագծեր՝

չափված սենյակային ջերմաստիճանում փորձնական n-InAs և վերոհիշյալ համե-

մատաբար ավելի մեծ չափերով քվանտային կետերով նմուշի համար (այսուհետ այդ

նմուշը պայմանականորեն կանվանենք A, իսկ ավելի փոքր չափերով քվանտային կե-

տերով նմուշը՝ B նմուշ): Ինչպես երևում է նկար 8-ից, n-InAs-ի դեպքում (կապույտ գիծ)

ունակությունը լարումից կախված չի փոփոխվում, և այն իրենից ներկայացնում է մեծ

ճշտությամբ ուղիղ գիծ: Այս արդյունքն ակնկալելի էր, քանի որ n-InAs-ն այստեղ իրե-

144

Նկ. 9․ InAs, InAsSbP համակարգի էներգետիկ

դիագրամը էլեկտրական դաշտի ազդեցության տակ

նից ներկայացնում է առանձնացված հաղորդիչ, որի ունակությունը կախված չէ կի-

րառված լարումից: Պատկերն այլ է քվանտային կետերով A նմուշի մոտ: Ինչպես տես-

նում ենք, կարմիր կորի դեպքում առկա են ունակության անկման երկու տիրույթներ

0.28 Վ և 0.54 Վ լարումների դեպքում, իսկ ընդհանուր առմամբ կախվածությունը

գծային չէ։ Նկարից երևում է, որ ունակությունը նվազում է լարման աճից: Վերոհիշյալ

ունակության կտրուկ անկման երկու տիրույթների առկայությունը կարելի է բա-

ցատրել այդ կառուցվածքի էներգետիկ դիագրամի հիման վրա:

Ինչպես երևում է նկար 9-ից, էլեկտրական դաշտի առկայության դեպքում, երբ

կիսահաղորդչի էներգետիկ գոտիները ծռվում են, վալենտային գոտում խոռոչների

համար առաջանում է եռանկյուն պոտենցիալային արգելք։ Խոռոչներն արգելքը կա-

րող են հաղթահարել թունելային անցմամբ, որի հավանականությունը որոշվում է հե-

տևյալ բանաձևով.

Հետևաբար ունակության անկման երկու տեղամասերը կարելի է բացատրել որ-

պես լիցքի արտամղում քվանտային կետերից, որը տեղի է ունենում թունելային անց-

ման հետևանքով: Նմուշի օպտիկական հատկությունների հետազոտության ժամա-

նակ ևս ի հայտ են եկել վալենտային գոտում խոռոչների այդ երկու մակարդակները,

Նկ. 8․ n-InAs (կապույտ գիծ) և InAsSbP քվանտային

կետերով նմուշների (կարմիր գիծ) վոլտ-ֆարադային

բնութագծերը:

145

որոնք արձանագրվել են կլանման սպեկտրում երկու մաքսիմումների առաջացմամբ՝

սեփական կլանման եզրից մեծ ալիքի երկարությունների տիրույթում:

Նույն նմուշի վոլտ-ֆարադային բնութագիծը չափված 77 Կ ջերմաստիճանում

(հեղուկ ազոտ) 106Հց հաճախությամբ փոփոխական լարման դեպքում բերված է

նկար 10-ում: Այստեղ նմուշի ունակությունը չափվել է լարման ամպլիտուդի աճի և

նվազման դեպքերում: Ինչպես երևում է նկարից, 77 Կ ջերմաստիճանում նմուշի վոլտ-

ֆարադային բնութագծում առկա են օսցիլյացիաներ։ Բացի այդ, լարման ամպլի-

տուդի իջեցման ժամանակ ունակությունը չի ընդունում այն արժեքները, որոնք ընդու-

նել է դրա մեծացման ժամանակ: Կիրառված 0.02 Վ փոքրագույն լարման ժամանակ

ունենք 0.483 պՖ չափով ունակությունների տարբերություն:

Նման արդյունքներ են ստացվել նաև B նմուշի դեպքում արդեն իսկ սենյակային

ջերմաստիճաններում: Այս նմուշի համար չափվել են վոլտ-ֆարադային բնութագծեր

102,10

3,10

4,10

5 և 10

6 Հց հաճախությունների դեպքում։ Այստեղ ևս ունակությունը

չափվել է լարման մեծացման և փոքրացման համար:

Նկար 11-ում բերված են B նմուշի վոլտ-ֆարադային բնութագծերը՝ չափված հա-

մապատասխանաբար 102, 10

3, 10

4, 10

5 Հց հաճախությունների համար: Կախվածու-

թյունները ստացվել են Origin ծրագրի օգնությամբ, և ինտերպոլացիայի ժամանակ

կիրառվել է spline մեթոդը: Այս 4 հաճախությունների համար, ինչպես երևում է նկա-

րից, լարման մեծացմանը զուգընթաց մեծանում է նաև նմուշի ունակությունը։ 106 Հց

հաճախության համար ստացված արդյունքների դեպքում ունակությունն աճում է ինչ-

պես լարման մեծացման, այնպես էլ փոքրացման ժամանակ:

Նկ. 10․ InAsSbP քվանտային կետերի վոլտ-ֆարադային

բնութագիծը հեղուկ ազոտի ջերմաստիճանում

146

B նմուշի համար 106 Հց հաճախության համար ստացված արդյունքները նման են

A նմուշի համար նույն հաճախության դեպքում ստացված արդյունքներին այն

առումով, որ այս դեպքում նույնպես ունակության արժեքը փոքրանում է թե՛ լարման

մեծացման, թե՛ փոքրացման ժամանակ (նկ. 12): Նկար 11-ում երևում է, որ հաճախու-

թյան մեծացմանը զուգընթաց նվազում է աղմուկը։ Սակայն նկար 12-ում ի հայտ

եկած օսցիլյացիաները ինչպես այս, այնպես էլ նախորդ նմուշի դեպքում, աղմուկ չեն

կարող լինել, որովհետև փորձնական նմուշն այդպիսի հատկություններ չի դրսևորել:

Ինչպես երևում է չափումների արդյունքից, 106 Հց հաճախության դեպքում նմուշի

ունակությունն ընկնում է գրեթե 1 կարգով, իսկ «մնացորդային» ∆C ունակությունը

փոխում է իր նշանը (նկ. 12):

Ինչպես երևում է, գոյություն ունի կրիտիկական ω1 հաճախություն, որի դեպքում

տեղի է ունենում ∆C-ի նշանի ինվերսիա։

Նկ. 11․ InAsSbP քվանտային կետերով B նմուշի վոլտ-ֆարադային բնութագծերը

համապատասխանաբար 102, 10

3, 10

4, 10

5 Հց հաճախությունների դեպքում

Նկ. 12․10

6 Հց հաճախության դեպքում B

նմուշի վոլտ-ֆարադային բնութագիծը:

Նկ. 13․ ∆C-ի կախումը հաճախությունից:

Քվանտային կետերով նմուշների նման վարքագիծը բացատրելը թերևս բարդ

տեսական խնդիր է: Մենք կանխատեսում ենք մի քանի վարկածներ՝ դրանց՝ նման

հատկություններ դրսևորելու վերաբերյալ: Նկար 6-ում մենք կարող ենք տեսնել, որ

էլեկտրոնները դուրս են մղվում քվանտային կետերից, իսկ խոռոչները՝ ընդհակառա-

կը, տեղայնացվում են դրանցում, ինչի հետևանքով առաջանում է տեղային դաշտ:

147

Մեր կարծիքով ∆C-ն պայմանավորված է հենց այդ տեղային դաշտի առկայությամբ:

Եզրակացություն: Աշխատանքի ընթացքում էլեկտրահեղուկային էպիտաքսիա-

յով ստացվել են InAsSbP քվանտային կետեր Ստրանսկի-Կրաստանով մեթոդով InAs

(100) գործարանային տակդիրի վրա: Փորձնական նմուշի հետազոտությունները ցույց

են տվել, որ ֆոտոընդունիչների կոնտակտները բավականին լավ օհմական կոնտակ-

տներ են ինչպես վոլտ-ամպերային, այնպես էլ վոլտ-ֆարադային բնութագծերի չա-

փումների համար: Հետազոտվել է InAs (100) տակդիրի վրա աճեցված InAsSbP քվան-

տային կետերով նմուշի վոլտ-ամպերային բնութագիծը ՄՀց հաճախությամբ

փոփոխական լարման դեպքում: Պարզվել է, որ InAsSbP քվանտային կետերով նմու-

շում արդեն իսկ սենյակային ջերմաստիճաններում ի հայտ են եկել էֆեկտներ, որոնք

սովորաբար ի հայտ են գալիս ավելի ցածր ջերմաստիճաններում:

Գրականություն

1. Курносов А., Юдин В., Технология производства полупроводниковых приборов,

Москва, 1974, 400.

2. Haft D., Warburton R., Karrai K., Huant S., Medeiros-Ribeiro G., Garcia J., Schoenfeld

W., Petroff P., Luminescence quenching in InAs quantum dots, Appl. Phys. Lett., 78, 2946

(2001).

3. Li G., Zheng H., Yang F., Hu C., Capacitance–voltage spectroscopy of In0.5Ga0.5As self-

assembled quantum dots in double quantum wells under selective photo-excitation, Semicond.

Sci. Technol., 18 (2003) 760-762.

4. Nishi K., Saito H., Sugou S., Lee J., A narrow photoluminescence linewidth of 21 meV at

1.35 μm from strain-reduced InAs quantum dots covered by In0.2Ga0.8As grown on GaAs

substrates (0.2-n u 0.8-y indexum en), Appl. Phys. Lett., 74, 1111 (1999).

5. Perera A., Ariyawansa G., Huang G., Bhattacharya P., Quantum dot nanostructures for

multi-band infrared detection, Infrared Physics & Technology, 52 (2009) 252-256.

6. Stranski I., Krastanow L., Zur theorie der orientierten ausscheidung von ionenkristallen

aufeinander, Math.-Naturwiss, 146 (1938), 797.

Լիլիթ Երանյան, Արծրունի Մարգարյան

n-InAs(100) ՏԱԿԴԻՐԻ ՎՐԱ ԱՃԵՑՎԱԾ InAsSbP ԲԱՂԱԴՐՈՒԹՅԱՄԲ ՔՎԱՆՏԱՅԻՆ

ԿԵՏԵՐԻ ԷԼԵԿՏՐԱՖԻԶԻԿԱԿԱՆ ՀԱՏԿՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐԻ ՀԵՏԱԶՈՏՈՒՄԸ

Բանալի բառեր՝ հեղուկային էպիտաքսիա, քվանտային կետեր, ջերմավակուումային

փոշեցրում, ֆոտոընդունիչ, վոլտ-ամպերային բնութագիր, վոլտ-ֆարադային բնութագիր

Հոդվածում ներկայացված են սենյակային և հեղուկ ազոտի (77Կ) ջերմաստիճանի պայ-

մաններում n-InAs (100)-ի տակդիրի հիման վրա հեղուկային էպիտաքսիայի եղանակով աճեց-

րած InAsSbP եռաբաղադրիչ քվանտային կետերով ինֆրակարմիր տիրույթի ֆոտոընդունիչի

վոլտ-ամպերային և վոլտ-ֆարադային բնութագծերի չափումների մեթոդիկան և ստացված

արդյունքները: Նմուշի օհմական կոնտակտները ձևավորվել են ջերմավակուումային փո-

շեցրման տեխնոլոգիայով, որն իրականացվել է §ВУП-5 սարքավորման միջոցով: Վոլտ-ամպե-

րային բնութագրերի չափումների համար օգտագործվել են §Keithley 6514 էլեկտրոմետրը և

§В7-38 վոլտմետրը, իսկ վոլտ-ունակային բնութագրերի ուսումնասիրությունների համար`

“1920 Precision LCR meter” սարքը։ Հետազոտվել է քվանտային կետերի ազդեցությունը I-V և C-

V բնութագրերի վրա։

Лилит Еранян, Арцруни Маргарян

148

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК INASSBP,

ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКЕ N-INAS(100)

Ключевые слова: жидкофазная эпитаксия, квантовые точки, термовакуумное напыление,

фотоприемник, вольт-амперная характеристика, вольт-фарадная характеристика

В статье представлены методика вольт-амперных и вольт-фарадных измерений и

полученные результаты фотоприемника инфракрасного диапазона при температурах комнаты и

жидкого азота (77К) с квантовыми точками InAsSbP, выращенные на подложке InAs(100) методом

жидкофазной эпитаксии. Омические контакты образца сформированы технологией

термовакуумного напыления с помощью прибора §ВУП-5. Для вольт-амперных измерений нами

использовались электрометр §Keithley 6514 и вольтметр §В7-38, а для вольт-фарадных измерений

применялось устройство “1920 Precision LCR meter. В статье представлены также результаты

исследования влияние квантовых точек на I-V и C-V характеристик.

Lilit Yeranyan, Artsruni Margaryan

INVESTIGATION OF ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF INASSBP QUANTUM

DOTS GROWN ON N-INAS (100) SUBSTRATE

Key words: liquid-phase epitaxy, quantum dots, thermal vacuum evaporation, photodetector, I-V

characteristic, C-V characteristic

In this work we present the technique of I-V and C-V measurements and indicate the obtained

results of a photodetector of infrared range at the room and liquid nitrogen(77K) temperatures with

InAsSbP quantum dots grown on n-InAs (100) substrate by liquid-phase epitaxy. Ohmic contacts of the

sample have been created by technique of a thermal vacuum evaporation by §ВУП-5 device. The

§Keithley 6514 electrometer and §В7-38 voltmeter were used for I-V measurements, and “1920 Precision

LCR meter” was used for C-V measurments. The influence of quantum dots on I-V and C-V

characteristics have been investigated.