auxiliar-componente-electronice

prof. RUSU CONSTANTIN

BISTRIA 2015

ISBN - 978-973-0-19868-3

ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

- AUXILIAR CURRICULAR -

I AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

CUPRINS PREFA .................................................................................................................................................. 1

CAPITOLUL 1. MATERIALE SEMICONDUCTOARE ..................................................................................... 2

1.1 GENERALITI ................................................................................................................................ 2

1.2 CONDUCIA N SEMICONDUCTOARE ............................................................................................ 3

1.3 SEMICONDUCTOARE DE TIP N I DE TIP P ................................................................................. 4

1.3.1 SEMICONDUCTOARE DE TIP P ................................................................................................ 4

1.3.2 SEMICONDUCTOARE DE TIP N ................................................................................................ 5

REZUMATUL CAPITOLULUI .................................................................................................................. 6

EVALUAREA CUNOTINELOR ............................................................................................................. 7

CAPITOLUL 2. JONCIUNEA PN. ............................................................................................................... 8

2.1 REALIZAREA JONCIUNII PN ....................................................................................................... 8

2.2 POLARIZAREA DIRECT A JONCIUNII PN ................................................................................... 9

2.3 POLARIZAREA INVERS A JONCIUNII PN ............................................................................... 12

REZUMATUL CAPITOLULUI ........................................................................................................ 16

EVALUAREA CUNOTINELOR .................................................................................................. 17

CAPITOLUL 3. DIODA SEMICONDUCTOARE. .......................................................................................... 18

3.1 STRUCTURA I SIMBOLUL DIODEI ............................................................................................... 18

3.2 TESTAREA DIODELOR ................................................................................................................... 19

LUCRARE DE LABORATOR .................................................................................................................. 20

3.3 POLARIZAREA DIODELOR ............................................................................................................ 22

3.4 PARAMETRII CARACTERISTICI DIODELOR ................................................................................... 23

SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI .................................................................................... 25

3.5 FUNCIONAREA DIODEI REDRESOARE N CIRCUIT. ................................................................... 29

3.5.1 FUNCIONAREA DIODELOR N CIRCUITE DE CURENT CONTINUU. ...................................... 29

3.5.2 FUNCIONAREA DIODELOR N CIRCUITE DE CURENT ALTERNATIV. ................................... 30

3.6 FUNCIONAREA DIODEI STABILIZATOARE N CIRCUIT ................................................................ 31

3.7 DIODE DE UZ SPECIAL .................................................................................................................. 33

3.7.1 DIODE STABILIZATOARE DE CURENT .................................................................................... 33

3.7.2 DIODE CU CONTACT PUNCTIFORM ..................................................................................... 33

3.7.3 DIODE DE COMUTAIE ......................................................................................................... 34

3.7.4 DIODE VARICAP (VARACTOR) ............................................................................................... 34

3.7.5 DIODE TUNEL (ESAKI) ........................................................................................................... 35

3.7.6 DIODE GUNN ........................................................................................................................ 36

II AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

3.7.8 DIODE PIN ............................................................................................................................. 36

REZUMATUL CAPITOLULUI ........................................................................................................... 37

EVALUAREA CUNOTINELOR .................................................................................................... 39

CAPITOLUL 4. APLICAII ALE DIODELOR SEMICONDUCTOARE ............................................................. 40

4.1 REDRESORUL MONO-ALTERNAN ............................................................................................ 40

4.2 REDRESORUL DUBL-ALTERNAN CU PRIZ MEDIAN ............................................................ 41

4.3 REDRESORUL DUBL-ALTERNAN N PUNTE ............................................................................ 42

4.3.1 PUNTEA REDRESOARE .......................................................................................................... 42

SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI ......................................................................... 44

SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI ......................................................................... 48

REZUMATUL CAPITOLULUI ........................................................................................................... 50

EVALUAREA CUNOTINELOR ................................................................................................... 51

CAPITOLUL 5. TRANZISTOARE BIPOLARE .............................................................................................. 52

5.1. TRANZISTOARE BIPOLARE - GENERALITI ................................................................................ 52

5.1.1 STRUCTURA I SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR ......................................................... 52

5.1.2 NCAPSULAREA TRANZISTOARELOR. IDENTIFICAREA TERMINALELOR. ............................... 53

LUCRARE DE LABORATOR ................................................................................................... 56

5.1.3 FUNCIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR ........................................................................ 59

5.1.4 PARAMETRII I CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR ........................................... 61

5.1.5 FUNCIILE TRANZISTORULUI BIPOLAR. ................................................................................ 65

SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI ....................................................................... 67

5.2 CONEXIUNILE TRANZISTOARELOR BIPOLARE .............................................................................. 69

5.2.1 CONEXIUNEA EMITOR COMUN ............................................................................................ 69

5.2.2 CONEXIUNEA BAZ COMUN .............................................................................................. 70

5.2.3 CONEXIUNEA COLECTOR COMUN ........................................................................................ 71

5.3. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE ............................................................................ 72

5.3.1 PUNCTUL STATIC DE FUNCIONARE (PSF) ........................................................................... 72

5.3.2 POLARIZAREA BAZEI DE LA Vcc............................................................................................. 74

5.3.3 POLARIZAREA CU DIVIZOR REZISTIV ..................................................................................... 76

5.3.4 POLARIZAREA CU DOU SURSE DE TENSIUNE ..................................................................... 79

LUCRARE DE LABORATOR ................................................................................................. 81

5.4. DEPANAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE.......................................................... 83

5.4.1 DEFECTE INTERNE ALE TRANZISTORULUI ............................................................................. 83

5.4.2 DEFECTE ALE CIRCUITELOR DE POLARIZARE ........................................................................ 86

5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE ..................................................... 90

III AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

5.6. FORMULE DE BAZ UTILIZATE N CIRCUITELE CU TRANZISTOARE ....................................... 102

REZUMATUL CAPITOLULUI. ................................................................................................... 104


CAPITOLUL 6. TRANZISTOARE UNIPOLARE ......................................................................................... 110

6.1. TRANZISTOARE UNIPOLARE - GENERALITI ........................................................................... 110

6.2. TRANZISTOARE CU GRIL JONCIUNE (TEC-J) .......................................................................... 111

6.2.1 Structurile de baz i simbolurile dispozitivelor TEC-J ....................................................... 111

6.2.2 ncapsularea i identificarea terminalelor dispozitivelor TEC-J. ......................................... 112

6.2.3. Principiul de funcionare al tranzistoarelor TEC-J. ............................................................ 113

6.2.4. Caracteristicile tranzistoarelor cu efect de cmp cu gril jonciune. ................................ 113

6.2.5. Polarizarea tranzistoarelor TEC-J. ...................................................................................... 115

6.3 TRANZISTOARE CU GRIL IZOLAT (TEC-MOS) ........................................................................ 116

6.3.1. Structurile de baz i simbolurile dispozitivelor TEC-MOS. ............................................... 116

6.3.2. Principiul de funcionare al dispozitivelor TEC-MOS. ........................................................ 117

6.3.3 Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS. .................................................................................. 119

REZUMATUL CAPITOLULUI. ................................................................................................... 120


CAPITOLUL 7. TRANZISTOARE UNIJONCIUNE .................................................................................... 124

7.1 STRUCTURA I FUNCIONAREA TUJ .......................................................................................... 124

7.1.1 Structura i simbolul tranzistorului unijonciune ............................................................... 124

7.1.2 Funcionarea i caracteristica static de emitor a TUJ. ...................................................... 124

7.1.3 Caracteristicile electrice specifice tranzistoarelor unijonciune ........................................ 125

7.2. STRUCTURA I FUNCIONAREA UNUI TUJ PROGRAMABIL ...................................................... 126

7.2.1 Structura i simbolul unui TUJ programabil ....................................................................... 126

7.2.2 Funcionarea i caracteristica static de emitor a TUP. ..................................................... 127

7.3 Identificarea terminalelor tranzistoarelor unijonciune ........................................................... 127

CAPITOLUL 8. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE .................................................................................. 128

8.1. DISPOZITIVE FOTODETECTOARE .............................................................................................. 128

8.1.1 FOTOREZISTORUL ............................................................................................................... 128

8.1.2 FOTODIODA ........................................................................................................................ 130

8.1.3 FOTOTRANZISTORUL .......................................................................................................... 134

LUCRARE DE LABORATOR ................................................................................................ 139

8.2. DISPOZITIVE FOTOEMITOARE .............................................................................................. 141

8.2.1 DIODA LUMINISCENT (LED) .............................................................................................. 141

8.2.2 CELULA DE AFIAJ 7 SEGMENTE CU LED-uri. ...................................................................... 146

IV AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

8.3. MODULATOARE OPTOELECTRONICE ........................................................................................ 149

8.3.1 CUPLOARE OPTICE .............................................................................................................. 149

8.3.2 FIBRE OPTICE ...................................................................................................................... 153



REZUMATUL CAPITOLULUI ...................................................................................................... 160


CAPITOLUL 9. DISPOZITIVE MULTIJONCIUNE .................................................................................... 164

9.1. DIODA SHOCKLEY ..................................................................................................................... 164

9.1.1 STRUCTUR I SIMBOL ....................................................................................................... 164

9.1.2 FUNCIONAREA DIODEI SHOCKLEY. ................................................................................... 164

9.2. TIRISTORUL ............................................................................................................................... 167

9.2.1 STRUCTUR I SIMBOL ....................................................................................................... 167

9.2.2 PARAMETRII ELECTRICI AI TIRISTORULUI ........................................................................... 167

9.2.3 FUNCIONAREA TIRISTORULUI ........................................................................................... 168

9.2.4 IDENTIFICAREA TERMINALELOR TIRISTORULUI.................................................................. 170

SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI ..................................................................... 171

LUCRARE DE LABORATOR ............................................................................................... 172

9.3. DIACUL I TRIACUL ................................................................................................................... 173

9.3.1 DIACUL ................................................................................................................................ 173

9.3.2 TRIACUL .............................................................................................................................. 174

LUCRARE DE LABORATOR ............................................................................................... 175

REZUMATUL CAPITOLULUI ...................................................................................................... 177


BIBLIOGRAFIE ...................................................................................................................................... 179

AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

1 AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

PREFA

Electronica este o disciplin tehnico-tiinific n care teoria se mbin n mod

armonios i indispensabil cu practica. Electronica este o ramur de vrf a industriei

att n zilele noastre ct i n toate epocile viitoare.

nc de la nceputurile sale electronica a atras n special tinerii dornici de a

realiza i experimenta diverse construcii.

Printr-o munc bine dirijat n care se mbin armonios nsuirea elementelor

teoretice cu realizarea construciilor practice, tnrul licean de azi va fi specialistul de

mine.

Auxiliarul curricular Electronic Analogic Componente electronice se

adreseaz elevilor care urmeaz cursurile unui liceu tehnologic sau ale unei coli de

arte i meserii, domeniul electronic i automatizri precum i specializrile care

deriv din acest domeniu.

Auxiliarul curricular este structurat n nou capitole. n fiecare capitol sunt

tratate noiunile teoretice de baz corespunztoare temei respective, lucrri de

laborator i simulri cu ajutorul calculatorului. Fiecare capitol se ncheie cu un

rezumat i un test de verificare a cunotinelor.

Acest auxiliar curricular trateaz numai componentele electronice elementare.

Aplicaiile componentelor electronice, circuitele integrate, circuitele electronice sunt

tratate n auxiliarul curricular Electronic Analogic Circuite electronice.

Autorul ureaz mult succes celor care utilizeaz acest auxiliar curricular i le

dorete s mbine ct mai plcut i armonios cunotinele teoretice cu abilitile

tehnice pentru a-i dezvolta ct mai mult puterea de creaie tehnic.

N ELECTRONIC VIITORUL RMNE DESCHIS TUTUROR POSIBILITILOR.

Prof. RUSU CONSTANTIN

Colegiul Tehnic INFOEL - BISTRIA

CAPITOLUL 1. MATERIALE SEMICONDUCTOARE



1.1 GENERALITI

n funcie de rezistivitatea electric, materialele electrotehnice pot fi ncadrate n trei

categorii:

Materiale izolatoare - rezistivitatea electric = 1012 1023 [2

];

Materiale semiconductoare - rezistivitatea electric = 10 1012 [2

];

Materiale conductoare - rezistivitatea electric = 10-2 10 [2

].

Materialele semiconductoare din punct de vedere al conducerii curentului electric au

proprieti intermediare ntre conductoare i izolatoare. Cele mai rspndite

materiale semiconductoare sunt germaniul, siliciul, carbonul.

Materialele semiconductoare sunt alctuite din atomi care prezint patru

electroni de valen caracteristici (figura 1.1)

a. Atom de siliciu b. Atom de germaniu

Figura 1.1 Diagramele atomilor de siliciu i germaniu

Electronii de valen ai atomului de siliciu (fig. 1.1 a) se afl pe stratul trei iar

cei ai germaniului (fig.1.1 b) se afl pe stratul patru. Deoarece electronii de valen

ai germaniului se afl mai departe de nucleu, posed energii mai mari dect cei ai

siliciului care se afl mai aproape de nucleu, deci le este necesar un surplus

energetic mai mic pentru a se desprinde din atom. Aceast caracteristic face ca

germaniul s devin instabil la temperaturi mari, de aceea siliciul este materialul

semiconductor cel mai des utilizat la construcia dispozitivelor electronice active.

+14 +32



1.2 CONDUCIA N SEMICONDUCTOARE

Pentru a forma o structur solid, atomii unui semiconductor se combin prin legturi

covalente dintre electronii de valen, formnd o structur cristalin. Prin legturile

covalente fiecare din cei patru electroni de valen a unui atom de siliciu se pun n

comun cu cte un electron de valen a unui atom de siliciu nvecinat (figura 1.2).

Cristalul astfel format se numete intrinsec deoarece nu conine impuriti.

a. Poriune dintr-un cristal pur de SI b. Diagram de legturi

Figura 1.2 Legturile covalente la siliciu

n jurul nucleului unui atom de material semiconductor se afl trei benzi de energie:

banda de valen n care se afl electronii de valen din semiconductor;

banda interzis reprezint diferena energetic dintre banda de valen i

banda de conducie;

banda de conducie n care se afl electronii liberi din semiconductor.

Un cristal de siliciu pur (intrinsec) la o anumit temperatur, permite unor electroni de

valen din banda de valen s acumuleze suficient energie pentru a strpunge

banda interzis i a trece n banda de conducie. Aceti electroni se numesc

electroni liberi. Cnd un electron trece din banda de valen n banda de conducie,

locul su din banda de valen rmne liber. Acest loc liber se numete gol. n acest

mod se creeaz perechile electron-gol.

Dac la capetele unui cristal de siliciu intrinsec se aplic o tensiune n interiorul

cristalului circul dou categorii de cureni:

curentul de electroni care reprezint deplasarea ordonat a electronilor

liberi din banda de conducie spre polul pozitiv al sursei de alimentare;

curentul de goluri care reprezint deplasarea ordonat a golurilor din

banda de valen prin structura cristalin n sens opus curentului de electroni.

Si

Si Si Si

Si

Si

Si

Si Si

Si

- -

- - - - - -



1.3 SEMICONDUCTOARE DE TIP N I DE TIP P

Datorit numrului limitat de electroni liberi din banda de conducie i de goluri din

banda de valen, materialele semiconductoare n stare intrinsec nu conduc

curentul electric. Pentru a putea fi utilizate n diverse aplicaii acestea trebuie

prelucrate n scopul mririi conductivitii electrice, prin introducerea controlat a

unor impuriti n materialul intrinsec care duce la creterea numrului de purttori de

curent. Acest procedeu se numete dopare.

ntr-un cristal semiconductor electronii liberi reprezint sarcinile negative (N) iar

golurile reprezint sarcinile pozitive (P).

1.3.1 SEMICONDUCTOARE DE TIP P

Aceste semiconductoare au un numr mare de goluri. Deoarece majoritatea

purttorilor de curent este constituit din goluri (sarcini pozitive) acestea poart

denumirea de semiconductoare de tip P.

Pentru a obine un semiconductor de tip P (fig.1.3), un cristal de siliciu pur se

dopeaz cu atomi de impurificare trivaleni (cu trei electroni de valen) aluminiu

(Al), bor (B), galiu (Ga), indiu (In).

Figura 1.3 Semiconductor de siliciu de tip P impurificat cu galiu

Atomul de galiu are trei electroni de valen. Toi cei trei electroni de valen particip

la legturile covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu. Deoarece un

atom de siliciu are patru electroni de valen la fiecare atom de galiu din cristalul de

siliciu apare cte un gol.

La semiconductorul de tip P, golurile sunt purttori majoritari iar electronii sunt

purttori minoritari.

Si

Si Si

Si

Ga

Gol creat de

atomul de galiu



1.3.2 SEMICONDUCTOARE DE TIP N

Aceste semiconductoare au un numr mare de electroni. Deoarece majoritatea

purttorilor de curent este constituit din electroni (sarcini negative) acestea poart

denumirea de semiconductoare de tip N.

Pentru a obine un semiconductor de tip N (fig.1.4), un cristal de siliciu pur se

dopeaz cu atomi de impurificare pentavaleni (cu cinci electroni de valen)

arseniu (As), fosfor (P), bismut (Bi), stibiu (Sb).

Figura 1.4 Semiconductor de siliciu de tip N impurificat cu fosfor

Atomul de fosfor are cinci electroni de valen. Patru dintre cei cinci electroni de

valen particip la legturile covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu,

iar al cincilea rmne liber (deoarece un atom de siliciu are patru electroni de

valen).

La fiecare atom de fosfor din cristalul de siliciu apare cte un electron liber.

La semiconductorul de tip N, electronii sunt purttori majoritari iar golurile sunt

purttori minoritari.

Si Si

Si

P

Electron liber de la atomul

de fosfor Si



REZUMATUL CAPITOLULUI

Din punct de vedere al conductibilitii materialele semiconductoare se

situeaz ntre materialele conductoare care au un numr mare de electroni

(conduc foarte bine curentul electric) i materialele izolatoare care au un

numr foarte mic de electroni liberi (nu conduc curentul electric).

Atomii semiconductoarelor au patru electroni de valen.

Cele mai rspndite materiale semiconductoare sunt: Germaniul, Siliciul i

Carbonul dintre care Siliciul este cel mai larg utilizat.

n jurul nucleului unui atom de material semiconductor se formeaz trei benzi

de energie: banda de valen, banda interzis, banda de conducie.

Electronii liberi sunt electronii care la o anumit temperatur a cristalului

semiconductor pur trec din banda de valen n banda de conducie.

Golurile sunt locurile libere din banda de valen lsate de electronii liberi.

Dac la capetele unui cristal semiconductor se aplic o tensiune, n interiorul

cristalului apare un curent de electroni care reprezint deplasarea ordonat

a electronilor liberi spre polul pozitiv al sursei i un curent de goluri care

reprezint deplasarea ordonat a golurilor spre polul negativ al sursei.

Procedeul prin care unui cristal semiconductor i se adaug impuriti se

numete dopare.

Materialele semiconductoare de tip p se formeaz prin doparea cu atomi de

impurificare trivaleni (Aluminiu, Bor, Gali, Indiu).

ntr-un semiconductor de tip p purttorii majoritari sunt golurile iar purttorii

minoritari sun electronii liberi.

Materialele semiconductoare de tip n se formeaz prin doparea cu atomi de

impurificare pentavaleni (Arseniu, Fosfor, Bismut, Stibiu).

ntr-un semiconductor de tip n purttorii majoritari sunt electronii liberi iar

purttorii minoritari sun golurile.

Electronii sunt sarcini electrice negative iar golurile sunt sarcini electrice

pozitive.



EVALUAREA CUNOTINELOR

I. ncercuiete varianta de rspuns corect.

1. Materialele semiconductoare au:

a. 3 electroni de valen;

b. 4 electroni de valen;

c. 5 electroni de valen.

2. Cel mai utilizat material semiconductor este:

a. siliciul;

b. germaniul;

c. carbonul.

3. Pentru a obine un semiconductor de tip p un cristal de siliciu pur se dopeaz cu:

a. trei electroni de valen;

b. patru electroni de valen;

c. cinci electroni de valen.

4. Pentru a obine un semiconductor de tip n un cristal de siliciu pur se dopeaz cu:

a. trei electroni de valen;

b. patru electroni de valen;

c. cinci electroni de valen.

II. Completai spaiile libere cu informaia corect.

1. ntr-un cristal semiconductor electronii liberi reprezint sarcinile

iar golurile reprezint sarcinile ..

2. ntr-un semiconductor de tip p electronii liberi sunt purttorii

iar golurile sunt purttorii ..

3. ntr-un semiconductor de tip n golurile sunt purttorii.

iar electronii liberi sunt purttorii ..

4. Procedeul prin care unui semiconductor i se adaug impuriti se numete

CAPITOLUL 2. JONCIUNEA PN.



2.1 REALIZAREA JONCIUNII PN

Dac dopm o jumtate dintr-un cristal de siliciu cu impuriti trivalente, iar cealalt

jumtate cu impuriti pentavalente se obin dou regiuni vecine cu tip diferit de

impurificare, o regiune de tip p i o regiune de tip n.

Jonciunea PN reprezint zona de contact dintre dou regiuni vecine, una de tip P i

una de tip N, create ntr-un monocristal pur (fig.2.1 a).

a. Structur PN iniial b. Formarea regiunii de barier

Figura 2.1 Structura semiconductorului n care s-a creat o jonciune PN

La formarea jonciunii PN electronii din regiunea N tind s ocupe golurile din

regiunea P i difuzeaz prin jonciune. Deoarece prin plecarea electronilor rmne

un surplus de sarcini electrice pozitive n vecintatea jonciunii spre regiunea N se

creeaz un spaiu ncrcat cu sarcini pozitive (ioni pentavaleni) (fig.2.1 b). n acelai

timp golurile din regiunea P se combin cu electronii care au strpuns jonciunea.

Prin sosirea electronilor apare un surplus de sarcini electrice negative iar n

vecintatea jonciunii spre regiunea P se creeaz un spaiu ncrcat cu sarcini

negative (ioni trivaleni) (fig.2.1 b).

Cele dou zone cu sarcini pozitive i negative formeaz regiunea de barier.

Aceste procese se desfoar pn cnd sarcina negativ total din regiunea de

barier mpiedic ali electroni s mai difuzeze prin aceast regiune (apare

fenomenul respingere a sarcinilor electrice de acelai potenial).

n regiunea de barier ntre sarcinile pozitive i negative apare un cmp de fore

numit cmp electric intern. Diferena de potenial al cmpului electric intern se

numete potenial de barier (Vp - tensiune de prag) i se exprim n voli.

Cmpul electric intern din regiunea de barier se comport ca o barier n calea

electronilor care tind s traverseze regiunea.

- goluri - electroni

regiunea P regiunea N jonciunea PN

-

+

regiune de barier

P N +

- - -

+ + +



Valoarea tensiunii de prag depinde de materialul din care este construit cristalul de

semiconductor:

n cazul siliciului tensiunea de prag este de aproximativ 0,6 1,2 V;

n cazul germaniului tensiunea de prag este de aproximativ 0,2 0,6 V.

Pentru ca electronii s poat strbate regiunea de barier, trebuie s li se furnizeze

energie din exterior, care se face prin polarizarea jonciunii PN.

2.2 POLARIZAREA DIRECT A JONCIUNII PN

Prin polarizare se nelege aplicarea unei tensiunii continue la capetele celor dou

regiuni. La polarizarea direct borna plus (+) a sursei de alimentare se conecteaz

la regiunea P a jonciunii PN iar borna minus (-) a sursei se conecteaz la regiunea

N a jonciunii PN. Jonciunea se conecteaz n serie cu un rezistor R care limiteaz

valoarea curentului prin circuit pentru a nu deteriora jonciunea.

Figura 2.2 Polarizarea direct a jonciunii PN

Att timp ct valoarea tensiunii sursei de alimentare E este mai mic dect tensiunea

cmpului electric intern Eint prin jonciune nu circul curent (jonciunea este blocat).

Cnd tensiunea de polarizare depete valoarea tensiunii de prag a jonciunii se

creeaz un cmp electric extern Eext care strbate jonciunea de la P la N i care

este contrar cmpului electric intern al jonciunii. Astfel jonciunea PN este parcurs

de un curent direct ID dinspre regiunea P spre regiunea N, curent care crete

exponenial cu tensiunea aplicat jonciunii. n figura 2.4 sunt prezentate cteva

situaii practice de polarizare a jonciunii PN unde se observ cum crete valoarea

curentului prin jonciune la creterea valorii tensiunii de alimentare a jonciunii.

N E

int

Eext

E

ID

P

R



La polarizarea direct a jonciunii PN fenomenele se desfoar astfel (fig.2.3):

Minusul sursei de alimentare fiind conectat la regiunea negativ N respinge

electronii (care sunt sarcini negative i purttori majoritari in regiunea N) din

regiunea N spre regiunea P (se formeaz curentul de electroni). Tot borna

negativ a sursei de alimentare injecteaz un flux continuu de electroni ctre

regiunea negativ N prin circuitul exterior;

Sursa de alimentare ofer electronilor din regiunea N suficient energie ca

acetia s strbat regiunea de barier i s ajung n regiunea P. Cnd

electronii liberi ajung n aceast regiune nu mai au suficient energie s se

combine cu golurile din regiunea P i sunt atrai de borna pozitiv a sursei de

alimentare. Pe msur ce electronii prsesc regiunea P i se ndrept spre

borna pozitiv a sursei de alimentare prin circuitul exterior, n regiunea P

numrul de goluri crete;

Golurile din regiunea P strbat jonciunea PN i ajung n regiunea N (se

formeaz curentul de goluri). Deoarece numrul de goluri care strbat

jonciunea este mai mare dect numrul de electroni curentul de goluri

formeaz curentul direct ID care strbate jonciunea PN de la P spre N;

n concluzie, jonciunea PN la polarizare direct este strbtut de un

curent direct de la regiunea P spre regiunea N;

Deoarece numrul de electroni i goluri care ptrund n zona de barier cresc,

scad numrul de ioni pozitivi i negativi din zona de barier (electronii se

combin cu golurile). Aceast scdere duce la ngustarea regiunii de barier i

produce la capetele jonciunii PN o cdere de tensiune egal cu potenialul de

barier (tensiunea de prag).

Figura 2.3 Deplasarea fluxurilor de purttori la polarizarea direct a jonciunii PN



Figura 2.4 Msurarea tensiunii i a curentului la polarizarea direct a jonciunii PN

Prin reprezentarea grafic a valorilor obinute n montajele din figura 2.4 se obine

caracteristica static a jonciunii PN pentru polarizarea direct (fig. 2.5).

Figura 2.5 Caracteristica static a jonciunii PN pentru polarizarea direct

UD

UP

0,7V

A B C

D

0

ID

A B

C D



2.3 POLARIZAREA INVERS A JONCIUNII PN

La polarizarea invers borna plus (+) a sursei de alimentare se conecteaz la

regiunea N a jonciunii PN iar borna minus (-) a sursei se conecteaz la regiunea P

a jonciunii PN. Jonciunea se conecteaz n serie cu un rezistor R care limiteaz

valoarea curentului prin circuit pentru a nu deteriora jonciunea.

Figura 2.6 Polarizarea invers a jonciunii PN

La polarizarea direct a jonciunii PN borna pozitiv a sursei de alimentare atrage

electronii din regiunea N spre captul din dreapta a regiunii iar n regiunea de barier

spre regiunea N apar ioni pozitivi suplimentari. n acelai timp borna negativ a

sursei de alimentare genereaz electroni liberi care se deplaseaz prin regiunea P

spre regiunea de blocare unde creeaz un surplus de ioni negativi.

n acest mod crete limea zonei de blocare iar purttorii majoritari scad semnificativ

pn cnd potenialul regiunii de blocare ajunge la valoarea tensiunii sursei de

alimentare E. Din acest moment curentul prin jonciune dispare aproape complet, cu

excepia unui curent invers foarte mic.

n concluzie, polarizarea invers a jonciunii PN determin apariia unui cmp electric

extern Eext mai mare i de acelai sens cu cmpul electric intern Eint, care se

ndreapt de la zona N spre zona P, care mpiedic deplasarea purttorilor de

sarcin majoritari dar favorizeaz deplasarea purttorilor de sarcin minoritari. Aceti

purttori de sarcin prin deplasarea lor formeaz curentul invers care este foarte

mic i este independent de valoarea tensiunii de alimentare. Valoarea curentului

invers depinde numai de temperatura jonciunii.

Eext

E

IINV

P

R

E

int N



n figura 2.7 sunt prezentate cteva situaii practice de polarizare invers a jonciunii

PN iar n figura 2.8 este prezentat caracteristica static a jonciunii PN pentru

polarizarea invers.

Figura 2.7 Msurarea tensiunii i a curentului la polarizarea invers a jonciunii PN

Figura 2.8 Caracteristica static a jonciunii PN pentru polarizarea invers

USTR reprezint tensiunea invers de strpungere a jonciunii PN (n acest caz 50V)

UINV

USTR

A B C

D

0

IINV

A B

C D



n figura 2.9 este reprezentat graficul caracteristicii statice complete a jonciunii PN.

Figura 2.9 Caracteristica static a jonciunii PN

Caracteristica static a jonciunii PN este reprezentarea grafic a relaiei tensiune

curent ce caracterizeaz aceast jonciune. n figura 2.9 este reprezentat graficul

complet al caracteristicii statice n ambele situaii de polarizare.

ZONA I corespunde polarizrii directe cnd jonciunea PN permite trecerea

curentului electric prin ea. Jonciunea se deschide i permite trecerea curentului

electric cnd tensiunea pe jonciune depete tensiunea de prag (Up).

n aceast zon de funcionare jonciunea are urmtoarele caracteristici:

Tensiunea la bornele jonciunii este aproximativ constant n jurul valorii

tensiunii de prag i nu crete odat cu tensiunea de alimentare;

Curentul prin jonciune are valoare mare i este dependent de valoarea

rezistorului conectat n serie cu jonciunea;

Rezistena electric a jonciunii este foarte mic.

UD

[V]

0,7V

ID

[mA]

UINV

UST

0

IINV

[A]

UP

ZONA I

ZONA II

ID max

IINV max

IINV



ZONA II corespunde polarizrii inverse cnd jonciunea PN nu permite trecerea

curentului electric prin ea. Jonciunea este blocat iar curentul care circul prin

jonciune este foarte mic i depinde doar de temperatura jonciunii i natura

semiconductorului. Acest curent numit i curent invers este de ordinul

nanoamperilor (10-9 A) pentru Si i de ordinul microamperilor (10-6 A) pentru Ge. n

aceast zon de funcionare jonciunea are urmtoarele caracteristici:

Tensiunea la bornele jonciunii este aproximativ egal cu valoarea tensiunii de

alimentare crete odat cu aceasta;

Curentul prin jonciune are valoare foarte mic i nu depinde de valoarea

tensiunii de alimentare att timp ct acesta nu depete valoare tensiunii de

strpungere a semiconductorului;

Rezistena electric a jonciunii este foarte mare.

La extremitile celor dou zone se gsesc zonele care limiteaz funcionarea

jonciunii PN n parametrii normali, astfel:

La extremitatea zonei I cnd jonciunea este polarizat direct dac se

depete valoare curentului direct maxim (ID max) jonciunea se

supranclzete i se distruge. Pentru a preveni aceast situaie se calculeaz

corect rezistena i puterea electric a rezistorului care se conecteaz n serie

cu jonciunea. Aceast valoare se calculeaz n funcie de valoarea tensiunii

de alimentare i a curentului maxim admis prin jonciune;

La extremitatea zonei II cnd jonciunea este polarizat invers dac se

depete valoare tensiunii de strpungere (UST) curentul prin jonciune

crete foarte mult fapt care duce la supranclzirea i distrugerea jonciunii.

Pentru a preveni aceast situaie se urmrete ca valoarea tensiunii de

alimentare s nu depeasc valoarea tensiunii de strpungere pentru care a

fost proiectat jonciunea, n situaia n care jonciunea este polarizat invers.




Jonciunea PN este o structur fizic obinut prin doparea unui monocristal

semiconductor pur cu impuriti trivalente i pentavalente.

Jonciunea PN reprezint zona de contact dintre dou regiuni vecine, una de

tip P i una de tip N.

Jonciunea PN are trei regiuni: dou regiuni neutre de tip p i de tip n ntre

care se afl o regiune de trecere numit i regiune de blocare sau regiune

golit.

Prin polarizarea jonciunii se nelege alimentarea cu tensiune a jonciunii

prin conectarea celor dou regiuni neutre P i N la bornele unei surse de

tensiune continu.

La polarizarea direct regiunea P se conecteaz la borna pozitiv a sursei

iar regiunea N se conecteaz la borna negativ a sursei de alimentare.

La polarizarea invers regiunea P se conecteaz la borna negativ a sursei

iar regiunea N se conecteaz la borna pozitiv a sursei de alimentare.

Tensiunea de prag (potenialul de barier) reprezint tensiunea minim la

care jonciunea permite la polarizarea direct trecerea curentului electric.

La cristalul de siliciu tensiunea de prag este 0,6 1,2 V iar la cristalul de

germaniu tensiunea de prag este 0,2 0,6 V.

La polarizarea direct a jonciunii PN regiunea golit se ngusteaz iar la

polarizarea invers regiunea golit se lrgete.

Cnd se polarizeaz o jonciune se conecteaz n circuitul electric n serie cu

un rezistor care are rolul de a limita curentul electric prin jonciune.

La polarizarea direct rezistena electric a jonciunii este foarte mic i n

momentul n care tensiunea pe jonciune depete tensiunea de prag prin

jonciune circul un curent mare (numit i curent direct) dinspre zona P spre

zona N.

La polarizarea invers rezistena electric a jonciunii este foarte mare iar prin

jonciune circul un curent foarte mic (numit i curent invers) dinspre zona N

spre zona P.

Pentru a preveni deteriorarea jonciunii PN se ine cont de valoarea maxim a

curentului direct i valoarea tensiunii inverse maxime ( tensiune de

strpungere).




I ncercuiete varianta de rspuns corect.

1. Jonciunea PN se formeaz la:

a. Recombinarea electronilor cu golurile;

b. Ciocnirea unui neutron i proton;

c. Limita de separare ale semiconductoarelor de tip P i tip N.

2. Regiunea golit const n:

a. Purttori majoritari;

b. Purttori minoritari;

c. Ioni pozitivi i negativi.

3. Polarizarea nseamn:

a. Intensitatea curentului ce strbate jonciunea;

b. Tensiunea electric dintre zonele P i N ale jonciunii PN;

c. Tensiunea electric continu aplicat la zonele P i N ale jonciunii.

4. Tensiune de prag reprezint:

a. Tensiunea minim la care jonciunea permite trecerea curentului;

b. Tensiunea minim la care jonciunea blocheaz trecerea curentului;

c. Tensiunea maxim la care jonciunea permite trecerea curentului.

5. La polarizarea direct a jonciunii PN:

a. Borna pozitiv a sursei de alimentare se conecteaz la zona N;

b. Borna pozitiv a sursei de alimentare se conecteaz la zona P;

c. Borna pozitiva a sursei de alimentare se poate conecta la orice zon.

6. La polarizarea invers a jonciunii PN:

a. Borna pozitiv a sursei de alimentare se conecteaz la zona N;

b. Borna pozitiv a sursei de alimentare se conecteaz la zona P;

c. Borna pozitiva a sursei de alimentare se poate conecta la orice zon.

7. La polarizarea direct a jonciunii PN:

a. Curentul prin jonciune este mare i tensiunea pe jonciune este mic;

b. Curentul prin jonciune este mic i tensiunea pe jonciune este mare;

c. Curentul i tensiunea sunt mari.

8. La polarizarea invers a jonciunii PN:

a. Curentul prin jonciune este mare i tensiunea pe jonciune este mic;

b. Curentul prin jonciune este mic i tensiunea pe jonciune este mare;

c. Curentul i tensiunea sunt mari.

CAPITOLUL 3. DIODA SEMICONDUCTOARE.



3.1 STRUCTURA I SIMBOLUL DIODEI

Dioda semiconductoare - este un dispozitiv electronic format dintr-o jonciune

PN prevzut cu dou contacte metalice ataate la cele dou zone numite Anod (+)

i Catod(-). Acest ansamblu este introdus ntr-o capsul cu rol de protecie i de

transfer al cldurii degajate n timpul funcionrii.

Figura 3.1 Structura i simbolul grafic al diodei

Materialele utilizate pentru construcia jonciunii PN sunt metale semiconductoare

(Germaniu i Siliciu).

Capsulele diodelor pot fi din plastic, din sticl sau metalice.

Figura 3.2 Capsule de diode uzuale

Simbolurile diodelor utilizate frecvent n circuitele electronice sunt prezentate mai jos:

DIODA REDRESOARE DIOADA STABILIZATOARE

DIODA CU CONTACT DIODA DE COMUTAIE

PUNCTIFORM

DIODA VARICAP DIODA TUNEL



3.2 TESTAREA DIODELOR

a. Verificarea diodelor se face cu multimetru digital prin dou metode:

1. Se msoar rezistena diodei n ambele sensuri.

Dioda funcioneaz dac ntr-un sens aparatul indic rezisten mic (pe display este

afiat un numr) iar n cellalt sens indic rezisten foarte mare (pe display este

afiat I. sau .0L).

Pentru msurarea rezistenei jonciunii diodei, comutatorul multimetrului se fixeaz

pe domeniul ohmi pe poziia 2M sau 20M

2. Se msoar tensiunea la bornele diodei n ambele sensuri.

Dioda funcioneaz dac ntr-un sens aparatul indic 0,7 V iar n cellalt sens indic

0 V.

Pentru msurarea tensiunii pe diod, comutatorul multimetrului se fixeaz pe poziia

. Dac multimetrul este prevzut cu buton de selecie a funciei se

activeaz butonul de selecie pn apare pe display simbolul diodei.

b. Identificarea terminalelor diodei semiconductoare se face prin dou metode:

1. Vizual - n funcie de tipul capsulei:

La diodele n capsul de plastic i de sticl terminalul spre care este o band

colorat reprezint Catodul(-);

La diodele n capsul metalic terminalul care este n legtur direct cu

corpul diodei reprezint Catodul(-).

Figura 3.3 Identificarea terminalelor diodei in funcie de tipul capsulei

2. Prin msurarea rezistenei sau a tensiunii pe diod cu multimetrului digital:

Se conecteaz tastele multimetrului la bornele diodei n sensul n care acesta indic

rezisten mic sau indic tensiune. n aceast situaie borna + (plus) a

multimetrului este conectat la anodul diodei (+) iar borna (minus) a

multimetrului este conectat la catodul diodei (-).



LUCRARE DE LABORATOR

VERIFICAREA I IDENTIFICAREA TERMINALELOR UNEI DIODE.

OBIECTIVE:

o Verificarea diodei semiconductoare;

o Identificarea terminalelor diodei cu multimetru digital.

RESURSE:

o Multimetru digital;

o Diode redresoare 1N4007.

DESFURAREA LUCRRII:

1. Se verific dioda prin msurarea rezistenei jonciunii parcurgnd etapele:

Se fixeaz comutatorul multimetrului pe poziia ;

Se conecteaz tastele multimetrului la bornele diodei n ambele sensuri (se

schimb poziia terminalelor diodei fa de tastele multimetrului);

a. b.

Figura 3.4 Msurarea rezistenei jonciunii diodei n ambele sensuri

Se observ c ntr-un sens ohmmetrul indic rezisten (fig. 3.4 a) iar n

cellalt sens ohmmetrul indic rezisten foarte mare (fig.3.4 b);

Dac n ambele sensuri ohmmetrul indic rezisten atunci jonciunea diodei

este strpuns;

Dac n ambele sensuri ohmmetrul indic rezisten foarte mare atunci

jonciunea diodei este ntrerupt.



2. Se verific dioda prin msurarea tensiunii pe jonciune parcurgnd etapele:

Se fixeaz comutatorul multimetrului pe poziia diod;

Se activeaz butonul de selecie buzer / diod pn apare afiat pe display

simbolul diodei;

Se conecteaz tastele multimetrului la bornele diodei n ambele sensuri (se

schimb poziia terminalelor diodei fa de tastele multimetrului);

a b

Figura 3.5 Msurarea tensiunii pe jonciunea diodei n ambele sensuri

Se observ c ntr-un sens multimetrul indic tensiune 0,5 V (fig. 3.5 a) iar

n cellalt sens multimetrul nu indic tensiune 0 V (fig.3.5 b);

3. Se identific terminalele diodei astfel:

Se conecteaz tastele multimetrului la terminalele diodei n sensul n care

acesta indic rezisten electric (fig. 3.4 a) sau indic tensiune (fig. 3.5 a).

Terminalul la care este conectat tasta + (plus) a multimetrului este anodul

(+) diodei.



3.3 POLARIZAREA DIODELOR

Dioda redresoare, dioda cu contact punctiform, dioda de comutaie, dioda tunel se

polarizeaz direct.

Dioda stabilizatoare, dioda varicap se polarizeaz invers.

Prin polarizare se nelege aplicarea la terminalele diodei a unei tensiuni continue.

Polarizarea poate fi direct i invers.

Polarizare direct - const n conectarea bornei (+) a sursei la Anodul (+) diodei i

a bornei (-) a sursei la Catodul (-) diodei.

O diod este polarizat direct i n situaia n care anodul este mai pozitiv dect

catodul .

LA POLARIZARE DIRECT DIODA INTR N CONDUCIE I PERMITE

TRECEREA CURENTULUI ELECTRIC PRIN EA.

Polarizare invers - const n conectarea bornei (+) a sursei la Catodul (-) diodei i

a bornei (-) a sursei la Anodul (+) diodei.

O diod este polarizat invers i n situaia n care anodul este mai negativ dect

catodul .

LA POLARIZARE INVERS DIODA SE BLOCHEAZ I NU PERMITE TRECEREA

CURENTULUI ELECTRIC PRIN EA.

Tensiunea de prag - este tensiunea minim cu care trebuie s fie polarizat o diod

pentru a intra n conducie.

Pentru diodele cu siliciu tensiunea de prag are valoarea 0,6 V iar pentru cele cu

germaniu are valoarea 0,2 V.

Figura 4.2.3 Polarizarea jonciunii PN

Figura 3.6 Polarizarea diodei semiconductoare



3.4 PARAMETRII CARACTERISTICI DIODELOR

a. Parametrii caracteristici diodei redresoare:

Tensiunea continu direct [VF] reprezint tensiunea la bornele diodei n

conducie direct, pentru un anumit curent precizat IF;

Curentul direct continuu [IF] reprezint curentul continuu admis n regim

permanent care trece prin diod, n absena componentei alternative;

Tensiunea direct la vrf [VFM] reprezint valoarea maxim a tensiunii

sinusoidale la bornele diodei n conducie direct, pentru un curent maxim

precizat IFM;

Curentul direct la vrf [IFM] reprezint valoarea maxim a curentului semi-

sinusoidal n sens direct, n regim permanent;

Tensiunea invers maxim de vrf [VRRM] reprezint tensiunea invers

maxim la care poate rezista dioda, atunci cnd aceast tensiune este atins

n mod repetat;

Curentul direct maxim de vrf [IFRM] reprezint valoarea instantanee

maxim a curentului direct, n regim permanent, incluznd toi curenii

tranzitorii n absena polarizrii continue;

Curentul direct de vrf de suprasarcin accidental [IFSM] reprezint

valoarea de vrf a unui impuls de curent direct, ce trece accidental prin diod

ntr-ul interval de timp foarte scurt (10 ms);

Tensiunea de strpungere [VBR] reprezint valoarea minim a tensiunii la

care are loc distrugerea diodei;

Puterea disipat [Pdmax] reprezint valoarea maxim a puterii disipate, fr

ca aceast putere s distrug dioda Pdmax = VFM IFM;

Temperatura maxim a jonciunii [Tjmax] reprezint temperatura maxim a

jonciunii PN. Pentru diodele cu siliciu: Tjmax = (- 55C ..+175C)

Tabel 3.1 - Date de catalog pentru diode redresoare din familia 1N4001-1N4007

DIOD VRRM[V] IFRM[A] IFSM[A] VF[V] IF[A] Pdmax[W]

1N4001 50 10 30 1,1 1 3

1N4005 600 10 30 1,1 1 3

1N4007 1000 10 30 1,1 1 3



b. Parametrii caracteristici diodei stabilizatoare:

Tensiunea nominal de stabilizare [VZT] reprezint tensiunea aplicat n

sens invers la bornele diodei, care rmne aproximativ constant cnd

curentul ia valori ntr-un anumit domeniu;

Curentul de control al tensiunii stabilizate [IZT] reprezint curentul de control

al tensiunii stabilizate;

Curentul de stabilizare maxim [IZM] reprezint limita superioar a curentului

de stabilizare peste care funcionarea diodei nu mai este garantat. Curentul

de stabilizare maxim nu apare n toate cataloagele, dar mai poate fi calculat

cu aproximaie utiliznd formula: =

;

Curentul de stabilizare minim [IZK] reprezint limita inferioar a curentului de

stabilizare sub care funcionarea diodei nu mai este garantat;

Impedana Zener [ZZT] reprezint valoarea n ohmi a impedanei dinamice

corespunztoare curentului de control al tensiunii de stabilizare (se msoar

n regim variabil =

).

Tabel 3.2 - Date de catalog pentru diode Zener din familia BZX85C cu PD = 1,3 W

DIOD VZT[V] IZT[mA] ZZT[] ZZK[] IZK[mA] IZM[mA]

BZX85C 4V7 4,7 45 13 600 1 193

BZX85C 5V1 5,1 45 10 500 1 178

BZX85C 5V6 5,6 45 7 400 1 162

BZX85C 9V1 9,1 25 5 200 0,5 100

BZX85C 10 10 25 7 200 0,5 91

BZX85C 12 12 20 9 350 0,5 76

BZX85C 15 15 15 15 500 0,5 61



SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI

CARACTERISTICA STATIC A DIODEI REDRESOARE

OBIECTIVE:

o Realizarea cu ajutorul programului de simulare a circuitelor de

polarizare a diodei;

o Trasarea caracteristicii statice n funcie de valorile msurate n circuitul

simulat.

RESURSE:

o Calculator;

o Program de simulare scheme electronice.

DESFURAREA LUCRRII:

1. Se realizeaz cu simulatorul schema din figura 3.7;

Figura 3.7 Circuite de polarizare direct i invers a diodei redresoare

Cnd comutatorul K este pe poziia 1, dioda D1 este polarizat direct. Tensiunea pe

diod i curentul prin diod sunt indicate de voltmetrul Ud respectiv ampermetrul Id.

Cnd comutatorul K este pe poziia 2, dioda D1 este polarizat invers. Tensiunea pe

diod i curentul prin diod sunt indicate de voltmetrul Ui respectiv ampermetrul Ii.



2. Se fixeaz comutatorul K pe poziia 1 i se regleaz sursa V1 la valorile indicate n

tabel. n fiecare caz se simuleaz funcionarea i se noteaz n tabelul 3.3 valoarea

tensiunii indicate de voltmetrul Ud i a curentului indicat de ampermetrul Id;

Tabelul 3.3

V1[V] 0,2 0,5 4 10 20

Ud[V]

Id[mA]



tensiunii indicate de voltmetrul Ui i a curentului indicat de ampermetrul Ii;

Tabelul 3.4

V2[V] 20 53 55 60 70

Ui[V]

Ii[mA]

4. Pe baza datelor din cele dou tabele se traseaz prin puncte caracteristica static

direct i caracteristica static invers a diodei redresoare n sistemul de coordonate

reprezentat n figura 3.8.

Figura 3.8 Graficul caracteristicii statice directe i inverse a diodei redresoare

0

UI[V] UD[V]

II[mA]

ID[mA]



CARACTERISTICA STATIC A DIODEI STABILIZATOARE

OBIECTIVE:


polarizare a diodei;

o Trasarea caracteristicii statice n funcie de valorile msurate n circuitul

simulat.

RESURSE:

o Calculator;


DESFURAREA LUCRRII:

1. Se realizeaz cu simulatorul schema din figura 3.9;

Figura 3.9 Circuite de polarizare direct i invers a diodei stabilizatoare

Cnd comutatorul K este pe poziia 1, dioda D1 este polarizat direct. Tensiunea pe

diod i curentul prin diod sunt indicate de voltmetrul Ud respectiv ampermetrul Id.

Cnd comutatorul K este pe poziia 2, dioda D1 este polarizat invers. Tensiunea pe

diod i curentul prin diod sunt indicate de voltmetrul Ui respectiv ampermetrul Ii.





tensiunii indicate de voltmetrul Ud i a curentului indicat de ampermetrul Id;

Tabelul 3.5

V1[V] 0,5 1 5 10 15

Ud[V]

Id[mA]



tensiunii indicate de voltmetrul Ui i a curentului indicat de ampermetrul Ii;

Tabelul 3.6

V2[V] 3 5 7 10 15

Ui[V]

Ii[mA]

4. Pe baza datelor din cele dou tabele se traseaz prin puncte caracteristica static

direct i caracteristica static invers a diodei stabilizatoare n sistemul de

coordonate reprezentat n figura 3.10.

Figura 3.10 Graficul caracteristicii statice directe i inverse a diodei Zener

0

UI[V] UD[V]

II[mA]

ID[mA]



3.5 FUNCIONAREA DIODEI REDRESOARE N CIRCUIT.

3.5.1 FUNCIONAREA DIODELOR N CIRCUITE DE CURENT CONTINUU.

Dac plasm o diod cu anodul (+) spre borna (+) a unei surse de alimentare,

dioda intr n conducie i permite trecerea curentului prin ea.

Dac plasm o diod cu catodul (-) spre borna (+) a unei surse de alimentare, dioda

se blocheaz i NU permite trecerea curentului prin ea.

n figura 3.11 dioda este n conducie, permite trecerea curentului electric prin ea,

lampa H lumineaz.

Figura 3.11 Diod n circuit de curent continuu - polarizat direct

n figura 3.12 dioda este blocat, NU permite trecerea curentului electric prin ea,

lampa H NU lumineaz.

Figura 3.12 Diod n circuit de curent continuu - polarizat invers



3.5.2 FUNCIONAREA DIODELOR N CIRCUITE DE CURENT ALTERNATIV.

Dioda redresoare transform tensiunea alternativ n tensiune continu

(redreseaz).

Dac plasm o diod cu anodul (+) spre sursa de tensiune alternativ, dioda permite

s treac prin ea semialternanele pozitive (fig.3.13).

Dac plasm o diod cu catodul (-) spre sursa de tensiune alternativ, dioda permite

s treac prin ea semialternanele negative (fig.3.14).

Figura 3.13 Redresarea semialternanelor pozitive

Figura 3.14 Redresarea semialternanelor negative



3.6 FUNCIONAREA DIODEI STABILIZATOARE N CIRCUIT

a. Generaliti.

Dioda stabilizatoare (Zener) menine la ieirea unui circuit de curent continuu

tensiunea constant (stabilizat) n condiiile n care se modific, ntre anumite limite,

valoarea tensiunii de intrare sau a curentului de sarcin (curent absorbit de

consumator).

Dioda stabilizatoare se polarizeaz invers.

Simbolul diodei Zener.

Diodele stabilizatoare se construiesc n capsul din sticl, plastic sau metalic

Figura 3.15 Diode stabilizatoare de tensiune

b. Conectarea diodei n circuit.

Dioda stabilizatoare se utilizeaz numai n circuite de curent continuu i se

polarizeaz ntotdeauna invers. Pentru limitarea curentului prin diod la funcionarea

stabilizatorului n gol (fr rezisten de sarcin), dioda stabilizatoare se

conecteaz n circuit n serie cu un rezistor (Rz). Tensiunea de ieire a circuitului de

stabilizare se culege de la bornele diodei Zener.

Figura 3.16 Polarizarea diodei stabilizatoare de tensiune

Anod (+) Catod (-)



c. Algoritmul de calcul a elementelor de circuit.

n circuitul din figura 3.16 se cunoate:

LED-ul este rou cu: ULED = 1,8 V ; ILED = 10 mA ;

dioda DZ este BZX85C 5V1 cu: VZT = 5,1 V ; IZT = 45 mA ; IZK = 1mA ; IZM = 178 mA.

Pentru circuitul din figura 3.16 se pot scrie relaiile:

() = + () = () = + ()

Pentru calculul elementelor de circuit se parcurg etapele:

1. Se calculeaz valoarea rezistenei de sarcin Rs :

=[][]

[] =

,,

= (5)

unde: Us = VZT = 5,1 V; Is = ILED = 10 mA;

2. Se calculeaz valoarea rezistenei de limitare Rz dac se cunoate valoarea

maxim a tensiunii de intrare Ui (se consider Ui=27 V) :

=

=

,

= ()

Rz = 150 (prima valoare superioar standardizat).

Cnd se calculeaz Rz se consider c valoarea curentului prin dioda Zener este

maxim, stabilizatorul funcioneaz fr sarcin (cu ieirea n gol);

3. Se calculeaz valoarea minim a tensiunii de intrare care poate fi stabilizat

de dioda Zener:

= + = ( + ) +

= ( + ) + , = , + , = , ()

La calculul tensiunii de intrare minime se ia n considerare curentul minim de care

are nevoie dioda ca s stabilizeze i curentul de sarcin necesar funcionrii

consumatorului;

4. Dac se cunoate valoarea rezistenei de limitare Rz, se calculeaz valoarea

maxim a tensiunii de intrare care poate fi stabilizat de dioda Zener:

= + = + ()



3.7 DIODE DE UZ SPECIAL

3.7.1 DIODE STABILIZATOARE DE CURENT

Sunt diode care menin curentul constant ntre anumite limite la modificarea tensiunii

din circuit. Se polarizeaz direct cu tensiuni cuprinse ntre 1,5 V i 6 V .

Seria de diode 1N5283 1N5314 au curentul de stabilizare cuprins ntre 0,2 - 4,7

mA.

Simbolul diodei stabilizatoare de curent

3.7.2 DIODE CU CONTACT PUNCTIFORM

Figura 3.17 Diode cu contact punctiform

Diodele cu contact punctiform sunt diode cu capacitatea total foarte mic (sub 1 pF)

fiind utilizate n domeniul frecvenelor nalte i ultranalte, ca detectoare i

schimbtoare de frecven, putnd fi folosite i n regim de impulsuri, ca diode de

comutaie.

Tensiunea de deschidere UF este mai mare ca la diodele redresoare, ajunge pn la

2 V.

Se polarizeaz direct i se noteaz cu AA112----AA118, EFD 103, EFD 109etc.

Structura unei diode cu contact

punctiform: 1- capsul de sticl;

2-electrozi metalici;

3-semiconductor de tip n;

4-conductor subire de wolfram.

Anod Catod



3.7.3 DIODE DE COMUTAIE

La aceste diode rspunsul la schimbarea condiiilor de polarizare este foarte rapid.

Timpul de comutaie din starea de blocare n cea de conducie i invers este foarte

mic.

1N4148 reprezint o familie de diode de comutaie

Figura 3.18 Diod de comutaie

Dioda Schottky este o diod de comutaie rapid cu timpul de comutaie de 50 ps.

Dioda se polarizeaz direct, iar tensiunea de deschidere a diodei este de 0,3 V.

1N5817 1N5819 ; SK ; SR

3.7.4 DIODE VARICAP (VARACTOR)

Aceste diode se polarizeaz invers i i modific capacitatea odat cu modificare

tensiunii. Diodele varicap se comport n circuit ca nite condensatoare variabile

comandate n tensiune. Capacitatea unei diode varicap se modific de la ordinul pF

pn la zeci de pF.

Simbolul diodei varicap

Diodele varicap se noteaz cu BB 101, 102..201etc.

Figura 3.19 Diode varicap



3.7.5 DIODE TUNEL (ESAKI)

Dioda tunel este un dispozitiv electronic cu rezisten dinamic negativ.

Pn la o anumit valoare a tensiunii de polarizare (UP tensiunea de pic) dioda

tunel funcioneaz ca o diod normal (curentul prin diod crete odat cu tensiunea

de polarizare).

Dac tensiunea de polarizare a diodei crete peste o anumit valoare (de la UP la

UV- tensiunea de vale) , curentul prin diod scade ( acest fenomen poart numele de

rezisten negativ).

Dac tensiunea de polarizare crete i mai mult (peste tensiunea UV) dioda tunel

funcioneaz iari ca diod normal.

Deci dioda tunel se polarizeaz direct i are 3 zone distincte de funcionare.

Figura 3.20 Diode tunel

Familii de diode tunel: 1N3713.1N3721 ; 1N 2927 ; 1N3149

Dioda tunel se utilizeaz n circuite electronice de amplificare, oscilaie i comutaie.



3.7.6 DIODE GUNN

Diodele Gunn sunt componente specifice generatoarelor de microunde i

funcioneaz prin efectul Gunn, adic prin apariia unei oscilaii de foarte nalt

frecven n semiconductoare omogene, la trecerea unui curent prin acestea.

Necesit tensiuni de alimentare mici (5 10V) i pot produce oscilaii de pn la 30

GHz la puteri de 100 mW.

Diodele Gunn sunt dispozitive active n domeniul microundelor, care funcioneaz ca

un convertor a tensiunii continue ntr-o tensiune oscilant de nalt frecven.

Figura 3.21 Diode GUNN

Familii de diode GUNN: MG 1001 MG1061

Se utilizeaz ca oscilatoare de mic i medie putere; ca amplificatoare de microunde,

cuptoare cu microunde, detectoare de micare, detectoare radar, radare militare.

3.7.8 DIODE PIN

O diod PIN este format din dou regiuni, n i p, separate de un strat intrinsec de

siliciu.

Figura 3.22 Diode PIN

n polarizare direct, funcioneaz ca o rezisten variabil, comandat n curent.

n polarizare invers, funcioneaz ca o capacitate relativ constant.

Familii de diode PIN: BAR 63-04W, BAR 63-05W, BAR 63-06W

Se utilizeaz n special n circuitele de radiofrecven, ca atenuatoare comandabile.

Se mai utilizeaz n domeniul microundelor, drept comutator comandat n tensiune

continu de variaiile rapide ale tensiunii de polarizare, sau ca dispozitiv de

modulare.

Intrinsec

P

N

ANOD

CATOD




Dioda semiconductoare - este un dispozitiv electronic format dintr-o

jonciune PN prevzut cu dou contacte metalice ataate la cele dou zone

numite Anod (+) i Catod(-).

Dioda funcioneaz dac ntr-un sens ohmmetrul digital indic rezisten mic

(pe display este afiat un numr) iar n cellalt sens indic rezisten foarte

mare (pe display este afiat I. sau .0L).

La diodele n capsul de plastic i de sticl terminalul spre care este o band

colorat reprezint Catodul(-). La diodele n capsul metalic terminalul care

este n legtur direct cu corpul diodei reprezint Catodul(-).

Pentru identificarea terminalelor diodei, tastele ohmmetrului digital se

conecteaz la bornele diodei n sensul n care acesta indic rezisten mic.

n aceast situaie borna + (plus) a ohmmetrului este conectat la anodul

diodei (+) iar borna (minus) a ohmmetrului este conectat la catodul

diodei (-).

Polarizare direct - const n conectarea bornei (+) a sursei la Anodul (+)

diodei i a bornei (-) a sursei la Catodul (-) diodei. O diod este polarizat

direct i n situaia n care anodul este mai pozitiv dect catodul.

Polarizare invers - const n conectarea bornei (+) a sursei la Catodul (-)

diodei i a bornei (-) a sursei la Anodul (+) diodei. O diod este

polarizat invers i n situaia n care anodul este mai negativ dect

catodul.

La polarizare direct dioda intr n conducie i permite trecerea curentului

electric prin ea. La polarizare invers dioda se blocheaz i nu permite

trecerea curentului electric prin ea.

Tensiunea de prag - este tensiunea minim cu care trebuie s fie polarizat o

diod pentru a intra n conducie. Pentru diodele cu siliciu tensiunea de prag

are valoarea 0,6 V iar pentru cele cu germaniu are valoarea 0,2 V.

Dac plasm o diod redresoare cu anodul (+) spre borna (+) a unei surse de

alimentare, dioda intr n conducie i permite trecerea curentului prin ea.

Dac plasm o diod redresoare cu catodul (-) spre borna (+) a unei surse de

alimentare, dioda se blocheaz i NU permite trecerea curentului prin ea.



Dac plasm o diod redresoare cu anodul (+) spre sursa de tensiune

alternativ, dioda permite s treac prin ea semialternanele pozitive. Dac

plasm o diod redresoare cu catodul (-) spre sursa de tensiune alternativ,

dioda permite s treac prin ea semialternanele negative.

Dioda stabilizatoare (Zener) menine la ieirea unui circuit de curent

continuu tensiunea constant (stabilizat) n condiiile n care se modific,

ntre anumite limite, valoarea tensiunii de intrare sau a curentului de sarcin

(curent absorbit de consumator) .

Diodele cu contact punctiform sunt diode cu capacitatea total foarte mic

(sub 1 pF) fiind utilizate n domeniul frecvenelor nalte i ultranalte, ca

detectoare i schimbtoare de frecven, putnd fi folosite i n regim de

impulsuri, ca diode de comutaie.

Diodele de comutaie sunt diode la care rspunsul la schimbarea condiiilor

de polarizare este foarte rapid. Timpul de comutaie din starea de blocare n

cea de conducie i invers este foarte mic.

Diodele varicap i modific capacitatea odat cu modificare tensiunii. Aceste

diode se comport n circuit ca nite condensatoare variabile comandate n

tensiune.

Dioda tunel este un dispozitiv electronic cu rezisten dinamic negativ.

Pn la o anumit valoare a tensiunii de polarizare (UP tensiunea de pic)

dioda tunel funcioneaz ca o diod normal (curentul prin diod crete odat

cu tensiunea de polarizare). Dac tensiunea de polarizare a diodei crete

peste o anumit valoare (de la UP la UV- tensiunea de vale) , curentul prin

diod scade ( acest fenomen poart numele de rezisten negativ).

Diodele Gunn sunt componente specifice generatoarelor de microunde i

funcioneaz prin efectul Gunn, adic prin apariia unei oscilaii de foarte nalt

frecven n semiconductoare omogene, la trecerea unui curent prin acestea.

Dioda PIN este format din dou regiuni, n i p, separate de un strat intrinsec

de siliciu. n polarizare direct, funcioneaz ca o rezisten variabil,

comandat n curent. n polarizare invers, funcioneaz ca o capacitate

relativ constant.




I ncercuiete varianta sau variantele de rspuns corect.

1. La o diod cu siliciu, valoarea tipic a tensiunii de polarizare direct este:

a. Mai mic de 0,3 V;

b. ntre 0,3 V i 0,6 V;

c. Mai mare de 0,6 V.

2. La polarizare direct dioda:

a. Nu conduce curentul;

b. Conduce curentul;

c. Are rezisten mare;

d. Are rezisten mic.

3. Pentru a permite trecerea curentului prin ea o diod trebuie:

a. S fie polarizat direct;

b. S fie polarizat invers;

c. Tensiunea de polarizare s fie mai mare dect tensiunea de prag.

II Completeaz spaiile libere cu termenii corespunztori

1. Dioda Zener stabilizeaz tensiunea ntr-un circuit dac este polarizat .;

2. Diodele cu contact punctiform sunt utilizate n domeniul frecvenelor ;

3. Diodele varicap se comport n circuit ca nite ...;

III Stabilete asocierea corect dintre tipurile de diode din coloana A i

simbolurile grafice din coloana B.

A TIP DE DIOD B SIMBOL GRAFIC

1 DIOD STABILIZATOARE a

2 DIOD TUNEL b

3 DIOD VARICAP c

4 DIOD DE COMUTAIE d

CAPITOLUL 4. APLICAII ALE DIODELOR SEMICONDUCTOARE



4.1 REDRESORUL MONO-ALTERNAN

Fig.4.1 Schema electronic a redresorului mono-alternan

Fig. 4.2 Schema bloc a redresorului mono-alternan

TRANSFORMATORUL - reduce tensiunea de alimentare alternativ de la 220 V la

o tensiune necesar funcionrii montajului.

REDRESORUL - transform tensiunea de intrare de curent alternativ ntr-o

tensiune pulsatorie de curent continuu.

FILTRUL - elimin fluctuaiile tensiunii redresate, furniznd la ieirea sa o tensiune

de c.c. relativ constant.

Tensiunea de vrf (maxim) - Uv - reprezint valoarea tensiunii alternative indicat

de un osciloscop.

Tensiunea de vrf din secundar - Uv(sec) - reprezint valoarea tensiunii indicat

de un osciloscop n secundarul transformatorului.

Tensiunea de vrf la ieire - Uv(out) - reprezint valoarea

tensiunii redresate indicat de un osciloscop.

Tensiunea efectiv - Uef - reprezint valoarea tensiunii alternative indicat de un

voltmetru de c.a.

Tensiunea medie redresat - Umed - reprezint valoarea tensiunii redresate

indicat de un voltmetru de c.c.



4.2 REDRESORUL DUBL-ALTERNAN CU PRIZ MEDIAN

Figura 4.3 Schema electronic a redresorului dubl alternan cu priz median

Fig. 4.4 Schema bloc a redresorului dubl alternan cu priz median

Transformatorul cu priz median - are n secundar 2 nfurri identice are au cte

un capt conectat la priza median.

ntre priza median a secundarului i fiecare dintre capetele acestuia se regsete

cte o jumtate din tensiunea total din secundar.

Cnd n primar este semialternana pozitiv n secundar pe nfurarea conectat la

dioda D1 este semialternan pozitiv iar pe nfurarea conectat la dioda D2 este

semialternan negativ. n aceast situaie dioda D1 conduce iar dioda D2 este

blocat.

Cnd n primar este semialternana negativ n secundar pe nfurarea conectat la

dioda D1 este semialternan negativ iar pe nfurarea conectat la dioda D2 este

semialternan pozitiv. n aceast situaie dioda D1 este blocat iar dioda D2

conduce.



4.3 REDRESORUL DUBL-ALTERNAN N PUNTE

Figura 4.5 Schema electronic a redresorului dubl alternan n punte

Redresorul dub alternan n punte utilizeaz 4 diode dispuse ca n figura 4.5 i

funcioneaz astfel:

- pentru semialternana pozitiv a tensiunii de intrare diodele D1 i D2 sunt polarizate

direct, prin D1 trece (+) iar prin D2 trece (-). Diodele D3 i D4 sunt polarizate invers;

- pentru semialternana negativ a tensiunii de intrare diodele D3 i D4 sunt

polarizate direct, prin D3 trece (-) iar prin D4 trece (+). Diodele D1 i D2 sunt

polarizate invers.

Forma tensiunii de ieire este ca la redresorul dubl alternan cu priz median.

La redresorul dubl alternan valoarea tensiunii de ieire este dubl fa de

valoarea tensiunii de ieire de la redresorul mono-alternan.

4.3.1 PUNTEA REDRESOARE

Puntea redresoare are 2 pori cu cte 2 terminale fiecare poart. Terminalele opuse

reprezint o poart.

Poarta de intrare (notat cu i ) este conectat la sursa de tensiune alternativ iar

poarta de ieire (notat cu + i -) este conectat la montaj.

Puntea redresoare poate fi monobloc (figura 4.6) sau poate fi construit utiliznd 4

diode redresoare.

Figura 4.6 Puni redresoare monobloc



a. Construirea unei puni redresoare utiliznd 4 diode.

- se deseneaz un romb i se stabilete poarta de intrare i poarta de ieire pe cte

2 vrfuri opuse ale rombului;

- pe fiecare latur a rombului se stabilete ce semialternan trebuie s treac i

sensul de parcurgere al laturii (de la intrare spre ieire);

- pe fiecare latur se plaseaz o diod astfel nct s permit trecerea

semialternanei stabilite la punctul precedent.

n figura 4.7 sunt reprezentate de la stnga la dreapta etapele de realizare a unei

puni redresoare.

Figura 4.7 Etapele de realizare a punii redresoare cu 4 diode

b. Identificarea porilor i terminalelor unei puni redresoare monobloc.

O poart este format din 2 terminale opuse ale punii. Dac puntea are terminalele

liniare, cele de pe margini reprezint o poart iar cele din interior alt poart.

Pe poarta de intrare ( ) multimetrul indic n ambele sensuri rezisten foarte

mare

Pe poarte de ieire (+ - ) multimetrul indic ntr-un sens rezisten foarte mare iar

n cellalt sens rezisten mic.

Pentru a identifica terminalul ( + ) i terminalul ( - ) al porii de ieire , se conecteaz

multimetrul la poarta de ieire n sensul n care indic rezisten mic.

n aceast situaie tasta (+) a multimetrului se afl pe terminalul (-) al porii de

ieire iar tasta (-) a multimetrului se afl pe terminalul (+) al porii de ieire.

OBSERVAIE: pentru msurtorile explicate mai sus s-a utilizat un multimetru

digital.

c. Marcarea punii redresoare monobloc.

3 PM 4

curentul maxim [A] tensiunea invers maxim [sute de voli]

Puntea marcat cu 3PM4 suport un curent maxim de 3 A i o tensiune invers de

400 V.



SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI

CIRCUITE DE REDRESARE

OBIECTIVE:


redresare;

o Msurarea unor mrimi electrice n diferite puncte a circuitelor de

redresare;

o Vizualizarea cu ajutorul osciloscopului a formelor de und n diferite

puncte a circuitelor de redresare .

RESURSE:

o Calculator;


DESFURAREA LUCRRILOR:

A. REDRESORUL MONO-ALTERNAN.

1. Se realizeaz cu simulatorul schema redresorului mono-alternan din figura 4.8;

Figura 4.8 Schema redresorului mono-alternan realizat cu simulatorul

2. La generatorul de semnal sinusoidal (XFG1) se seteaz:

- frecvena = 50 Hz;

- amplitudinea = 20Vp

Transformatorul Tr se seteaz la raportul 1:1. Nu este obligatoriu s se utilizeze

transformator, generatorul poate fi conectat direct n circuit;



3. Se conecteaz n circuit osciloscopul, cu canalul A la intrarea n redresor i cu

canalul B la ieirea din redresor;

4. Cu ntreruptorul K n poziia deschis (fr filtru) se simuleaz funcionarea i se

noteaz n tabelul 4.1 valorile Uef i Umed indicate de voltmetrele din circuit i Uv

indicat de osciloscop. Oscilograma n aceast situaie este prezentat n figura 4.9.

Osciloscopul este reglat la 10 V/div i 10 ms/div;

Figura 4.9 Oscilograma redresorului mono-alternan fr filtru

5. Cu ntreruptorul K n poziia nchis (tensiunea este filtrat) se simuleaz

funcionarea i se noteaz n tabelul 4.1 valorile Uef i Umed indicate de voltmetrele

din circuit i Uv indicat de osciloscop. Oscilograma n aceast situaie este

prezentat n figura 4.10. Osciloscopul este reglat la 10 V/div i 10 ms/div;

Figura 4.10 Oscilograma redresorului mono-alternan cu filtru

TABELUL 4.1

K deschis K nchis

Uv Uef Umed Uv Uef Umed

6. Calculai Uef i Umed cu ajutorul formulelor prezentate la redresorul mono-

alternan.



B. REDRESORUL DUBL-ALTERNAN CU PRIZ MEDIAN.

1. Se realizeaz cu simulatorul schema redresorului dubl-alternan din figura 4.11;

Figura 4.11 Schema redresorului dubl-alternan realizat cu simulatorul

2. La generatorul de semnal sinusoidal (XFG1) se seteaz:

- frecvena = 50 Hz;

- amplitudinea = 17Vp;

3. Se conecteaz n circuit osciloscopul, cu canalul A la intrarea n redresor i cu

canalul B la ieirea din redresor;

4. Cu ntreruptorul K n poziia deschis (fr filtru) se simuleaz funcionarea i se

noteaz n tabelul 4.2 valorile Uef i Umed indicate de voltmetrele din circuit i Uv

indicat de osciloscop. Oscilograma este prezentat n figura 4.12.

Osciloscopul este reglat la 10 V/div i 10 ms/div;

Figura 4.12 Oscilograma redresorului mono-alternan fr filtru



5. Cu ntreruptorul K n poziia nchis (tensiunea este filtrat) se simuleaz

funcionarea i se noteaz n tabelul 4.2 valorile Uef i Umed indicate de voltmetrele

din circuit i Uv indicat de osciloscop. Oscilograma n aceast situaie este

prezentat n figura 4.13. Osciloscopul este reglat la 10 V/div i 10 ms/div;

Figura 4.13 Oscilograma redresorului mono-alternan cu filtru

TABELUL 4.2

K deschis K nchis

Uv Uef Umed Uv Uef Umed

6. Calculai Uef i Umed cu ajutorul formulelor prezentate la redresorul dubl-

auxiliar-componente-electronice

Documents

Transcript of auxiliar-componente-electronice