Aplicações e vantagens de um semicondutor de larga banda ... · Continuar o trabalho para...
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Aplicações e vantagens de um semicondutor de larga
banda proibida:Carbeto de Silício (SiC)
André Carlos ContiniIF-UFRGS
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Principais Características do SiC
Larga Banda Proibida;Excelente condutividade térmica;Quimicamente inerte;Alta dureza;Alta velocidade de saturação;Alta tensão de ruptura.
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Tabela de Propriedades de alguns semicondutores
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Algumas aplicações imediatas para SiC
Sensores utilizados em alta temperatura para aeronaves, satélites, naves espaciais. Sensores utilizados dentro de motores automotivos para maior controle na combustão. Poderia ser usado ainda em tensões muito mais altas.
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Propriedades do cristal SiC
Há acima de 100 polítipos de SiC cada um com propriedades bem específicas. São vários os polítipos de SiC consistem em ligações covalente entre átomos de carbono e átomos de silício.No entanto, poucos tem propriedades de semicondutores. Os mais comuns são: 3C-SiC, 4H-SiC e 6H-SiC.
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Diferentes Polítipos do SiC
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Estrutura do SiC
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Principais dificuldades para aplicação do SiC
Obtenção de substrato de alta qualidade;
Diminuição dos defeitos na interface.
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Presença de micropipes
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Método de crescimento de SiC, publicado por Nakamura, D. et al. Nature 430, 1009−1012 (2004).
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Principais dificuldades para aplicação do SiC
Obtenção de substrato de alta qualidade;
Diminuição dos defeitos na interface.
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Origem dos defeitos eletricamente ativos na interface SiO2/SiC:
C clusters;
SiCxOy
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Primeiros resultados em 4H-SiC
-10 -5 0 5 106
8
10
12
14
16
C [p
F]
Bias [V]
Medida Teórica
N1 - 4H-SiC - Oxidação úmida, 1120oC, 3h
Qeff = -7,02x1011 q/cm2
-15 -10 -5 0 5 104
6
8
10
12
14
16
18
20
Qeff = 1,84x1012 q/cm2
P1 - 4H-SiC - Oxidação úmida, 1120oC, 3h
C [p
F]
Bias [V]
Medida Teórica
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Primeiros resultados em 6H-SiC
-25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 2016
18
20
22
24
26
Qeff = -1,79x1012 q/cm2
R1 - 6H-SiC - Oxidação úmida, 1120oC, 3h
C [p
F]
Bias [V]
Medida Teórica
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40
13,6
13,8
14,0
14,2
14,4
14,6
14,8
15,0
Qeff = -2,34x1012 q/cm2
R2 - 6H-SiC - Oxidação seca, 1120oC, 24h
C [p
F]Bias [V]
Medida Teórica
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Conclusões e perspectivasO carbeto de silício é superior ao silício em aplicações especificas;
Ele é o único semicondutor composto sobre o qual forma-se uma camada de dióxido de silício por oxidação térmica;
A interface SiO2/SiC ainda apresenta uma densidade de defeitos eletricamente ativos inaceitavelmente alta;
Continuar o trabalho para passivar defeitos da interface SiO2/SiC.
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Objetivos do nosso laboratório para Carbeto de Silício
Estuda da interface Dióxido de Silício em Carbeto de Silício, para diminuição de estados de interface e cargas efetivas, através da incorporação de nitrogênio na rede.