Anhang

1 Weiterfiihrende Biicher und Literatur

[I] Kittel, C.: Einfiihrung in die Festkorperphysik. Mlinchen-Wien 1973 [2] Spenke, E.: Elektronische Halbleiter. Berlin-Heidelberg-New York 1965 [3] Madelung, 0.: Grundlagen der Halbleiterphysik. Berlin-Heidelberg-New York 1970 [4] Paul, R.: Halbleiterphysik. Heidelberg 1975 [5] Moschwitzer, A.; Lunze, K.: Halbleiterelektronik. Heidelberg 1973 [6] Mliller, R.: Halbleiter-Elektronik. Bd. I u. 2. Berlin-Heidelberg-New York 1971 u. 1973 [7] Tietze, U.; Schenk, Ch.: Halbleiterschaltungstechnik. Berlin-Heidelberg-New York 1971 [8] Unger, H. G.; Schultz, W.: Elektronische Bauelemente und Netzwerke. 3 Bde. Braun-

schweig 1971-1973 [9] Harth, W.: Halbleitertechnologie. Stuttgart 1972

[10] Mlinch, W. y.: Werkstoffe der Elektrotechnik. Stuttgart 1975 [11] Hilpert, H.: Halbleiterbauelemente. Stuttgart 1976 [12] Bailey, F. J.: Halbleiter-Schaltungen. Mlinchen 1974 [13] W a ts 0 n, Ph. D.: An Introduction to Field Effekt Transistors. SiIconix GmbH, Bernhausen

1971 [14] RCA: Applikationsberichte liber RCA-Transistoren. Quickborn-Hamburg 1971 [15] RCA: Halbleiterschaltungen der Leistungselektronik. Quickborn-Hamburg 1971 [16] Texas Instruments: The how and why ofunijunction transistors. Application note [17] Motorola: Theorie and characteristics of the unijunction transistor. Application note

AN-293 [18] RCA: Applikationsberichte liber Thyristoren, TRIACs und Gleichrichter. Quickborn­

Hamburg 1971 [19] Heumann, K.; Stumpe, A. C.: Thyristoren. Eigenschaften und Anwendungen. Stuttgart

1974 [20] Hahn, H.: Thyristoren und Thyristor-Schaltungen. Heidelberg 1973 [21] Hoffmann, A.; Stocker, K.: Thyristor-Handbuch. Berlin-Erlangen 1968 [22] Gen eral Electric: SCR Manual. Syracuse/No Y. 1967 [23] Motorola: Semiconductor power circuits handbook. Phonix/Ariz. 1968 [24] RCA: Electro-optics-handbook. Quickborn-Hamburg 1968 [25] Texas Instruments: Das Opto-Kochbuch. Freising 1975 [26] Bleicher, M.: Halbleiter-Optoelektronik. Heidelberg 1976 [27] Goercke, P.; Mischel, P.: Optoelektronische Bauelemente fiir die Automatisierung.

Heidelberg 1976 [28] Greif, H.: Lichtelektrische Empfiinger. Leipzig 1972 [29] Bergh, A. A.; Dean, P. J.: Light-Emitting Diodes. London 1976 [30] Texas Instruments: The integrated circuits catalog. 2. Aufl. Freising [31] Motorola: Fie1deffekt-Transistors in theory and practice. Application note AN-211 A [32] M 0 to ro I a: Low frequency applications of field effekt transistors. Application note AN-511 [33] Motorola: FET-current regulator-circuits and diodes. Application note AN-462 [34] Telefunken: Einfiihrung in die CMOS-Technik. Applikationsbericht [35] RCA: Applikationsberichte liber integrierte Digitalschaltungen. Quickborn-Hamburg 1971

306 Anhang

[36] Motorola: Unijunction trigger circuits for gated thyristors. Application note AN-413 [37] Beneking, H.: Feldeffekt-Transistoren; Halbleiterelektronik Bd. 7. Berlin-Heidelberg-

New York 1973 [38] P a u I, R.: F eldeffekt-Transistoren. Stuttgart-Berlin-Koln-Mainz 1972 [39] Unger, H. G.; Harth, W.: Hochfrequenz-Halbleiterelektronik. Stuttgart 1972 [40] Ross, D.: Laser. Frankfurt 1966 [41] Telefunken: Magnet-Dioden. Applikationsbericht [42] Westermann, F.: Laser. Stuttgart 1976 [43] Gad, H.: Feldeffektelektronik. Stuttgart 1976

2 Normbliitter

DIN 1301 Einheiten, Kurzzeichen DIN 40148 DIN 1302 Mathematische Zeichen DIN 1304 Allgemeine Formelzeichen DIN 40700 DIN 1311 Schwingungslehre DIN 1313 Schreibweise physikalischer

Gleichungen DIN 1323 Elektrische Spannung, Potential DIN 40710

Zweipolquelle, elektromotorische Kraft DIN 40712

DIN 1324 Elektrisches Feld DIN 1325 Magnetisches Feld DIN 1339 Einheiten magnetischer GroBen DIN 40713 DIN 1344 Formelzeichen der elektrischen DIN 41 761

N achrichtentechnik DIN 1357 Einheiten elektrischer GroBen DIN 41782 DIN 5483 Formelzeichen flir zeitabhangige DIN 41785

GroBen DIN 41790 DIN 5488 Zeitabhiingigkeit physikalischer

GroBen DIN 41791 DIN 5489 Vorzeichen- und Richtungsregeln

flir elektrische N etze DIN 41 859 DIN 5493 Logarithmierte VerhaltnisgroBen

(Pegel, MaB) DIN 40108 Gleich- und Wechselstrom-

systeme DIN 66000 DIN 40110 WechselstromgroBen

3 Schaltzeichen

Auswahl aus den Normblattern DIN 40700, 40710, 40712

Gleichstrom allgemein -()--../' Wechselstrom

~ Hochfreq uenz-W echselstrom, -{~)-Rauschstrom

~F Batterie -{%)-..L Masse -®--e- W echselspann ungsgenerator -0-

--@)-- Hochfrequenz-Wechselspannungsgenerator ---c::J-

Ubertragungssysteme und Vierpole Blatt 8: Schaltzeichen (Halbleiterbauelemente) Teil 14: Schaltzeichen (Digitale Informationsverarbeitung) Schaltzeichen (Spannungen, Strome) Schaltzeichen (Widerstande, Kondensatoren, Induktivitaten, Batterien) Schaltzeichen (Schaltgerate) Stromrichterschaltungen (Benennungen und Kennzeichen) Gleichrichterdioden Halbleiter-Bauelemente Hal bleiter-Bauelemente (Z-Dioden) Halbleiter-Bauelemente flir die Nachrichtentechnik Blatt 1 Elektrische Digital-

schaltungen (Begriffe) Blatt 2: - - (Kurzbeschreibung

von Folgeschaltungen) Mathematische Zeichen der Schaltalgebra

Gleichstromquelle

W echselstromq uelle

Hochfrequenz-Wechselstromquelle

Rechteckspannungs-Generator

Rechteckspannungs-Sprunggenerator

Widerstand allgemein

Anhang 307

~ Induktivitat + Fiinfschicht-Diode --11- Kapazitat

-c/:r- Widerstand regelbar ~ kathodengesteuerter Thyristor

-¢- Widerstand einstellbar ~ anodengesteuerter Thyristor

=--= ~ bidirektionaler Thyristor

Transformator (TRIAC)

~ Diode

~ Thyristor-Tetrode E>I Z-Diode

-() // bipolarer NPN-Transistor ~ Photowiderstand

~ ~ bipolarer PNP-Transistor Photodiode

~~ Photoelement

~ N-Kanal-Sperrschicht-FET

~ -© P-Kanal-Sperrschicht-FET NPN -Phototransistor

-$- selbstleitender N-Kanal- ~ NPN-Phototransistor mit MOS-FET (depletion typ) herausgefiihrter Basis

-$- selbstleitender P-Kanal- JIjt MOS-FET (depletion typ) E>~ Photothyristor

-$- selbstsperrender N-Kanal-

~ MOS-FET (enhancement typ) Photo-FET

-®- selbstsperrender P-Kanal-J'/ MOS-FET (enhancement typ) Lumineszenz-Diode, [>I Laser-Diode

41-selbstleitender N-Kanal-Doppelgate-MOS-FET 4- Hall-Generator (depletion typ)

--±a-=- FET-Diode -¢,- Feldplatte

~ U nijunction-Transistor aI4- Magnet-Diode

~ riickwarts sperrende

~ Varistor Trigger-Diode

* bidirektionale Trigger-Diode ~ HeiBleiter (DlAC)

[)I Vierschicht-Diode ~ Kaltleiter

308 Anhang

4 Wichtigste Anwendungsgebiete von Halbleiter-Bauelementen

(Punkt an der Kreuzungsstelle Zeile - Spalte kennzeichnet haufiges Anwendungsgebiet.)

Halbleiter-Bauelemente

Wichtigste Anwendungsbereiche

Leistungs­elektronik

Stabili- Impuls-sierungs- tcchnik schaltungen

Gleichrichter-Dioden • • • i.

N

Oil f-< oS " ;=: " 8 ~

" " oJ ~

Dioden mit besonderen Eigenschaften

Transistoren mit besonderen Eigenschaften

Thyristor­Bauelemente

2

" " 8 ~

" Licht-" '" empfiinger ~

" "" ~ oS 8 .!< ~

" B 0.

Licht-0 sender

Magneto-elektronische Bauelemente

Thermistoren

Z-Dioden Tunnel-Dioden Backward-Dioden Spitzen-Dioden Hot-carrier-Dioden Kapazitats-Dioden Varaktor-Dioden Step-recovery-Dioden PIN-Dioden Impatt-Dioden Gunn-Dioden Bipolare Transistoren Feldeffekt-Transistoren (FEn FET-Dioden U nijunction-Transistoren Lawinen-Transistoren DIACs Vierschicht-Dioden Fiinfschicht-Dioden Thyristoren TRIACs Thyristor-Tetroden Photowiderstiinde Photoelemente Solarzellen Photodioden Photo-PIN-Dioden Photo-Lawinen-Dioden Photo-Duo-Dioden Phototransistoren Photo-Darlington-Transistoren Photothyristoren Photo-FETs GaAs-Lumineszenz-Dioden GaP-Lurnineszenz-Dioden GaAsP-Lumineszenz-Dioden Laser-Dioden Hall-Generatoren Feldplatten Magnet-Dioden Varistoren Heiflleiter Kaltleiter

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310 Anhang

5 Formelzeichen

(In Klammern Abschnittsnummern der Einfiihrung der Zeichen)

Die Formelzeichen sind (z. B. im Gegensatz zu den Bezeichnungen der Einheiten) kursiv ge­schrieben und bezeichnen daher nach DIN 5483 skalare GroBen bzw. Betrage. Die groBen Buch­staben U, I kennzeichnen GleichstromgroBen, die kleinen Buchstaben u, i allgemein Zeitwerte -insbesondere von WechselstromgroBen. Ihre Effektivwerte werden in Abschn. 1.1.7 (Rauschen) durch eine Tilde, wie in it, lund ihre Scheitelwerte allgemein durch den Index m wie in Urn' irn

hervorgehoben. Die Formelzeichen komplexer WechselstromgroBen sind, wie in E,],)!., unter­strichen. Nach DIN 41785, Blatt 2 werden lineare Mittelwerte in Abschn. 2 (Thyristoren) durch den Index A V und Effektivwerte durch den Index EFF gekennzeichnet. Die zunachst angegebenen Indizes gelten flir die bei den Formelzeichen am haufigsten benutzte Bedeutung. Die mit diesen Indizes versehenen Formelzeichen werden daher nicht in allen Fallen in der Formelzeichen!iste aufgefiihrt. SeHen benotigte Formelzeichen sind in der Formelzeichen­!iste nicht enthalten, jedoch im Text ausreichend benannt.

Indizes

A Austritt m Scheitelwerte AK Anode-Kathode max Maximalwerte AV !inearer Mittelwert (Thyristor) min Minimalwerte a Ausgangswerte N N-Kanal B Basis n negativ BE Basis-Emitter (OFF) Ausschaltwerte (BO) break over (Kippwerte) (ON) Einschaltwerte (BR) break down (Durchbruchwerte) P Pinch off BS Substrat-Source p positiv C Kondensator ph Photowerte CB Kollektor-Basis Q digitale Ausgangswerte CE Kollektor-Emitter q Photon D Drain R Sperrwerte DG Drain-Gate r Anstiegswerte DS Drain-Source s schwarzer Korper d Dunkelwerte sat Sattigungswerte dB Dezibel T DurchlaBwerte (Thyristor) E Emitter (TO) turn on (Schwellwerte) EFF Effektivwerte (Thyristor) t Zeitabhiingigkeit e Eingangswerte th thermisch F DurchlaBwerte U Umgebung f Abfallwerte u Spannung G Generator V Vorwiderstand GA Gate-Anode v photometrische Werte GD Gate-Drain x Ortsabhiingigkeit GK Gate-Kathode Z Temperaturunabhangigkeit GS Gate-Source Zener

Grenzwerte z

g A Wellenlangenabhan'gigkeit H Haltewerte

h Hellwerte Gleichwerte

i Eigenleitung 0 Ruhewerte

L Lastwerte Eingangswerte M Magnetische Werte 2 Ausgangswerte

Anhang 311

Formelzeichen

A Flliche (1. 1.2.4) (di/ dt )krit kritische Stromsteilheit (2.4.1.5) AdO AbschwlichungsmaB (1.1.9.5) (du/dt)Kkrlt kritische Kommutierungs-as Absorptionsvermogen des Spannungssteilheit (2.4.2.3)

schwarzen Korpers (3.1.1) (du/ dt )krlt kritische Spannungssteilheit al. -, spektrales (3.1.2) (2.4.1.5) B Gleichstromverstlirkung der E Elektrische Feldstlirke (1.1.2.2)

Emitterschaltung (1.3.1) E binlire Eingangsvariable (1.1.9.4) B magnetische Induktion (4.1.1) E(OR) Durchbruchfeldstlirke (1.1. 5.1) B Regelkonstante (6.1.1.2) Ee Bestrahlungsstlirke (3.1.3) b Kanalbreite des FET (1.1.2.4) Eel. -, spektrale (3.1.2.1) bn Beweglichkeit der Elektronen Eel.T - -, temperaturabhlingige

(1.1.2.2) (3.1.2.1) bp - - Locher (3.1.5) Ev Beleuchtungsstlirke (3.1.3.1) bus Blindleitwert von YUs (1.1.6.1) Evab Ausschalt-Beleuchtungsstlirke b22s - - Y22s (1.1.6.1) (3.4.4.1) b 12s Blindanteil von YI 2s (1.1.6.1) Evan EinschaIt-Beleuchtungsstlirke b 21s - - Y21s (1.1.6.1) (3.4.4.1) C Formfaktor (5.1) e = 2,71828 C Kapazitlit (1.2.5.1) e Elementarladung (1.1.2.4) COE - zwischen Basis-Emitter (3.4.3.1) F Formfaktor (2.4.1.3) Cco - - Kollektor-Basis (3.4.3.1) F Rauschzahl (1.1. 7.1) CCE - - Kollektor-Emitter (3.4.3.1) F Ausbeutefaktor (3.3.1) Co Diffusionskapazitlit (3.3.3.2) FM Loren tzkraft (4.1.1) COG Kapazitlit zwischen Drain-Gate FdO RauschmaB (1.1.7.1)

(1.1.6.1) f Frequenz (1.1.6.1) Cos - - Drain-Source (1.1.6.1) fg Grenzfrequenz (3.3.5.2) CGO - - Gate-Drain (1.1.6.1) fH Hochfrequenz (1.1.9.5) CGK - - Gate-Kathode (1.1.6.1) iT Transitfrequenz (3.3.5.2) CGS - - Gate-Source (1.1.6.1) fp KurzschluB-Grenzfreq. (3.4.3.2) CG Gehliusekapazitlit (3.3.2.2) g Erzeugungsrate (3.7.1.2) CH Wlirmekapazitlit (6.1.1.4) gOG Leitwert zwischen Drain-Gate CK Koppelkapazitlit (1.1.9.1) (1.1.6.1) CL Lastkapazitlit (1.1.6.3) gos - - --Source (1.1.6.1) Cs Source-Kapazitlit (1.1.9.1) gGS - - Gate-Source (1. 1.6.1) Cs Sperrschichtkapazitlit (2.4.1.5) grs KurzschluB-Vorwlirtssteilheit Cu Wlirmekapazitlit der Umgebung (1.1.2.3)

(6.1.1.4) gos --Ausgangsleitwert (1.1.2.3)

Ciss KurzschluB-Eingangskapazitlit gus Wirkleitwert von YUs (1.1.6.1)

(1.1.6.1) g22s - - Y22s (1.1.6.1)

Coss --Ausgangskapazitlit (1.1.6.1) g12s Wirkanteil von Y12s (1.1.6.1)

Crss - -Riickwirkungskapazitlit g21s - - Y21s (1.1:6.1) h WirkUngsquantum (3.1.1.2)

(1.1.6.1) 1i h/(21t) (3.7.1.1)

c Kanaldicke ohne Einschniirung I Gleichstrom (2.3.1.1) (1. 1.2.4)

10 Basisgleichstrom (1.3.1.) c Lichtgeschwindigkeit (3.1.1)

100 Interbasis-Strom (1.2.5.2) D Kanaldicke (1. 1.2.4) 1(00) Schwellstrom beim Kippen d Dicke allgemein (4.1.1) (2.2.1.1) d Sperrschichtdicke (1.1.2.2) Ie Kollektor-Gieichstrom (1.3.1) (di/dt)K Kommutierungs-Stromsteilheit lcoo KolIektor-Basis-Reststrom (1.3.1)

(2.4.2.3) lCEO KolIektor-Emitter-Reststr. (1.3.1)

312 Anhang

IC(BR) Kollektor-Dureh bruehstrom ic Kollektorstrom (Zeitwert) (1.3.2) (3.4.3.3)

ID Drain-Gleiehstrom (1.1.2.2) iD Drain-Strom (Zeitwert) (1.1.6.1) ID Vorwarts-Sperrstrom (Thyristor) iM Modulationsstrom (3.9.4)

(2.3.1.1) iR Sperrstrom (Zeitwert) (3.3.3.2) I Do - - bei offenem Gate iRR Ausraumstrom (2.4.1.5)

(Thyristor) (2.4.1.3) iT Durehla13strom (Zeitwert) IDo Drain-Gleichstrom (Ruhewert) (2.4.1.3)

(1.1.9.1) ia Ausgangsstrom (Zeit wert) ID(oFF) Drain-Reststrom (1.1. 6. 3) (3.3.7.1) I DP Drain-Strom beim Pineh off iph Photo strom (Zeitwert) (3.3.3.2)

(1.1.2.2) ir Rausehstrom (Effektivwert) IDs Sattigungs-Drain-Strom (1.1.2.4) (1.1.7.1) IDss Kurzsehlu13-Sattigungs- i 1 Eingangs-Weehselstrom (1.1.2.3)

Drain-Strom (1.1.2.4) iz Ausgangs-Wechselstrom (1.1.2.3) IDz temperaturstabiler Drain-Strom j ./-=1 (1.1.6.1)

(1.1.4.2) K Kreuzmodulationsfaktor (1.1.9.5) IE Emitter-Gleichstrom (1.2.2) K gemittelte absolute Augen-IF Durehla13-Gleichstrom (3.7.2.3) empfindliehkeit (3.1.3.2) IFp Impuls-Durehla13strom (3.7.3.3) KBO Leerlauf-Hall-Empfindliehkeit IG Gate-Strom (2.4.1.1) (4.1.2.2) IGAT Anoden-Gate-Triggerstrom (2.5.1)

K). spektrale absolute Augen-IGKQ Kathoden-Gate-Absehaltstrom

(2.5.1) empfindliehkeit (3.1.3.2)

IGKT - --Triggerstrom (2.5.1) K)..m - - -, Maximalwert (3.1.3.2)

IGSS Gate-Souree-Strom (UDS = 0) Kn Temperaturkoeffizient (1.2.3)

(1.1.5.1) k Boltzmann-Konstante (3.1.2)

IGT Gate-Triggerstrom (2.4.1.4) k Kopplungsfaktor (3.7.6.1)

IH HaItestrom (1.2.5.3) k Betrag des Wellenvektors

IHo - bei offenem Gate (2.4.1.3) (3.7.1.1)

IHT Einraststrom (2.3.1.2) k Absorptionskoeffizient (3.9.2.2)

Ip Hoekerstrom (1.2.2) k). -, spektraler (3.3.1)

IR Sperrstrom (2.2.1.1) L Induktivitat (2.4.1.6)

IRo Riiekwarts-Sperrstrom bei Le Strahldichte (3.1.3)

offenem Gate (2.4.1.3) LeI. -, spektrale (3.1.2.2)

IRS Sattigungs-Sperrstrom (3.3.1) Le)'T - -, temperaturabhangige

Is Spitzenstrom (2.2.1.1) (3.1.2.2)

h Durchla13strom (Thyristor) Le)'TS - - - des schwarzen Korpers

(2.3.1.2) (3.1.2.2)

I TAV -, linearer Mittelwert (2.4.1.3) Le'}..mTs - - - - - -, maximale

ITEFF -, Effektivwert (2.4.1.3) (3.1.2.3)

ITS Sto13strom (2.4.1. 3) Lp Rekombinationsweglange der ITsM -, maxi maIer (2.4.1.3) Locher (3.3.1)

Iv Talstrom (1.2.2) Lv Leuchtdichte (3.1.3.1) Ia Ausgangs-Gleiehstrom (1.1.9.2) Lv, - des schwarzen Korpers (3.1.3) Ie Eingangs-G leichstrom (1.1. 9.2) I Lange (1.1.2.4) Ie Strahlstarke (3.1.3) M Durchbruehfaktor (1.3.1) Ii Strom der Eigenleitung (3.1.5) M Photo strom-Verstarkung (3.3.5.1) h Kurzschlu13strom (3.3.2.2) MT - -, kritische (3.3.5.1) Iph Photostrom (3.1.5) Me spezifische Ausstrahlung (3.1.2) Iv Liehtstarke (3.1.3.1) Me).. - -, spektrale (3.1.2.1) Ivs -des schwarzen Korpers (3.1.4) Me1.T - - -, temperaturabhangige I z Zener-Strom (1.1.9.2) (3.1.2.1)

Anhang 313

Me~Ts spezifische, spektrale, ternperatur- RB2 innerer Basis-2-Widerstand (1.2.2) abhangige Ausstrahlung des R Blsat - Basis-l-Sattigungswiderstand schwarzen Korpers (3.1.2.1) (1.2.2)

My - Lichtausstrahlung (3.1.3) Rc Kollektorwiderstand (1.3.2) M ys - - des schwarzen Korpers Ro Drain-Widerstand (1.1.6.1)

(3.1.4) ROS(ON) FET -Einschaltwiderstand (1.1. 6. 3) m Masse (3.1.1) ROS(OFF) FET-Ausschaltwiderstand m Durchbruchfaktor, Exponent (1.1.6.3)

(1.3.1) RE Ernitterwiderstand (1.2.5.1) m Modulationsgrad (1.1.9.5) RF rnittlerer Ausgangswiderstand, mK Kreuzrnodulationsgrad (1.1.9.5) Photo element (3.3.2.2) mn Elektronen-Ruhemasse (3.1.1)

RF - - Magnet-Diode (4.3.1) mq Photonen-Masse (3.1.1.2)

RG Generator-Ausgangswiderstand mo --Ruhemasse (3.1.1) 0.1.6.3) N WindungszahI (2.4.1.6)

RGA Gate-Anoden-Widerstand (2.5.2) N Photonenstrom (3.1.1.2) n Brechungsindex (3.7.2.1)

R GG , Gate-Bahnwiderstand (2.4.1.4)

n Elektronendichte (1.1.2.4) RGK Gate-Kathoden-Widerstand

nE Dichte der Exitonen (3.7.3.2) (2.4.1.4)

nz - - isoelektrischen Zentren RGS Gate-Source-Widerstand (1.1.6.3)

(3.7.3.2) RH Hall-Konstante (4.1.1)

nl Inversionsdichte (3.1.5) RL Lastwiderstand (1.1.9.3)

nph durch Bestrahlung erzeugte RN Gegenkopplungswiderstand

Elektronendichte (3.1.5) (3.3.7.1)

no~ spektrale Photonenstromdichte Rs Relais-Widerstand (3.2.3.1)

(3.3.1) Rs Sourcewiderstand (1.1.9.1)

nx~ - - in der Tiefe x (3.3.1) RT temperaturabhangiger Wider-

0 Oberflache (3.1.2) stand (6.1.1.2)

PGAV mittIere Gate-VerIustIeistung Ru spannungsabhangiger Gleich-

(2.4.1.4) stromwiderstand 5.1)

PGM Gate-SpitzenverlustIeistung Rv Vorwiderstand (1.1.9.3) (2.4.1.4) Rd Dunkelwiderstand (3.2.2.2)

PL Nutzleistung (3.3.2.2) Rh Hellwiderstand (3.2.2.2) PT Verlustieistung des Thyristors Rp Parallelwiderstand (1.1.9.1)

(2.4.1.3) Rth Warmewiderstand (6.1.1. 3) PTAV - - - iiber eine Peri ode R thC - des Kiihlblechs (2.4.1.6)

gemittelt (2.4.1.3) R thGC - zwischen Gehause und

PTOC - - -, Gleichstromwert (2.4.1.3) Kiihlblech (2.4.1.6)

Pv Verlustleistung allgemein (3.2.2.3) R thGU - - - - Umgebung (2.4.1.6) Pr Rauschleistung (1.1. 7.1) Ro KaItwiderstand (6.1.1.2) PrG - des Generators (1.1.7.1) r Radius (3.1.3) PrT - des FET (1.1.7.1) r Rekombinationskoeffizient

P Impuls (3.1.1) (3.7.1.2)

Pq - des Photons (3.1.1.2) r Reflexionsfaktor (3.9.2.2) Q Ladung (1.1.3.3) rBE differentieller Basis-Emitter-Q binare Ausgangsvariable (1.1.9.4) Widerstand (3.3.7.1) R Widerstand (1.1.9.1) rCE - Kollektor-Emitter-Widerstand

RB Basiswiderstand (1.2.2) (1.1.6.3)

RB magnetfeldabhangiger Wider- rOS - Drain-Source-Widerstand stand (4.2.2) (1.1.2.3)

RBB Interbasis-Widerstand (1.2.2) ross - - - - bei Uos = 0 (1.1.3.3) R BB , Bahnwiderstand (1.3.1) rOS(ON) - Einschaltwiderstand (1.1.6.3) RBI innerer Basis-I-Widerstand (1.2.2) rOS(OFF) - Ausschaltwiderstand (1.1.6.3)

314 Anhang

rF differentieller Ausgangs-(Durch- U AK Anoden-Kathoden-Spannung lal3-)Widerstand (3.3.2.2) (2.4.1.4)

rFk - - - - im Kurzschlul3fall U BB Interbasis-Spannung (1.2.2) (3.3.2.2) U(BO) Kippspannung (2.2.1.1)

rFt - - - Leerlauffall (3.3.2.2) U(BO)null Nullkippspannung (2.4.1.1) ros - Gate-Source-Widerstand U(BR) Durchbruchspannung (I. 1.5.1)

(1.1.2.3) U(BR)DSS -, Drain-Source bei Uos = 0 rT - Durchlal3widerstand des (1.1.5.2)

Thyristors (2.3.1.2) U(BR)DSX - - - - Uos =1= 0 (1.1.5.2) ru - spannungsabhiingiger U(BR)O - des Gates (2.4.1.4)

Widerstand (5.1) U(BR)OSS -, Gate-Source bei U DS = 0 ra - Ausgangswiderstand (1.1.9.1) (1.1.5.1) re - Eingangswiderstand (I. 1.9.1) U BS Substrat-Source-Spannung r z - Zener-Widerstand (1.1.9.2) (1.1.3.2) rA spektraIer Refiexionsfaktor (3.3.1) U c Kondensatorspannung (1.2.5.1) S Stromdichte (I. 1.2.2) U CB Kollektor-Basis-Spannung (I. 1.3) S Steilheit (I. 1.2.3) U CBO - - -Durchbruchspannung S Stabilisierungskoeffizient (6.2.2.2) (1.3.1) SM Mischsteilheit (I. 1.9.5) UCE Kollektor-Emitter-Spannung Sm Steilheit, maximale (I. 1.2.4) (1.3.1) S Empfindlichkeit (3.2.2.1) U CEO - - -Durchbruchspannung SA spektrale Empfindlichkeit (3.1.5) bei offener Basis (1.3.1) SAr - -, relative (3.1.5) U CER - - - bei mit Widerstand R SAm - -, maximale (3.1.5) iiberbriickter Basis (1.3.1) T Temperatur (1.1.4.1) UCEsat - - -Siittigungsspannung T Periodendauer (1.2.5.1) (1.3.2) TA Knicktemperatur (6.2.1.3) U D Diffusionsspannung (3.7.1.2) To Gehiiusetemperatur (2.4.1.3) U DSMO Spitzen-Sperrspannung bei TN Nenntemperatur (6.2.1.2) offenem Gate (Stol3wert) (2.4.1.3) Tu Umgebungstemperatur (2.5.1) U DRMO - - - - - (periodischer Fall) Td Verzogerungszeit (2.5.3) (2.4.1.8) Tf Farbtemperatur (3.1.3.3) U DS Drain-Source-Spannung (1.1.2.2) Tp Impulsdauer (3.7.3.3) U DSP - - - beim Pinch off (1. 1.2.2) Ts Temperatur des schwarzen UDS(ON) - - - (Durchschaltwert)

Strahlers (3.1.3.3) (1.1.6.3) To Ausgangs- oder Umgebungs- U DSO - - - (Ruhewert) (1.1.9.1)

temperatur (6.1.1.2) U EB Emitter-Basis-Spannung (1.2.2) Zeit (1.1.6.3) U F Dioden-Durchlal3spannung

td Verzogerungszeit (I. 1.6.3) (3.7.1.2) t f Abfallzeit (1. 1.6.3) U o Gate-Spannung (1.1.9.1) tfr Durchlal3verzugszeit (2.4.1.5) UOK Gate-Kanalspannung (1.1.3.1) tgd Ziindverzugszeit (2.4.1.5) UOK Gate-Kathoden-Spannung tgr Durchschaltzeit (2.4.1.5) (2.4.1.4) tgt Ziindzeit (2.4.1.5) Uos Gate-Source-Spannung (1.1.2.2) toff Ausschaltzeit (1. 1.6.3) UOS(OFF) - - - (Ausschaltwert) (1.1.6.3) ton Einschaltzeit (1.1.6.3) UOS(ON) - - - (Einschaltwert) (1.1.6.3) tp Impulsdauer (2.4.1.6) UOS(TO) - - - (Schwellwert) (1.1.3.3) tq Freiwerdezeit (2.4.1.5) U osz - - - (temperaturstabiler tr Anstiegszeit (1.1.6.1) Wert) (1.1.4.2) trr Sperrverzugszeit (2.4.1.5) U OSO - - - (Ruhewert) (1.1.9.1) ts Speicherzeit (1.1.6.3) U OM1 Gate-MTl-Spannung (2.4.2.1) t z Ziindzeitpunkt (2.4.1.6) U OT Gate-Triggerspannung (2.4.1.4) U Spannung (2.3.1.1) U OAT - -, anodenseitig (2.5.2)

Anhang 315

UOKT Gate-Triggerspannung, kathoden- Uam Ausgangswechselspannung seitig (2.5.2) (Scheitelwert) (1.3.3)

Uoo Generator-QueIIenspannung Ue Eingangswechselspannung (2.4.1.4) (1.1.6.3)

UH Haltespannung (2.3.1.2) iir Effektivwert der Rauschspannung UH HaII-Spannung (4.1.1) (1.1.7.1) UHO - - im Leerlauf (4.1.1) iiro - - - des Generators (1.1.7.1) UM Mittelpunktspannung (4.3.1) Ul Eingangswechselspannung UM2M1 MT2-MTl-Spannung (2.4.2.1) (1.1.2.3) Up Hockerspannung (1.2.2) U2 Ausgangswechselspannung UQ Ausgangsspannung digitaler (1.1.2.3)

Schaltungen (1.1.9.4) V Volumen (3.7.3.2) UR Sperrspannung (1.1.2.2) Vu Spannungsverstarkung (1.1.6.3) URSM Spitzensperrspannung, negativer v Verstarkung (3.9.2.1)

StoJ3wert (2.4.1.3) Vkr -, kritische (3.9.2.1) URRM -, negativer periodischer Wert Vn Driftgeschwindigkeit der

(2.4.1.3) Elektronen (1.1.2.2) Us SchweIIspannung (1.1.5.1) WA Austrittsarbeit (3.1.1) UT Thyristor-DurchlaJ3spannung Wo Energieniveau der Donatoren

(2.3.1.2) (1.1.3.1) UT Temperaturspannung (1.1. 7.1)

WE - - Exitonen (3.7.3.1) UTO SchweII-DurchlaJ3spannung Ws - - isoelektronischen Zentren

(2.4.1.3) (3.7.3.1) Uv Talspannung (1.2.2)

W F Fermi-Energie (1.1.3.1) Ua Ausgangs-Gleichspannung

Wkn kinetische Energie der Elektronen (1.1.9.2) (3.7.1.1)

Ut Leerlaufspannung (3.3.2.2) W kP - - - Locher (3.7.1.1)

Us Spitzenspannung (5.2) Wq Photonenenergie (3.1.1.2)

Uz Zener-Spannung (1.1.5.1) x Ortskoordinate (1.1.2.2) U_ Gleichspannung (3.2.2.1) x Mischungsverhaltnis (3.7.4) Un- -, negativ (1.1.6.3) Xp Ort der Kanalabschniirung Up _ -, positiv (1.1.6.3) (1.1.2.2) UBB Interbasisspannung (Zeitwert)

Xc Mischungsverhaltnis, kritisches (2.4.1.6) (3.7.4)

Uc Kondensatorspannung (Zeitwert) Vorwartssteilheit (1.1.2.3) (1.2.5.1) Yrs

UCE KoIIektor-Emitter-Spannung Yos Ausgangsleitwert (1.1.2.3)

(Zeitwert) (1.3.3) Yll Eingangsleitwert (1.1.2.3)

Uo Generatorspannung (Zeitwert) Y12 Riickwartssteilheit (1.1.2.3)

(1.1.9.3) Y21 Vorwartssteilheit (1.1.2.3)

UH Hochfrequenz-Wechselspannung Y22 Ausgangsleitwert (1.1.2.3)

(1.1.9.5) Ylls Source-Schaltung, komplexer

iiH - - (Effektivwert) (1.1.9.5) Eingangsleitwert (1.1.6.1)

UN Niederfrequenz-Wechselspannung Y12s - -, komplexe RiickwartssteiI-

(1.1.9.5) heit (1.1.6.1)

Uos Gate-Source-Wechselspannung Y21s - -, komplexe Vorwartssteilheit

(1.1.6.1) (1.1.6.1)

Up Hockerspannung (Zeitwert) Y22s - -, komplexer Ausgangsleitwert (2.4.1.6) (1.1.6.1)

UT Thyristor-DurchlaJ3spannung Z Transimpedanz (3.3.7.1) (Zeitwert) (2.4.1.3) C( Temperaturkoeffizient (3.2.2.3)

u. Ausgangswechselspannung C( Winkel (3.1.2) (1.1.6.3) C(o - bei Totalrefiexion (3.7.2.1)

316 Anhang

exT temperaturabhangiger Tempera- rp Winkel (3.1.2) turkoeffizient (6.1.1.2) rp Phasenwinkel (3.3.3.2)

f3 Regelkonstante (5.1) '/] Wirkungsgrad (3.7.2.3)

f3 Temperaturkoeffizient der Hall- '/] inneres Widerstandsverhaltnis Konstanten (4.1.2.2) (1.2.1)

f3 differentielle Stromverstarkung '/]ph Quantenausbeute (3.7.2.3) der Emitterschaltung (3.4.3.2) e StromfiuBwinkel (2.3.1.3)

f30 - - - -, frequenzunabhangige e Durchfiutung (4.1.3.3)

(3.4.3.2) e GesamtstromfiuBwinkel (2.4.2.3) g

Y Exponent im Photowiderstand- A Wellenlange (3.1.1)

verlauf (3.2.2) Am - im Maximum des Spektrums

AW Bandabstand (1.1.3.1) (3.1.2.3)

AU Riicklaufspannung (2.2.1.1) Ag Grenzwellenlange (3.1.5)

AI Bandbreite (1.1. 7.1) f! Verstarkungsfaktor (1.1.6.1)

Ak Anderung des Wellenvektors (J S tefan-B 01 tzmann-Konstante

(3.7.1.1) (3.1.2.3)

b Abstand (4.1.3.2) T Lebensdauer (1.2.1)

relative Dielektrizitatszahl T Zeitkonstante (3.3.3.2)

er TE - der Exitonen (3.7.3.2)

(1.1.2.4) Ta - am Ausgang (1.1.6.3)

eo absolute Dielektrizitatskonstante Te - - Eingang (1.1.6.3)

(1.1.2.4) Te Emitter-Zeitkonstante (3.4.3.2)

<Pe StrahlungsfiuB (3.1.1.2) Tlh thermische Zeitkonstante (6.1.1.4)

<Pes - des schwarzen Korpers [} Raumwinkel (3.1.2.2) (3.1.2.3) W Kreisfrequenz (1.1.6.1)

<Pe ). -, spektraler (3.1.3.2) WH -, hochfrequent (1.1.9.5) <Pe).s - - des schwarzen Korpers WN -, niederfrequent (1.1.9.5)

(3.1.3.2) Wg Grenzkreisfrequenz (3.3.3.2) <Pv Lichtstrom (3.1.3.1) w~ - der Emitterschaltung (3.4.3.2)

Sachverzeichnis

Abfallzeit der Lumineszenz-Diode 232f.

- - Photodiode 191 f. - des FET 28 ff. - - Phototransistors 211 ff. Abkiihlen des HeiBleiters 293 Abschaltstrom der Thyristor-

Tetrode 153 ff. Abschwachungsma/3 64 Absorption von Licht 161 f. Absorptions I koeffizient 181 ff. -verm6gen, spektrales 16lf. amphoteres Verhalten 227 analoge gate 52ff. Anoden-I Kathoden-Strecke

105 --Strom des Thyristors 103 Anreicherungs I betrieb 13 --Typ 1 f., 13ff. Anstiegszeit der Lumineszenz-

Diode 232f. - - Photo diode 191 f. - des FET 28 ff. - - Phototransistors 211 ff. Antiparallelschaltung von

Thyristoren 131 Anzeigelemente 243 ff. -, 7-Segment- 243f. -, 7· 5-Matrix- 245f. Arbeitspunkt I einstellung beim

FET 36ff. - des CMOS-Inverters 57f. Aufheizen des HeiBleiters

292f. Augenempfindlichkeit,

mittlere 168 f. -, spektrale 168 Auger-Effekt 224 Ausbeutefaktor 183 Ausgangskennlinien, fallende

8lf. -feld des FET 37f.

Ausgangs 11eistung der GaAs-Diode 230f.

- - - GaP-Diode 235f. - - - GaAsP-Diode 241 - - - Laser-Diode 258f. -leitwert 7 - -, komplexer 25 -strahl der Laser-Diode 259 f. -widerstand bei Gegen-

kopplung 201 - -, differentieller 6 ff. - - der Drain-Schaltung

42f. - - - Gate-Schaltung 5 - - - Kaskaden-Schaltung

48 - - - Source-Schaltung 39 - - des MOS-FET 17 - - - Photoelements 186f. -zeitkonstante des FET 28f. Ausschalten, verz6gertes 297 Ausschalt I schwellenstrom 217 -verhalten von Photowider-

standen 178 -widerstand des FET 29f. - zeit des FET 28 ff. Ausrauml strom des Thyristors

120f. -zeit des Thyristors 121 Ausstrahlung, spezifische

161 ff. automatic gain control 64 avalanche transistor 80 ff.

Bandermodell der GaAs-Diode 229

- - GaP-Diode 234 - - GaAsP-Halbleiters 239 - des MOS-FET 12f. - - PN-Ubergangs 226 - in Energie-Impuls-

darstellung 224 Bahnwiderstand 69

Bandabstand im GaAsP-Kristall 239

Barium-Titanat-Gitter 298 Basis I Bahnwiderstand 81 f. -schaltung 213f. -strom 80ff. BCD-Code 244 Beleuchtungsstarke 167 Belichtungsmesser 179 Besetzungsinversion 255 Bestrahlungsstarke 161 ff. -, spektrale 182f. Betriebszustand des TRIAC

136ff. ---,1(+)137 - - -,1(-) 137f. - - -, III (+) 138f. - - -, III (-) 139f. Beweglichkeit 4 binare Variable 52 Boltzmann-Konstante 164 Braggsche Reflexion 223 break over voltage 92 Brechungsgesetz 227f. Briickenschaltung mit

HeiBleitern 294f. Bulk 2

Candela 166f. character generator 245 f. Chopper 55ff. -, Parallel- 55 -, Serien- 55 CMOS 58ff. --Inverter 58f. --NOR-Gatter 59f. --Ubertragungsgatter 60f. CTR 247 Curie-Temperatur 298 current transfer ratio 247

Dammerungsschalter 179 f. Darlington-Schaltung 204f.

318 Sachverzeichnis

Dauerstrichbetrieb von Laser-Dioden 258 f.

depletion Typ, MOS-FET-If.,l1ff.

detector head 202 DIAC 90, 95 f. Differenzverstarker mit

Hall-Generator 27Of. Diffusionskapazitat 233 display 243 Dom-wafer 227 f. Donatoren 13 Doppel I basis-Diode 67ff. --Gate-FET 34f. - heterostruktur-Laser 257 f. Drain 1 ff. --Schaltung 40ff. --Source-Spannung 3 ff. --Strom 4ff. Dreierstof3 224 Driftgeschwindigkeit 4 driver 52 ff. Dual-Gate-FET 34f. --in-Line-Gehause 248 Dunkel I strom 171 - - der Photodiode 184 - - des Phototransistors

205 -widerstand 177 Durchbruch I bedingung der

Vierschichtdiode 97 -faktor 80, 194 -kennlinien der Photo-

Lawinen-Diode 195 -spannung 22ff. 80f.

- des Gate 22f. - - von Drain-Source 23 f. - - - Gate-Source 22 -verhalten bipolarer

Transistoren 80 ff. Durchflutung 272 Durchlaf31 spannung,

Thyristor 106 - -, Vierschicht-Diode 99 -strom, Effektivwert 109,

130 - -, Gleichrichtwert 130 - -, kritischer fiir Laser-

Betrieb 256 - -, linearer Mittelwert 109 - --, Thyristor 106 -verzugszeit 121 f.

Durchschalt I vorgang in der Vierschicht-Diode 98

-zeit des Thyristors 118

Eingangs Ileitwert, differentieller des FET 7

- -, komplexer des FET 25 -widerstand bei Gegen-

kopplung 200 - - der Drain-Schaltung

4lf. - - Gate-Schaltung 44

- - - Source-Schaltung 39 - - des PN-FET 6 -zeitkonstante des FET 28 Einheitskugel 163 Einraststrom 99, 119 Einschalten, verzogertes 296 f. Einschalt I schwellenstrom 217 - stromsteilheit, kritische

119f. -verhalten von Photowider-

standen 177 f. - widerstand, differentieIIer 9 - - des FET 29f. -zeit des FET 28ff. - - - Thyristors 118 Einsteinsche Beziehung 160 Einwegschaltung, gesteuerte

125 ff. Elektronen I anreicherung 14 -falle 234 Emission, spontane 255, 258 -, stimulierte 254f., 258 - von Licht 161 f. Emissionsspektrum der

GaAs-Diode 229 - GaAsP-Diode 240

- - GaP-Diode 235 - - Laser-Diode 259 - des schwarzen Strahlers

163 ff. Emitter I folger 199 ff. -schaltung 199ff. Empfindlichkeit der

Photodiode 189 - des Hall-Generators 265 f.

- Photo-FET 22lf. - - Phototransistors 204 - - Photo-Darlington-

Transistors 205 - - Photowiderstands 176f. -, spektrale 17lf.

Empfindlichkeit von Photo­empfangern 205

Energie, kinetische des freien Elektrons 223 f.

-verteilung des schwarzen Strahlers 163 ff.

enhancement 13 --Typ, MOS-FET- 13ff. Epitaxie 3 -, Fliissigkeits- 227 Erholzeit des Heif3\eiters

291 ff. - - Thyristors 120 Ersatzschaltung der Photo-

diode 190 - - Trigger-Diode 91,95 - - Vierschicht-Diode 97 - des Photo transistors 206 f.

- Thyristors 103 - - TRIAC 137ff. - - Unijunction-Transistors

68 Erzeugungsrate 225 Exiton 234 Exitonendichte 236

Farbtemperatur 169 Feld I effekt-Transistor 1 ff. -platte 272ff.

-, Eisen- 274 - -, Grundwiderstand 273 - -, Temperaturkoeffizient

der 274 - sonde 268 f. - -, Axial- 269 - -, Tangential- 269 - starke, elektrische 4 Fermi-Niveau 13f. Ferroelektrika 297 f. FET Iff. --Diode 46f. Flammenwachter 179 flicker noise 31 Fliissigkeits-Niveaufiihler 304 Formfaktor 109 - des Varistors 282 Freiwerdezeit des Photo-

thyristors 220 - - Thyristors 120ff. Fiinfschicht-Diode 89f., IOH.

Gain-bandwidth-Produkt 196f.

Gate 1 ff. 103 ff. --Drain-Diode 22 --Empfindlichkeit 221 --Isolation 11 ff. --Kennlinie des Thyristors

113ff., 116ff. --Kennwerte des Thyristors

113ff. - -Kurzschlu13-Reststrom 19 f. --Pinch-off-Spannung 9 --Schaltung 44f. --Schutz 23 --Source-Schwellenspannung

15 - --Spannung 4ff. --Spitzenverlustleistung 115 --Strom des Thyristors 103f. --Transistor des TRIAC 137f. --Triggerspannung 115 - -Triggerstrom 115 ff. - -Triggerung 116 f. --Verlustleistung 115f. --Vorspannung,

automatische 36f. GaAs-Lumineszenz-Diode

226ff. GaAsP-Diode, gelb strahlend

240 - -, rot strahlend 240 GaP-Diode. gelb strahlend

234f. - -, griin strahlend 234f. - -, rot strahlend 234f. Gau13 264 Gegenkopplung 199 ff. Gitter I schwingung 182 -versetzung 232 Gleich I gewicht, thermisches

161 -richter, gesteuerter 103 -richtwert 109, 130 Grenzfrequenz, obere, der

Photo diode 191 f. - - - Photo-Lawinen­

Diode 197 - - des Photo transistors

208f. - - - - bei Belastung

209f. - des Optokopplers 248f. Grenz I wellenlange 170 f. --winkel fUr Totalreflexion

228

Halbleiter, direkter 223 ff. - fUr Lumineszenz-Dioden

226 -, indirekter 223 ff. --Injections-Laser 255 ff. Hall-Effekt 263 ff. - -Generator 263 ff. - -, belasteter 266 ff. - -, F errit- 265, 269 f. --Konstante 264 - -, Temperaturabhangig-

keit 267f. --Multiplikator 271 f. --Spannung, Leerlauf- 264 Haltestrom 99, 106f. Haupt I anschlu13 des TRIAC

135 -spannung des TRIAC 135ff. - strecke des Thyristors 105 Heil3leiter 287 ff. -, Anla13- 296f. -, Kompensations- 295f. -, Mel3- 293f. --Widerstand 287f. Helligkeitssteuerung 180 Hellwiderstand 177 High-Zustand 52ff. Hochfrequenz-Ersatzschal-

tung des FET 24 --Schaltungen mit FETs 62ff. Hocker I spannung 68 ff. -strom 70 Hot-carrier-PIN-Diode 193 hot spot 119 Hysterese, Ein-Ausschalt- 147 - - - des Schmitt-Triggers

251

IG-FET 1 Impedanzwandler 214 Impuls I betrieb von Laser-

Dioden 258 f. --Energie-Darstellung 223 f. - erhaltungssatz 222 -generator 86f. Infrarot-Detektor 174 -strahler 227 Innenwiderstand der

Vierschicht-Diode 99 inneres Widerstandsverhaltnis

68 Interbasis-Strom 68 --Widerstand 68

Sachverzeichnis 319

Interferenz 159 Intrinsic I zahl 25 - stand-off ratio 68 Inversions I dichte 225 - schicht 12 ff. Inverter 57 ff. isoelektronisches Zentrum 234

Johnson-noise 31 Junction gate thyristor 138

Kaltleiter 297 ff. --Widerstand 298f. Kaltwiderstand 288, 299 Kanall abschniirung 4ff. -dicke 8ff. -, halbleitender 1 ff. Kapazitaten des FET 24ff.

-, Ausgangs- 25 -, Drain-Source- 24 -, Gate-Drain- 24 -, Gate-Source- 24 -, Eingangs- 25 -, Riickwirkungs- 25

- der Photo diode 190 - des Photo transistors 207 - - -, Kollektor-Basis- 207 - - -, Kollektor-Emitter-

207 - - -, Basis-Emitter- 207 Kaskaden-Schaltung mit

FETs 47f. Kaskode-Schaltung 214 Kenngro13en der Thyristor­

Tetrode 154f. - des DIAC 96 - - Thyristors 105ff., 115,

122 - - TRIAC 141 ff. Kennlinien der GaAs­

Lumineszenz-Diode 230ff. - - GaAsP-Lumineszenz­

Diode 242f. - - GaP-Lumineszenz­

Diode 238 - des Heil3leiters 290

- Kaltleiters 299f. - - Photowiderstands 175 f. - - Unijunction-Transistors

68 Kennlinienfeld der

Photodiode 184 - - Photo-Duo-Diode 199

320 Sachverzeichnis

Kennlinienfeld des Lawinen­Transistors 81 ff.

- MOS-FET 16, 18f. - - Photo transistors 203 f. - - Sperrschicht-FET 5f.,

18 - - Thyristors 105 - - TRIAC 136 Kennwerte von Hall­

Generatoren 266 Kippspannung der Trigger-

Diode 9lf. - - Vierschicht-Diode 99 - des DIAC 95f. - - Thyristors, Null- 105 - - Unijunction-Transistors

132ff. Kirchhoffsches Strahlungs-

gesetz 162 Kleinsignall ansteuerung 35 -verstarkung des FET 35ff. - - der Drain-Schaltung

40ff. - - - Gate-Schaltung 44ff. - - - Source-Schaltung

38ff. Kniespannung 4 Koaxialkabel 86ff. Koharenz, raumliche 159 -, zeitliche 159 Kollektor 1-Basis-Spannung

80ff. - -Emitter-Reststrom 80 ff. -strom 80f. Kompensationsschaltung mit

HeiJ31eitern 295 f. Konstantstromquelle, FET-

45ff. Kopplungsfaktor 247ff. -, elektrooptischer 230 Kreuzmodulation 62ff. -grad 64 -faktor 64 Kristall-Laser 255 Kiihlblech 124 f. Kiihlung von Thyristoren

124f. Kurzschlul3l grenzfrequenz des

Phototransistors 207 ff. -leitwert 7 -steilheit 7 -strom des Photo elements

185

Lambert 1 sches Gesetz 163 - -Strahler 163 Laser-Bedingung 256 --Diode 254ff. latch current 119 Lawinen 1 durchbruch des FET

11 --Durchbruchbereich 80ff. -effekt in der Photo-

Lawinen-Diode 194 --Transistor 80ff. LDR 174 LED 222ff. Leerlaufspannung des

Photoelements 185 Leitwertgleichungen 6f. Leuchtdichte 166 f. Licht 1 druck 161 -emission am PN-Obergang

226 -erzeugung in Halbleitern

222ff. - geschwindigkeit 157 -kabel262 -leiter 260, 262 -Quant 160 -starke I 66ff. - - der GaAsP-Diode 242 - - - GaP-Diode 237 -strom 166ff. -welle, stehende 255 light emitting diode 222 ff. - detecting resistor 174 Logik, negative 59 -, positive 59 Lorentzkraft 263 Low-Zustand 52ff. Lumen 166f. Lumineszenz-Dioden 222ff. Lux 167

Magnet-Diode 277ff. --Doppeldiode 278f. - -Schutzschaltung 285 f. magnetische Induktion 263 ff. Magneto-Widerstand 272 f. main terminal des TRIAC 135 Materiewellen 161 -, de Brogliesche 223 Mikrowatt-Logik 59 Miller-Kapazitat 28, 209 -- -Zeitkonstante 210 Mischkristall 239

Mischsteilheit 66 Mischung 65 f. MIS-FET I MNOS-Technologie 12 MOS-FET I, 11ff.

-, Anreicherungs- 13 ff. - - -Halbleiterspeicher 245 f. - -, Verarmungs- 11 ff. Modulationsgrad 62 - des Laser-Strahls 261 Multiplexer 54

NAND-Funktion 59 Nenn 1 temperatur des

Kaltleiters 299 -widerstand des Kaltleiters

299 N -Kanal-Sperrsch icht-FET

2ff. NOR-Funktion 59 - -Gatter 59 f. Normlicht-A 169 NTC-Widerstand 287ff. Nullkippspannung des

Thyristors 104f. - - TRIAC 141 Nur-Lesespeicher 245 f.

ODER-Funktion 59 Optische Strahlung 157 ff. Optoelektronik 157 ff. Optokoppler 247ff. -, Lumineszenz-Diode­

Photodiode- 247 f. -, - --Phototransistor-

248f. -, - --Photo-Darlington-

249 -, - --Photothyristor-

249f. - -Strahlschranken 250 ff. --Gleichstromrelais 252f. - -Wechselstromrelais 253 f. Oszillator, atomarer 159 -, lokaler 65

Phasenanschnittschaltung 101, 125 ff.

Photo I-Darlington-Transistor 204ff.

-diode 181 ff. --Duo-Diode 197ff. -effekt 160

Photoelfekt, iiu/3erer 172 - -, innerer 170 If. -element 1851f. - emitter 1 72 --FET 2181f. - kathode 172 --Lawinen-Diode 1931f. -leiter 1701f. -metrische Gro/3en 1661f. --PIN-Diode 193 -strom 171 - - im PN-Dbergang 181 If. - -verstiirkung 1941f. - - -, maximale 195 - transistor 202 If. -thyristor 2181f. - widerstand 172 If. photo avalanche diode 1931f. Photon 160 Photonen 1 impuls 160 -masse 160 -stromung 160 Pinch olf 4 - --Spannung 41f. P-Kanal-Sperrschicht-FET 2 Planar-Technologie 3 PN-FET 1 If. --Dbergang bei Bestrahlung

181 If. Press-fit-Gehiiuse 123 PTC-Widerstand 297 Pumpen, optisches 255

Quantenl ausbeute 182f. - - in der GaAs-Diode

230f. - GaAsP-Diode

24lf. - GaP-Diode 236f.

-energie 160 -theorie 159ft".

Radiant 162 Radiometrische Gro/3en 166 If. Rate-Elfekt 92, 122 Raumwinkel 162f. Rauschen des FET 31 If. -, Rekombinations- 31 -, Schottky- 31 -, Widerstands- 31 Rausch Ileistung 31 - ma/3 31 If.

Rauschspannung des FET 31 If.

-strom des FET 31ft". -zahl 31 If. - -, minimale 32 Read only memory 245 f. Retlexionsfaktor 182 f. Regelkonstante des Hei/31eiters

288 - - Varistors 282 Rekombinations 1 koeffizient

225 -rate 225 -zentren 277 -zone 277 Relais, optisches 2151f. remote gate thyristor 139 f. Resonator, optischer 255f. Richtdiagramm der

Photo diode 192 - - GaP-Lumineszenz-

Diode 237 - - Laser-Diode 259f. Ringziihler 246 ROM 245f. Riick Ilauf-Dilferenzspannung

91 f. - wiirtssteilheit, dilferentielle 7 - -, komplexe 25 Rubin-Laser 255

Siigezahngenerator 731f. Siittigungs 1-Drain-Strom 9 -verhalten der GaP-Diode

235f. -widerstand des Unijunction­

Transistors 69 Schalter, kontaktlose 269 If. ,

279f. Schalt 1 verhalten der Lumi-

neszenz-Diode 232f. - - Photo diode 19If. - des FET 28 If. - - Thyristors 118 If.

- beim Ausschalten 120 If.

- - Einschalten 118 If.

-zeiten der Photo diode 192 - - des FET 28f. - - - Phototransistors

211 If. - - - Thyristors 118 If.

Sachverzeichnis 321

Schaltzeiten des TRIAC 143 Schieberegister 246 Schmitt-Trigger 2161f., 251 Schottky-Photodiode 193 --PIN-Diode 193 Schutzschaltung mit Varistor

285f. schwarzer Korper 162 If. Schwellwertverstiirkung, kri­

tische der Laser-Diode 256 SCR 103 selbst Ileitender MOS-FET

If., llif. -sperrender MOS-FET 1 f.,

13 If. - ziinden des Thyristors 105 shorted emitter 81 shot noise 31 silicon bilateral switch 89 - controlled rectifier 89, 103 - unilateral switch 89 Solar 1 konstante 187 -zelle 187f. Source 1 If. --Folger 401f. --Schaltung 61f., 28, 381f. Spannungs 1 gegenkopplung 51 - referenzquelle 48 f. - steilheit 92 - -, kritische 122 -teiler 49f. -verstiirkung der Drain-

Schaltung 41 - - - Emitter-Schaltung

209 - - - Gate-Schaltung 44 - - - Source-Schaltung 39 Speicherzeit des FET 28 spektrale Empfindlichkeit des

Auges 168f. - Energieverteilung des

schwarzen Strahlers 163 If. Spektrum, elektromagneti-

sches 158 Sperr 1 schicht 3, 8 - --FET IIf. -strom des Thyristors,

positiver 105 f. - - - -, negativer 107 Sperrverzugszeit des

Thyristors 120 f. spezifische Ausstrahlung 165 spike 56

322 Sachverzeichnis

Spitzensperrspannung, negative 107

-, periodische 105f. -, StoB- 105f. Stabilisierungskoeffizient der

Temperatur 303 f. Stefan-Bo1tzmann-Gesetz 165 - --Konstante 165 Steilheit der Kommutierungs-

spannung, kritische 145ff. - des MOS-FET 17 - - PN-FET 6f. -, Misch- 66 Steuerelektrode 103 Steuerung, anodenseitige 104 -, kathodenseitige 103f. StoBionisation 80ff. StoBstrom, Thyristor 106 Strahl I dichte, spektrale,

temperaturabhangige 163 ff. - - -, maximale 164f. -schranke 250ff. Strahlungs I aquivalent,

photometrisches 168 -fluB 160f., 165 -quelle, nichtthermische 161,

222 - -, thermische 161 ff. Strom I faden, heiBer 119 -fluBwinkeI101, 108ff., 141 f. -gegenkopplung 40 -generator, Photodioden-

185 -steilheit 119f. - ubertragungsverhiiltnis

247ff. Substrat 2 -spannung 19 Superheterodyne-Empfanger

65

Tall spannung 70 ff. -strom 70ff. Teilchencharakter des Lichts

159ff. Temperaturabhangigkeit des

Drain-Stroms 20ff. - - Gate-Stroms 19f. - abhiingigkeit von

Photowiderstanden 178 -koeffizient 71, 289, 297ff. - kompensation bei

Feldplatten 276

Temperatur I messung 293 ff. -stabilisierung der Hocker-

spannung 72f. - - mit Kaltleitern 303 f. -verhalten von FETs 19ff. - - - Unijunction-

Transistoren 70ff. Tesla 264 Thermistor 286ff. threshold current fur Laser-

Betrieb 256 Thyratron 89 Thyristor 89ff. --Diode 89f., 96ff. - -, bidirektionale 10lf. - -, riickwarts sperrende

96ff. --Pille 123 --Tablette 123 --Tetrode 153ff. --Triode 89f., 102ff. - -, bidirektionale 135ff. - -, riickwarts sperrende

102ff. Titanat-Keramik 297f. Totalreflexion 227f. Transimpedanz 200f. -verstarker 199ff. Transistor, bipolarer 1 -, unipolarer 1 ff. Transitfrequenz 197 transmission gate 52 ff. Transmittanz 7 --Kennlinie 9 trap 234 Treiberschaltung 52ff. TRIAC 89f., 135ff. --Tablette 145f. Trigger-Diode 91 ff. - -, bidirektionale 95ff. - -, riickwarts sperrende

91 ff. - generator 131 f. -impuls-Generator 76ff.,

93ff. -strom 115, 143, 155,250 Triggerung des TRIAC 137ff. turn off time 120 turn on time 118 - --Spannung 15

Ubergang, direkter 225 -, indirekter 225

Uber Ilagerungs-Empfanger 65 -stromsicherung 302f. Ubertragungs-Gatter 52ff. -kennlinie des FET 9, 16 - - - CMOS-Inverters 58f. Umschaltbereich des CMOS­

Inverters 58f. UND-Funktion 59 Unijunction-Transistor 67ff.,

131 ff.

Varistor 281 ff. VDR-Widerstand 281ff. Verarmungs I betrieb 13 --Typ 1 f. Verlustleistung im Kaltleiter

30lf. - - Thyristor 108 ff. - - Varistor 283 Verstarkungs-Bandbreite­

Produkt 196f. -faktor der Source-Schaltung

39 -regelung, automatische 64 Verzogerungs I schaltungen

296f. -zeit des FET 28ff. Vierpolgleichungen des FET

6f. Vierschicht-Diode 89f., 96ff. Vorbelichtung 178 Vorwartssteilheit, differentielle

6ff. -, komplexe 25

Warme I kapazitat 292 -widerstand 124 Wechselstromsteller 131 ff. -, hysteresefreier 148ff. -, nicht hysteresefreier 146ff. We1le, elektromagnetische

157ff. Wellen I charakter des Lichts

157ff. -lange 157 f. - vektor 223 f. -widerstand 86f. -zug 159 Widerstand des Varistors

282f. -, gesteuerter 49ff. -, spannungsabhangiger

281 ff.

Widerstand, temperatur-abhiingiger 287ff., 298f.

-, thermischer 290 Widerstandsgerade 36ff. Wiensches Verschiebungs-

gesetz 164 Wirkungsgrad, elektrischer

der GaAs-Diode 230f.

- der SoIarzeIle 188 Wirkungsquantum,

Plancksches 160 worst case 251 f.

y-Parameter 7 - -, komplexe 24

Zeichen, alphanumerische 245

- generator 245 f. Zeit I konstante des FET 28 f. - - - Photo transistors

208ff. - -, thermische 292 -multiplex-Schaltung 54 - verzogerungsschaltung

78f.

Sachverzeichnis 323

Zerhacker 54ff. Ziind I beleuchtungsstarke 220 -verzugszeit 118 -winkel 126 -zeit 118 - - des Photothyristors 220 - -punkt 126 Ziinden von Thyristoren 103 f. Zustand, blockierter, des

Thyristors 105 Zweiwegschaltung, gesteuerte

128ff. Zwischenfrequenz 65f.

Moeller, Leitfaden der Elektrotechnik Herausgegeben von Prof. Dr.-Ing. H. Fricke, Braunschweig, Prof. Dr.-Ing. H. Frohne, Hannover, und Dozent Dr.-Ing. P. Vaske, Hamburg

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Band "

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Preisanderungen vorbehalten

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