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Prof. Dr. Aparecido Nicolett
PUC-SP
Aula 01
Construção e Características
do JFET
8ª Edição: pág. 174 a 179
11ª Edição: pág. 317 a 323
Slide 1 Construção e Características do JFET
• Dispositivo de três terminais.
• Aplicado em circuitos muito semelhantes aos que utilizam o TBJ.
IE
• TBJ: controlado por corrente (IC = f(IB))
• FET: controlado por tensão (ID = f(VGS))
Slide 2 TBJ x FET
Características TBJ FET
Impedância de entrada < >
Sensibilidade à
temperatura> <
Controle de corrente
de saída.> <
Ganho de tensão > <
Estabilidade < >
Tamanho > <
Slide 3 Construção do JFET
• Existem dois tipos de JFETs: canal N e canal P. O do tipo canal N é mais utilizado.
Slide 4 Analogia de funcionamento
Slide 5 JFET (canal N) com polarização
• O fluxo de carga entre fonte e dreno é
relativamente irrestrito e limitado
somente pela resistência do canal N.
• A região de depleção é mais larga
próximo do dreno, pois a polarização
reversa dreno/porta é maior que a
polarização reversa porta/fonte.
VD > VS
VGS = 0 V
VDS > 0 V
ID = IS ≠≠≠≠ 0 A
Slide 6
• Admitindo uma resistência uniforme
do canal N, a variação dos potenciais
reversos podem ser observados na
figura.
• Próximo à fonte, a queda de tensão é
menor (menor resistência) e próximo
do dreno, a queda de tensão é maior
(maior resistência).
• Como a junção PN está sempre
polarizada reversamente, a corrente
de porta IG é sempre zero (IG = 0 A)
Slide 7 IDS x VDS (VGS = 0 V)
Região de
Triodo
Região de Corte
Região de Saturação
Slide 8 Pinçamento – “Pinch-off”
• Apesar do estrangulamento, ID ≠ 0 A.
Os portadores passam através da região
de depleção. Nesta condição, IDS passa
a ser constante (IDS = cte na saturação).
VDS ↑ → Rch ↑→ IDS = cte,
característica de uma fonte de corrente.
Obs.: IDSS é a corrente máxima de ID, definida na condição de VGS = 0V e VDS > Vp.
Slide 9
VD > VS
VGS < 0 V
VDS > 0 V
ID = IS ≠≠≠≠ 0 A
• A polarização negativa de VGS,
aumenta as camadas de depleção,
diminuindo a “área” de passagem
da corrente.
• O valor de VGS que resulta em
ID = 0 A é definido como Vp
(VGS = Vp).
Slide 10 Curvas Características do JFET canal N
IDSS = 8 mA
Vp = - 4 V
Slide 11 Resistor controlado por tensão
[5.1]2
P
GS
od
)V
V(1
rr
−=
• Na região ôhmica, o JFET pode ser utilizado
como um resistor controlado por tensão.
ro = resistência com VGS = 0 V
rd = resistência específica para um certo VGS
Slide 12 JFETS canal P
Slide 13 Características do JFET canal P
Slide 14 Símbolos para o JFET
Canal N Canal P
Slide 15 Resumo