250 Bai Tap Ky Thuat Dien Tu (NXB Giao Duc 2010) - Thai Thanh Tra, 216 Trang

NGUYỄN THANH TRÀ - THÁI VĨNH HIỂN

250 BÀI TẬPKV THUỘT ĐIỈN TỬ

NHÀ XUẤT BẢN GIÁO DỤC VIỆT NAM

Taøi Lieäu Cuûa Baïn . Com

http://tailieucuaban.com/

Chưởng 1

ĐIỐT

1.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT

Hiệu ứng chỉnh lưu của điốt bán dẫn là tính dẫn điện không đối xứng. Khi điốt được phân cực thuận, điện trở tiếp giáp thường rất bé. Khi điốt được phân cực ngược điện trở tiếp giáp thưcmg rất lớn. Khi điện áp ngược đặt vào đủ lớn điốt bị đánh thủng và mất đi tính chỉnh lưu của nó. Trên thực tế tồn tại hai phưofng thức đánh thủng đối với điốt bán dẫn. Phưcíng thức thứ nhất gọi là đánh thủng tạm thời (zener). Phương thức thứ hai gọi là đánh thủng về nhiệt hay đánh thủng thác lũ. Người ta sử dụng phương thức đánh thủng tạm thời để làm điốt ổn áp.

Phương trình cơ bản xác định dòng điện Id chảy qua điốt được viết như sau:

~ DS enu.. ( 1- 1)

ở đây: - = — , là thế nhiệt;q

- k = 1,38.10"^ — , hằng số Boltzman;K

- q = 1,6.10 '’c , điện tích của electron;- n = 1 đối vói Ge và n = 2 đối với Si;- T nhiệt độ môi trường tính theo độ K.

Từ phương trình (1-1) người ta xây dựng được đặc tuyến Volt-Ampe = f(Uj3) cho điốt và dùng nó đé iính toán các thông số có liên quan đối với

các mạch điện dùng điốt.úhg dụng quan trọng của điốt là:

a) Chỉnh lưu dòng điện xoay chiều thành một chiều nhờ các sơ đồ cơ bản sử dụng các loại điốt khác nhau (điốt có điều khiển và điốt không điều khiển).



b) Hạn chế biên độ điện áp ờ một giá trị ngưỡng cho trước.

c) Ổn định giá trị điện áp một chiều ở một ngưỡng xác lập Uz nhờ đánh thủng tạm thời (zener).

Mô hình gần đúng để mô tả điốt trong các mạch điện được xem như:

a) Là một nguồn điện áp lý tưởng có nội trở bằng không khi điốt chuyển từ trạng thái khoá sang mở tại mức điện áp U K = Up.

b) Là một nguồn dòng lý tưởng có nội trở rất lớn khi điốt chuyển từ trạng thái mở sang khoá tại mức điện áp = oV

c) ở chế độ xoay chiều khi tần số tín hiệu còn đủ thấp, điốt sẽ tưcmg đương như một điện trở xoay chiều được xác định theo biểu thức (1-2) dưới đây :

( 1-2 )

Còn khi' tần số tín hiệu đủ cao, cần chú ý tới giá trị điện dung ký sinh của điốt Cd, nó được mắc song song với điện trở xoay chiều r .

1.2. BÀJ TẬP CÓ LỜI GIẢI

Bài tập 1-1. Xác định giá trị thế nhiệt (U-r) của điốt bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ môi trường 20°c.

Bài giải

Từ biểu thức cơ bản dùng để xác định thế nhiệt

u ,= i ĩq

Trong đó:

- k = 1,38.10'^ — , hằng số Boltzman;K

- q = 1 , 6 . điện tích của electron;- T nhiệt độ môi trường tính theo độ K.Tĩiay các đại lượng tưcíng ứng vào biểu thức ta có:

U, = = ^ M . 2 5 . 2 7 , n V q 1,6.10"'’



Bài tập 1-2. Xác định điện trở một chiều Rj3 của điốt chỉnh lưu với đặc tuyến V-A cho trên hình 1-1 tại các giá trị dòng điện và điện áp sau:

= 2mA

Uo = -10V.

Bài giải

a) Trên đặc tuyến V-A của điốt đã cho tại Iß = 2mA ta có:

Ud = 0,5V nên:

K = — =u.. 0,5Id 2.10 -3 = 250Q

b) Tương tự tại Uq = -lOV

Ta có Id = l|iA nên;10

R„Hinh 1-1

= 10MQ.

tập 1-3. Xác định điện trở xoay chiều của điốt chỉnh lưu với đặc tuyến V-A cho trên hình 1-2.

a) Với Id = 2mA

b) Với Id = 25mA.

Bài giải

a) Với Ij) = 2mA, kẻ tiếp tuyến tại điểm cắt với đặc tuyến V-A trên hình 1-2 'a sẽ có các giá trị Ij3 và Up tương ứng để xác định AUß và AIp như sau:

ỉ„ = 4niA; U = 0,76Vẩ In(mA)

Ip = OrnA; ưp = 0,65V

AIp = 4m A - OmA = 4m A

AU d = 0 ,7 6 V -0 ,6 5 V = 0 ,11V

Vậy:

" AI„ 4.10-’

302520

10

AI.

AI, u (v; ---►0 0,2 0,4 0,60,7 0,8 1,0

Hinh 1-2



b) Với Id = 25mA. Các bước tương tự như câu a) ta xác định được các đại lượng tương ứng dưới đây:

Id = 30mA; ƯD = 0,8VId = 20mA; Ud = 0,78VAIjj = 30 - 20 = lOmAAưd = 0,8 - 0,78 = 0,02V

V â y , = ^ = = 2 « . AI„ 10.10''

04 ) Bài tập 1-4. Cho đặc tuyến V-A của một điốt như trên hình 1-2. Xác định điện trở một chiều tại hai giá trị dòng điện.

a) Ij5 = 2mA.b) Iq = 25mA và so sánh chúng với giá trị điện trở xoay chiều trong bài tập 1-3.

Bài giải

Từ đặc tuyến V-A trên hình 1-2 ta có các giá trị tưoìig ứng sau;

a) Id = 2mA; ƯD = 0,7V

Nên: R . = ^ = - ^ = 3 5 0 QAL 2.10

so với = 27,5Q.

b) Id = 25mA; ƯD = 0,79V

Nên: R , = ^ = - ^ ^ = 3 1 , 6 2 Q'* AL 25.10"'

so với = 2 Q.

Bài tập 1-5. Cho mạch điện dùng điốí như hình l-3a và đặc tuyến V-A của điốt như trên hình l-3b.

a) Xác định toạ độ điểm công tác tĩnh Q[Ư£)o; liX)]-b) Xác định giá ừị điện áp trên tải Ur.

Bài giải

a) Theo định luật Kirchoff về điện áp vòng ta có:

8



uD

R.

IkQ

u.

a)Hình 1-3

E - u„ - u, = 0 hay E = Uo + ư,Đây chính là phưcrtig trình đườna tải mội chiều củci mạch diện dùng điỏì trên.Dựng đường tải một chiều thông qua hai điểm cắl trên trục lung với

U|) = o v và trên trục hoành với Ip = 0.Tại ưp = 0 ta có E = 0 + IpR,

Nên: ĨD=-E lOV

R 10'o= 10mA

Tại I|J = 0 la có lì = U|J + (OA).R,

Up = E| -lO VỊíi) ■ <’

Đường tải rnột chiều (R_) được dựng như trên hình 1-4. Đường tải một chiều (R_) cắt đặc tuyến (V-A) tại đicm công tác tĩnh Qflix>UdoI với toạ độ tưcmg ứng:

I[)0 = 9,25m A

Upo = 0 ,78V

b) Điện áp rơi trên tải R, sẽ là:



u„ =I„.R, =I„,.R, =9,25.10-M0’ =9,25V

Hoặc Ur, c ó thể được tính:

Ur, = E -U do= 10-0,78 = 9,22V

Sự khác nhau trong hai kết quả trên do sai số khi xác định theo đồ thi biểu diễn đặc tuyến V-A đối với điốt trên hình 1-3 và hình 1 -4.

Bài tập 1-6. Tính toán lặp lại như bài tập 1-5 với R, = 2kQ.

Bài giải

a) Từ biểu thức: E lOV

R 2kQ= 5mA

U^ = E = 10V

Đường tải một chiều (R_) được dimg như trên hình 1-5 và ta được toạ độ điểm Q[Ido; UdoI tưcmg ứng:

Ido = 4,6mA

Udo = 0,7Vb) Điện áp rơi trên tải R, sẽ là:

=1 .R, =IdoJR, =4,6.10-' .2.10' =9,2V hoặc

= E -U do=10V-0,7V=9,3V

©7 ] Bài tập 1-7. Tính toán lặp lại cho bài tập 1-5 bằng cách tuyến tính hoá đặc tuyến Volt-Ampe cho trên hình l-3b và điốt loại Si.

Bài giải

Với việc tuyến tính hoá đặc tuyến V-A của điốt trên ta vẽ lại đặc tuyến đó như trên hình 1-6.

10



Dựng đường tải một chiều (R_) cho mạch tương tự như trong câu a) của bài tập 1-5 và được biểu diễn trên hình 1-6.Đường tải một chiều đặc tuyến V-A tại Q với toạ độ tưoíng ứng.

Ido = 9,25mAU do = 0,7V. Hình 1-6

( 8 j Bài tập 1-8. Tính toán lặp lại cho bài tập 1-6 bằng cách tuyến tính hoá đặc tuyến V-A cho trên hình l-3b và điốt loại Si.

Bài giải

Với việc tuyến tính hoá đặc tuyến V-A của điốt trên ta vẽ lại đặc tuyến đó như trên hình 1-7.

Dựng đưòng tải một chiều (R_) cho mạch tương tự như trong câu a) của bài tập 1-6 và được biểu diễn trên hình 1-7.

Đường tải một chiều (R_) cắt đặc tuyến V-A tại Q. Với toạ độ tương ứng:

Ido ~ 4,6rnA = 0,7V.

Bài tập 1-9. Tính toán lặp lại cho bài tập 1-5 bằng cách lý tưởng hoá đặc tuyến V-A cho trên hình l-3b và điốt loại Si.

Bài giải

Với việc lý tưcmg hoá đặc tuyến V-A của điốt, ta có nhánh thuận của đặc tuyến trùng với trục tung (Ip), còn nhánh ngược trùng với trục hoành (Ud) như trên hình 1-8.

Hình 1-7

11



Dựng dưòng lải một chicu (R_) cho mạch tương tự như Irong câu a) của bài lập 1-5.

Đường tải một chiều cắt đặc tuyến V-A tại điểm Q với toạ độ tưcyng ứng:

ỉno = iOmAU,K, = OV.

Đường tải một chiều (R_) được biểu diễn như trên hình 1-8.

Bài tập 1-10. Cho mạch điện dùng điốt loại Si như hình i -9.

Xác định các giá trị điện áp và dòng điện Uq. U|(, I|y

Bài giải

Biết rằng để điốt loại Si làm việc bình thường ngưỡng thông nằm trong khoảng lừ 0.5V -r 1,25V. Chọn ngưỡng ìàm việq cho điốt:

U„ = 0,7V; E = 8V.

Điện áp rơi trên điện irở tải R sẽ là:

U, = E- Up = 8 -0 ,7 = 7,3V Hình 1-9Dòng điện chảy qua điốt I|) = 1,;, (dòng

qua tái R) sẽ ỉà:

Id = Iu = - ' = ^ = - ^ ^ = 3.32mA " ' R 2 ,2 .10 '

Bài tập 1-11. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-10. Xác định điệnáp ra trên tải ư„ và dòng điện Id qua các điốt Dị, Dj.

Bài giải

Chọn ngưỡng điện áp thông cho hai điốt D| và D, lương ứng.

=0,7V dối vớiđiốtSi

12



=0,3V đối với điốt Ge.

Điện áp ra trên tải sẽ là:

= 12-0,7-0,3= liv.Dòng điện qua các điốt D|,

Ip Dj Si D, Ge

E

.L +

12V u5,6kQ

ra

và E sẽ là:

r r 11Hình 1-10

R 5,6.10l,96m A.

(^1^ Bài tập 1-12. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-11 Xác đinh các điên áp và dòng điên u„, Up , Ij3.

Bài giải

D,Si D.Si•— ►— ¿1— ki—12V

R-5,6kQ

Hình 1-11

Id Uo,=OV I„=I,,=I,=0A=I,—•—•

u.rn 12V D. D2

r :5,6kfí

ĩT uR ra

Hình 1-12

Do D| được phân cực thuận, còn Dt được phân cực nghịch, ta vẽ lại sơ đồ tương đương của mạch với giả thiết cả hai điốt đều lý tưcmg như trên hình 1-12.

Khi đó; u„ = Id.R = Ir.R = OA.R = o vVì điốt D, ở trạng thái hở mạch nên điện áp rơi trên nó chính là điện áp

nguồn E:

U „,= E -I2V

Nếu theo định luật Kirchoff ta cũng sẽ có kết quả như trên.

E -U D, =0

u„ = E -U „,-U ^ = I2 -0 -0 = 1 2 V .D-, D, ra

• 13



+ u , - DSi

E,=10VR 4,7kQ

(^1^ Bài tập 1-13. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-13

Xác định các dòng điện và điện áp I, U|, Ư2,

u

ư , . 0’ ^ 1—VW^->—

+ L

R, 2,2kQ E ,^IO V

R, I

E3=-5V

I +

R, u .

E ,Ậ : 5V

Hình 1-14Hình 1-13

Qiọn điện áp ứiông cho điốt D loại Si 0,7V ta vẽ lại sơ đồ trên như hình 1-14. Dòng điện I được tính:

, ^ E . E - U „ (1 0 .5 -0 ^ )R,+R2 (4,7+2,2)10^

Điện áp U|, Ư2 tương ứng trên R|, R, sẽ là:

u , =IR, =2,07.10'\4,7.10^ =9,73V

Ư2 =IR2 =2,07.1012,2.10^ =4,55V

Điện áp ra sẽ là:

u„ = Ư2 - E, = 4,55 - 5 = -0,45V Dấu trừ (-) trong kết quả biểu thị rằng cực tính của điện áp ra (U„) sẽ có

Bài giải

Chọn giá trị điện áp thông cho các điốt D ị, loại Si 0,7V. Sơ đồ 1-15 được vẽ lại như hình 1-16.

Dòng điện I được tính

RI = H ^ = ^ = i ^ = 2 8 , 1 8 m A

R 0 ,3 3 .1 0 '

14



ra

Hình 1-15 Hình 1-16

Nếu chọn Dị và D, giống nhau ta có dòng qua chúng sẽ như nhau và tính được;

I =I Q gD, D, ^ ọ ’

Điện áp ra chính là điện áp thông rơi trên điốt D| và D,

U„ = 0 ,7V

Bài tập 1-15. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-17. Xác định dòngđiện I chảy qua mạch.

Bài giai

Dưới tác động của hai nguồn điện áp E| và Eị. D| được phân cực thuận, còn Dọ được phân cực nghịch, ta vẽ ỉại sơ đồ tương đưong như hình 1-18 dưới đây:

Si

I R

E|=20V 2,2kQ

Si

— N— 1D.D,

------ ------- i E,=4V+

----- ►ẠA—R 2.2kn

E, -4 :^ 0 V- E2=4V

Hình 1-17

Dòng điện I được tính:Hình 1-18

R 2,2.10'

15



E t l2V

Bài tập 1-16. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-19. Xác định điệnáp ra trên tải R.

R

4rO,3V

—• u.2,2kQ

ra

Hình 1-20

Bài giải

Vì D| và D, khác loại (D, - Si; D-, - Ge) nên khi được cấp điện áp phân cực E điốt D-, (Ge) luôn luôn thông ồ ngưỡng 0,3V, còn điốt D| sẽ luôn luôn khoá do ngưỡng thông tối thiểu của điốt loại Si là 0,7V.

Sơ đồ tưong đưofng của mạch được vẽ lại như trên hình 1 -20.

Điện áp ra (U„) trên tải R được tính:U,, = E - u „ = 12-0 , 3= 11,7V.

©17 ) Bài tập 1-17. Cho mạch điện dùng điốt,như trên hình 1-21. Xác định dòng điện I„ I,, .

Bài giải

Chọn ngưỡng điện áp thông cho hai điốt D„ ¿ 2 loại Si bằng 0,7V.

Dòng điện I| được tính:u . 0,7

SiH >h

D.

R| 3,3kQ- aXat- i

I

E - i20V

I,= D,

R. 3,3.103-=0,212mA

d , ¥ Si

h4-AAAr

Theo định luật Kirchoff về điện áp vòng ta có:

5,6kfì

Hình 1-21

- U « ,+ E - U „ - U „ ,= 0

16



Hay

Do đó:

Ur =E -U c -Uọ =20-0,7-0,7= 18,6V

, _ u 18,6I= — — -^ = 3 ,3 2 m A

R, 5,6.10^

Theo định luật Kirchoff về dòng điện nút ta có;

=1^- I ,=3,32-0,212 = 3,108mA

Bài tập 1-18. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-22 (cổng lôgic OR dương). Xác định điện áp và dòng điện ra trên tải I„, u„.

Bài giải

Vì D ị, Dj đều là điốt loại Si, nếu chọn ngưỡng thông cho chúng bằng 0,7V thì Dị sẽ luôn luôn thông còn Dj luôn luôn bị khoá. Mạch điện được vẽ lại như hình 1-23.

(1) * - i E.=10V

Si ưDI

(0)E, ov

D,Si■SD,

ura

+E *:r iov

1

t I '-0.7V -• *-

urara

R ^ ik n

Hình 1-22


Hỉnh 1-23

U „ = E -U d,= 10-0 ,7= 9 ,3V

I =iÌ2-=_ẼiL=9 3mA. R 1.10^

Bài tập 1-19. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-24 (cổng lôgic AND dương). Xác định dòng điện ra (I„) và điện áp ra (U^) ưên tải R.

Bài giải * •Chọn ngưỡng thông bằng 0,7V cho D| và D2, khi đó sơ đồ 1-24 được vẽ

lại như hình 1-25, tương ứng với thông, còn D, tắt.

2- 250BTKTĐIỆNTỬ.A 17



•« ••

E - i r l O V

0 , 7 V u

u Ira

D2R ^ Ikn

"ị^ElOV

Hình 1-25

Điện áp ra chính là điện áp thông cho điốt D2 và bằng Up . Vây ta có:

=0,7V.

Dòng điện qua tải R cũng chính là dòng qua D2 và được tính:E -U ,

ì = l £ l ^ = 9 , 3 m A . R 1.10'

Bài tập 1-20. Cho mạch chỉnh lưu dùng điốt như hình 1-26.Vẽ dạng điện áp ra ưên tải R và xác định giá ưị điện áp ra một chiều

sau chỉnh lưu Ujc với điốt D lý tưởng.

uV 2

D

R 2kQ

Hình 1-26

Bài giải

b)

Với mạch điện cho trên hình 1-26 điốt D sẽ dẫn điện (thông) trong nửa chu kỳ dương (+) của tín hiệu vào (từ Ơ4-T/2) còn trong nửa chu kỳ âm (-) của tín hiệu vào (từ T/2^T) điốt D sẽ bị khoá hoàn toàn. Dạng của điện áp ra trên tải được biểu diễn như trên hình l-27b, còn sơ đồ tương đưofng được biểu diễn như hình l-27a.

18 2- 250BTKTĐIỆNTỬ - B



+

u

+

R S 2kQUde

a) Hinh 1-27 b)

Dien áp ra mót chiéu tren tai diídc tính:

Ud, = 0,318U,„ = 0,318.20V = 6,36V

1-21. Cho mach chinh lim düng dió't nhuf trén hinh 1-28.

Ve dang dién áp ra trén tai R va tính giá tri dién áp ra mót chiéu trén tái R vói dió't D thirc té' loai Si• •

Uv

D

R 2kQ

a) Hinh 1-28

Bái giái

Vói dió't D thuc (khdng 1; tucmg) nói tróf cüa dió't khi phán cuc veri tiimg nífa chu ky cüa tín hiéu váo sé có giá trj xác láp. Khi dió't thóng nói trd cüa D rát bé con khi D khoá sé tuofng úng rát lón. Vi váy dang dién áp ra diroc biéu dién nhir trén hinh 1 -29.

Dién áp ra mót chiéu trén tái R duoc tính: = -0,318(U,„ - U )

= -0,318(20-0,7) = -6,14V

Hinh 1-29

19



Như vậy so với trường hợp D lý tưcmg trong bài 1-20 điện áp ra giảm0,22V tương đưofng 3,5%.

( 2^ Bài tập 1-22. Tính toán lặp lại bài 1-20 và 1-21 với giá trị = 200Vvà rút ra kết luận gì?

Bài giải

Đối với điốt D lý tưởng ta có:u.,, = 0,318U^ = 0,318.200V = 63,6V

Đối với điốt D thực (không lý tưởng) ta có:

U,, = 0,318(U™,-Uo)= 0,318 (200-0,7) = 63,38V

Kết luận: Khi điện áp vào có mức lớn = 200V).

Đối với trường hợp điốt thực, điện áp ra một chiều giảm 0,22V tương đương 0,3459% ít hơn 10 lần so với kết quả trong bài 1-21 khi có mứcbé ( u l = 20V ).

( 2^ Bài 1-23. Cho mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dừig điốt như trên hình 1-30

a) Vẽ dạng sóng sau chỉnh lưu trên tải R,.

b) Tính giá trị điện áp ra một chiều trên tải Uj,,.

c) Tính giá trị điện áp ngược đặt lên Dị và Dj.

Bài giải

a) Đây là mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dùng điốt. Để dễ dàng nhận biết trạng thái làm việc của mạch ta vẽ lại sơ đồ tương đương khi các điốt

20



thông, khoá với từng 1/2 chu kỳ của tín hiệu vào. Ví dụ: với 1/2 chu kỳ dương của tín hiệu vào (từ O- T/2) sơ đồ tương đương được biểu diễn trên hình 1-31.

+

a) b)

++

R. .> ư > *'•' <2,2k<:ì :<

2.2k ỉìi

c)

ÌRj2.2kO

t(s)

d) Hình 1-31

b) Giá irị điện áp một chiểu trên tải R( sẽ là:

=0,63U,„ =0,636^:

♦ U.,(V)

u..5 __

0 T 7 t(s) 2

e)

= 0,636.5 = 3 ,18V

Dạng điện áp ra sau chỉnh lưu đầy đủ cả hai nửa chu kỳ như trên hình 1 -3 le).c) Điện áp ngược đậl lên D|, D, đúng bằng điện áp ra cực đại u,,„„ trong

từng 1/2 chu kỳ hay bằng 1/2 trị cực đại cũa điện áp vào và bằng 5V.

(^2^ Bài tập 1-24. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-32 (mạch hạn biên nối tiếp)

Vẽ dạng điện áp ra trên tải R:

21



Bài gỉải

t Ư,(V)

a) Hình 1-32 b)

5V

U R U

Giả thiết điốt D lý tưởng, dễ dàng nhận thấy D luôn luôn thông với 1/2 chu kỳ dương (+) của điện áp vào. Mạch điện tương đương lúc này được vẽ như trên hình 1-33.

Điện áp ra sẽ là: = Uy + 5V vàđiốt D sẽ thông cho đến thời điểm Uy giảm xuống đến -5V ở nửa chu kỳ âm. Sau khoảng thời gian đó điốt D sẽ ở trạng thái phân cực ngược, dòng qua điốt và qua tải R luôn bằng không, nên điện áp ra cũng sẽ bằng không (tương ứng với mức điện áp vào U y < -5V. Khi U y > -5V cũng tưcnigứng trong khoảng nửa chu kỳ âm của tín hiệu vào, tức khi U v > -5V điốt D thông trở lại và quá trình sẽ lặp lại như phân tích trên. .

Dạng điện áp ra được biểu diễn như trên hình 1-34:

Hinh 1-33

' UJV)

25^=20V +5V =25V

5 / / — 71-------- J-5

2

Hình 1-34 b)

^2^ Bài tập 1-25. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-35. Vẽ dạng điện áp ra trên tải R.

22



20

-10

Uv(V)■ H Ị ^U=5V

u.u

+

R u

t(s)

ra

a) Hinh 1-35

Bài giải

b)

Giả thiết điốt D lý tưởng.' Trong khoảng thời gian từ O-í-T/2 với Uv = 20V điốt D thông hoàn toàn, sơ đồ điện tương đương được vẽ lại như trên hình 1 -36 và điện áp ra sẽ là:

U,=25V ư„=OV

Hình 1-36

= Uv + u = 20 + 5 = 25V

Trong khoảng thời gian từ T/2 T T với Uy = -lOV điốt D luôn luôn ở trạng thái khoá, sơ đồ điện tưcfng đưcmg được vẽ lại như trên

hình 1-37 và điện áp ra trên tải R lúc đó sẽ là:

Hình 1-37

U , = Ir.R = O.R = ov

Dạng điện áp ra trên tải R được biểu diễn như trên hình 1-38.

Bài tập 1-26. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-39 (mạch hạn biên song song).

Vẽ dạng điện áp ra trên tải R,.

'U„(V)

25

T0

r■ t(s)

2

Hình 1-38

23



Bài giải

Với giả thiết điốt D lý tưỏng, nó sẽ thông khi điện áp vào Uy ^ 4V, nghĩa là toàn bộ 1/2 chu kỳ âm (-) của điện áp vào và một phần của 1/2 chu kỳ {+) dương của điện áp vào vói Uv < 4V. Sơ đồ điện tương đương được vẽ lại như trên hình 1-40 và ữong khoảng thời gian đó điện áp ra luôn luôn bằng nguồn u = = 4V.

R■vwR

' • +

ỈJ-. ■t4V+

Hình 1-40

Trong khoảng thời gian khi Uy > 4V, điốt luôn luôn ở trạng thái khoá nên điện áp ra trên tải sẽ lớn hơn 4V và bằng điện áp vào. Sơ đồ điện tương đương được vẽ lại như hình 1-41.

Dạng điện áp ra được biểu diễn như ưên hình 1-42 dưới đây.

( 27^ Bài tập 1-27. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-43. Vẽ dạng điện áp ra khi dùng điốt D loại silic với Ud = 0,7V.

vịura

4V

Hình 1-41

Hình 1-42

24



RAÂAr

D i : SiU.

U-Ì-4VUra

RAA/V-

b)

Bài giải

Với điốt thực, ngưỡng thông cho trong đầu bài Uo = 0,7V mạch điện được vẽ lại như hình 1 -44.

TTieo định luật Kirchoff về điện áp vòng ta có:

U v + U d - U = 0

hay Uv = U - U o = 4 - 0 ,7 = 3 ,3V

Với Uv > 3,3V điốt D luôn luôn ở trạng thái khoá nên điện áp ra sẽ đúng bằng điện áp vào (U v).

ư.U „ ị'o ,7 V

T ĩu -iAv ™

Hình 1-44

Hình 1-45

Với điện áp vào Uv < 3 ,3V điốt ở trạng thái thông hoàn toàn nên điện áp ra sẽ !à:

U,, = 4 - 0 ,7 = 3 ,3V

Dạng điện áp ra được biểu diẻn như hình 1-45.

/2^) tập 1-28. Cho mạch điện dùng điốt zener như hình 1-46 và đặc

tuyến V-A của zener như trên hình 1-47.

a) Xác định các giá trị điện áp Ur, u„ dòng điện Iz qua zener và công suất tiêu tán trên zener Pz-

b) Lặp lại tính toán trong câu a, khi thay R, = 3kQ

25



RAA/V-Ikn

Ư^=16V U^=10V2

Pz„,a.=30mA

l,2kQ '

Hình 1-46

Bài giải

a) Để thuận tiện cho việc tính toán các thông số của mạch ta vẽ lại sơ đồ tưong đương như hình 1-48.

Từ hình 1-48 ta có:

u

R L

IkQ 1^16V u"" l,2kQ '

U = U, = ^' R+R,

•RHình 1-48

16V.1,2.10’- = 8,73V1.10 + 1,2.10

Điện áp ư = u, đặt lên zener bằng 8,73V luôn luôn nhỏ hơn ư y = lOV nên zener luôn luôn ở trạng thái khoá và I7 = OA.

Điện áp sụt trên R sẽ là:

Ur = Uv - u, = 16 - 8,73 = 7,27V Công suất tiêu tán trên zener là:

p = U2.Iz = U z .0 = 0W

b) Với R, = 3kQ.Điện áp u trên sơ đồ hình 1-48 sẽ là:

U = - H ^ . R , = 4 5 ^ = , 2 VR + R, ‘ 1.10’+3.10’

26



Vì điện áp đặt lên zener u = 12V > Ư2 = lOV nên zener sẽ được mở thông. Sơ đồ mạch điện được vẽ lại như hình 1-49.

Điện áp trên tải R, chínhbằng điện áp \Jj và bằng lOV I-------------- --------------* ------------------- 1 +

= U. = U,.

16-10 = 6V

I, = = „ = 3,33mA ' R. 3kQ Hình 1-49

I,u„ 6V

6mA

U^=50V

V R IkQ

. I, = 6 - 3,33 = 2,67mA

= Uz.Iz = 10V.2,67mA = 26,7mW

Thấp hơn trị cực đại cho phép = 30mW.

Bài tập 1-29. Cho mạch ổn áp dùng zener như hình 1-50.

a) Xác định khoảng giátrị điện trở tải R, và dòng điện qua tải R, sao cho điện áp ra trên nó luôn luôn ổn định U„ = Ư2 = 10V = U,. Hình 1-50

b) Xác định công suất tiêu tán cực đại trên zener.

Bài giải

a) Ta biết rằng zener bắt đầu thông khi điện áp ngược đặt lên nó u >U2- (hình 1-47 hay 1-48). Khi đó điện trở tải cực tiểu R, i„ được xác định;

- Iz.ax=32mA

R = - ^u.,-u. 50-10250Q

Chú ý: Khi dòng qua zener cực tiểu (lý thuyết thì = 0), dòng qua tải tương ứng có giá trị cực đại Với điện áp ổn định trên tải u, = U2 thì

27



trong trường hợp đó giá trị R, được xác định chính là R,„j„ để điện áp ra trên tải không đổi u, = = const.

Điện áp rơi trên điện trở hạn chế R sẽ là:

U r = U v - U z = 50- 10 = 40V

I _ U r _ 4 0 V _ ^Và L = ^ = - ^ = 4 0 m A" R IkO

Dòng điện cực tiểu trên tải sẽ là:

U = lR-I,n,ax = 4 0 -3 2 = 8mAĐiện trở tải cực đại sẽ là:

Ru 10T=1250fì=l,25kD I.min 8-10( iY)in

Đồ thị biểu diễn vùng ổn áp của mạch vẽ trên hình 1-51.

f U,(V) t U,(V)

250n l,25kn R, 0

a) Hinh 1-51

b) Công suất tiêu tán cực đại trên zener sẽ là; Pzmax = u , . = lOV . 32mA = 320mW

b)

z * *Zmax.030 ) Bài tập 1-30. Cho mạch điện dùng điốt ổn áp (zener) như trên hình 1-52.Xác định khoảng biến đổi của điện áp vào để điện áp ra trên tải luôn

luôn ổn định và bằng lOV = Uz-

Bài giải

Ta biết rằng với R, = const (cố định) điện áp thông cho zener bắt đầu từ ư > Uz đặt lên zener.

Từ sơ đồ ta có;' R + R. '

28



U,R, + U ,.R = UvR,

NênR.

R Vmin

Thay các giá trị Uz, R, R, ta xác định được được Uvmin là:

__ j^a a . . _ Ì r L

220 ũ

U y=? ƯJ,=20V í ^ R. <

-Jzmax=60rnA

Hình 1-52

U ,„ ,= 2 0 . í t H 5 l± ^ = 2 3 ,6 7 V

Dòng qua tải sẽ là

, , = i = i = ^ = , 6 . 6 7 m A ' R, R, 1200

Dòng điện cực đại qua R sẽ là:

Inmax “ ■ Zmax ~ 16,67 + 60

= 76,67mA Điện áp vào cực đại sẽ là:

fư ,(V )20V .

Ư„(V)

23,67 36,87

Hình 1-53

Uvmax ~ “ ^ • ỈR m a x Uz

= 220. 76,67.10-^ + 20 = 36,87V Đồ thị biểu diễn vùng ổn áp của mạch được biểu diễn như trên hình 1-53.

1.3. ĐỀ BÀI TẬP

Bài tập 1-31. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-54. Xác định dòng điện I với điều kiện đặc tuyến V-A của điốt được tuyến tính hoá.

Si12V

p. lỌỌÃĂ/V—► I

R,

a) b)Hình 1-54

c)

29



(^3^ Bài tập 1-32. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-55. Xác định giá trị dòng điện qua điốt Iu và điện áp ra trên tải R.

-5 VSi u ra

2,2kQ

a) Hình 1-55 b)

^3^ Bài tập 1-33. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-56. Xác định giá trị điện áp ra

20V Si Ge 2 k n uraE ^lOV

R, Si ■'Wsr-ộị-fl,2kQ u

R, 2kQ

a) Hình 1-56

R2^4,7kQ

b)

( 3^ Bài tập 1-34. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-57. Xác định giá trị điện áp ra u,;, và dòng điện qua điốt Id-

D I,

I C )

iH -»Si ư ra

R

lOmA 2,2kQR ,< l,2k n

a) Hình 1-57

R DA H a f k . D•wv---- -20V 6,8kQ

b)

( ^ ) Bài tập 1-35. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-58. Xác địnhgiá trị các điện áp u „ | , u^2 .

30



E ' .R• - ---- 1»... v w —+ 12V Si 4 71^

U., R.

lOV Ge Si

0 2$ -Ge

a) Hình 1-58

l,2kn

R,

b)

:3,3kQ

Bàl tập 1-36. Cho mạch điên dùng điốt như trên hình 1-59. Xác định giá trị điện áp ra u„ và dòng điện qua điốt Id.

+ 20V

15V

SiD.

ư.Si ± D, D^Ỷ Si

U.

Si

a) Hình 1-59

R > 2,2kn

E2 I -5V

b)

Bài tập 1-37. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-60. Xác định giá trị điện áp ra và dòng điện I.

E Ịiov'' I

E, T16V

D, ị Si

U.

D |Ặ Si

D, i Si Si

I 'U.

R IkD

12V

a) Hinh 1-60 b)

^3^ Bài tập 1-38. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-61. Xác định các giá trị điện áp và dòng điện I.

31



u

r - A ^Ikd Ỷ 0,47kQ

E T 20V D2?®®

ra ỉ

I

Hình 1-61

Bài tập 1-39. Oio mạch điện dùng điốt như trên hình 1-62. Xác định giá trị điện áp ra và dòng điện qua điốt Iq.

04 0 ) Bài tập 1-40. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-63. (Cổng OR lôgic âm). Xác định giá trị điện áp ra u,a.

Si

04 1 ) Bài tập 1-41. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-64. (Cổng AND lôgic âm). Xác định giá trị điện áp ra u„.

32



Si------ l i - .

ov Si-S-R

Ưra

^2,2kQ

HInh 1-64

(^4^ Bài tập 1-42. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-65. Xác định giá trị điện áp ra

lOVSi

-KJ-

Si Ụ

lOV

Hình 1-65

( 4^ Bài tập 1-43. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-66. Xác định giá trị điện áp ra u„.

Si

04 4 ) Bài tập 1-44. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-67. Vẽ dạng điện áp ra trên tải R, và dòng điện Ir.

3- 250BTKTĐIỆNTỬ - A 33



‘ U^(V) R- A A A

10 Ikn

0-10 2 \ y

-

a) Hình 1-67

+

b)

(^4^ Bài tập 1-45. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-68.

a) Xác định điện áp ra một chiều trên tải.b) Xác định giá trị điện áp ngược đặt lên các điốt.

a)

dc

046 ) Bài tập 1-46. Qio mạch điện dùng điốt như trên hình 1-69.

a) Vẽ dạng điện áp ra trên tải.

b) Xác định giá trị điện áp ra một chiều Ujj..

‘ U^(V)

100Uv

0 T \ / t t(s)-100 2 \ y -

a) Hinh 1-69 b)

34 3- 250BTKTĐỊỆNTỬ.B



(^4^ Bài tập 1-47. Cho mạch điện dùng điốt như ừên hình 1-70. Vẽ dạng điện áp ra trên tải Rị và xác định giá trị điện áp một chiều trên tải R,(U<fc).

‘ U^(V)

170

0 t V ỵ-p t(s)-170 2 v y -

R,2,2kn

2,2kQ

a) Hình 1-70 b)

( 4^ Bài tập 1-48. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-71. Vẽ dạng điện áp trên tải.

D R1 I— w v

Uy Si 2,2kfì

a)

Uv Si 5V ư ra

b)

Hình 1-71

c)

^4^ Bài tập 1-49. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-72a) Xác định các giá trị Uị, I„ và Ir với Rị = 180Q.b) Lặp lại tính toán như câu a) vói R, = 470Q.

c) Xác định khoảng biến đổi R( sao cho mạch vẫn luôn luôn ở trạng thái ổn áp u, = Uj.

35



' r.+ 220 n20V

U =10V í í R . |

• —Pzrnax=400mW

+u.

Hình 1-72

( 5^ Bài tập 1-50. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-73. Xác định khoảng biến đổi của điện áp vào để điện áp ra trên tải luôn ổn định U, = U, = 8V.

R•--------- ^A^------------- -

91Q P ^ „ = u ,

U = 8V iPz.ax=400mW _

íro,22ko

Hình 1-73

Bài tập 1-51. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-74. Xác định giá trị điện áp ra một chiều trên tải với trị hiệu dụng điện áp xoay chiều trên thứ cấp của biến áp bằng 120V = Ui (rms).

Hình 1-74

Bài tập 1-52. Cho mạch điện như hình 1-75.

Biết u„ = lOV

R„ = 20kQ

36



R, = 2 0 kQR, = 5 kQ

Giả thiết điốt là lý tưởng,Khi thông điện trở thuận R,h = OQ Khi tắt điện trở ngược R„g = ooQ

Hãy xác định điện áp trên R,.

----- v w -

'J .©

D

R, R.

Hình 1-75

Bài tập 1-53. Cho mạch điện chỉnh lưu nửa chu kỳ như hình 1-76.Nếu biết u„ = sincot; giả thiết điốt D là lý tưởng. Hãy xác định biểu

thức điện áp trên R,.

KAAAr

D

R, u,

Hình 1-76

Bài tập 1-54. Cho mạch điện dùng điốt Zener như hình 1-77.BiếtU, = 8,2V, d òn gl,= lA

R, = lOQ.Tính điện trở bù R, để đảm bảo u ; = ư , = 8,2V khi điện áp u tha) doi

10% quanh giá trị u = 12V.R.

+•-tưị

A/W

ạ R.

Hình 1-77

37



Bài tập 1-55. Đề và sơ đồ lặp lại bài 1-77.

- Xác định điện áp trên Rj.

- Xác định dòng qua điốt Zener Dj.- Xác định công suất tiêu tán trên D .


Nếu biết điện áp một chiều là 12V, điện áp trên LED là 2V, dòng qua LED là 20mA.

a) Hãy xác định điện trở hạn chế Rị.

b) Nếu mắc song song 10 LED thay cho một LED trong sơ đồ. Hãy xác định điện t r ở c ầ n thiết.

+> Ị

Îư

Hlnh 1-78

38



Chưong 2

TRANSISTOR LƯỠNG cực VÀ TRANSISTOR TRƯỜNG


Transistor lưftig cực (BJT) gồm ba lớp bán dẫn p và N ghép xen kẽ nhau; tuỳ thuộc vào các tiếp giáp P-N mà hình thành hai loại transistor: P-N-P (transistor thuận) và N-P-N (transistor ngược) như ký hiệu trong hình 2-1.

+ cI

B

cỉ.

B -

t

T ransistor riguợc T ransistor thuậna) N-P-N b) P-N-P

Hình 2-1. Ký hiệu hai loại transistor N-P-N và P-N-P

Chiều của dòng điện một chiều chạy qua transistor được chỉ trong hìnhvẽ trùng với chiều mũi tên quy ước cực emitơ.

Để làm việc ở chế độ khuếch đại, điện áp nguồn E được cấp cho cực E-c tuỳ thuộc vào loại transistor được chỉ trong hình 2-1. Điện áp phân cực cho tiếp giáp B-E phải luôn là phân cực thuận, tức là đối với transistor N-P-N cực haza phải dương so vói cực emitơ, ngược lại, đối với transistor thuận P-N-P cực B phải âm hơn so với cực E.

Trong cả hai loại transistor, các dòng điện đều có thể coi như tập trung tại một nút

Ie + Ic + Ib = 0 hay Ie = Ic + Ib và Ig « Ig, ic

39



Có ba cách mắc sơ đồ cơ bản của transistor là emitơ chung (EC) bazơ chung (BC) và colecto chung (CC) căn cứ vào cực nào được lấy làm điểm chung cho cả đầu vào và đầu ra.

Trong các sổ tra cứu và thuyết minh thường cho các thông số và đặc tuyến theo sơ đồ mắc EC hay BC.

Đối với sơ đồ mắc BC dòng điện vào là Ig, dòng điện ra là Ic, hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh a được xác định:

a = Ì £ = _ k _ < ih I c + I b

thực tế hệ số a vào khoảng (0,9 0,99).

Đối với chế độ xoay chiều, khi điểm làm việc thay đổi trên đặc tuyến

ra, hê số khuếch đai dòng xoay chiều a = trong đó A I e là biến thiên

dòng điện emitơ còn AIc là biến thiên dòng colectơ.

- Sơ đồ mắc emitơ chung (EC): dòng điện vào là dòng Ig, dòng điện ra là dông Ic- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh được xác định;

tuỳ thuộc vào loại transistor p có giá trị từ vài chục đến hàng trăm lần. Ic và Ib là giá trị dòng điện tại điểm làm việc tĩnh.

ở chế đô xoay chiều hê số p đươc xác đinh p = .AIb

Nếu biết hệ số khuếch đại a có thể xác định được hệ số p và ngược lại:

a = ^ v à p = “p + 1 " 1 - a

Ngoài ra còn các tham số khác như điện trở vào, điện trở ra, hỗ dẫn... Các tham số của trahsistor cũng có thể xác định gần đúng bằng phương pháp đồ thị dựa vào đặc tuyến của transistor.

40



AI, Ib,

Điện tri ra R„ = rcB = ^AI,

Để transistor lưỡng cực làm việc bình thường ngoài điện áp cung cấp E cho cực E và c cần một điện áp phân cực một chiều đặt vào Bazơ-Emitơ gọi là thiên áp. Điện áp này dùng để thiết lập chế độ một chiều và điểm làm việc tĩnh.

Thiên áp ban đầu UggQ sẽ quyết định dòng điện tĩnh, độ khuếch đại, độ méo.

u B£o «(0,2 4- 0,6) V đối vói transistor Ge UggQ » (0,5 4-1,0) V đối với transistor Si.

Có ba cách tạo thiên áp cho transistor.- Tạo thiên áp bằng dòng bazơ (hình 2.2a)TTiiên áp UggQ được xác định

Suy ra điện trở R| cần thiết

E -U -BEO

BO

Trong đó: E là điện áp nguồn;Ug£Q là thiên áp cần tạo ra;

IgQ là dòng bazơ xác định theo UggQ trên đặc tuyến vào của transistor.

a) Hình 2-2. Tạo thiên áp dio transistor lưỡng cực b)

41



- Tạo thiên áp bằng phương pháp phân áp (hình 2-2b) Thiên áp UggQ = Ip.Ra- Suy ra

D _ BEO

trong đó Ip - dòng phân áp IR| +R 2

Ip được chọn bằng (4 ^ 10)Igo

Nếu cho trước ưggo xác định được Igo trên đặc tuyến vào của transistor.

Điện trở R| xác định từ biểu thức:

BO “ E - Ip.R2 = E - UggQ

E -USuy ra R, BEO

ĩ p + l B O

Trong trưòmg hợp có điện trở mắc ở emitơ thì trong các công thức trên phải tính đến sụt áp một chiều trên điện trở đó.

- Chế độ một chiều và đường tải một chiều.Xác định điểm làm việc tĩnh 0; khi cung cấp cho bazơ thiên áp ban đầu

U beo . thì sẽ thiết lập dòng tĩnh và điện áp một chiều Ư EO • Toạ độ củađiểm làm việc tĩnh o (Ico ’UcEo)- Điểm o cũng chính là giao điểm củađường tải một chiều với đưòng đặc tuyến ứng vói dòng Igo (hình 2-3).

a) b)Hình 2-3. Đặc tuyến vào (a) và đặc tuyến ra (b)

42



- Đường tải một chiều là sự phụ thuộc dòng Ic vào điện áp ứng với

điện trở tải một*chiều và được xác định theo biểu thức;

u „ = E - Ic.R=£

Cách dựng: Cho = 0 -> I,, = — , xác đinh đươc điểm B.

Cho = 0 ^ u„ = UcE = E, xác định được điểm A.

Nối điểm A với B được đường tải một chiều.

- Đường tải xoay chiều R_, cũng được xây dựng trên đặc tuyến ra nhưng đối với điện trở tải xoay chiều, tức là khi có tín hiệu vào, đó eũng là đường thẳng và đi qua điểm làm việc tĩnh o .

Cách dựng: Từ điểm U gQ trên trục hoành, cộng thêm một điện áp bằng I(,qR_ , được điểm A'. Kẻ đường thẳng qua hai điểm o và A', được đường tải

xoay chiều.E

Cũng có thể xác định dòng !(, = — được điểm B' trên trục tung, kẻ

đường qua B' và o cũng nhận được đường tải xoay chiều.

Trong các bài tập áp dụng, có thể sử dụng một trong hai cách trên, tuỳ từng trường hợp cụ thể.

- Transistor trường (FET) là loại transistor được chế tạo dựa vào hiệu ứng trường, đó là điều khiển độ dẫn điện của bán dẫn loại N hay p, nhờ một điện trường bên ngoài.

Có hai loại FET - đó là J-FET (điều khiển bằng tiếp xúc P-N) và MOSPET là loại FET có cực cửa cách ly bằng lớp ôxit. Hình 2-4 là ký hiệu JFET kênh N và kênh p.

GD D

a) J-FET kênh N b) J-FET kênh pHình 2-4. J-FET kênh N và kênh p

43



s - là cực nguồn D - cực máng G - cực cửa.Vì phân cực cho cực cửa của J-FET luôn là phân cực ngược nên điện trở

vào rất lớn và dòng điện ly = Iq = 0; Iß = Ij.Dòng Iịj được điều khiển bằng điện áp đặt vào cực cửa Uqs và được xác

định bằng biểu thức:

uOSK

trong đó U gs là điện áp bất kỳ đặt vào G-S;Ugsk là điện áp khoá ứng với dòng Iq = 0.

Quan hệ giữa Ijj và Uqs được diễn tả bằng đặc tuyến truyền đạt còn quan hệ Iq = f(ƯDs) với các trị số Uqs khác nhau được gọi là họ đặc tuyến ra. Đây là hai đặc tuyên đặc trimg cho FET, căn cứ vào đó, có thể xác định gần đúng các thông số của FET-

b)Hình 2-5. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của J-FET kênh N

Hỗ dẫn của FET: g„ = hay mS (milisimen) chi’ rõ khi điênAUqs V

áp đặt vào cực cửa thay đổi IV thì dòng Iß thay đổi bao nhiêu mA.MOSFET gồm hai loại: MOSFET kênh đặt sẵn và MOSFET kênh

cảm ứng.- MOSFET kênh đặt sẵn; kênh dẫn điện loại N hay p hình thành ngay từ

khi chế tạo. Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyện ra chỉ dẫn trong hình 2-6a, b.

44



b)

Hình 2-6. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của MOSFET kênh N đặt sẵn

Căn cứ vào đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra có thể xác định gần đúng các thông số của MOSFET.

- MOSFET kênh cảm ứng: chỉ khi đặt vào cực cửa điện áp ngoài (kênh N là điện áp dương), thì kênh dẫn điện mới hình thành và mói có dòng điện chạy qua (hình 2-7).

Phân cực cho FET.Có hai phương pháp phân cực (tạo thiên áp) phổ biến cho FET: tạo thiên

áp tự cấp và dùng phân áp.

b)Hình 2-7. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của MOSFET kênh cảm úhg N

Phưcmg pháp tự cấp sử dụng ngay dòng ĩj) chạy qua Rs tạo sụt áp và dẫn qua điện trở Rq đặt vào cực cửa G (hình 2-8a).

45



Vì 1(3 = 0; Ip = Ij nên Urs = Id-Rs = Uqs; cực (+) đặt vào cực s và cực (-) đặt vào cực G.

Rị - gọi là điện trở tạo thiên áp.Rq - là điện trở dẫn thiên áp; Ro có trị số lớn hàng chục hoặc trăm kQ.

R , = - ^

Hình 2-8. Tạo thiên áp cho J-FET

Hình 2-8b là sơ đổ tạo thiên áp bằng phương pháp phân áp.

Điện áp trên cực cửa ƯQ được xác định

ƯG=— ~— RaR.+Ra

Uo là điện áp cực G so với đất.

U gs = U o - U 3 = ư g - I oR s

Mạch phân áp cho MOSFET kênh N đặt sẵn cũng tương tự như hình 2- 8b. Riêng đối với MOSFET kênh cảm ứng, việc tạo thiên áp có khác với J- FET, nó được tạo thiên áp giống như vói transistor lưỡng cực N-P-N: có thể dùng phương pháp hồi tiếp từ cực D về cực G hay dùng phưcmg pháp phân áp (hình 2-9a, b).

Trong sơ đồ 2-9a ƯDS = U gs (vì dòng l o = 0, qua Ro không có dòng chạy qua)

UdS “ E - Iq-Rq

Suy ra Uq5 = E - Iq.R0.

Trong sơ đồ 2-9b, điện áp cực cửa so với đất.

46



+E

RD

u i-

a) Hình 2-9. Tạo thiên áp cho MOSFET kênh cảm ứng N b)

U g = R| +R 2•R

^GS ~ ^D' s ~E

R, + R2

Điện áp Uds = E = = E - Id(Rs + Rd)

2.2. PHẦN BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢI

( 5^ Bài tập 2-1. Một transistor N-P-N mắc theo sơ đồ BC có dòng điện L = Ig = 50mA; dòng điện Ic = 45mA.

a) Xác định hệ số khuếch đại dòng một chiều a.

b) Nếu mắc transistor theo sơ đồ emitơ chung (EC), hãy tính hệ số p.

Bài giải

a) Hệ số khuếch đại dòng một chiều a

I 49 a = -^ = — = 0,98 Ie 50

b) Hệ số p tính theo a

ẹ> = — = ............= 491 -a 1-0,98

( 5^ Bàl tập 2-2. Một transistor có dòng tĩnh emitơ Ig = l,602mA; dòng tĩnh bazơ Ig = 0,016mA; bỏ qua dòng điện ngược.

47



a) Xác định dòng tĩnh colectơ Ic-b) Tính hệ số khuếch đại p, a.

Bài giải

Tính dòng tĩnh colectơ Ic

= Ig - Ig = r,602 - 0,016 = l,586mA

Hê số khuếch đai a = — = ^ = — — = 0,99Ie Ie 1,602

Hệ số khuếch đại p lẹ _ Iẹ - I b _ 1,602-0,016I, IB 0^016

Cũng có thể xác định p theo công thức:

a 0,99

99,125

1 -a 1-0,99= 99

59) Bài tập 2-3. Biết đặc tuyến vào và đặc tuyến ra của transistor mắc theo sơ đồ emitơ chung EC như hình 2-10.Bằng phương pháp đồ thị hãy xác định:a) Hệ số khuếch đại p tại điểm làm việc A.b) Điện trở vào = ĨBE-c) Hệ số khuếch đại a nếu mắc theo sơ đồ bazơ chung BC.d) Nếu tín hiệu vào Ig thay đổi, xác định hệ số khuếch đại dòng xoay chiều.

-ụ m A )

40Ig=0,4iĩiA

Ig=03mA

i . .l3=0,2mA

ĩp=0,lmA

0,2 0,4 0,50,6 0,8 Ugg(V) ưce(V)

a) b)Hình 2-10. Đặc tuyến vào (a) và ra (b) của transistor

48



Bài giải

a) Hệ số khuếch đại tĩnh tại điểm A.

p = Ị ^ = “ : l ° Ị = 100BO 0,2 .10 -3

1..^ 0 ,70 -0 ,5 0,65 ^b) Điên trở vào R v = r, = ---- SS- = — — — , = — = 3 ,2 5 k QAL (0,3-0,1)10-' 0,2.10“'

_BE _

B

c) Nếu mắc theo sơ đồ bazơ chung BC hệ số khuếch đại tĩnh a được xác định

a = i = ^ = 0 ,989 1 + p 1 0 0 + 1

d) Khi dòng điện vào Ig thay đổi từ 0,1 đến 0,3mA, tìm biến thiên dòng Ic tương ứng trên đặc tuyếh ra, tính được hệ số khuếch đại p xoay chiều.

/

6 _ Aĩc _ ( 2 8 ,5 - 9 ,8 ) 1 0 -

A L (0 ,3 -0 ,1 )1 0 '= 93,5

(^6^ Bài 2-4. Cho mạch khuếch đại dùng transistor như hình 2-11

Biết; R c = 5 k Q

p = 5 0

điện trở vào Ry = ĩgE = IkO điện áp vào Uy = UgE = 0,1Va) Xác định dòng điện vào và dòng điện ra.

b) Tmh hệ số khuếch đại điện áp của transistor.

Bài giải

a) Dòng điện vào

0,1

Hình 2-11

= 10"" =0,lm A

Dòng điện ra:

I = I = pỈ3 = 50.0,1 =5mA

4- 250BTKTĐIỆNTỬ - A 49



Điện áp ra:

U , = = Ic-Rc = 5.10^5.10^ = 25Vb) Hệ số khuếch đại điện áp

. 0,1

Bài tập 2-5. Đặc tuyến vào và ra của transistor có dạng như hình 2-12.a) Hãy xác định hỗ dẫn của transistor tại điểm làm việc o.b) Nếu biết điện áp ƯBE thay đổi 0,2mV, điện trở Rc = 4kQ. Hãy xác định điện áp ra.c) Tính hệ sô' khuếch đại điện áp.

1^=4,2

7 0,8 U„,(V)

Ic(mA)50 iA

40|J.A

U=3,Q. 30 A

20|aA

I„=10HA

U c e ( V )

a) Hình 2-12. Đặc tuyến vào (a) và đặc tuyến ra (b) của transistor b)

Bài giải

a) Hỗ dẫn của transistor được xác định bằng phương pháp đồ thị

s = _éíc_AUbb ’ V

s = A 2 Í L - = <iÌ2M )EĨ , Í I Ẹ Ĩ = ,2 Í^ hay 12ms - u „ , 0 ,7 -0 ,6 0,1 V

b) Nếu AUgg = 0,2V thì dòng Ic biến thiên

AIc = AU Bg.s = 0,2.12 = 2,4mA

Điện áp ra u „ = AIc-Rc = 2,4.10 \4 .10' = 9,6V

50 4- 250BTKTĐ1ỆNTỬ - B



c) Hệ số khuếch đại điện áp

K „ = H ^ = M = 48 “ u, 0,2

(^6^ Bài tập 2-6. Transistor lưỡng cực có đặc tuyến vào và ra mắc theo sơ đồ EC như hình 2-13. Căn cứ vào đặc tuyến hãy xác định gần đúng các thông sô' sau:

a) Điện trở vào tĩnh tại điểm o.b) Điện trở vào động.

c) Hệ số khuếch đại dòng điện một chiều p.

d) Hệ số khuếch đại dòng xoay chiều.

250200

50

BE(V)

- I b(^A )40

‘ ỈẶ m A )250fxA

/

3025,

200nA

ISOuA

ỹ f ! !

...

15. , L . _ _ iüQ üA .

---------► 5 ’/ I«=50jiA

lò U^V)

a) b)Hình 2-13. Đặc tuyến vào (a) và ra (b) của transistor luỡng cực

Bài giải

a) Điện trở vào tĩnh

R = r , = 4 k Q'' Igo 150.10-®

b) Điện trở vào động Rvd

o _ - U be, _ 0 ,6 8 -0 ,5 2^ V đ “ a t ^ T TAI B Ib, - I b. (200- 100)10

= l,6 k Q

c) Hệ số khuếch đại dòng một chiều p

51



~6

I » I50.10-*

d) Hệ số khuếch đại dòng xoay chiều p_

AI3

AIb= I3 -Ib_ =(200-100)10-^ = 100.10

Tìm AIc tương ứng trên đặc tuyến ra

I„ =30mA; = 15mA

AIc = (30-15).10l

(200-100)10-"

(6 ^ Bài tập 2-7. Oio mạch điện như hình 2-14. Nếu biết dòng Ico =5mA; hệ số p = 100; 5V;thiên áp Ubeo = 0,6V; E = lOV.

a) Vẽ các dòng điện một chiều chạy trong mạch.

b) Tính điện trở R ec) Điện áp Uc so với đất.

Bài giải

a) Dòng điện một chiều chạy trong mạch như chỉ đẫn trong hình 2-14.

Ie = Ic + Ib

b) Điện trở tạo thiên áp R| được xác định.

Hình 2-14

R,E - U ^ E -U ^ o 10-0 ,6 9,4

Ibo co q-3 5.10 *p 100

188ka

c) Tính điện trở R,

52



I „ I „ 5.10-’

d) Điện áp Uc so vái điểm mass chính là điện áp UçgQ

U c = U ,,o = 5V

@ Bài tập 2-8. Cho mạch điện như hình 2-14. Nếu biết R, = 220k0; Rc = 2kQ; ß = 50; ưggQ = 0,5V. Hãy xác định các thông số tĩnh:dòng Ig, Ic, Ie, điện áp Uceo •

Bài giải

a) Xác định dòng Igo

R, 220.10' 220.10'

b) Dòng Ico = ßlß = 50.34, lụK = 1,7mA

c) Dòng 1 0 = Ico + I b o = 1 >7 + 0,0342 = 1,7342mA.

d) Điện áp U go

UeEo=E-Ico.Rc=10-l,7.10"'.2.10^=6,6V

Bàl tập 2-9. Mạch điện như bài 2-7 nhưng mắc thêm điện trở Re ở emitơ và biết sụt áp trên điện trở này là IV.

a) Xác định trị sô' R|, Rc, Re-b) Xác định điện áp Uc Uß so với điểm mass của máy.

Bài giải

a) Xác định Re

U re = I e o - R e = 1 V

_ IV IV 1Suy ra Rb = — = — = ^ ------- = 198Q

Iro + — 5 .10 '^ + ~ 10-^“ ß 100

- Điện trở R

53



R _ _ E - ^ beo -U r , _ 1 0 -0 ,6 -1' I bo I bo 5.10-^

168kQ

- Điện trở Rc

CO‘ C “ ^ CEO ^R,

800Q

V. V.V.V/ IVJ.-

Suyra: R , = =leo 5 .10-^

b) Điện áp Uc = E - IcoR c=10-5.10“l800 = 6V

h a y U c = U ,, /+ U ,^ =5 + l = 6V

Điện áp Ub = Uggo + ƯR = 0,6 + 1,0 = 1,6V

( e ^ Bài tập 2-10. Cho mạch điện như hình 2-15. Biết R, = 300kQ; Rh = 2,7kQ; p = 100; Ư3,o =

0,5V ;E= 12V.

a) Xác định các tham số tĩnh.

b) Nếu mắc R, = 2,7kQ hãy tính điện trở tải xoay chiều.

Bài giải

a) Trước hết xác 'định dòng tĩnh bazơ I„„

R+E

R. R.

Hình 2-15

■BO '1 ' '-'BEO ' ^EO^'E BEO

(ở đ â y I e o = I co + I b o = I b o + P I b o = 0 + P)Ibo)

E -U „ .. 12 -0 ,5Suyra l30 = BEO _

R, +(1 + P)Re 300.10"+(1 + 100).2 ,7.10^= 20ụA

- Dòng tĩnh 1^0 = lOOIgo = 100.20^iA = 2mA

- Dòng tĩnh 1^0 = Ic» + Ibo = 2 + 0,02 = 2,020mA.

- Điện áp trên cực E, cực c và B so với điểm mass:

ra

54



Ue = Ieo-Re = 2,02.10-^2,7.10" = 5,45V

Điện áp U c = E = 12V

Điện áp Ub = Ue + = 5.45 + 0,5 = 5,95V

b) Nếu mắc R, = 2,7kQ thì điện trở tải xoay chiều ở mạch emitơ.

R = R / /R = A ì = A Z : ^ = l , 3 5 k Q ' Re+R, 2,7 + 2 ,7

Bài tập 2-11. Cho mạch khuếch đại dùng ữansistor lưỡng cực như hình 2-16a. Biết E = lOV; Rc = 5kQ; Re = 0,2Rõ R, = 85kO; R , = 15kQ; = 4 V ; Ico « c ; p = 50-

a) Hãy xác định các tham số tĩnh của transistor.b) Điểm làm việc tĩnh o và dựng đưòng tải một chiều.

a)

a) Có thể coi

Suy ra:

Hình 2-16

Bài giải

EO ~ <X)

E -U CEO

Ic o =

■c ' * 'E

1 0 -4 (5 + l).10-

= 10-^A = lmA

b)

55



- Dòng tĩnh bazơ IgQ:

- Thiên áp

Ur£0 — Ip-R ~ RE ~ -----------Rt ~^E0'^EBEO p 2 RE 2 EO E

10-M0^=0,5V(15+ 85). 10

b) Toạ độ điểm làm việc tĩnh O: = lmA;UcE0 = 4 V . t)ể dựng đườngtải một chiều cần xác định một điểm nữa. Từ biểu thức phương trình đưòng tải một chiều.

U„ = E -I c .R c

Cho Ic = 0 u„ = E = lOV (điểm A trên trục hoành) nối qua điểm A

Bài giải

- Điện trở tải xoay chiều R_.

R. = R^//R ,= Ì ^ = ^ = 2,5kQRc+R. 5 + 5

- Để đựng đường tải xoay chiều R_ cần xác định một điểm trên trục hoành hay, trên trục tung rồi nối với điểm làm việc tĩnh o. Từ điểmcộng thêm một đoạn ứng với điện áp bằng IcqR- •

IcoR_= 1012,5.10^ = 2,5V

ta được điểm A' trên trục hoành (hình 2-16b).

Nối điểm A' với điểm o và kéo dài sẽ được đường tải xoay chiểu. Cũng có thể dựng đường tải xoay chiều bằng cách xác định điểm B' trên trục tung

E 10ứng với dòng I „ = —— = — ——r = 4mA, rồi nối điểm B’ và o .

& R_ 2,5.10'

56



(m ) Bài tập 2-13. Cho mạch điện như hình 2-16a. Nếu E = lOV; ƯCEO = 4V ; Rg = 0,1 Rc‘, Ico=20mA; Ug£Q=0,7V, từ đặc tuyến vào của transistor ứng với UggQ = 0 ,7 V , tìm được IgQ =0,2m A .

a) Xác định trị số các điện trở Rc, Re, Ri, R-> để đảm bảo được các thông số trên.b) Xây dựng đường tải một chiều.

Bài giải

a) Xác định trị số các điện trở Từ biểu thức:

E = CEO EO E * CEO(ở đây có thể coi I Q « IgQ để đơn giản cho việc tính toán).

Suy ra + R . = - - - ggg = = 300Q lœ 20 . 10 “

Re 0,1 Rc = l,lR c ~ 3000

M = 272,701,1

Rg = 0 , lR c = 2 7 ,2 Q .

- Điện trở Rj được xác định theo biểu thức:

~ ' BEO

Suy ra

(ở đây chọn dòng phân áp Ip = 5 Ißo )

R 0.7 + 20.10-.27,27..^ 5.1„ 5.0,2.10-’

- Điện trở R| được xác định từ biểu thức:• I ♦ •

Ri(Ip+ I^q) = E - IpR2 = E - UggQ- IgQRg

" u r a r E - U „ o - I ^ R , _ 10 - 0,7 - 0,5 4 5 _ ,5 l" + I „ 6.0,2.10-

57



b) Để xây dựng đường tải một chiều, ngoài điểm làm việc tĩnh o đã biết 0(20mA, 4V) cần xác định một điểm nữa.

Từ phương trình UcE = E - Ic(Rc + Re) nếu cho UcE = 0 thì

E 10= 0,0333A = 33,3mA

Rị. + Rg 300

ta được điểm B trên trục tung, nối B với o và kéo dài sẽ được đường tải một chiều (hình 2-17).

Hình 2-17

070) Bài tập 2-14. Biết đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra của một J-FET kênh N như hình 2-18.

a) Xác định trên đồ thị dòng bãơ hoà Ij5ss và điện áp khoá U qsk-

b) Tính dòng Iq ứng với các giá trị Uos = OV; Uos = -2V; Uos = -4V vàU g s = -6V.

Bài giải

Từ đặc tuyến truyền đạt Id = f ( Ư G s ) hình 2-18a, dòng bão hoà Ipss ứng với U q s = ov, Ij5ss = 15mA.

Điện áp khoá U gsk ứng với Iq = 0 , trên đồ thị xác định được Uqsk = -8V.

b) Dòng Ij3 phụ thuộc vào điện áp ƯQS và được xác định bởi biểu thức;

58



a) b)Hình 2-18. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của J-FET kênh N

Id = Idss(1 - ^ ) 'U GSK

Ugs = 0 ^ Id = Idss = 15mA

Uos = -2V-^ = 15 (1 - = 8,437mA.-“0

U gs = -4V ^ l o = 15 = 3,75mA.—o

Ucs = -6V ^ Id = 1 5 (1 -— )' = 0,9375mA.

( 7 1 Bài tập 2-15. Cho mạch điện dùng J-FET kênh N như hình 2-19. Đặc tuyến của J-FET như bài 2-14.

Biết E = 15V; điểm làm việc tĩnh được chọn ứng với Rd = IkQ.

a) Xác định trị số Rị.b) Xác định thiên áp Uqsq .

c) Điện áp trên cực máng Up.Bài giải

a) Điện trở Rs được xác định theo biểu thức:

U

R - - U q d k - 8V 21™ 2.15.10-^

= 266Q

+E

H h -p -H iỊ

Hình 2-19

ra

59



b) Thiên áp = R Jn = 266.7,5.10'" « 2 VGSO S- D

(ởđây I t ,= % = ^ = 7,5mA)• 2 2

c) Điện áp UqU d = E - I d. Rd = 15 -7 ,5 .1 0 ^ 1 0 ^ = 7 ,5V

Bài tập 2-16. Cho mạch tạo thiên áp cho J-FET kênh N bằng phương pháp phân áp như hình 2-20. Biết: E = 15V; R, = 600kQ; R, = 150kQ; Rß = l,5kQ; Rs = IkQ; 5mA.

a) Xác định Uas-b) Dòng cực máng Ip.c) Điện áp trên cực máng Up.

Bài giảia)

GS R| +Rj (600 + 150)10

E

Hình 2-20. Mạch tạo thiên áp cho J-FET

5.10"\10' = - 2 V

,R ,=15 150 = 3VĐiện áp trên cực cửa U f - •_

R ,+ R , " 600 + 150

Điện áp trên cực nguồn Us = ƯQ - U qs = 3 - (-2 ) = 5V. hay Us = Is.Rs = Id-Rs = 5.I0 M 0’ = 5Vb) Xác định lại dòng cực máng Ip

I. = L = = = 5.10-'A = 5mA Rs 10'

c) Điện áp trên cực máng UpUd = E-Id.Rd= 15-5.10M,5.10^ = 7,5V

Điện áp U ds = Uo - U s = 7,5 - 5 = 2,5V.( t ỉ ) Bài tập 2-17. Cho mạch điện dùng MOSFET kênh đặt sẵn như hình

2-21 a và đặc tuyến truyền đạt như hình 2-21b. Biết: E = 12V; Ro = 200kQ; u 3 , 5 V .

a) Hãy xác định trị số điện trở R| để tạo thiên áp yêu cầu U qsq= -2V.

b) Xác định dòng 1,30 •

60



a) b)

a) ưGSO

Hình 2-21. Mạch điện (a) và đặc tuyến truyền đạt (b)

Bài giải

= - U30 = -2 + 3,5 = 1,5V

Vì dòng lo = 0 nên có thể viết

Suy ra

R .=

R. =

R, +R q•R.

URG

G

12 200Thay số: R, — 200 = 1400k0 = 1,4MQ

' 1,5

b) Dòng 1^0 = 5mA ứng với ƯQ5Q = -2V (xác định trên đồ thị 2-2 Ib).

( 7^ Bài tập 2-18. Như bài 2-17. Nếu chọn điểm làm việc ứng với U qsq = -2 V , dòng IpQ = 5mA; điện trở Rjj = l,2kQ.

a) Hãy xác định điện áp Uq.b) Tính điện trở Rs.

c) Khi điện áp vào thay đổi trong khoảng -2V ± 0,5V, hãy xác định biên độ điện áp ra và hệ số khuếch đại Kụ.

Bài giải

a) Điện áp Ud = E - IdqRo = 12 - 5.10M,2.10^ = 6V.

b) Điện trở Rg.

61



3,5Ido 5.10-^

= 7 0 0 0

c) Khi điện áp vào U qs thay đổi trong phạm vi -2V ± 0 ,5V, xác định trên đồ thị 2-2 Ib dòng Id thay đổi từ 2,5mA đến 6,25mA, như vậy biến thiên dòng Id từ đỉnh - đỉnh

AIó = 6,25 - 2,5 = 3,75mA Điện áp ra (đỉnh - đỉnh) sẽ biến thiên

u„ = AId-Rd = 3,75.10-M,2.10^ = 4,5V Hệ số khuếch đại điện áp

1

tập 2-19. Một MC^PETkốih đặt sẵn có đạc tuyái ttuyài đạt như Hình 2-22.

a) Căn cứ vào đặc tuyến xác định hỗ đẫn tại vùng nghèo ƯGS = -2V và tại vùng giàu ƯQS = +3V.

b) Cho nhận xét.

iD(mA)'

15vùng giàu/ ị M

107,55

vùng nghèo i l í ỉ '

-4 -3 -2 -1 1 2 3 4 Uqs(V)

Hình 2-22

Bài giải

a) Tại vùng nghèo, theo đổ thị

U g s = -2V -> Id = l,2mA

Ugs = -IV Id = 2,5mA

A U os=lV

AIp = 2,5mA - l,2mA = l,3mA

62



Hỗ dẫn g„ = -" -° - = l,3^^^hay l,3mS (milisimen) AUqs V

Tại vùng giàu Uos = +3V -> Id = lOmA

Ugs = +4V Id = 15mAAlß 15-10 _mA, _ „Hỗ dẫn g„ = — = ——— = 5—— hay 5mS

AUGS 4 - 3

b) Nhận xét:ở vùng giàu hỗ dẫn của MOSFET lớn hơn vùng nghèo.

Bài tập 2-20. Cho mạch điện dùng J FET kênh N như hình 2-23. Biết Ro = 1,5MQ; Rs = 300Q; Rß =2,2kQ; R, = 15kQ; E = 15V.a) Xác định điện ttở tải xoay chiầi R_.b) Hỗ dẫn động tại Uqs = -2V.c) Tính hệ số khuếch đại Ky.d) Tính điện áp ra n.ếu Uv = 0,5V.

Bàỉ giải

a) Điện trở tải xoay chiều R_

b) Hỗ dẫn tại gốc:

ê m oGSK

HỖ dẫn tại điểm Ucs = -2V.

Uê m ê mo 1 GS

UGSK .

= 5mS 1 -2-6

= 3,33lĩìA

c) Tính hệ số khuếch đại

K„ = g„R_ = 3,33.10-'. 1,92.10' = 6,393.

63



d) Xác định điện áp ra

Uos = OV; U gs = +2,0V; Uos = -2,0V.

Bài giải

- Khi Uq5 = 0 —> Ij) = Idss “ 15mA. -Khi

Ucs = +2V ^ I ^ = I s3 1 u

- Khi Uqs = -2V -> In = 15.10

GSK

-3

= 15.10-3-6

= 26,66mA

-6= 6,6mA.

Bài tập 2-22. Một MOSFET kênh N cảm ứng có đặc tuyến truyền đạt và mạch điện như hình 2-24.a) Hãy xác định bằng phương pháp đồ thị hỗ dẫn g„ tại điểm làm việc 0(8V, 7,5mA).

b) Tính trị số Rq.c) Tính điện áp ra nếu điện áp vào biến thiên IV.

.+15V

a) Hinh 2-24 b)

64



Bài giải

a) Xác định hỗ dẫn g„.

gm = . ?:. ,2 ,5 i^ h a y 2 ,5 m sAUGS 8V -7V

b) Điện trở Ro

= - — £ p i . = J 5 _ 8 _ ^ chọn Rß =.lkQI, -3DO 7,5.10

(ởđâyUos = UGs = 8V vìIc = 0).c) Xác định U,, nếu Uv = 1V.

u„ = Ki .Uv = g„.Ro.Uv = 2, 5. ỉ ơ^. Ì0M,0 = 2,5V

( t^ Bài tập 2-23. Cho mạch điện dùng J-FET kênh N như hình2-25. Biết;E = 12V; Rg = IMQ;

ưc5q = 1,2V . Điện áp trên Rs,Urs = 0,2E = 2,4V. HỖ dẫn

g„ = 5 . Điện trở cực máng

nguồn r¿ = 200kQ.= 0, Ir, = 0, 1 ,200kQ = 20kn.

a) Tính điện trở Rị.b) Tính hệ số khuếch đại Ky.

Bài giải

a) Tính R,R.

Suy ra R. =E.R,

^RS

R| +R q

E

= 10'12

1

vUks- U oso

= 9MQ.

-1

b) Hệ số khuếch đại Ku.

Ku = êm- Rd = 5.10 ^20.10^ = 100.

5- 250BTKTĐÍỆNTỬ-A 65



Chương 3

CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU BÉ


Để phân tích và tính toán các thông số kỹ thuật đối với bộ khuếch đại điện tử dùng transistor làm việc ở chế độ tín hiệu bé thưòng dựa vào các loại sơ đồ tưcmg đương.

Transistor thường được biểu diễn bằng hai loại sơ đồ tương đương:

- Loại thứ nhất gọi là sơ đồ tương đưcmg vật lý hay sơ đồ tưofng đưcfng hình T và cũng có tên gọi là sơ đồ tương đương (The ĩg transistor model).

- Loại thứ hai được gọi là sơ đồ tương đưong tham sô' bao gồm các tham số trở kháng, điện dẫn hoặc hỗn hợp.

Cả hai loại sơ đồ tương đương của transistor có thể coi là không phụ thuộc vào tần số đến một phạm vi khá cao:

- Đối với các loại transistor lưỡng cực (BJT) khi tần số tín hiệuf ,< ( 0 , l - f 0,5)f,.

- Đối với các loại transistor hiệu ứng trường (FET) khi tần số tín hiệuf ,< (1 0 ^ 150)MHz.

ở phạm vi tần số cao hơn những số liệu trên, khi sử dụng các loại sơ đổ tương đưofng phải được lựa chọn một cách thích hợp và không được bỏ qua ảnh hưởng của các tụ ký sinh (Cj(;s) bản thân transistor đến sự truyền đạt tín hiệu qua nó.

Với mỗi kiểu mắc đối với transistor có ba họ đặc tuyến Volt-Ampe quan trọng: họ đặc tuyến vào, họ đặc tuyến ra và họ đặc tuyến truyền đạt.

Có thể xây dựng đường tải một chiều (R.) và đường tải xoay chiều (R_) trên các họ đặc tuyến cơ bản của transistor và xác định các tham số một chiều cũng như xoay chiều của tầng khuếch đại điện tử.

6 6 5-250BTKTĐIẸNTỬ.B



Các thông số kỹ thuật cơ bản đối với tầng khuếch đại điện tử dùng transistor bao gồm; trở kháng vào (Ry), trỏ kháng ra (R a), các hệ số khuếch đại điện áp ( K u ) dòng điện ( K ị ) , công suất ( K p ) .

Hệ số khuếch đại nhiều tầng ghép liên tiếp bằng tích các hệ số thành phần.

3.2. BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢI

( 8 Bài tập 3-1. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-1.

a) Xác định r .

b) Xác định trở kháng vào của tầng Ry.

c) Xác định trở kháng ra của tầng (với fo = oo)

d) Xác định hệ số khuếch đại điện áp Ku (với ĨQ = oo)

e) Xác định hệ số khuếch đại dòng điện K ¡ (với ĨQ = ũo)

E .J 2VCO

II— uCj 10|iF

p=100

r„=50kQ

Hình 3-1

Bài giải

Chọn transistor T loại Si và thiên áp Uggo =0,7V

a) Dòng tĩnh IgQ sẽ là:

12V -0,7V ,Ibo = — = 24,04^iA

Rg 470kQ

Dòng tĩnh IgQ sẽ là:

1,0 =(1 + P)l30 = (l + 100)24,04.10-'A = 2,428mA

Điện trở r, được xác định:

67



1 0 2,428.10-'b) Trở kháng vào được tính:

Ry — Rb // TvTtrong đó Tvt - trở kháng vào của transistor

fy = pr,= 100.10,71 = l,071kQ

Ry = 470//1,071 = l,069kQ.c) Trở kháng ra của tầng được tính:

R„ = Rc / / ĨQ = Rc / / °0 = Rc = 3kQ .

d) Hệ số khuếch đại điện áp của tầng:

r, 10,71

e) Vì Rg > lOrvT = lOp.r, (470k0 > 10,71k0) nên Kị« p =10 0

Bài tập 3-2. Tính toán lặp lại cho bài tập trên*hình 3-1 với ĨQ = 50kQ.

Bài giải

Ta nhận thấy các thông số trong hai câu a, b sẽ không có gì thay đổi nên;

a) r,= 10,710b) Rv= l,071k ac) Trở kháng ra của tầng được tính:

= Re // ro = 3 // 50 = 2,83kũ.

d) Hệ số khuếch đại điện áp của tẩng.

-264,24r. 10,71

e) Hệ số khuếch đại dòng điện KjY- _ P-Re-rp : 100 .470 .50 ^3

‘ (ro+R^XRg + r ) (50+ 3)(470 + 1,071) ’

Có thể tính K: theo biểu thức khác:

68



K , = - K > = 2 H É Í 3 1 ) W 9 =94,163

Bài tập 3-3. Cho tầng khuếch đại dùng transistor lưỡng cực (BJT) như trên hình 3-2. Hãy xác định:

R

n , lO iF

^3 6,8kQ+E^22V

56kn

^1

ĩ T R

R,

uc'lOjiF

X - p=90R

>8,2kfì n <ra

r C3 20|XF

l,5kQ

1Hình 3-2

a)r,b) Rv

c) R,, (với fo = 00)d) Ku (với To = co)

e) Ki (với To = 00)

Bài giải

Chọn transistor T loại Si vói thiên áp Uggo = 0,7V

a) Ta có:

U = -M e e .. ^ 2.22 ^ 2,81V® R ,+ R 2 56+8,2

Ue = Ub- U3 eo = 2 .81-0,7 = 2,11V

Ig = - ^ = _ _ = l,41mA .

Kết quả là;

l,5kQ

r, = — = 18,44Q Ĩe 1.41

69



b) Ta có: Rp = R, // Rj = 56kQ // 8,2kQ = 7 ,15kQ

Và Rv = Rp// ĨVT = Rp// p.r, = 7,15kQ // 90.18,44n

Rv = 7,15kQ// l,66kQ = l,35kQ.

c) R„ = Rc // fo = Rc // co = Rc = 6,8kO.

d)K = - - ^ = - ^ = -368,76r. 18,44

e ) K ^ = ^ = ^ = 4 | L Ị L = 73,04.R , + r„ R,+p.r. 7,15+1,66

Bài tập 3-4. Tính toán lặp lại cho bài tập trên hình 3-2. với To = 50kQ.

Bài giải

Với hai câu a, b sẽ hoàn toàn tương tự trong bài 3-3 nghĩa là:

a)r,= 18,44Q

b) Rv= ỉ,35kQ.

c) R„ = Rc // ro = R, // ro = 6,8kQ // 50kQ = 5,98 kQ.

d)K = - ^ = - ^ = -324,3r, 18,44

_________P ' ^ p ' 0_______ __ P-R p-Fp_______

(ĩq+R(,)(Rp H-ry -) (ĩq+R 3 XRP+Pr^)

90.7,15.50(50+6,8X7,15 + 1,66)

Bài tập 3-5. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-3 Hãy xác định:

a)re

b )R v

C)R„

d)

e) K ị với mạch không có tụ Q .

70



R.470k

U,

+E,, 20V 2 ,2k Q

J—c, 10 FCIOịìP

K M 20

r =40ka

0,56kQ lỐụF

Hình 3-3

Bài giải

Chọn transistor T loại s¡ với Uggo = 0,7V

a) Điện trở được tính như sau;

J ^ 20 -0 ,7= — f -------- - = 35,89|aAR„+(1 + Ị3)R. 470.10’ + 121.0,56.10'

I eo =(P + l)lB0=121.35,89^A = 4,34mA. í

và r =_ Uj _ 26

EO 4,34= 5 ,990 .

b) Rv = RJ / rvT mà ĨVT = P(re + Re) = 120(5,99 + 560) = 67,92kQ.

Rv = 470kQ//67,92kQ.c)R„ = R c / / r o - Rc = 2,2kQ.

r,„ 67,92‘VT

Re) Kị= - K ^ ,^ = -(-3,89)^?4^ = 104,92.

R 2,2

( 8^ Bài tập 3-6. Tính toán lặp lại cho bài tập trên hình 3-3 khi có tụ Q

Bài giải

Với câu a việc tính toán hoàn toàn tuofng tự trong bài 3-5, nghĩa là:

a) r, = 5,99Q

71



b) Vì điện ứở Re sẽ bị ngắn mạch đối với thành phần xoay chiều của tín hiệu qua tụ Q nên:

Ry = Rg / / mà = p.ĩg

nên: Rv = Rb // p.ĩe = 470kQ // 120.599Q

= 4 7 0 k Q / / 718,8Q = 7 1 7 J 0 Q .

c) R„ = Rc = 2,2kQ.

d) K„ = = - ^ 4 4 ^ = -367,28

e)K ,= PRB _

Vr

5,99

120.470.10^470.10^+718,8

= 119,82.

Bài tập 3-7. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-4 (tầng lặp emitơ). Hãy xác định:

a)r,

b) Rv

c) R .d)K ,

e) Ki

Bài giải

Chọn transistor T loại Si với UggQ = 0,7V

a) Điện tì-ở được tính:

72



Ti,: 2 0 A 2 ^“ R B + ( l + ß)Rg 220kQ + 101.3,3kO

= (1 + ß)ig = 101.20,42^A = 2,062mA

nên: r = = - — -■ = 12,610' Ieo 2 ,062

b ) R v = R b / / rvT = R b / / ß-re + (1 + P ) R e

= 220kQ // 100.12,610 + 101.3,3kü = 2 2 0 k n / / 334,56kQ = 132,72kfì.

c) R,, = Re // r, = 3,3kQ // 12,61Q = 12,56Q = r,.

= = 0,996Uv r^+Rß 3,3.10^ + 12,61

e ,K ,= - ^ = - - J 5 ^ = - 3 9 , 6 7 .R^+Tyj 220 + 334 ,56

hoặc có thể xác định theo biểu thức khác:

Ki = -K „ ^ = -0,996 = -40,06' ’ 3,3kQ

( 8^ Bài tập 3-8. Tính toán lặp lại như bài 3-7 với ĨQ = 25kQ, xem hình 3-4.

Bài giải

a) Việc tính toán đối với T(. giống như trong bài 3-7 nên: = 12,61Q.b) Vì To « coQ hay To < lORß nên Tvt được tính như sau:

r„ = ß.r. + ^ I00.12.6in+ »295,7kfìl+ ñ e i + 3,3k£ỉ

ĨQ 25kQ

và R v = R b / / Tvt = 2 2 0 k 0 / / 295,7kQ = 12 6 ,15 k fì.

c)R„ = RE//re=12,56Q.

(1 + ß ) ^ (10 0+ 1)d) ^ = -------- - 1 M I = 0,996.

1 + — l + n iro 25

73



e) K¡= - K ^ ^ = -0,996

Bài tập 3-9. Chotầng khuếch đại dùng transistor mắc BC như trên hình3-5. Hãy xác định:

a)r,

b)Rv

C)R„d) K,

e) Ki

126,15kQ3,3kQ

= -38,07.

10^F 11 ' ^MkQ

"Eee

V l JK Ỉ

c,t—1^— • t,- lO iF 5 kQ ư

fEcc

a = 0,98;ro= IMQ

Hình 3-5

Bài giải

Chọn transistor T loại Si với UggQ = 0,7V

nên r ,= Ì ỉ i = ^ = 20Q.

IkQ

EO

b) Trở kháng vào khi mắc BC sẽ là:

Rv = Re/ / Te = IkQ/ / 20Q = 19,61Q.

c) R,, = Re // ro = Rc // IMQ = Rg = 5kQ.

K - _ 5.10^d) K, = 25020

e) Ki= i i - = - ^ = - ^ = - a = -0,98 = - l L, L, L

0 Bài tập 3-10. Qio tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-6. Hãy

xác định:

a)r.

74



b) Rv

c) R„

d) K ,

e) K¡

Bài giải

Chọn transistor loại Si v ớ ì U 3 , o = 0 , 7 V .

a) Từ:

+ E „ 9 V

I,

R ,1 8 0 k Q

c, lOiFR.,

2 ,7 kQ

QIO^FU

R

p=200r„=ooQ

ra

Hình 3-6

9V -0 ,7VBO ~ — — = ------ ----------------- = 1 l,53|.iA

Rg+ịỉRc 180kQ + 200.2 ,7kQ

Lo = (1 + P)Ibo = (1 + 200)11,53|aA = 2,32m A

vàEO

b)

2,32

p Rb

11,211 , 2,7

= 560,5Q

2 0 0 1 8 0

c) R,, = Rc // ro // Rb với ĩo > lORc thì R„ = Rc // Rb và với Rg » Rc ta có;

K = Rc-ở đây ta tính được;

R „ = R c // R b = 2 , 7 k Q // 1 8 0 k Q = 2, 6 6 k Q .

d) Ky = = -240,86

e) K.=PR,

11,21

200.180= 50.

0Rg+pRc 180 + 200.2,7

90 ) Bài tập 3-11. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-7. Hãy xác định:

a) Rv

b) R„

75



c)d) K;

Bài giải

a) Trở kháng vào của tầng được xác định theo biểu thức:♦ •

Rv = R B / / h „ e = 330kQ// l,175kQ= l,171kQ.

b) Trở kháng ra của tầng được xác định theo biểu thức:

• +E

u ra

h, ,= 12 0h,^=l,!75krìh22e=20jiAA

Hình 3-7

R .=1

'22e

7/R^ = r„ //R^= 50kQ // 2,7kQ = 2,56kQ =: R,

ở đây:'22e 20

V

= 50kQ

c) Hệ số khuếch đại điện áp của tầng sẽ là:

K „ , . J ! L Z ^ , -262,34‘l i e 1,171

d) Hệ số khuếch đại dòng điện sẽ là;

K ,= Ị*-= I> j,.= 1 2 0 .

Bài tập 3-12. Chotầng khuếch đại dùng transistor trường như trên hình 3-8. Hãy xác định:

a)gmb)r,

c) Ry

20V

2kn 5R,D

G

Rv c,ư.

Ì 2 V

U.Up=-8Vưgso=-2VIj^=5,625mAgd=40fiS

Hình 3-8

76



d) R .e )K ,

Bài giải

a) Từ phương trình Shockley đối với transistor trường loại J-FET ta có:

Sm„2ĩ_

U2.10mA

8V

ê m B m „

UGS„ _

= 2,5mS

-2

b) ''d= — =

U) = 2,5mS(l— ^) = l,88mS

-8

_Ị

ểd

1 = 25kQ40.10"*

c) Ry = R(3 / / T y j = Rq / / co — R-G — I M O

d) R„ = Ro // Td = 2kQ // 25kQ = 1 ,85kOe) Ku = -gl(Ro // r j = -l,88mS.l,85kO = -3,48.

( 92 Bài tập 3-13. Cho tầng khuếch đại lặp dùng J-FET như trên hình 3-9 và biếtthêm: ư o s o = -2 ,86V;Up = -4V; =4,56mA;Idss = 16mA; = 25 |^s.Hãy xác định:

a)gmb)r,c) Rv

d) R™

0,05^Fn ....-..-

i'Edd^V

• i f ----^Uv , aOSMF

K

^ Iivm> R,<> ^2

2,2kQ 3

ra

Hình 3-9

Bài giải

21a) g =' Om« -ỊJ2.16mA

4V= 8mS

ểtn êmo ^ = 8mS(l — = 2,28raSU -4

77



b) 1;,= — =1 = 40kQ

gd 25 iS

c) R v = R o / / Tvt = R g / / 00 = R g = I M Q

d) R„ = r, // R, // — = 40kQ // 2,2kQ // 1

gm 2,28mS= 362,520

@ Bài tập 3-14. Cho tầng khuếch đại dùng D-MOSPET (MOSPET loại nghèo) như ừên hình 3-10 và cho biếtthêm: Uoso=0,35V;Iqo = 7,6m A; Idss = 6mA;

ủp = -3V; g, = ỈOịiS. Hãy xác định;

a)gmb)r,

c) Vẽ sơ đồ tưcfng đương của tầng

d ) R v

e) R .f)Ku.

Hình 3-10

Bài giải

a ) g „ „ = ^ = - ^ ^ = 4mS3V

u,g . = g . o a - ^ ) = 4(l

ư0,35-3

) = 4,046mS

b)fd= — = . - ^ = 100kO. gd

c) Sơ đồ tưofng đương của tầng được vẽ như trên hình 3-1 1 dưới đây.

d) Rv = R, // R, // rvT = R, // R2 //= Rj // R, = lOMQ // 1 lOMQ = 9,17MQ.

78



e) R„ = r, // Rd = (100 // l ,8)kQ = 1,77kQ

f) Ku = -g„.RD = -4,046mS.l,8 = -7,28.G D

Uv 1 l lO M fi

RẬlOMQ

»------ m c DSm ^GS lOOkQ

D ^l,8kn "

s

Hinh 3-11

( 9 Bài tập 3-15. Qio mạch khu&h đại dùng transistor E-MOSFET như trênhình 3-12.

R+Edd12V2kQ

R.^IOMO

U, c,

R,

1^F

Rra

Hình 3-12

Hãy xác định:

a) gmb)r,c) Ryd) R.,e) Ku-

Bài giải

i; = 6mA

u;=8VUt=3V gd = 20ịiS (0,24.10-'AA ') k = 0,24.10'’AA - Ucso = 6,4V Itx) = 2,75mA

a) g,„ = 2k(U.so-UT) = 2.0,24.10"^(6,4-3) = l,63mS.

b) r,. = — =1

gd 20|aS= 50kQ

79



R c+ r,//R p _ 10Mfì + 50kQ//2kQ ~ 1+ L ( Í . / /R d) ~ l + l,63mS(50kQ//2kQ)

Nếu không tính đến ảnh hưởng của thì:

= 2,42MQ

;g______ 10= 2,53MQ

l + g„R^ 1 + 1,63.2

d) R,, = Rc // r, H Rd = lOMQ // 50kQ // 2kQ = 1,92kQ.

Khi ri > lORp thì trở kháng ra có thể được tính:

R„ = R o//R o = RD = 2kQ

e) Ku = -g^.Ro = -1,63mS.2 = -3,26.Khi bỏ qua ảnh hưởng của với r<j > lORp.Khi tính đến r¿ thì:

Ku = -g„,(Rc // ra // Rd) = -1,6ms( 1OMQ // 50kQ // 2kQ) = -3,21.

( 9^ Bài tập 3-16. Qìo tầng khuếch đại dùng J-FET như

UoD 30V

trên hình 3-13. Hãy xác định điện trở tải một chiều Rp của tầng vód hệ số khuếch đại điện áp Ku = 10.

Bài giải

Với Rs = Oíì trên sơ đồ hình 3-13 của đầu bài ta có u Q5 = o v và điều đó có nghĩa là:

R

II T

Rg > lOMn Ip55 = 1 Olĩl A Up = -4V g, = 20tiS

Hình 3-13

Ku = -gn,Rn. = -gm„ Rra = -gmCRo // r<i) = -gm„ (Rd // Td)

Từ đó ta tính được:»

2I0SS _ 2.10mA -gm„ = = 5mS

Up

và ta có; Ky = -10 = -SmSíRp // r ) 10

4V

nên; Rp // =5mS

= 2kQ

80



Mặt khác ta có:

1 1rd= — =g. 20 .10 -

Khi đó: Rd // r, = Rd // 50kQ = 2kQ

= 50kfì

RoSOkQR^+SOkQ

RoSOkQ = 2(Rd + 50)kQ

Vậy Rj) = 2,08kQ và chọn điện trở Rß theo tiêu chuẩn sẽ là Rjj = 2kQ.

(% ) Bài tập 3-17. Cho mạch khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-14.

Hãy xác định điện trở Rj) và Rs với Ku = 8 và Uqs_ = —Up = - I V . Biết

thêm: Idss = lOmA; Up = -4V; gj = 20|J,S.

DSS *” ỉômAU p = - 4 V

Ga = 20 lS

Hình 3-14

Bài giải

T- ' _ 2Idss _ 2.10mATa có; - = 5mSU,

và g„ = g „ „ ( l - ^ ^ ) = 5 m s ( l - ^ ) = 3,75mS

mặt khác: Ku = -g„(RD // r<j)

-8 = -3,75mS(Ro// r,)

6- 250BTKTĐÍỆNTỬ. A 81



nên

Rd // ra = Rd // — = Ri, / / - ^ = Rd //50kQ = 2,13kQ gd 20|aS

Từ đó ta xác định được Ro = 2,2kQ (đúng theo tiêu chuẩn).

Để xác định điện trở Rs có thể xuất phát từ biểu thức;

' GSO “ ~ DO S

DO — Dss(uGSO \2 _

Upý = lOmA

-4= 5,625mA

Vậy Rs = = 177,80IDO 5,625.10

Chọn theo bảng điện trở tiêu chuẩn Rs = 180Q.

{^9^ Bài tập 3-18. Qio tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-14 (xem số liệu bài tập 3-17). Hãy xác định giá trị R|5, Rs khi không có tụ Q.

Bài giải

Khi không có tụ Cs trên mạch, các đại lượng tính toán cho chế độ một chiều của tầng không có gì thay đổi nghĩa là: ƯQSO = - I V ; Ij3ò = 5,625iĩiA;

Rs = 180fì! (như trong bài 3-17).

Biểu thức tính hệ số khuếch đại điện áp Kjj sẽ là:

— §m^D" l + Sn,Rs

8 =- 3,75mS.Rj3

l + 3,75.10"^180_ 3,75mS.Rp

1+0,675

từ đó tính được Rq sẽ là:

13 4R ^ = - — —- = 3,573kQ° 3,75mS

Chọn điện trở Rp theo tiêu chuẩn là Rp = 3,6kQ.

82 6- 250BTKTĐIỆNTL



( 98 Bài tập 3-19. Cho bộ khuếch đại điện tử như trên hình 3-15. Hãy xác định K ; Ry; Rn.; u^; u ’ với U gso= -1 ,9V ; Ioo=2,8mA và R, = lOkQ.

Ipss = lOmA; Up = -4V; Tị và T2 cùng loại và có cùng các tham số.

ra

Hình 3-15

Bài giải

ê m o_ _ 2.10mA

ê m S m o ^ ^

U

u 4V= 5mS

Up) = 5mS 1

-1>9 4 J

= 2,6mS

Ku. = Ku, = = -ê„Ri = -g„Rs = -2,6mS.2,4kQ =Hệ số khuếch đại Ku sẽ là:

K ,=K ,,.K ^ ,^=(-6,2)(-6 ,2) = 38,4


u„ = Ky.Uv = 38,4. lOmV = 384mV

Trở kháng vào của bộ khuếch đại là:

Ry = Rg = R2 3,3MQTrở kháng ra của bộ khuếch đại là;

- 6,2

83



R , = R5 = = 2,4kD.Khi mắc tải R, = lOkQ, điện áp ra trên tải sẽ là:

u, =— —u =—i^384mV = 310mV ‘ R„+R, ” 2,4 + 10

( 9^ Bài tập 3-20. Cho bộ khuếch đại điện tử dùng BJT như trên hình 3-16 với Ub = 4,7V; Ue = 4V; Uc = i 1V; Ie = 4mA. Hãy xác định: K ; u„; Rv; rI và u, khi mắc tải R, = 1 OkO.

R

10)iF h -Uv c,

15kQ

25 iV R < 4 J Ị ^

:R,2,2ka * 5

q 10nF P=20Ó

R7 > 2,2kO

• +E,,20V

4,7kn1

C ,1 0 |iF

p=200

^620mF

Hình 3-16

Bài giải

Trước tiên ta xác định điện trở Tg

26mV 26= = 6,5Q

Hệ số khuếch đại đỉện áp tầng 1:

r. _ R _R c(//R 4//R 5//P-r.)* u, ~ “

Te Te2,2kQ//(15kQ//4 ,7kQ//200.6,5Q

ở đây

6,5QR,, = R 3 //(R ,//R ,//p .rJ

= -102,3

84



Hệ số khuếch đại sẽ là:

. = _ ^ = _ ^ = _ ^ = _ 2 : ^ . _ 3 3 8 , 4 66,5

Ku = Ku, = (-102,3){-338,46) = 34624

u„ = Kij.Uv = 34624.25^iV = 0,866V Trở kháng vào của bộ khuếch đại là:

Rv = R, // R, // pr, = 4,7kQ // 15kQ // 200.6,50 = 953.6Q Trở kháng ra:

— Rc ” ^6 ~ 2 ,2kQ.Khi mắc R, = lOkQ điện áp ra trên tải sẽ là:

u = — ^ — U = — 1 ^ 0 .8 6 6 V = 0.71V

> 2 ,4 k n ^3

0 ,05^F

4,7kQ 4 = .1 '5 100fxF

Hình 3-17

Bài giải

Hệ số khuếch đại của tầng thứ nhất:

85



Ku. = //R v,) = -2,6mS(2,4kQ//953,6D) = -1,77

Hệ số khuếch đại K„ sẽ là:

K^^=K„K„ = (-l,77 )(-338 ,46) = 599,1

Điện áp ra u„ = K^.Uv = 599 ,l.lm V = 0,6V

Trở kháng vào Rv = Rq = 3,3MQ

Trở kháng ra R,, = Rc = 2,2kQ = R5.

(10^ Bài tập 3-22. Cho tầng khuếch đại cascode như trên hình 3-18. Hãy xác định Ku của tầng với = 4 ,9V ; U 3 = 10,8V ;

!(, = Ic = 3,8mA = 1 = Ig; P| = p2 = 200; Tị = T2 = T (giống nhau).

p, = p, = 200

T, = T, = T

(giống nhau)

Hình 3-18

Bài giải

26mV 263,8

= 6,8Q

86



Vậy K „=K ., .K„ = -2 6 5 .'Ü

( 1 ^ Bài tập 3-23. Cho tầng khuếch đại dùng transistor Darlington như ưên hình 3-19. Hãy xác định hệ số khuếch đại dòng điện K|.

Bài giải

Ta có thể vẽ lại sơ đồ tương đương mạch điện như trên hình3-20 dưói đây:

_ Pd^b

8000.3,3.10®3,3.10^+8000.390

= 4112

Hình 3-20( 1 ^ Bài tập 3-24. Oio tầng

khuếch đại dùng transistor Darlington như trên hình 3-21. Hãy xác định Rv; R„; K|; Ku với = 3kQ.

87



Bài giải

Ry = Rg // (r^ + p,p2.Rc) = 2MQ // (3kQ + 140.180.75Q) = 974kQ.

K;=p.p2R 9 1 a6

= 140.180( - — t) = 3,7.10^Rg +Rv 2.10"+974.10^

R = -!h _ = i i ^ = 0,12Q ™ p,p2 140.180

và K„ = - J M ^ = _ 1 Ị ^ 1 * ^ = 0,9984, p,p2Rc+r„ 140.180.75+3000

( í ^ Bài tập 3-25. Cho mạch điện dùng J-FET như trên hình 3-22 (mạch tạo nguồn dòng). Hãy xác định dòng Id và u„ khi:

a)RD=l,2kQ.

b) Rd = 3,3kQ.Vód Idss = 4mA và Up = -3,5V.

Bài giải

Từ mạch điện đã cho khi Uqs = ov.Ij3 = I0SS — 4m A.a) ư„ = E dd - IdRd = 18V - 4mA.l,2kQ = 13,2V.

Edd18V

R,

u_

Hỉnh 3-22

88



b) u , , = Edo - IdR d = 18- 4 .3 ,3 = 4,8V .

Bài tập 3-26. Cho mạch điện dùng BJT

như trên hình 3-23 (mạch tạo nguồn

dòng). Hãy xác định dòng điện I.

Bài giải

Chọn transistor loại Si với Ugg = 0,7V.R,Ta có: ưg =

R, 4-R2

5,1

(5,1 + 5,1)(_20) = -10V

S.lkQ-

+E^ -20VcC

Hình 3-23

Ue = U 3 -U bh = -10-0 ,7 = -10,7V

I = I , = l ^ = d Ọ ì Z z m = 4,65mA. R. 2

(1^ Bài tập 3-27. Cho nguồn dòng

dùng transistor và zener như trên

hình 3-24. Hãy xác định dòng

điện I với u , = 6,2V.2.2kn'

Bài giải

Chọn transistor loại Si với

l,8kQ

+E„. -18V

Ube = 0,7V.

Ta có:Hinh 3-24

R 1,8

(1^ Bài tập 3-28. Cho mạch điện đùng transistor như trên hình 3-25 (mạch gưomg dòng). Hãy xác định dòng điện I.

89



Bài giải

Chọn transistor T| và T2 cùng loại Si. E - ưTacó: 1 = 1

(12-0 ,7)1,1

R

= 10,27mA.

108) Bài tập 3-29. Cho tầng khuếch đại vi sai dùng BJT như trên hình 3-26. Hãy xác định điện áp ra u„. Với = 20kQ; Pi = P2 = ^5.

Bài giải

Chọn transistor T| và T, loại Si với Ube = 0,7V.

Ta có:E. - U

h =BE

R

9 -0 ,7j = 193 iA

= 96,5nA.

43.10

Dòng colectỏ; lẹ 193|aA

2 2

Từ đó ta có Uc được tính:

Uc = Ecc - lẹRc = 9 - 96,5.10 ■^47.10' = 4,5V. Điện trở được tính;

1-3

Hình 3-26

96,5.10

Hệ số khuếch đại điện áp Ku sẽ là;

K „ = ^ = í ^ = 87,4 2r 2.269

90



u„ = Ku-Uv = 2.10187,4 = 1,I75V.

(1^ Bài tập 3-30. Hãy xác định hệ số khuếch đại tín hiệu đồng pha của tầng khuếch đại vi sai dùng transistor trên hình 3-26.

Bài giải

Từ biểu thức cơ bản tính toán cho hộ số khuếch đại tín hiệu đồng phađối với tầng vi sai ta xác định được Kc như dưới đây:

K PRc , 75.47 Uv r^+2(p + l)Rg 20 + (l + 75)2.43 ’

(1^ Bài tập 3-31. Hãy xác định Kc của tầng vi sai cho ừên hình 3-27 dưới đây:

Vậy u„ sẽ là:

T, &Tọ p, = p2 = 75VTl “ “ VT IcCầ

Tap3 = 75

r„3 = Re = 2 0 0 k íì

Bài giải

Transistor Tj kết hợp với các linh kiện mắc trên mạch tạo thành một nguồn dòng nhằm nâng cao trở kháng một chiều. Rg và vì thế khi thay các giá trị vào biểu thức tính Kc ta được:

K , = ------- = 24,7.1 0-' ry^+2(l + p)RE 11 + 2.76.200

91



3.3. ĐỀ BÀI TẬP «

0 Bài tập 3-32. Cho tầng khuếch đại dùng BJT mắc EC như trên hình 3

28. Hãy xác định Rv; R„; Ku’, Kj

a) với ĨQ = 40kQ

b) với Tq = 20kQ.

:60

Hinh 3-28

( 1 ^ Bài tập 3-33. Cho mạch điện dùng transistor như trên hình 3-29. Hãy

xác định E c c sao cho Ku = -200.

( í ^ Bài tập 3-34. Cho tầng khuếch đại đùng transistor như trên hình 3-30.

Hãy xác định r ; Ry; R„; K ; K| với:

a) Tq = 50kQ

b) ro = 25kQ.

92



+E^16V

R| :3,9kn

I , I I - - - *u,q I^ F

raP=100

Hinh 3-30

(1 ^ Bài tập 3-35, Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-31. Hãy

?CâC cỉĩĩỉỉ) Ku; K,

+Ecc20V

—Híp=80r.=40kQ

Hình 3-31

Bài tập 3-36. Cho mạch điện dùng transistor như trên hình 3-32. Hãy

xác định R v ; R„; K ; K, và u,, khi Uy = ImV.

93



( l ^ Bài tập 3-37. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-33. Hãy xác định Ib; Ic; r ; R v’, K^; Kị.

(1^ Bài tập 3-38. Cho mạch khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-34. Hãy xác định r ; Rv’, Rraỉ K|.

T+6V Ị-IOV a = 0,998

R ^6,8kQ R„ ^ 4 ,7kn

ưv Iv \ /l----*u

R

ra

Hình 3-34

94



(ÍĨb) Bài tập 3-39. Cho mạch khuếch đại đùng BJT như trên hình 3-35. Hãy^ xác đmh Ku; K,.

+8V

ra

-5V

Hình 3-35

Bài tập 3-40. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên.hình 3-36. Hãy xác định r,; Rv; R,,; K„; K;.

t E.. 12V

R. 220kíí

ư,-II-

R,3.9kQ

ị l . p=120

R,r„=40kíì

Hinh3-36

Bài tập 3-41. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-37. Với r, = loõ; p = 200; =-160; Kị = 19; To = ã)kn. Hãy xác định Rỏ K Ecc.

R.

u.-lí-

— VSAr

<

u.

Hình 3-37

95



(121 Bài tập 3-42. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-38 vớih,| = 180; hị, = 2 ,75kQ ; h22 = 25|ẲS. Hãy xác định Rv; Ky; K|; ĩg.

D i 1^3i > 68kQ > 2,2kfì

^+Ecc 18V

Hình 3-38

Bài tập 3-43. Qio tầng khu&h đại dùng BJT như tì-ên hình 3-39 vói h2| = -0 ,992;

h„ =9,45Q ; h,, = 1 ^ ^ .• íh ’ ’ 22,, Y

Hãy xác định Rv; R„; K ; K ; a; p; r ; Tq.Bài tập 3-44. Cho tầng

y-R

H l -10ÍiF V /

R ^l,2kQ

T 4V

lO iP 2,7kQ ^

12V R.

Hình 3-39

khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-40. Hãy xác định Rv; R„; Kjj với Idss - lOmA; Up = -4V; = 40kQ.

Edd18V

Rol.SkQ

Hình 3-40

96



( í ^ Bài tập 3>45. Cho tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-41Hãy xác định Ry; R„; Ku với = 3000|iS và gd = 50|aS.

( í ^ Bài tập 3-46. Hãy xác định Rv; R„; Ku của tầng khuech đại dùng J- FET như trên hình 3-41 (xem bài 3-45) khi ngắt tụ Cj ra khỏi mạch.

( l ^ Bài tập 3-47. Cho tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-42. Hãyxác định Rv; Rn,; u„ với Uy = 20mV; loss = 12mA; Up = -3V; T¿ = lOOkQ.

ra

Bài tập 3-48. Hãy xác định Rv; R„; u„ của tầng khuếch đại dùng J FET như trên hình 3-42 (xem bài' 3-47) khi ngắt tụ C3 ra khỏi mạch.

@ Bài tập 3-49. Tính toán lặp lại cho bài 3-47 khi thay r., = 20kQ.

(1^ Bài tập 3-50. Tính toán lặp lại cho bài 3-48 khi thay = 20kQ.

7. 250BTKTĐIỆNTỬ.A 97



^3^ Bài tập 3-51. Cho tầng khuếch đại mắc GC dùng J-FET như trên hình 3-43.^ Hãy xac định Rv, R„; u^; vói Uv = 0,lmV; Icss= 8mA; Up = -2,8V; = 40ka.

ra

® Hinh 3-43Bài tập 3-52. Cho tầng khuếch đại dùng DMOSPET như ừên hình 3-44. Hãy xác định biết gj = 20pS; Uy = 2mV; I ss = 8mA; Up = -3V.

41— *u

Hh

RG>10Mfì

Hỉnh 3-44(132) Bài tập 3-53. Ơ IO tầng khu&h đại dùng D-MOSFET như trên Kình 3-45. Hãy

xác định Rv, R„; Ky. Biết = 6ỒkQ; Icss = 12mA; ưp= -3,5V; Edd = 22V.

Eoo 22V

^ o ịi.sk n

u.'ưni

Rq!lOMQ' R

100 Ị.Hình 3-45

98 7-250BTKTĐIỆNTỬ-B



(1 ^ Bài tập 3-54. Tính toán lặp lại cho bài tập như hình 3-45 với = 25kQ.

( 1 ^ Bài tập 3-55. Cho tầng khuếch đại dùng D-MOSPET như trên hình 3-46.Hãy xác định với Uv = 4mV; gj = 35|0,S; g„ = 6000|J,S.

Eoo_________t ‘ 'DD

[ n91NKÌ > 3 <6,8kn

c 1u."— li------- ' B ’

R2> I15MQ f Rs > i

3.3kn> T ^

Hình 3-46

Bài tập 3-56. Tính toán lặp lại như bài tập 3-54 trên hình 3-46 vớig, = 50ụS; = 3000^8.

( l ^ Bài tập 3-57. Cho tầng khuếch đại dùng E-MOSPET như trên hình 3-47. Hãy xác định Rv; R„; Ku với k = 0,3.10 Ut = 3V; Td = lOOkQ.

Epo 16VRd L

Rp 10MÍ2 <2,2kíìr-MAr— í ------- ịị

U v -

u

Hình 3-47

( í ^ Bài tập 3.58. Tính toán lặp lại cho bài 3-57 (xem hình 3-47) với k = 0,2.10' và so sánh các kết quả.

Bài tập 3-59. Hãy xác định với tầng khuếch đại dùng E-MOSFET cho trên hình 3-48. Với Uv = 20mV; Uj = 3,5V; k = 0,3.10 gd = 30 iS.

99



. E^d 20VR,

R„ 22MD r-AAAr-

\QkQ------- i H

¿2ra

Hinh 3-48

(íãặ Bài tập 3-60. Hãy xác định u„ của tầng khuếch đại dùng E-MOSPET cho trên hình 3-48. Biết: Uv = 4mV; Ut = 4V; 1 ^ = i ; = 4m A ;

- U , 3 _ = U ; s = 7 V ; g , = 2 0 ^ i s .

Bài tập 3-61. Oio tẩng khuếch đại dùng E-MOSPET như trên hình 3-49.

Hãy xác định u„ với U v = 0,8mV; = 40kQ; ƯT = 3V; k = 0,4.10 \

Bài tập 3-62. Cho mạch khuếch đại dùng JFET như trên hình 3-50. Hãy xác định Rjj với: Iqss = 8mA; U p = -2,5V; gd = 25fiS; Ku = 8.

100



ra

Bài tập 3-63. Cho tầng khuếch đại dùng JFET như trên hình 3- 51. Hãy xác định Rß và Rs- Với

Ku = lữ,

Icœ = 12mA; Up= -3V; = 40kQ.

Bài tập 3-64. Cho bộkhuếch đại gổm hai tầng như trên hình 3-52. Hãy xác định điện áp ra u„. Với I dss = 8mA; ưp = -4,5V.

ra

101



Bài tập 3-65. Cho bộ khuếch đại gồm hai tầng như trên hình 3-53. Hãyxác định hệ số khuếch đại K„. VỚI Ißss = 6mA, Up = -3V, ß = 150.

( í ^ Bài tập 3-66. Hãy xác định Rv và R„ của bộ khuếch đại cho ứên hình 3-53.

( l ^ Bài tập 3-67. Cho tầng khuếch đại Cascode như trên hình 3-54. Hãy xác định hệ số khuếch đại K„ và điện áp ra u„. Với Uy = lOmV, ß, = ß, = ß = 200

102



( l ^ Bài tập 3-68. Cho tầng khuếch đại Darlington như trên hình 3-55. Hãyxác định K„.

( í ^ Bài tập 3-69. Cho tầng khuếch đại Darlington như trên hình 3-56. Hãy xác định điện áp ra ư„. Với Pi = 160; P2 = 200.

ra

(1^ Bài tập 3-70. Cho mạch điện đùng JFET như trên hình 3-57. Hãy xác định dòng điện I vớiIoss = 6mA;Up = -3V.

R2 kà i

Hình 3-57

103



Bài tập 3-71. Hãy xác định dòng điện I cho mạch điện trên hình 3-58 với p = 100.

4,3kưR,

ị-<T

ìl,8kQ

+E.. -18Vee

Hình 3-58

104



Chương 4

MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤTm w


Nhiệm vụ của tầng khuếch đại công suất là đưa ra tằi một công suất đủ lớn theo yêu cầu, có thể từ vài chục mW đến hàng trăm hay hàng ngàn w . Hệ số khuếch đại công suất đóng vai trò quan trọng, còn hệ số khuếch đại điện áp chỉ là thứ yếu.

- Tầng công suất có thể làm việc ở các chế độ khác nhau; chế độ A, AB, B hay chế độ c , nhưng để khuếch đại các tín hiệu điều hòa thường sử dụng hơn cả là chế độ A và AB (hay còn gọi là chế độ B|).

- Đây là tầng khuếch đại tín hiệu lớn nên buộc phải làm việc ở đoạn cong của đặc tuyến transistor nên sẽ gây méo phi tuyến.

- Tầng công suất có thể mắc theo sơ đồ đofn hay sơ đồ đẩy kéo, có thể dùng nguồn cấp điện đơn cực hay nguồn đối xứng có điểm giữa trung hòa.

- Hiệu suất của tầng công suất quyết định hiệu suất của máy khuếch đại; việc nâng cao hiệu suất ngoài ý nghĩa tiết kiệm năng lượng còn làm giảm công suất tiêu tán trên vỏ transistor dưới dạng nhiệt.

- Các tầng khuếch đại công suất được phân ra: tầng đcfn, tầng đẩy kéo, tầng có biến áp ra, tầng không biến áp ra...

* Tầng côìig su ấ t m ắc đơn tải điện trỏ (hình 4-1)

Hình 4-1. Tầng công suất mắc đơn tải điện trỏ

Để khuếch đại các dao động điều hòa tầng chỉ làm việc ỏ chế độ A, trong đó transistor làm việc trong cả hai nửa chu kỳ tín hiệu.

105



Công suất ra p = = Is 2 = -Hsm-" 2 2 2R„

Trong đó U,„ = U c B „ = |v à I „ = I„

p_. , = H - k = i Ễ . = i l , Eramax 2 2 2 ^ ° 4 *

Công suất tiêu thụ từ nguồn

Po = Ico E

Hiệu suất cực đại khi p„ -> p,ra max

n = i ỉ= -|. 100% = 25% 4 I „ E

Thực tế hiệu suất còn thấp hơn.

Điện trở tải xoay chiều tối ưu được xác định:

■C t.ưh . 2 K

ưu điểm: tín hiệu ít bị méo

Nhược điểm: công suất ra nhỏ, hiệu suất thấp.

* Tầng công suất mắc đơn có biến áp ra (hình 4-2)Biến áp ra có chức năng ngăn một chiều, dẫn tín hiệu xoay chiều ra tải

Rị đồng thcri phối hợp trở kháng.

Điều kiện phối hợp trở kháng

Rra = R( = R(_ wTrong đó n = hệ số biến áp;

W2

R„ - điện ừở ra của tầng khuếch đại;

R, - điện trở tải;R, - điện trở tải quy về sơ cấp biến áp.

Từ đó suy ra n =i

R.R.

106



Nếu biến áp ra là lý tưỏng thì điện trở tải xoay chiều ở mạch ra

u_ UI Ira - co

a) Hinh 4-2. Tầng công suất mắc đớn, có biến áp ra

- Công suất ra cực đại

2 2 ■ “

b)

ramax- Công suất tiêu thụ từ nguồn:

Po = U,„.I^ = I,„E- Hiệu suất cực đại:• • •

=1 E.I

Po 2 E.I^100% = 50%

Trong thực tế biến áp luôn có tổn hao và tồn tại điện áp dư Udu nên hiệu suất còn nhỏ hơn.

Khi làm việc với tải tối ưu biên độ điện áp cực đại Uca™, bằng 2E YÌ tải mang tính điện kháng nên xuất hiện sức điện động cảm ứng trong cuộn sơ cấp biến áp.

* Tầng công suất m ắc theo sơ đồ đẩy kéo có biến áp ra (hình 4-3)

BAị là biến áp đảo pha;BAị là biến áp ra.Tầng có thể làm việc ở chế độ A hay chế độ B nhưng thường là chế độ

AB với dòng tĩnh I,.o« (1 0 100) ^A.

107



ỉ« .

ruyL

r"TT~V i :u -v ịv -^ ^

+E

B T,AI Ba2

a)

Hình 4-3. Sơ đồ công suất (a) và đặc tuyến ra (b)

Điện trở tải của mỗi transistor (1/2 cuộn sơ cấp là W| vòng) được xác định,

w, w.

R’, = n'.R, Suy ra n = R n = -^R

- Công suất ra cực đại một nhánh

p _ il r ; _ I.. UcB. ■_ I.n Eni max 2 2 2

Dòng điện trung bình trong một chu kỳ của một nhánh (1 transistor)

1 I ...I ĩ n

Dòng tiêu thụ từ nguồn E (cả hai nhánh); = 2.—n

- Công suất tiêu thụ từ nguồn E:

Po = I„ .E = -I,„E n

Hiệu suất cực đại của tầngp ĩ F.

Imax

71

= -100%=78,5% 4

108



Thực tế biến áp có tổn hao và ưcEm < E nên hiệu suất thấp hơn.Công suất tiêu tán trên colectơ của một transistor dưới dạng nhiệt.

P _ p I I

2

Suy ra p = -^ P wO,4Pcmax _2 r;iniaxnKết luận:

- ở chế độ B hay AB khi Uy = 0 tầng không tiêu thụ năng lượng.- Ngắn mạch tải và hở mạch tải khi có tín hiệu vào đều rất nguy hiểm

cho transistor.* Tầỉìg công suất đẩy kéo m ắc nối tiếp không hiển áp ra (hình 4-4)

1R,

R. ịịc,

• 11 1»í

• I I 'u.JL R.: ; R,

Hình 4-4

Để mắc tải trực tiếp không qua biến áp phải dùng nguồn đối xứng ±E có điểm giữa trung hoà, các cực + và -E không được nối với vỏ máy. Transistor T|, Tt là hai nhánh của tầng công suất, dùng hai transistor khác loại dẫn điện, đều mắc theo sơ đồ tải emitơ nên không khuếch đại được điện áp. Tầng T, là tầng kích công suất và khuếch đại điện áp, tải xoay chiều là Rj; D| và D, làm nhiệm vụ tạo thiên áp và ổn định nhiệt cho T| và T,.

Tầng thường làm việc ở chế độ AB. Các tính toán của tầng này giống như đã xét ở trên.

* Tầng công suất m ắc theo sơ đồ đẩy kéo íỉùng tụ phán cách c¡>Trong trường hợp không có nguồn đối xứng mà chỉ có nguồn đơn cực,

muốn mắc tải trực tiếp, không qua biến áp thì phải dùng tụ phân cách Cp mắc nối tiếp với tải.

Tụ Cp có hai chức năng: ngàn thành phần dòng một chiều qua R, và làm nguồn thứ cấp cho T2 khi T| tắt. Tụ Cp sẽ phóng, nạp qua T|, T-, và R,.

109



Tầng Tj và các linh kiện hợp thành giống như sơ đồ dùng nguồn đối xứng.

4.2. PHẨN BÀI TẬP CÓ LỜI GIÀI

(1^ Bài tập 4-1. Cho mạch khuếch đại công suất như hình 4-5 a

Biết: E =12V

Rc = 20Q

R, = 2kQ

U be = 0,5V; p = 50

Dòng điện vào có biên độ Iv = I b = 5mA.

a) Xác định điểm làm việc tĩnh 0 và đường tải một chiều, xoay chiều.

b) Xác định dòng Ic ứng với ly = 5mA.

Bài giải

a) Dòng tĩnh Ibo được xác định

12-0 ,5

Hình 4-5a

= 5,75mA

ị I,(mA)Ạ R=R~1 \ 287,5

....V Ỵ /V/ ..... x,„ ^6,25 U„(V)

Hình 4-5b

E -U e,o _____R, 2.10'

Dòng tĩnh colectơ

Icx) = PIbo = 50.5,75 = 287,5mA

- Điện ap U(^ = 12-IqqRc =12 - 287,5. lOMO = 12 - 5,75 = 6,25V

Điểm làm việc tĩnh o có toạ độo (6.25V; 287,5mA).

- Để vẽ đường tải một chiều và xoay G hiều (ở đây = R_ = Rc) cẫn xác định thêm một điểm nữa ngoài điểm o . Biết phương trình đường tải U,, = E-IcR c

Cho Ic = 0 u„ = UcE = E = 12V. Nối điểm o với điểm 12V trên trục hoành ta được đường tải một chiều.

Trong trường hợp này vì R = R. nên đường tải một chiều và xoay chiều trùng với nhau.

110



b) Khi dòng điện vào Ig biến thiên 5mA thì dòng điện ra sẽ biến thiên

a) Hiệu suất của tầng.

b) Công suất tiêu tán trên colectơ của transistor.

Bài giải

a) Để xác định hiệu suất, cần xác định công suất ra tải và công suất tiêu thụ._ ("250

- Công suất ra p = ^ R = .20 = 0,625W2 2

- Công suất tiêu thụ từ nguồn

Po = E.I,„ = 12.287,5.10' = 3,45W

Hiệu suất TỊ = ^ ^ 1 0 0 % = 18,1 %' 3,45

b) Công suất tiêu tán trên colectơ transistor

Pc = Po - Pra = 3,45 - 0,625 = 2,825W

(Q ) Bài tập 4-3. Đề lặp lại bài 4-1.

Nếu giảm biên độ dòng tín hiệu vào còn 3mA

Hãy xác định:

a) Công suất ra.

b) Hiêu suất của tầng.

c) Công suất tiêu tán trên colectơ.

d) Cho nhận xét.

Bài giải

a) Xác định công suất ra

- Dòng điện ra = Ig .p = 3.50 = 150mAÍ15010"^y

- Công suất ra = -^ R . = ^ 20 = 0,225W

111



- Công suất tiêu thụ, không đổi

P„= L,,n= 12. 287,5 .10 ' = 3 ,45w

b) líiệu suàì của tầnạ

p . . 0 225n = 100% = - - - 100% - 6,52%

K 3,45

c) Công suâì tiêu tán trên colectơ P(.

= p„ - = 3,45 - 0,225 = 3,225W

d) Nhận xét:

- Còns suất tiêu thụ từ nguồn là cố định, không phụ thuộc vào mức línhiệu vào, vl tầng làm việc ở chế độ A.

- Biên độ tín hiệu vào giảm thì hiệu suất giảm và công suất tiêu tán P(~ tãng lên.

(1 ^ Bài tập 4-4. Cho mạch khuếch đại công suất có biến áp ra như hình 4-2.

Biết dòng điện tĩnh l|i„ = 3iĩiA; ß = 20; H = 12V; Un|,,) = 0.6V, biên độ dòntỉ diện vào ỉ|j,„ “ 4mA.

Sụt áp trên R,v : ƯR,.; = 1V; R, = 8Q; n = = 4 .

a) Xác định điện trở R| và R,.

b) Xác định diêm làrn việc tĩnh, đường tải một chiều và xoay chiểu.

c) Xác dinh dòng í „, và điện áp u ,„.

Bài giải

a) Xác định trị số điện trở R| và R,

- u,„ = u,,; + U,„,o = 1.0 + 0,6 = 1 ,6V

U,, - I,.R, R, - = % - V - so n' l , 4I„„ 4 .5 .1 0 '

- U |^ | = ( I ị, + I ị ịq ) R ị = E - U ị 2

l, + I„, 51., 5.5.10 ‘

1 2



b) Xác định điểm làm việc tĩnh

Nếu coi biến áp là lý tưởng thì Ư C E O = E = 12V

Ico “ ßlßo — 20.50 = lOOmAToạ độ điểm làm việc tĩnh o (12V; lOOmA)

Điện trở tải quy về sơ cấp biến áp

R’, = n-R, = 4 l8 = 128n

Từ điểm trên trục hoành có điện áp Uc£0 = 12V công thêm một đoạn điện áp bằng = 100.10'll28 á = 12,8 V, được điểm B kẻ đường thẳng qua B và o ta được đường tải xoay chiễu.

Từ đồ thị xác định, ứng với dòng Ißn, biến thiên ±4mA.U c e . « = 22V

U c E . i n = U a . = 3 V

Icmax= 180 mA

Icmin = 2,0 tĩìA.

Biên độ dòng cực đại I180-2 = 89mA

Biên độ điện áp ra cực đại

IU CEmax ^CEmìn 2 2 -3 = 9,5V

8- 250BTKTĐIỆNTỪ-A 113



( í ^ Bàì tập 4-5. Đề lặp lại bài 4-4

a) Xác định công suất ra tải.b) Xác định công suất tiêu thụ.c) Xác định hiệu suất của tầng.d) Công suất tiêu tán trên transistor.

Bàỉ giải

a) Điện áp hiệu dụng trên cuộn sơ cấp biến áp:

TI I — ĩ 79 —'ĩ I = - ĩ ^ = = 6,74 V

72 2yÍ2 i S- Giá trị hiệu đụng điện áp bên thứ cấp biến áp tức là trên tải R,:

U ,= U ™ Ị = Ì A 7 4 = 1.685V

- Công suất ra tải:

p „ = ^ = í l ì ^ = 0 , 3 5 5 W” R. 8

b) Công suất tiêu thụ từ nguồn:

Po = E.I,„ = 12V.100.10' = 1,2Wc) Hiệu suất của tầng:

p ___ 0 355T1 = -^100% = = 29,58%Po 1 ,2 ’

d) Công suất tiêu tán ữên vỏ transistor Pc

Pc = Po - Pra = 1,2 - 0,355 = 0,845W

Bài tập 4-6. Đề lặp lại bài 4-4. Nhưng giảm điện trò tải xuống còn 4 0 . Hãy xác định công suất ra, hiệu suất và công suất tiêu tán Pc-

Bài giải

a) Nếu Rị = 4Q, thì R’, = n .R, = 4 .4 = 64Q, toạ độ điểm B trên trục hoành bây giờ là 12V + 100.10164 = 18,4V. Từ đồ thị (hình 4-6) ứng với Ib„ = ±4mA so với Igo ta xác định được

8 -250BTKTOIỆNTỬ - B



U„„., = U ce„„=18V

ư.„ì„ = ư c h „ m = U,„ = 3V

Icmin = 2mA Q _ = 1 8 0 m A

Biên độ điện áp ra không méo

n - UcB.a.-UcB.n_ 18-3CEm 2 2

- Điện áp hiệu dụng bên sơ cấp biến áp

Ư ™ . = ^ = ^ = 5,32Vn/2 >/2

- Điện áp hiệu dụng bên thứ cấp biến áp

- Công suất ra

1 5 32U ,= U „ ^ .- = ^ = 1,33V

' ""*4 4

P , = ^ = Í!4 ẽ )! = o,442W " R 4

Công suất tiêu thụ

Po = I,„.E = 100.10M 2 = 1,2Wp 0 442

b) Hiệu suất TI = ^ .100% = ^^^.100% = 36,83% Po 1 ,2c) Công suất tiêu tán

Pc = Po-p„ = 1,2-0,442 = 0,758 w Kết luận: Khi điện trở tải giảm công suất ra tăng lên.

( 1 ^ Bài tập 4-7. Cho tầng khuếch đại công suất (KĐCS) mắc đcfn làm việc ở chế độ A như hình 4-7.

Hãy xác định công suất ra (P„) hiệu suất của tầng (ĩi) với biên độ dòng20

bazơ Ib„ = lOmA; p = 25; Ic(B) = ^ = — = ÌOOOmA20

Ecc = ưce(A) = 20V ; Ube = 0,7 V

115



" E 20V

o

20Q

+ IcT(Si)

a)

Hình 4-7

Bài giải

Tọa độ điểm Q được xác định theo phưcttig trình đưcmg tải một chiều (R_)

R, 1.10'

= ß.Ibo = 25.19,3mA = 0,48 A

Uceo = Ecc - IcoRc = 20 - 0,48. 20 = 10,4V

- Toạ độ hai điểm A và B trên trục hoành và trục tung tưofng ứng sẽ là: 20V và lOOOmA.

- Biên độ dòng ra (dòng colectơ) sẽ là:

Icm = Ibm- ß = lOmA.25 = 250mA

p = Í 2 5 0 ]0 2 ¿ 20 = 0,625wm 2 ^ 2

P o = E c c - I c o = 2 0 . 0 , 4 8 = 9 , 6 W

^ = ^ 1 0 0 % = ^ ^ 1 0 0 = 6 , 5 %

Po 9 ,6

( l ^ Bài tập 4-8. Cho tầng khuếch đại công suất ghép biến áp như hìnầ 4-8.

116



u.

Hãy xác định công suất ra trên tải.E lO V

R.l

w,5 ^ÍR. 8fì

X

a)

l _ = 2 2 5 m A

AIc

400ị-

2oa-

l . ị„=25mA 1001-,

ự ĩT ĩA )

ĩ4m A

12mA

lOmA8m A

6m A

4mA2mA-ỉj^ ^ — H-- ^

5 10 15 p o 25 U J V )

Uc.„,„=18.3V

b)

Hình 4-8

w 3Với các số liệu cho thêm: Ibo = 6mA; I( = 4mA; n = — = — = 3

W2 1

Bài giải

Dựng đưòng tải một chiều R_ như trên hình 4-8b, ta có được: = lOV

I,,= 140mA

Điện trở tải phản ánh từ thứ cấp về sơ cấp của biến áp là: R’, = n .R, = 3 \s = 720

Biên độ dòng colectơ được xác định:

I =Ễí£- = i® =i39mA R ’, 72

Toạ độ điểm B’ trên trục tung sẽ là:

rc..x = Ico + I c . = 140+ 139 = 279mA Nối điểm Q và B’ ta sẽ được đường tải xoay chiều R. cắt trục hoành tại

điểm có ư ,, = 20V đó là điểm A ’.Trên hình 4-8b vổi biên độ dòng = 4mA đường tải R„ cắt các đường

đặc tuyến ra tưomg ứng với = I|„ + Ibn, = 6 + 4 = lOmA

và Ib„i„ = Ib„ - ĩb„ = 6 - 4 = 2mAr

Khi đó ta có các ‘giá trị điện áp u„ và Ic tương ứng

117



U„„i„=l,7V Ui„ = 25mA u _ = 18,3V u , = 255mA

như trên hình vẽ 4-8b.Công suất ra sẽ là:

p _ ^ cemax cemìn ^ciTiax cmin8

( 1 8 , 3 - 1 , 7 ) ( 2 5 5 . 1 Q - ^ - 2 5 . 1 0 - ^ ) p

8

(15^ Bài tập 4-9. Cho tầng khuếch đại công suất như hình 4-8 dựa trên kết quả bài tập 4-8.Hãy xác định Pq; Pc và t|.

Bài giải

p„ = = 10V.140.10' = 1,4 wp” = Po - p„= 1,4 - 0,477 = 0,92 w

p __ 0 47711 = - ^ 100% = 100% = 34,1%

Po( í iặ Bài tập 4-10. Cho bộ KĐCS làm việc ở chế độ B với = 20V, ^ R, = 16Q, E„ = 30V.

Hãy xác định Pq, Pr¡„ "n.

Bài giải

Với biên độ điện áp ra 20V và tải 16Q ta túứi được biên độ dòng tải sẽ là:

I,m = U = ^ = ^ = U 5 A .lo

Dòng tiêu thụ trung bình là:

I .b = % = - = r ( U 5 ) = 0,796A71 71

Công suất tiêu thụ từ nguồn cung cấp sẽ là

Po = Ecc.I,b = 30.0,796 = 23,9 w Công suất ra tải là

U i (20 f " 2R. 2.16

118



Hiệu suất của tầng là:

TI = ^ 100% = — 100% = 52,3%Po 23,9

(l6^ Bài tập 4-11. Cho bộ KĐCS dùng transistor làm việc ở chế độ B mắc đẩy kéo như hình 4-9 (giả thiết transistor lý tưởng). Hãy xác định công suất tiêu tán Pc trên mỗi ù-ansistor, p„, Po và Ĩ Ị . Với Uv hiệu dụng (rms) là 12V = ưvnro-

Bài giải

Biên độ điện áp vào là:

u.,„ = >/2.U_ = n/2.12V = 17Vvm vrms

Với tầng KĐCS lý tưởng ta coiđúng bằng (không có tổn hao trên tiếp giáp bazơ-emitơ).

Công suất ra sẽ !à:

17p ^ = 36,125W2R. 2.4ra

Biên độ dòng tải là;

U _ 17I.™ = l.n,= - ^ = J = 4.25A

Dòng trung bình được tính

71Công suất tiêu thụ từ nguồn cung cấp là:

p,b = = 25.2,71 = 67,75W

Công suất tiêu tán trên mỗi transistor là

67,75-36,125 = 15,8W

119



Hiệu suất ĩ] là:

^ 1 0 0 % = 1 0 0 % = 5 3 , 3 %

tb 67,75

162) Bài tập 4-12. Cho tầng KĐCS làm việc ở chế độ A như hình 4-10. Hãy xác định dòng tĩnh I(.o và công suất tiêu thụ từ nguồn cung cấp Po-

Bài giải

E EỊ — cc ________ cc______

" R _+R _ R ,+ R ,+ R ,

+E,, 24V

E=24W

~ X r r ^R ,ị t« 'jR ,8 n

ư Ĩ I - . í

Hình 4-11

U:

E 24= — = — —— = 1,454A

2R^+R^ 2.8+ 0,5

(ở đ â y R _ = R,; R - = R , + R ,)

Po = = 24.1,454 = 34,896 w

(16^ Bài tập 4-13. Cho tầng KĐCS nKư hình 4-11. Hãy xác định hệ số biến áp n với p„ = 9 w?

Bài giải

= 9W , từ đó ta xác định được biên độ điện áp ra trên tải ư,„ 2R,

U,„.=VP„.2R, = 7 ^ = 12 V

Với giải thiết r, = (biến áp có cuộn sơ cấp lý tưởng) nên biên độ điện áp ra phản ánh về sơ cấp u đúng bằng u „0 và bằng E„.

ư ,„ = U„„ = E,, = 24V

u .„ 12

120



( í ^ Bài tập 4-14. Qio tầng KĐCS làm việc ở chế độ A như hình 4-11 (xenn bài tập 4-13). Hãy xác định công suất tiêu tán trên colectơQỦa transistor T.

Bài giải

Ico =E E 24

R. + R_ R',+0 n^R, 2\8

Po = E,Ao = 24.0,75 = 18W

Vậy p, = Po - p„ = 18 - 9 = 9 W

( l ^ Bài tập 4-15. Cho mạch khuếch đại công suất như hình 4-12. Biết hai transistor là lý tưởng = 0, I „¡„ = o, E = 20V. Biến áp ra là lý tưởng,hệ số biến áp n = 2.

R, = 8Q; R2= lOOQ.

a) Xác định trị số điện trở R| để tầng làm việc ở chế độ AB

Y T /\ Â \ rVƠI U beo = 0 . 4 V .

Hinh 4-12b) Tính dòng điện cực đại qua transistor.c) Tính hiệu suất của tầng.d) Công suất tiêu tán trên colectơ.

Bài giải

a) Thiên áp ƯBEO được xác định theo biểu thức:

Suy ra R, = - R, = - ĩ 00 = 4,9kfìU ^ 0 4BEO ^

Biến áp lý tưởng nên UgEo = E = 20V và dòng tĩnh 10 = ( )m Ab) Dòng colectơ cực đại

E E 20 , = T— = , - - = = 1,25AR ’, n".R, 2-.8

121



- Công suất ra cực đại

__ CEm ’ cmax __ 20.1,25 = 12,5W

- Công suất tiêu thụ từ nguồn

P„=E.L = E .- .I „ = 20— .1,25 = ]5,92W " 71 3,14

c) Hiệu suất cực đại của tầng:

Tln,.,x = — .100% = - ^ . 1 0 0 % = 78,5% p„ 15,92d) Công suất tiêu tán:

= p„ - = 15,92 - 12,5 = 3,42 w

Bài tập 4-16. Đề lặp lại bài 4-15. Nếu giả thiết tầng làm việc ở chế độ A với thiên áp U g E o = 1,2V. Hãy xác định điện trở R|.

Bài giải

ở chế độ A cả haí transistor T| và T2 làm việc đồng thời, thiên áp đặt vàoT, vàT^là 1,2V

R.U b e o = 1 , 2 V =

R, +Rj.E

Suy ra R, = l,566kQUbeo 1,2

(1^ Bài tập 4-17. Cho tầng khuếch đại cồng suất như hình 4-13. Hai transistor T| và T2 có

= 0,5V; I„, = ImA. Tầng làm việc ở chế độ AB. Công suất , ra p,„ = 25 W; điện trở tải R, = 8Q.

a) Xác định dòng điện cực đại qua transistor.

b) Điện áp nguồn cần thiết.

1 2 2



a) Từ biểu thức = — R, (ữong đó là biên độ dòng điện ra một nháiih)

Bài giải

Suy ra I, , - I,2P '2.25

= 2,5A

b) Từ biểu thức (U, là biên độ điện áp ra cực đại)2R,

Điện áp U,,, = u,.„ + U,, = ^P„.2R, + ư ,, = V2 5 .2.8 + 0,5 = 20,5V

Điện áp nguồn E = 2(ựP,,„.2R, + ) = 2 (7 2 5 .2.8 + 0,5 ) = 41V

E ± 20,5V.

(1^ Bài tập 4-18. Qio mạch khuếch đại công suất như hình 4-14. Biết R, = 8Q;

p„, = 5 w. Hệ số khuếch đại T, và % p = 50 UI„ = 0,5 V; Tầng làm việc ở chế độ B| có ƯBg()| U BE02 = 0,2V

a) Tính dòng cực đại qua transistor.

b ) Điện áp U ceo-

c) Điện áp nguồn cung cấp.

d) Công suất ra cực đại.

Bài giải

a) Từ biểu thức p, , = -^ .R ,

Suy ra dòng cực đại =V R. 8

b) Điện áp Uceo = /2P,,,R. + = ^ /Ĩ5 I + 0,5 = 9,44V

c) Điện áp nguồn cung cấp

E = 2 ( ^ 2 1 ^ + ) = 2 + 0 ,5 ) = 18,88 V

123



d) Công suất ra cực đại ---- L- = 5Wrama* 2 .R 2.8

(1^ Bài tập 4-19. Đề lặp lại bài 4-18. Nếu biết dòng colectơ của transistor T,

Icx)3 == 1.5Iboi = l ,5Ig02 (Ibom Ibo-> dòng tĩnh bazơ của transistor Tị và Tj)a) Hãy xác định điện trở Rj và điện trờ nhiệt R,.

b) Xác định công suất tiêu thụ.

c) Xác định hiệu suất của tầng.

Bài giải

- Dòng tĩnh qua transistor Tj

leo, = 1,5I„ = 1 , 5 ^ = 1 ,3 - ! ^ = 33,5mAPmin

a) Điện trở Rj được xác định

Ì E= = = =281,8«

Ic o , Ic o . 2 I„ , 2.33,5.10'2 T I O T ' ỉ 'ì e i n -3*co

- Điện trở nhiệt Rt

2 UR = .- ...■.EỌ. = = 1 ,9 Q 1 2 f ì

Ico3 33,5.10“

b) Công suất tiêu thụ từ nguồn

p. = -l„ ,..U c B 0 = r ^ l . ' 8 .9 ,4 4 = 7,095WK J ,1 4

c) Hiệu suất cực đại của tầng

2.0,2

p 4 99 X] = l i ì = -Z1ĨZ_. 100% = 70,33%Po 7,095

( l ^ Bài tập 4-20. Đề bài lặp lại bài 4-18. Nếu thay bằng hai điốt giống nhau mắc nối tiếp thuận chiều. Giả sử dòng qua Tj bằng 1,2 Igoi, Ibo->- Hãy chọn hai điốt; dòng qua T 3 , điện trở Rj.

124



a) Xác định dòng qua Tj

Ia>5 = 1 .2 1 « , , = 1 . 2 - ! ^ = 1 . 2 ^ = 2 6 . 8 m A

b) Điện trở R.,;

U F. Q 44R = - 5 - = _ Z lÍ!!_ = 352,20

I„, I„, 26,8.10-’

c) Điện trở thuận của hai điốt

= ■f e o i K|£BEỌil. = _ _ M _ = 14,920C03

Bài giải

Ieo3 26,8.10

Chọn hai điốt hoàn toàn giống nhau có điện trở thuận14 Q2

R d . = R d 2 = - ^ = 7 , 4 6 0 .

( l ^ Bài tập 4-21. Cho mạch khuếch đại công suất như hình 4 - 1 3 . Biết

E = ± 2 5 V

R, = 4 Q

Giả sử điện áp vào có giá trị hiệu dụng là lOV.

a) Tính công suất ra tải.

b) Tính công suất tiêu thụ từ nguồn.

c) Tính hiệu suất của tầng.

d) Tính công suất tiêu tán trên mỗi transistor.

Bài giải

a) Giá trị biên độ của điện áp vào

U .„ = '/2 U .,„ = ^ y 2 .I0 = 1 4 ,lV

T| và T, mắc theo sơ đồ tải emitơ nên điện áp ra coi như bằng điện áp vào

U . < P ) = 1 4 , 1 V

Công suất ra tải

125



Ị C ^ ( H Ị ) 1 ,2 4 ,8 5 W™ 2R, 2.4

Biên độ dòng điện tải

I = ^ ‘<p> = = 3 525A

b) Xác định công suất tiêu thụ từ nguồn

- Dòng trung bình I,b trong cả chu kỳ

Công suất tiêu thụ

Po = I,b.E = 2,245.25 = 56,125 w

c) Hiệu suất của tầng

p 24 85ri = ^ 100% = 100% = 44,17%

p„ 56,25

d) Công suất tiêu tán trên colectơ của mỗi transistor

p _p.-p„ _ 56.125-24.85 _ 2 2

( l ^ Bài tập 4’22. Một tầng khuếch dại khi chưa cố hồi tiếp âm có hệ số khuếch đại điện áp k(dB) = 40dB, và điện áp vào Uy = lOOmV. Để tăng độ ổn định và giảm méo, đưa vào mạch hồi tiếp âm điện áp có hệ số

hồi tiếp k(,t = — .^ 200

a) Tính hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp.

b) Điện áp ra khi chưa có hồi tiếp và khi có hổi tiếp.

c) Điện áp hồi tiếp.

Bài giải

ạ) Hệ số khuếch đại khi chưa có hồi tiếp kjB = 40 đB. Suy ra K = 100

- Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp âm:

126



= 100 ^

' + K-K. , + iooJ-200

b) Điện áp ra khi chưa có hồi tiếp

u„ = K.ưv = 66,6.100.10-' = 6,66Vc) Điện áp hồi tiếp

u» = K -U„ = ¿ 10 = 0,05V = 50mV

Bài tập 4-23. Một tầng khuếch đại công suất sau khi lắp ráp đo được tnéo phi tuyến là 6%.

Để giảm méo phi tuyến xuống còn 1 % người ta mắc vào một mạch hồi tiếp âm.

a) Hãy tính độ sâu hồi tiếp.

b) Tính hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp. Nếu giả thiết khi chưa có hồi ũếp ưv = 0,5 V thì u„ = lOV.

Bài giải

a) Tính độ sâu hồi tiếp g

Từ biểu tììức y ' = ----------- , frong đó Ỵ. méo phi tuyêh khi chưa có hồi tiếp

y’: méo phi tuyến sau khi có hồi tiếp âm._____ Y 6

Suy ra đô sâu hồi tiếp g = 1 + KKị,, = -L = — = 6y' 1

K.Kh, = 6-l = 5

5

Đã biết K = ^ = — = 20 lần0,5

K „= — = 0,25 20

b) Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp

127



K' = K1 + K.K

= ^ = 3,33ht 6

( í ^ Bài tập 4-24. Cho mạch khuếch đại dùng J-FET có hồi tiếp như hình 4-15.Biết: R, = 120kQ

R2 = 30kQ

R3 = 20kQ

Rd = 20kfì

HỖdẫncủaPET g „ = 5 mA

a) Tính hệ số khuếch đại khi chưa có hồi tiếp âm.

b) Tính độ sâu hồi tiếp g và Kị,,.

c) Tính hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp K’. ,

Bài giải

Đây là mạch hồi tiếp âm, khi chưa tính đến hồi tiếp {hở R| và R,)

a) Hệ số khuếch đại

K = g„,.R. trong đó R_ là tải xoay chiều

Ri+Rp 20 + 20

K = 5. l0l l0" = 50

b) Hệ số hồi tiếp Kh,

30R| +Rj (120+30) 5

1Độ sâu hồi tiếp g = 1 + K.Kh, = 1+ 50 - = 11

c) Hệ số khuếch đại khi có hổi tiếp âm

KK' =l + K.Kht

. # = 4,54511

128



( l ^ Bài tập 4-25. Để giảm méo phi tuyến cho tầng khuếch đại công suất từ 5% xuống còn 1% người ta đưa vào mạch hồi tiếp âm qua phân áp Rj, R,. Biết khi chưa có hồi tiếp K = 20dB.H ãyxácđịnhtrịsỐ R ,vàR 2. -----

Bài giải

- K(dB) = 20dB. Suy ra K = 10

a) Xác định hệ số hồi tiếp K|,1

Biết y' =1 + K.K,,

Hình 4-16

Kh.=1

/y

\- 1

Ií - - > '

_ 4K I y’ / " 1 0 U ; " 1 0

b) Điện trở phân áp hồi tiếp

Kh. =Rạ - 4

R, + R 2 10

giải ra; Rị = 1,5R2

Nếu chọn = 20kQ thì R| = 30kQ. ---------------------- - ---'I ---

( 1 ^ Bài tập 4-26. Mạch khuểch đại thuật toán không đảo như hình 4-17.

Biết hệ số khuếch đại của bản thân bộ KĐTT Ko = 10“; Rn = IMQ; R, = 20kí2

a)Tính hệ số hồi tiếpKh,.

b) Tinh hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp.

Bài giải

a) Hệ số hồi tiếp

K . = ^ = = 4 = 0.02ht RN 1.10" 50

b) Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp âm K’1f)4

K' = -----^ — - = ----- --------- = 49,751 + K„.K„ l + 10^0,02

9- 250BTKTĐỈỆNTỪ-A 129



Chương 5

BỘ KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁNm • •


Bộ khuếch đại thuật toán (KĐTT) là bộ khuếch đại một chiều, có hai đầu vào một đầu ra, hệ số khuếch đại rất lớn, điện áp ra tỷ lệ với hiệu điện áp vào, điện trở vào rất lớn và điện trở ra rất nhỏ.

Hiện nay hầu như chỉ sử dụng bộ KĐTT dưới dạng IC. Hình 5-la là ký hiệu bộ KĐTT.

U. N

ưp— p -E

a) Ký hiệu KĐTT

ừra

Hình 5-1

Theo định nghĩa u„ = Ko(Up- u,,) = KoU,

trong đó: = Up - Un là sai lệch điện áp đầu vào;

Kq là hệ số khuếch đại của bản thân bộ KĐTT.

Nếu ƯN = 0 thì = Kq Up điện áp ra đồng pha với điện áp vào và cửa p được gọi là cửa vào thuận, ký hiệu +.

Nếu Up = 0 thì = - KqUn , điện áp ra luồn ngược với điện áp vào và cửa N được gọi là cửa đảo và ký hiệu là (-).

130 9- 250BTKTOJỆNTỬ-B



Các tham số cơ bản của ICKĐTT

Tham số Lý tưởng Thực••

- Trở kháng vào Zv 00 Trăm kQ

- Trở kháng ra z„ 0 Trăm Q

- Hê số khuếch đại Kq 00 lOUO^- Dòng điện vào Ip, Ifg 0 Trăm nA

* H ệ s ố nén đồng pha

Nếu Un = Up = # 0 (U . gọi là điện áp đồng pha), theo lý thuyếtu„ = 0 , nhưng trong thực tế khác không.

u„ = Kc . - K,. gọi là hệ số khuếch đại đồng pha.

Hệ số nén đồng pha (CMRR) là tỷ số giữa hệ số khuếch đại của IC TT lý tưỏrng Ko và hệ số khuếch đại đồng pha

CMRR = ^ ; CMRR(dB) = 201g ^ , dB.Kp K ,

CMRR vào khoảng (70 100) dB.

* Đ ặc tuyển truyền đạt (hình 5-lb) là quan hệ giữa u„ và Uv = Up - Un u„ và Uv chỉ tuyến tính trong một khoảng hẹp, ngoài phạm vi đó điện áp ra không thay đổi và gọi là điện áp bão hoà. Khi chưa có mạch hồi tiếp âm bên ngoài, IC TT làm việc ở chế độ bão hoà » ±E.

* Lệch không và hù ì ệch không

Nếu thông số tĩnh hai cửa vào p và N không hoàn toàn cân bằng Ip và Z|, ít Zn thì khi Un = Up = 0 vẫn tồn tại điện áp một chiều Uo nào đó Uo = IpZp-lN Zn

Điện áp này được khuếch đại và ở đầu ra tồn tại điện áp u ,0 0 gọi làđiên áp lệch không, bởi vậy phải có biện pháp để u„ luôn bằng 0 khi Uy = 0 gọi là mạch bù lệch không.

Về nguyên lý, mạch bù lệch không được thực hiện bằng cách bù vào đầu vào một điện áp một chiều có trị số đúng bằng Uq và có cực tính ngược với ƯQ. Mạch này có thể thực hiện bằng cách đưa điện áp vào cửa p hay N hoặc IC có sẵn các chân để mắc mạch bù lệch không.

* M ach khuếch đai đảo

131



Điện áp cần khuếch đại được đưa đến cửa đảo N, còn Rn và R| là hai

điện trở hồi tiếp mạch ngoài (hình 5-2).

Đối với IC TT lý tưởng, hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp được xác định

K’ = ^ và điên áp ra u , = - ^ .Uv R, " R,

Dấu (-) ở đây có nghĩa là điện áp ra và vào luôn ngược pha.

b)

Hình 5-2. Các sd đồ khuếch đại thuật toán cơ bản

* Bộ khuếch đại không đảo

Điện áp cần khuếch đại được đưa vào cửa thuận p (hình 5-2b).

Hệ số khuếch đại điện áp được xác định theo biểu thức:

U,. = ( l + ^ ) U ,

Nếu giữa Uy và điện áp cửa p có mạch phân áp điện trở thì Up xác định

theo Uy qua mạch phân áp đó.

* M ạch cộng và trừ (hình 5-3)

Mạch cộng là mạch thực hiện hàm u„ = A(U|+Ư2+...+U„).

Trong đó U|, u , là các điện áp vào.

Tuỳ theo sơ đồ có thể là mạch cộng đảo hay cộng không đảo.

132



a) b)Hinh 5-3. Mạch cộng (a) và trừ (b)

Hình 5-3a là mạch cộng đảo.

Điện áp ra được xác định.

K| Kj

Mạch trừ (hình 5-3b)

Có thể giải mạch điện theo nhiều phương pháp khác nhau, nhưng thuận tiện hon cả là sử dụng phương pháp xếp chồng.

U „ = ( l + ^ ) U p - ^ U ,K, K,

= ( i + ễ ^ )R| Rj + Rp

* Mạch vi phản và tích phân (hình 5-4)

Hình 5-4a là mạch vi phân dùng IC TT

R RR,

R

a) b)

Hỉnh 5-4. Mạch vi phân (a) và tích phân (b)

133



Điện áp ra mạch vi phân (hình 5-4a)

U„ = - R C Í ^ = - x ^

R.

Hinh 5-5

dt dt

Hình 5-4b là mạch tích phân dùng IC TT

Điện áp ở đầu ra mạch tích phân (hình 5-4b)

u „ = - ^ '|u.(t)dt=-!-|u.dtK U 0 T 0

Trong đó X = RC gọi là hằng số thời gian.


@ Bài tập 5-1. Cho mạch KĐTT như hình 5-5

R , = lOkn

R N = 500kQ

R p = lOkn

E= 12V

Viết biểu thức U,,.

Tĩnh nếu Uy = 0,2V và cho nhận xét.

Bài giải

a)U,. = - ệ ^ U .

b)U„ = . ^ U , = . ^ . 0,2 = - l 0V.K| lU

Điện áp ra -lOV lớn hcfn E = -12V nên tín hiệu ra nằm trong vùng tuyến tứih, không bị méo.

( l ^ Bài tập 5-2. Hãy tính toán và thiết kế mạch khuếch đại thuật toán với các yêu cầu sau;

a) Điện áp ra ngược pha với điện áp vào.

b) Nếu U, = 0,5V thì u„ = 15V.Điện trở vào = 20kỉ2.

134



Vì điện áp ra ngược pha với điện áp vào nên đây là mạch khuếch đại đảo, sơ đồ mạch điện như hình 5-4.• *

Hệ số khuếch đại:• *

Bài giải

u . 0,5

Mặt khác

K = - ^ = 30 suy ra Rn = 30R, R,

Vì R, chính là điện trở vào R, = R, = 20kQ

Suy ra Rn = 20kn .30 = 600kQ.

179) Bài tập 5-3. Cho mạch KĐTT như hình 5-6a

rra

R2^vl»-—-Ạ/S/ỷ^

-R

1

a)b)

Hinh 5-6

Biết R, = 20kQ

Rn = 780kí2

R, = 20ka

E = 15V

a) Viết biểu thức xác định Ura-

b) Tính ư,, nếu biết u , = 0,30V.

135



a) Vì điện trở vào cửa p rất lớn nên có thể coi như không có dòng qua/ \ / \

R2 nênđiệnápư, = Up,U„= 1 + u , = 1 + R, / R, J

Bài giải

/ \

U p =R , J

pR , >\ 1 /

b)TínhU„: U„ = ( 1 + ^ ) . 0 , 3 = 1 2 V

u„ = 12V < E = 15V, tín hiệu không bị méo.

Bài tập 5-4. Cho mạch điện như hình 5-6b BiếtRn = 500kí2 R, = 20kQ

= 20kn

Rj = lo mR4 = 3 0 m

= 400mV

= SOOmV

a) Xác định biểu thức u„.b) Tính trị số của u„.

Bài giải

*a) Có thể giải mạch điện trên theo các phương pháp khác nhau, nhưng tiện hơn cả là dùng phương pháp xếp chồng.

- Nếu chỉ tác động =

- Nếu chỉ tác động R, -> u „ =

Rì + 1 R3//R4

R1 y

R ,+ (R J /R ,)

R2//R.

.u

R ,+ (R J /R ,)u

u„ = u„, + u„,= 11 + _ R.

R 3/ /R , R 3//R ,ư v , + - ---- *_— .Uv.' R ,+ (R ,//R .)^2 +CR3//R4)

R3 //R4 = 7,5kfíR3+R, 10 + 30

136



R2//R4 =20.30

R ,+ R , 20 + 30= 12kí2

b) Tính trị số u„: Thay số vào

U„ = ( l . ^ ) ” 20 20 + 7,5 10 + 12

= 9,906V

(18^ Bài tập 5.5. Cho mạch điện như hình 5-7 Đây là mạch gì?Viết biểu thức tính u^.Tính u„ nếu biết:U, =0,15V Ư2= IV

= 500RÍ2, R , = 20kQ

R 2 = 30kí2, R p = 20kfì

Bài giải

ra

Hình 5-7

a) Đây là mạch trừ, thực hiện thuật toán u„ = AUy2‘Để thiết lập biểu thức u„, tiện hon cả là giải theo phương pháp xếp‘chồng- Nếu chỉ tác động nguồn tín hiệu u^ị, đây là mạch khuếch đại đảo

RVI

Nếu chỉ tác động tín hiệu u^2 » là mạch khuếch đại thuậnR

.UR, Rj + Rp

V2

Điện áp ra: = u , , , + 2 =

b) Thay số vào

R I

RRs+Rp

UR

V2R ,

ìí-.uVI

. 1,0 - — .0,15 = 6,65 V 20 20 + 30 20

(1^ Bài tập 5-6. Thiết kế và tính toán mạch khuếch đại thuật toán thực hiện thuật toán sau:• «

137



Y = 2a -4b *Trong đó: Y là điện áp đầu ra;

a và b là hai điện áp vào;4 và 2 là hệ số.

Bài gỉai

Để thực hiện thuật toán trên phải dùng mạch trừ. Sơ đồ như hình 5-7.

a) Xác định biểu thức điện áp ra

Y = ( l+ : ^ )R R

R, R, + R_ R,

So sánh biểu thức và * suy ra

(1+4^)R

= 2

RR,

ỈL = 4

RR

N 4. Suy ra Rn = 4R

T>

Thay — = 4 vào: R.

RR R

— ^ = 2 -» (1 + 4)------ ỉ— -R,+R^

= 2

R . + R .

Như vậy để thực hiện thuật toán trên phải chọn:

Rn = 4R| và Rị = 1,5 Rp.Nếu R, = 20k n thì Rn = 80ka

Nếu Rp = 20kQ thì R2 = 30kn.

(18^ Bài tập 5-7. Cho mạch khuếch đại thuật toán như hình 5-8

a) Viết biểu thức tính hệ số khuếch đại K„.

138



b) Tính trị số u„ nếu biết: R, = lOkQ, R2 = 200kí2

R, = 20kQ, R4= 15kí2

Rs= 150kO,E= ±15V

U, = 0,15V.

Cho nhận xét

Hình 5-8

Bài giải

a) ở đây có thể coi như hai tầng khuếch đại mắc kế tiếp nhau, tầng IC| có hệ số khuếch đại là K| tầng IC| có hệ số khuếch đại là Kị.

Hệ số khuếch đại K„ được xác định;

UK„ =

U= K , K ,

Trong đó; K| =(1 + )R,

R R R,= Suyra:K„ = K,.K3 = ( l + 3 ( - ^ )R R, R,

R, K

b) Tính Ura

1 +200^

2 0 j

1 5 0

1 5

.0,15=-16,5V

139



Nhận xét: Vì điện áp nguồn -E = -15V trong khi = -16,5V, nhu v ậ y

điện áp ra bị xén đỉnh, nên bị méo. Để điện áp ra tuyến tính phải giảm hay giảm hệ số khuếch đại K„.

(1^ Bài tập 5-8. Xác định phạm vi điều chỉnh điện áp ra trong mạch hình 5-9

Biết: R| = 10k£2

Rn = 250ka

R p = (0 -2 0 )k a

U v = 0,2V

Bài giải

- Viết biểu thức điện áp ra Hình 5-9

u„ = -R. .U.

R,+Rp

■ - Điện áp ra sẽ cực tiểu khi chiết áp Rp = 0Í2

u » = - | ^ u . = — 0 , 2 = - 5 V

- Điện áp ra sẽ cực đại khi Rp = 20kíầ

R.u . = -

R.+R..

250,u = . _ Ì ^ . 0,2 = - 1 ,66V10 + 20

Như vậy điện áp ra sẽ biến biến thiên trong khoảng từ -5V đến -1,66Vkhi điều chỉnh chiết áp R p .

(1^ Bài tập 5-9. Cho mạch KĐTT như hình 5-10.

Biết: R , = 15kO

Rị = 250kQ

R3 = 20kí2

R 4 = 470k0

E = ± 9 V

U, = 25mV

ICTTlà lý tưỏng

140



a) Viết biểu thức hệ số khuếch đại K„.b) Tính trị số u„ và cho nhận xét.

Bài giải

Dòng điện tại nút N

I| = I j + I n v ì I n = 0 nên I, = I2

Trong d ó l | =R

U v - U , U^-U^ Suy ra: — - — ^ M

R

R R

Vì N là điểm đất ảo, nên ƯN = Up = 0

và cuối cùng — = . Suy ra = - — Uy *R , R j R ,

Tại nút M: It +I 4 - Ij = 0

Um , U . - U m H í R. R. R

R, R4

Thay giá trị từ * vào và giải ra ta được.

1 1 1U„ = Ì . R ,

R. ^

/ \ Í 1 1 1 1

1^2•U.

Hệ số khuếch đại

K =uu R

RI 1 1

Tính điện áp ra:

U„ = - Ỉ ^ .4 7 0 Í '15

1 1 +250 20 470

25.10' « l i v

Điện áp ra u,, = 11V > +E = 9V. Tín hiệu ra bị xén đỉnh.

141



( l ^ Bài tập 5-10. Cho mạch cộng đảo như hình 5.11

BiếtR, =20kí2 R

= 25ka

R, = 30kí2 ; = 500kfì

U ,=0 ,1V

U, = 0,2V

Ư3 = 0,3V

a) Viết biểu thức u„.b) Tính u„.

u, .---V\Ar—• U.

Ru ,—

+E

-E

Hình 5-11

U

Bài giải

a) Đây là mạch cộng với ba điện áp vào U|, u, và u,; giải mạch theo phưcíng pháp xếp chồng:

R

u„=u„,+u„,+u,,,= - ^ . u , + ^ . Ư 3 + ^ . U , R. ' R, R,

500 , , 500 , , 500 , ,U, +^— U, +^— U,

20 ‘ 25

b) Thay số vào

^500

3025U,+20U,+ — U,

' 30 •’

u„ = -500

.0,1 + 20.0,2 + — .0,3 20 30

= -l l ,5V

Bài tập 5-11. Cho mạch điện như hình 5-12

a) Viết biểu thức hệ số khuếch đại K„.

b) Xác định trị số ư„ nếu biết:

142



Uv = 0,5VR, = 20kQ; R2 = 20kQ; Rj = 30kQ R4 = 250kQ; R, = lOkQ

Hình 5-12

Bài giải

a) Hệ số khuếch đại K„ = Ki-K,trong đó K| = 1 đây là mạch lặp điện áp u„ = ư,

K .= 1 + và K. =IRs ;

11

. R, >\ 5 y

b) Điện áp ra

u,. = ( 1 + ^ ) -U. = (1 + .0,5 = 5,2VV _ _ 10 20 + 30= u + — --- =TT--U. = U + -----)~r / r , + R 3 ' 10 2(

(1^ Bài tập 5.12. Cho mạch điện như hình 5-13Biết Rn = 500kí2R, =25kí2± E = ± 1 2 VĐiện áp bão hoà ± lOVXác định điện áp vào cực đại mà điện

áp ra vẫn trong phạm vi tuyến tính.Xác định u„ với các giá trị u„ = 0 ;

u„ = 0,4V.’ Hình 5-13

Bài giải

Hê số khuếch đai;

143



K = Ì = . Í 5 5 = . 2 0 .R. 25

U

Điện áp vào đỉnh - đỉnh Vp.p

vp-p = H ^ = ± ị^ = ± 0 ,5 VK 20

u„ = i u = - Ể ^ . U , = -20UR 25

Tính trị số u,ưv ư .ov ov

+0,4V -8V

-0,4V +8V

Bài tập 5-13. Cho mạch khuếch đại như hình 5-14

U v R .vv\/w ỉ —

Hinh 5-14

a) Viết biểu thức I và u „2

b) Tính trị số u„| và biết:

U. = 0,5 V

144



R, = Ra = 20k fì; R3 = 3 0 k a ; R4 = 25kQ

R3 = 500kQ ; Rg = 500kQ; R7 = 25kQ.

Bài giải

a) u„, = K,.K2ư , ; trong đó K, là hệ số khuếch đại của IC,

K2 là hệ số khuếch đại của IC2

ư ., = - ^R u = + M l . u

R.R4

b) Thay số ta có:

U«. = .0,5 = lOVR..R 20.25

U„, = . Ì ( u M , . 0 , 5 = . , 0 . 5 V2 0 ' 25

{1^ Bài tập 5-14. Cho mạch khuếch đại thuật toán như hình 5-15.

Hình 5-15

a) Viết biểu thức u„.b) Xác định trị số nếu biết:R, = 20kí2 ; R2 = 500ka , R3 = 25kfí

R4 = 2 0 k a ; Rs = 3 0 k a ; = 60ka

ư, = 0 , 2 V ; ư2 = 0,3V.

10- 250BTKTĐIỆNTỬ.A 145



a) Đây là bộ khuếch đại có hai tầng IC| và IC2 có hai điện áp vào.

Trước hết xác định điện áp Ural

Bài giải

ư„,= ư,.

Đây chính là điện áp đưa vào cửa đảo của ICj. Giải mạch điện ICj:

1 +i l Æ Îl R3 .

U,-R R

RU.

R R R(1 + ^ ) U , A + ^ . U

b) Thay số vào để tính u

u„ = -25 20 30


= -13,2V

Hinh 5-16

Biết: R, = 20kQR2 = 20kQ R, = 600kfì

146 10-250BTKTĐỆNTỪ • 8



R4 = 30ka

R., = 30kfí = 50k0

R ,= I50kí2; U, = 0,1V

a) Hãy viết biểu thức u„ = f(UJ.

b) Tính trị số u„.Bài giải

a) Thiết íập biểu thức u„

- Điện áp ở đầu ra IC|. u„ I = vì đây là mạch lặp điện áp.

R.- Điện áp ở đầu ra IC,: =

♦

/ \ 31 +

\ Ru.

Cả hai điện áp này đều đưa vào đầu vào đảo của IC, nên đây là mạch cộng đảo.

Giải theo phương pháp xếp chồng:

' Ru . = -

R, R

/ \ 31 + R u.

u„ = -ra u.

b) TTiay số vào để tính u„

150 15030 50u„ = - (1 . ^ )

300,1 = - 6,8 V

(1^ Bài tập 5-16. Cho mạch điện như hình 5-17a) Xác định biểu thức u„ - f( U|, U-,)

b) Tính trị số u,a nếu biết:

U, = 30mV ; U, = 20mV

R, = 20kQ , R2 = 40kQ, = 200kQ, R4 = 40ka

R5 = 20ka , Rft = 500kí2.

147



Hinh 5-17

Bài giải

a) - Điện áp đầu ra IC|

Urai = U2 , đây là mạch lặp điện áp vào

- Điện áp đầu ra IC2

u .2 = - \ u . + ^ UlR. R

đây là mạch cộng đảo.

Cả hai điện áp u „ | và u „ 2 đều được đưa vào cửa đảo của IC 3 , IC 3 là

mạch cộng đảo.

Giải theo phương pháp xếp chồng, ta được:

ĩ? R R Ru„ = -

R. ' R / R. ' R, ^ra

= - + ^ ( ^ u , + ^ u . )R, R / R . R,

^ . 20 .10 ’ • 20 40

'200, 2 0

.3010-'+— 40

.2010 = 4,5V

(1^ Bài tập 5-17. Cho mạch điện ICTT lý tưởng như hình 5-18

Biết Rn = 500kí2

R. = 20kQ

148



E = ± 14V

Điện áp bão hoà ± 12V

a) Hãy xác định Uy cực đại mà điện áp ra vẫn trong phạm vi tuyến tính.

b) Xác định với các giá trị U, = OV; ±0,2V; ±0,4V

Bài giải

a) Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp âm

R. 20

Điện áp vào đỉnh - đỉnh cực đại

u.,„. = — = ±0,48Vvp-p K 25

b) Tính trị số

u, = 0 u„ = 0u , = +0,2V u„ = -KU, = -25.0,2 = -5V

u , = - 0,2V ư„ = - 25.(-0,2) = 5Vu , = + 0,4V = -K.u, = -25.0,4 = -lOV

u„ = - 0,4V -» ư, = ~ 25.(- 0,4) = +10V

ưv 0 -0,2V +0,2V -0,4V + 0,4V

0 5V -5V lOV -lOV

( 0 Bài tập 5-18. Thiết kế mạch khuếch đại ửiuật toán thực hiện chức năng sau:

dU,(t)

R

u . = - Adt

a) Nếu biết Uv = 2Vsinl000t; R = 2kQ; c = 0,47^iF. Hãy tính ư„.

b) Vẽ dạng điện áp ra.

ra

Hình 5-19a

149



Bài giải

a) Chức năng trên là mạch vi phân, sơ đồ như hình 5-19a

dU.U„=-R C

dt

= -2.10^ 0,4710*d(2V.sinl000t)

= - 2.0,47.10^2.1000 cos lOOOt =

- 1,88 coslOOOt.b) Dạng điện áp ra (hình 5-19b)

( l ^ Bài tập 5-19. Cho mạch điện như hình 5-20. Biết = lOsin lOOtc= 1 ^FR = lOOkQ

a) Đây là mạch gì?b) Viết biểu thức u„.

Bài giải

a) Đây là mạch tích phân, điện áp ra tỷ lệ với tích phân điện áp vào.

b) Để thiết lập biểu thức u„, viết phương trình tại nút N.

= 0 (vì ICTT lý tưởng nên = 0)

Suy ra;

u .= -

R

1

RCTTiay số ta được

dt

u„ =1

dt

Hình 5-20

100 . 10M0-"

= 1(V) cos lOOt.

lOsinlOOtdt

150




Biết tại thời điểm t = 0, u„ = ov •R , = R3 = R = lOOkỉí

c = 1ịxF

a) Xác định biểu thức u,, = f (U„ + u,^).b) Tính u„ nếu biết u„ = (IV +

lOV sin lOOt).

u„, = - IV

Bài giải

a) Xác định biểu thức

Phưoíig trình dòng điện tại nút N

R, R, dtHình 5-21

Suy ra u . = -

dUdt

1

vR.dt

b) Tính ở đây R, = R2 = R = lOOkQ, nên có thể viết:

ư„ = - 1ra RC ■’

( U . , + U 3)dt = 1lOMO*

ư,, = 1(V) cos lOOt.

J{l + 1 0 sinl00t - l ) đ t

151



Chương 6

NGUỒN ỔN ÁP


Mạch ổn áp là mạch điện nhằm bảo đảm cho điện áp nguồn một chiều Ổn định, không thay đổi khi các tác nhân bất ổn định tác động, ví dụ khi điện áp lưới điện thay đổi, khi điện trở tải và nhiệt độ thay đổi. Mạch ổn áp được bố trí sau mạch lọc phẳng của mạch chỉnh lưu. Đồng thời mạch ổn áp cũng có tác dụng giảm nhiễu, do vậy giảm được trị số phần tử lọc nguồn Ll, Cl làm cho bộ nguồn đơn giản và gọn nhẹ hơn.

* Mạch ổn áp đơn giản nhất là dùng điốt ổn áp (điốt zener) (hình 6-1 )Trong sơ đồ là điốt ổn áp, luôn

được phân cực ngược, mỗi điốt tồn tại một giá trị điện áp ổn định nhất định là u .

U, lậ điện áp một chiều sau mạch chỉnh lưu và lọc chưa ổn định.

Ư2 là điện áp đã ổn định.Từ sơ đồ có thể viết

U , = U r + U, = I,R + U,Hình 6-1. Mạch ổn áp đơn giản dùng

điốt zener

R ià điện trỏ bù

SuyraU„ = U, = I,.r,= - ^ . r = U , - L R R + r,

AUlà điên trở đông của điốt ổn áp r = — - , ữi số càng nhỏ đô ổn áp

AI,càng cao.

Nếu vì lý do nào đó (ví dụ điện áp lưới điện tăng) U ịt -> I^t -» I .R t .

152



kết quả là u„ được giữ nguyên. Điện trở tĩnh của điốt zener được xác định bằng tỷ số giữa điện áp đặt vào điốt và dòng điện qua điốt

R ,.,ĩ„h ^

Hệ số ổn áp một chiều chính lả hệ số lọc độ ù

_ _ AU, _ R + r, , R R G = — ^ = — _ ỉ - = i + _ « _ V Ì R » r.

AU >; Tz

hay R 1 — » 1

Mạch ổn áp Crực tiếp dùng điốt zener chỉ dùng cho nguồn công suất nhỏ, có hiệu suất thấp khoảng 50%, vì tổn hao trên điện trở R và trên khá 1^.

* Mạch ổn úp tham số đơn giản (hình 6-2)

Đây thực chất là mạch lặp emitơ (tải emitơ). Khi hở tải R, = 00 dòng qua

rất nhỏ.

Dòng tĩnh Iß0 = y

Điện áp ổn áp ở đầu ra u„ = Uj =

ở đây UßE rất nhỏ so với nên ư , » = const.

Điện trở trong của bộ ổn áp chính là điện trở ra. của mạch tải emitơ

? T vbe Lu, L--------u, Ị r^

. 1_____ J

Hình 6-2. Mạch ổn áp tham sô' đơn giản

R. = — ; vì Rị < r, nên điện áp ra ' 1 + ß

của mạch ổn áp ít phụ thuộc vào R,.* Mạch ổn áp tham sô (hình 6-3)

Phần tử điều chỉnh có điện trở thay đổi theo điện áp điều khiển được mắc nối tiếp với tải R,.

là điện áp chuẩn, thưcmg sử dụng điốt ổn áp có = const.

uđc’

ư, So sánh

u I TuM

Hỉnh 6-3. Sđ đồ khối mạch ổn áp ữiam số

153



Um là điện áp mẫu, tỷ lệ với điện áp ra Uj.Bộ so sánh: so sánh điện áp mẫu Um và điện áp chuẩn và khuếch đại

lên, tạo ra điện áp điều khiển Uji,.Điện áp Ut có thể viết:

U, = U , - U , , = U,-I .r, ,Trong đó là điện trở của phần tử điều chỉnh phụ thuộc vào Ud,,. Nếu

vì nguyên nhân hào đó mà u, tăng u, cũng có xu thế tăng và u t - > (ƯM- U J f làm cho và kết quả là Uj^t, cuối cùng U, = U|— u<ị<. được giữ ổn định.

Hình 6-4 là mạch điện nguyên lý ổn áp tham số dùng transistor.

Từ sơ đồ mạch điện suy ra

Ir3 “ B1

U,U m - R, +R , • 2 — ^BE2

Điện áp ra được xác định theo biểu thức:

u , + u „ p ,U 2 = ^ - Í ^ ( R 2 + R, ) = (U, +

Hình 6-4. Sơ đồ nguyên lý mạch ồn áp tham sô'

R

Ra

Có thể tính gần đúng u, « u

Nếu thay đổi tỷ' số

/ \ 11 +

\ R,

^ 2 )

RR.

thì có thể điều chỉnh

được điện áp ra Uj.* Mựcỉ ổn áp

dùng ỈC thuậĩ toánThay ch' transistor

T, trong hình 6-4 có thể dùng IC t' 'lật toán đồng tbM làm hiệm vụ

V /U,

IC<

R R

Hinh 6-5. Mạrh ổn áp dùng IC thuật toán

U,

154



so sánh và khuếch đại để tạo điện áp điều khiển Udi, như hình 6-5.

Điện áp U2 được xác định theo công thức

u , « ụR,

= u.R

, v2 J

7805 •+5V

Tliay đổi trị số R, và R, có thay đổi được điện áp ra u ,.

* M ạch IC ổn áp

IC ổn áp có hai loại: Loại không điều chỉnh được điện áp ra và loại có

thể điều chỉnh được điện áp ra.

- Loại IC ổn áp không điều chỉnh được

điện áp ra thông thường có 3 chân. Muốn

nguồn ổn áp bao nhiêu vôn thì cần chọn loại

IC ổn áp thích hợp. Hình 6-6 là ví dụ IC ổn áp

họ 78XX.

- Loại IC ổn áp có thể điều chỉnh được điện áp ra, ví dụ IC LM ! 17

hoặc LM 317 (hình 6-7).

Trường hợp lý tưởng, dòng bổ sung Iadj = 0, điện áp ra được xác định

theo biểu thức

Hình 6-6. IC ổn áp có điện áp

ra cố định

u . = u..R

,vI J

Trong đó: là điện áp chuẩn

bên trong IC và được đặt vào điện trở■ u ,

R|, khi đó tạo ra dòng^1

điện áp u,h thường là 1,25V. Tụ c có

trị số khoảng lp,F dùng để cải thiện

đặc tuyến ra. Trong trường hợp thực,

tồn tại dòng bổ sung I DI dù rất nhỏ,

LM317

'IAD J

ị R.U-

1

Hình 6-7. IC ổn áp điều chỉnh được điện áp ra

155



khi đó qua Rj có hai dòng điện chạy qua và điện áp ra được xác định.

Ua=U,H Rỉ y

Như vậy có thể điều chỉnh điện áp U2 bằng cách thay đổi trị số R,.

Điện áp chưa ổn định ư| phải lớn hơn Ư2 vài vôn.

6.2. PHẦN BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢi

(1^ Bài tập 6-1. Một nguồn điện một chiều, khi chưa có tải điện áp là 12V.

Khi có tải điện áp sụt xuống còn lOV. Tĩnh độ mất ổn định điện áp.

Bài giải

Độ mất ổn định điện áp

AU = U o - U , = 1 2 - 1 0 = 2V

Trong đó; Uo là điệứ áp khi hở tải

U, là điện áp khi có tải.

Hệ số mất ổn định điện áp

^ 100% = 20%ưt 10

(1^ Bài tập 6-2. Cho mạch ổn áp dùng điốt zener như hình 6-8.

Biết U, = 20V

U, = U, = 6V

Dòng = 30mA

R = 400Q

Đặc tuyến điốt ổn áp như hình 6-8b. Xác định phạm vi R, để mạch làm

việc trong dải ổn áp.

156



a)

Hinh 6-8

b)

Bài giải

- Khi R, có trị số nhỏ nhất, dòng I, lớn nhất và dòng nhỏ nhất.

Iz = zmin = omA (căn cứ vào đặc tuyến)

Điện áp trên tải:

U| o _ _ r» u R.u. = u, = — — R, . . Suy ra R, . =' P j - P u ,-u

Thay số R, . = = 171,4Q20-6

- Khi R, =

Ur = ư , - U , = 2 0 - 6 = 14V

Dòng qua R, L = = 35mA" R 400

Dòng qua R, có giá trị nhỏ nhất

I. = I,mi„ = I r - lanax = 35mA - 30mA = 5mA

Suy ra R, = ^ = 1,2kOtmin

157



Bài tập 6- 3. Cho mạch ổn áp như hình 6-9. Biết u, = I2V; Ư2 = 9V

Dòng Ij, = 25mAXác định điện trờ bù R.

Bài giải

Vì điện trở bù R và điốt zerer mắc nối tiếp nên dòng Ir = I;,

Ur = IrR = I,R = u , - U, = u , - u

Hinh 6-9

I 25.10 -3

(2^ Bài tập 6-4. Cho mạch ổn áp như hình 6-10

Biếtu = 12V

Mr. V t

‘E

ị i RE ị iu.

D R. R.

I

Điện trở động của điốt ổn áp r, = 7Q Ri^ị lR, = 390Q U

Re= 12kQ

R, = 240Q

U, = 20V khi hở tải R, = co HỊnh 6-10

U, = 18V khi có tải và dòngtải = 5O1Ĩ1A

Hệ số khuếch đại tĩnh của transistor p = 50

Thiên áp Uj,E = 0,6Va) Vẽ'các dòng điện chạy trong mạch.b) Tính dòng qua điốt l hi hở tải và khi có tải.

Bài giải

a) Chiều và ký hiệu các dòng điện được thể hiện trong sơ đồ hình 6-10.b) Tính dòng I, khi hở tải (R, = co, I, = 0)

Ube = IeRe = U. - ưbe = 12V - 0,6V = 11,4V

158



Suy ra L = ^ L H be ^ ^ Q 95mA Rg 12.10^

Dòng I = - i - = - ^ ^ = 18,6.10“ A = 18,6uA ® 1 + ß 1 + 50 ^

Dòng Ic = ßls = 50.18,6. lO' A = 0,93mA- Điện áp sụt trên điện trở R|

Ur, = U , - U , = 2 0 - 1 2 = 8V

- Dòng điên qua R, ^ L, = ^ = — = 20,5mAë V M 1 R' 390

- Dòng điện qua điốt ổn áp

= Ij^, - 1 3 = 2 0 , 5 - 0 , 0 1 8 = 2 0 , 4 8 m A

* K hi có tải R, = 2 4 0 0

Dòng điện qua R|

r U, 12 12I = 4. 4. _1IL 5 Re R, 12.10' 240

Dòng bazơ L = - i - = .........= ImA® 1+ß 1+50

Dòng qua điên trở R.; L, = ^ = 15,38mA6 4 V . R,

Dòng qua D,: I, = Ir, - Iß = 15,38 - 1 = 14,38mA

{2^ Bài tập 6-5. Đề lặp lại bài 6-4.

a) Khi điện áp U| thay đổi 10%, xác định độ mất ổn định đường dấf

K,, = ^ 100%đđ y

b) Xác định độ mất ổn định tải K, = 100% khi đóng và ngắt tải.

Bài giải

a) Độ mất ổn định điện áp Uị khi biến thiên 10% là

159



AU,= 10%u, = 10%.20 = 2VAU| sẽ gây ra biến thiên dòng điện trên điện trở Rị là AI

AL. = ^ = — = 5,128mA

RI

^ R, 390

Dòng điện này coi như đi qua Độ mất ổn định tuyệt đối của điện áp ra AƯ2 tỷ lệ với AU,.

AU, = AI,.r, = AIri.ĩ, = 5,128.1017 = 35,89mV « 36mV

Độ mất ổn định đường dây

k „ = 4 Ị = 2 Ị ! Ọ 1 , 0 0 % = 0 , 3 %" u. 12b) Độ mất ổn định tải K,

Khi I, = 0; I, = 20,48mA

Khi 1, = 50mA; I, = 14,38mA

Sự sai iệch dòng qua

AI, = 20,48 - 14,38 = 6,lmA

AƯ2 = AU, = AI,r, = 6,1.7= 42,7mV

Độ mất ổn định tải

K, = :^ 1 0 0 % = ' U.

42,7.1012

-3

100% = 0,356%

Bài tập 6-6. Cho mạch ổn áp tham số như hình 6-11. Biết:

U, = 6V

U, = 18V

Ư3e = 0,5V

R, = ìOkQ; R2 = lOkQ; Rp = 5,6kQ; R3 = 560a

a) Vẽ dòng điện chạy trong mạch.

Hình 6-11

160



Bài giải

a) Dòng điện một chiều trong mạch được ký hiệu và chỉ trong sơ đồ , hình 6-11. Dòng Ie, chính là dòng tải I,.

b) Điện áp ra Ư2 được xác định theo biểu thức

R '

b) Xác định phạrri vi điều chỉnh điện áp ra.

u , = ( U , + U , , ) 1+R

Trorig đó Rị và Rj là điện trở nhánh trên và nhánh dưới củầ phân áp.

- Nếu con chạy cùa chiết áp ở vị ữí a, điện áp ra sẽ nhỏ nhất:

Ư2.in=(U.+Ư3,) 1 + R, = (.6 + 0,5) 110+5,6;

= 10,66V

Nếu con chạy của chiết áp Rp ở vị trí b, điện áp ra sẽ đạt giá trị cực đm:

10 + 5,6^ị^.R,+RpR

= (6+0,5) 1 + = 16,64V

Bài tập 6-7. Đề lặp lại bài 6-6 .

a) Hãy xác định trị số biến trở Rp để điện áp có thể điều chỉnh nhỏ nhất là 8V.

b) Tính điện áp ra cực đại trong trưòng hợp đó.

Bàỉ giải

a) Điện áp ra nhỏ nhất được xác định theo biểu thức.

R.=6,5 1 + = 8V

1 + — = » - ỉ i ------ -5—1=0.2307Rp4"R2 6,5 Rp+R2 6,5

0,2307 Ra =10

0,230T10 = 33,346ka

11-2SOBTKTOlệNTỬ-A 161



b) Khi đó Uramax

U 3. .= ( U ,+ U „ ,)BE R

= (6 + 0,5) 1 410+33,346

10= 34,67V

Bàl tập 6-8. Cho mạch ổn áp dùng điốt zener như hình 6-12

Yêu cầu điện áp ổn địnhcần lấy ra trên R, là Ư2 = 12V.

- Điện áp chưa ổn định U, = 18V.

Điốt zener có = 6V, và dòng = 25mA.

a) Xác định ùị số Rị cần ửiiết.

.b) Tính trị số Rn và R|.

IrN---- +u. wi

í

Bài giải

a) Dòng điện chạy trong mạch được chỉ trong sơ đồ 6- 12 .

Nếu IC thuật toán là lý tưởng, thì đòng Ip = 0

Hình 6-12

Do vậyI 25.10“

b) Để xác định điện trở Rn và R„ có thể coi đây là bộ KĐTT thuận với yêu cầu:

Nếu Uv = Uo = U , = 6V thì u„ = U , = 12V

R,Vậy

Suy ra

Ua = 1 + ■N

RU

— ^ 2 = — — l = ỊR. U, 6

và Rn = R|Nếu Rị chọn bằng 20kQ thì Rn = 20 kQ.

162 11.250BTKTĐIỆNTỬB



Bài tập 6-9. Cho mạch ổn áp tham số dùng IC thuật toán như hình 6-13. Biết: R, = 3 9 0 0

= 5,6kO

Rj = 5,6kQ

R4 = 4,7kO u, = 20V

U, = 6V

r, = 7Q

a) Phân tích nguyên lý hoạt động của mạch ổn áp.

b) Xác định điện áp ra cực đại và cực tiểu khi điều chỉnh R4.

Hình 6-13

Bài giải

a) Bộ phân áp Rj, R 3, R4 tạo điện áp mẫu ƯM tỷ lệ với điện áp ra Ư2 và được đưa vào cửa N để so sánh vcd điện áp chuẩn do điốt zener tạo ra, sai lệch điện áp Uj = Up — ƯN được khuếch đại lên và đưa vào điều khiển transistor T làm cho điện trở TcE của transistor thay đổi theo nguyên lý, nếu U2 có xu thế tăng lên thì điện trở fcE của T điều chỉnh cũng tăng và nếu Ư 2 có xu thế giảm thì ĨCE của T cũng giảm, mà Ư2 = Uị — nên Ư2 được giữ ổn định.

b) Điện áp ra cực đại khi con chạy chiết áp R 4 ỏ vị trí b

u, =u2max •Í ,^ R , + R .ì = 6

r 5,6 + 4 ,7 ^

R. J 5,6 J= 17V

- Điện áp ra cực tiểu khi con chạy của chiết áp R 4 ỏ vị trí a

R,R3 + R4 y

= 6 1 +5,6

5,6 + 4 ,7j= 9,26V

(2^ Bài tập 6-10. Đề bài lặp lại bài 6r9 Nếu hở tải (R, = 00) thì u, = 21V Nếu có tải R, = 390Q thì u, = 20V và I, = 50mA

Ị.63



a) Xác định độ mất ổn định đường dây khi U| thay đổi trong phạm vi 10 %.

b) Xác định độ mất ổn định tải khi đóng và ngắt tải.

Bài giải

a) Độ mất ổn định đường dây

K., = - ^ 100%U,

Khi U, thay đổi 10% -> AU, = 10%u, = 10% 20V = 2V

AU, sẽ làm thay đổi dòng qua

AI, = AI„ = = — = 5,128mAR, 390

Biến thiên AU, = AI,.r, = 5,128.10-\7 = 35,89mV

Cuối cùng tính được độ mất ổn định

^ _ AU, 35,89.10 -3

100% = 0,598%u. 6zb) Tính độ mất ổn định tải

Khi hở tải, dòng qua

1 = — - = —----= 38,46mAR, 390

Khi có tải:

I . = i i ^ = 2 2 z Ì = 35.89mA ' R, 390

Biến thiên dòng

AI, = 38,46 - 35,89 = 2,57mA

Biến thiên điện áp ra AƯ2 = AU = Al .r = 2,57.10'^.7 = 17,99mV

AU 17 99 10", K, = ^ 1 0 0 % = i / ’. :i .V...ioo% = 0 ,299%' u ; ' 6 '

164



( 0 ) Bài tập 6-11. Cho mạch ổn áp song song đơn giản như hình 6-i4. Biết:D — innr^*R, = lOOQ

R,= 1200 U, = 9V

Uhe = 0,6V p = 50

a) Vẽ các dòng điện trong mạch.

Phân tích nguỵên lý ổn áp.

b) Xác định điện áp Uj và các dòng điện I,, I,.

L D ịU, R.

Hình 6-14

Bài giải

a) Điện áp một chiều U| chưa ổn áp, còn điện áp Ư2 có thể coi như ổn định

Ư2 = U, + Ube * u, = const (vì u, » ư|5p)Nếu U| biến thiên thì điện áp trên điện trỏ là là U rs cũng biến thiên

và Uị được giữ nguyên.

Dòng điện chạy trong mạch như chỉ dẫn trong sơ đồ hình 6-14.b) Điện áp trên R, được coi là ổn định

U, = ư, + UgE = 9 + 0,6 = 9,6V - Dòng điện trên R,

I, = ^ = — = 0,08A = 80mA ' R. 120

- Dòng Is qua điện trò Rs

U ,, ư , - u 2 0 -9 ,6R, Rs 100

= 104mA

- Dòng (Ic + Ig) — Is I,

50 Ib + Ib = Is- I . - > 5 1 I b = Is -I . 104-80

SuyraI„ = I , . ^ = 0,47mA51 51

Ic = PIb = 50.0,47 = 23,53mA

165



^ Bài tập 6-12, Mậch IC ổn áp LM 317 như hình 6-15.

Biết R. = 240QR, = 240Q Ra = 3kQU,h = U „ = 1,25V

Dòng bổ sung Iadj = 25 .AHãy xác định điện áp ra Ư2 trong trường hợp:a) Tính đến dòngb) Không tính đến dòng I adj-

Bài giải

a) Điện áp ra khi tính đến dòng Iadj

ị LM317 I

ADJ Rl 'i<u, _1L1]1 | r , :

------ 1+-\ụ.F-

1

Hình 6-15

R+ 1 01-^2 = 1.25 1 +

b) Khi không tính đến dòng Iadj

= 1,25

3.10^240

+ 25.10-^.3.10^ =16,95V

3.10^ = 16,875V“ 1 R, 1 240\ I / V /

Sai số giữa IC thực và lý tưởng

AƯ2 = 16,95 - 16,875 = 0,075V = 75mV

(20^ Bài tập 6-13. Đề lặp lại bài 6-12. Nhưng nếu thay điện trở R2 bằng chiết áp có trị số R2„in = IkQ; R2max = 4,7kO.

a) Hãy xác định phạm vi điều chỉnh điện áp ra U2.b) Nếu dòng bổ sung cực đại ỈADimax = 100p.A. Hãy xác định sai số điện áp ra giữa IC thực và lý tưởng.

Bàỉgỉải

a) Điện áp ra cực tiểu

' R= 125 2mm

= 1,25 1 +240

= 6,458V

Điện áp cực đại

166



Ị ^ ^2tnaxR

= 1,25240

= 25,73V

Phạm vi điều chỉnh điện áp Ư2 từ 6,458V đến 25,73Vb) Trưcmg hợp tính đến dòng Iadj = lOOịxA

Ư2„i„= 1,251 J

Điện áp ra

1+ 10'240

+ 100.10-^.10'= 6 ,558V

ư ,„ .= 1 .2 5

1,25 1 +4,7.10

ADJ ‘ amax

240+ 100.10-^.4,7.10^ =26,2V

a) Hãy xác định trị số điện trở Rj, Rj.b) Muốn điều chỉnh điện áp Ư2 xuống còn 8 V, xác định điện trở Rj cần thay thế.

Bài giải

a) Nếu bỏ qua Iadj (coi IC ổn áp là lý tưởng) thì điện áp ra Ư2 được xác định qua R| và Rị theo biểu thức.

/- _ \

^2U, = 1,25

12 = 1,25

1 + -^ R .

V R .yR, 12R, 1,25

- 1 ->R 2 =12

1,25 ).R

R2 = 8,6R|Nếu R, = 240Q thì R, = 8,6.240 = 2,064kQ

167



b) Nếu Ư2 = 8V

u , = l,25RI J

/

1 ^ R 2 =

= 8V

8

u ,2 5-1 .R.

R, 1,25

Rj = 5,4 R ,. Nếu R, = 240Q thì Rj = 5,4.240 = 1296Q = l,296kQ

( 0 Bài tập 6-15. Cho mạch IC ổn áp LM 317 như hình 6-16. BiếtR, = Rj = = 2400Q

R4 = 2400QR5 = 240Q ;U,h=1.25V

T„ T2, T3 làm việc ở chế độ khoá (tắt, mở) bởi xung điềukhiển Xị, X2, X3.

Nếu X = +5V mức 1 thì ữansistor thồng, r(3 = 0

Nếu X = o v đủ ựansistor tắt, ĨCE = 00. Bỏ qua dòng Iad,.

Xác định điện áp ra Ư2 trong các trường hợp sau.a )X ,= X 2 = X3 = 0

b) X , = X 2 = 0; X 3 = 1

c) X , = X2 = X3= 1

Hình 6-16

Bài giải

a) Trường hợp X| = X2 = X3 = 0, cả ba transistor đều ở trạng thái khoá*

(fcE = 00) điện trở nhánih dưới phân áp Rp chính là R4 khi đó điện áp ra.

U2=1,25 1 + RpR,

= 1,25 1 +2400 240 )

= 13,75V

b) Trường hợp X ị = = 0; X3 = 1; T|, T2 tắt, T3 thông.

168



_ « //n _ R3R4 _ 2400.2400Khi đó Rp = RJ/Ra = —. '-r ..= — ——------— = l,2kQR 3 + R , 2400 + 2400

U , = 1,25 1 + ^R.y

= 1,25 1 + 1200 240 j

= 7,5V

c) TrưỀmg hợp X| = X2 = Xj = 1 cả ba transistor đều thông.

Khi đóR^ = R Ự /R :J/R J/R ,

R ,//R 2 =

R3//R4 =

24002

2400

= 12000

= 1200Q

1200R, // R 2 // R 3 // R 4 = = 600Q

ư ,= l ,2 5R

= 1,25 240J= 4,375V

Bài tập 6-16. Đề lặp lại bài 6-15, với trị số các điện trở là:

R, = ỉkCl; R2 = 2kO; R 3 = 3kQ; R4 = 2,4kQ

Hãy xác định ra cho các trường sau:

X, X2 X3

a) 0 0 1

b) 0 1 0

c) 0 1 1

d) l 1 1

a) Trưòng hợp X = 001, Xj = 1 -> T3 thông, khi đó điện trở nhánh dưới Rp

R = R 3 / /R , = -M i - = = l,333kQ” ' R 3 + R , 3 + 2,4

Điện áp Ư2 = 1,25R.

= 1,251.333^240 ,

= 8,192V

169



b) Trường hợp X = 010. X, = 0; X2 = 1; Xj = o

T, thông, T| và T3 tắt

Khi đó R _ M 4 _ = l,09kO” R2 +R 4 2 + 2,4

u , =1,25 1 +R

= 1,25 1 + 1090 240 J

= 6,927V

c) Trường hợp X = 011 -> T| tắt Tj và Tj thông

R = //R j //R , = -------- EiM ị --------= -------------------------” ' ' ' RjRj+RjR^+R.R^ 2.3+ 3 .2 ,4+ 2,4.2

= 0,8kQ = 800Q

800^u,=l,25R

= 1,25 1 + 240J= 5,416V

d) Trường hợp X =111 -> X, = 1; = 1; X3 = 1

T „ T 2 v à T 3 đ ề u t h ô n g . K h i đ ó R p = R , / / R 2/ / R 3/ / R 4

1 1 1 1 1 1 1 1 1

R “ R, ^ R, ^ R, ^ R “ IkQ ^ 2kQ ^ 3kQ ^ 2,4kQ■p --I *'2 *'3

1 1= 2,25 ^ R = - ^ = 0,444kQ R„ 2,25

Điện áp u , = 1,25 Rpì 444^1 + = 1,25

240j= 3,56V

Cuối cùng cổ thể thiết lập điện áp U2 ứng với tín hiệu số đầu vào điều khiểh transistor.

X U2

000 13J5V

001 8,19V

01 0 6,927V

01 1 5,416V

1 1 1 3,56V

170



@ Bài tập 6-17. Cho mạch IC ổn áp LMl 17 như hình 6-17. Biết

R, = 240n

Rch=l,25V

R, = IkQ

Biến trô R3 = 0 -4- 3,3kfìi- Bỏ qua dòng Iad,-a) Xác định phạm vi điều chỉnh Ư2 nhờ biến trở Rj.

b) Như câu a nhưng nếu tính đến dòng Ia0j = 50fiA.

Bài giải

a) Xác định phạm vi điều chỉnh Ư2 khi bỏ qua Iadj

- Điện áp ra nhỏ nhất ứng với vị trí a của con chạy biến trở R3 .

ư 2.i„=1,25R

= 1,25 1 +1000 = 6,458V

- Điện áp Ư2 lớn nhất ứng ^ới vị trí b của con chạy R;

U = ư ,_ = l , 2 5ramax 2max R

= 1,25 = 23,64V0,24 J

Phạm vi điều chỉnh Ư2 từ 6,458V đến 23,64V

b) Trường hc^ tính đến Iadj/* \

1 +R

= 1,25 1 +1000240 J+ 50.10-^.10^=6,506V

171



u , .„ = l ,2 5 l + ẵ l l ỉ lR

= 1,2510^+3.3.10^

240+ 50.10-^ (10^+3,3.100 = 23,855V

( 0 ) Băi tập 6-18. Hãy thiết kế mạch ổn áp dùng IC LMl 17 (hình 6-17) với R3 = 0; để có điện áp ra Ư2 ổn định 24V từ nguồn một chiều không ổn địnhlàSOV.

a) Hãy xác định trị số Rj, R, cần thiết.

b) Nếu dòng Iadj = lOOfxA hãy xác định sai sô'do dòng này gây ra.

Bài giải

a) Từ biểu thức

R1+ _

R ...1,25. Suy ra

< u .1,25 1,25 R.

TTiay số Rj = 11.25 )

b) Nếu tính đến dòng I DJ

.240 = 4368n = 4,368kQ

u, =0,125R ,.

+ I.rM -RADJ ‘*'2

= 0,125 1 + 4368240

Sai số 24,368 - 24 = 0,368V0,368

= 100.10-^.4,368 = 24,4368V

hay24

100% = 1,53%

172



Chương 7

MẠCH DAO ĐỘNG


Các mạch dao động hiện nay được chia ra mạch dao động điều hoà hình sin, mạch tạo xung các dạng khác nhau (xung vuông, chữ nhật, răng cưa, tam giác...) và các mạch tạo tín hiệu điều chế (AM, FM).

Trong phần này chủ yếu xét mạch dao động điều hoà là loại mạch dao động được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống thông tin, các thiết bị đo lưồmg kiểm tra và trong các thiết bị điện tử dân dụng, y tế.

Để tạo mạch dao động điều hoà thường sử dụng mạch khuếch đại tự kích nhờ hồi tiếp dương. Mạch dao động điều hoà có thể làm việc trong khoảng tần số từ vài Hz đến hàng nghìn MHz.

Hình 7-1 là sơ đổ khối mô tả mạch daođộng điều hoà, đây là mạch khuếch đại đầu ra K ----- ^

nối với đầu vào qua mạch hồi tiếp dương.

Điều kiện dao động của mạch: .... Kne ------ '

Hình 7-1. Tạo dao động điều hoà bằng hổi tiếp dương

K.Kh, = 1 (điều kiện biên độ)

Ọk + 9 ht = 2ri7i (điều kiện pha)

Trong đó K - hệ số khuếch đại khi chưa có hồi tiếp;

K|,, - hệ số truyền đạt hồi tiếp;

(Pi( - góc lệch pha của bản thân mạch khuếch đại;

(Ph, - góc lệch pha của mạch hồi tiếp.

Nếu đảm bảo cả hai điều kiện trên thì sẽ có dao động điều hoà.

173



Sơ đổ gọi là mạch dao động ba điểm điện dung vì dùng tụ điện C| và c, để phân áp và lấy một phần điện áp trên C2 hồi tiếp về đầu vào.

Điều kiện pha

* Mạch dao động ha điểm điện dung (hình 7-2a)

X be = coC--<0

XcE= - — <0(ữC

XcB = ®L > 0Lý thuyết đã chứng minh mạch thoả mãn điều kiện cân bằng pha, có

hồi tiếp dưofng.

Điều kiện biên độ:

KXh, > 1

Trong đó: K là hệ số khuếch đại của tầng mắc theo sơ đồ ECK«--Ễ_ R

%E

Kh, là hệ số truyền đạt hồi tiếp.

72.

b)

Hình 7-2. Mạch dao động ba điểm điện dung (a) và ba điểm điện cảm (b)

TTioả mãn điều kiện pha và biên độ sẽ có dao động điều hoà hình sin, tần số dao động được xác định theo biểu thức:

174



f d d = ^ = — ,Hz2„ L _ ^ l ^

V C1 +C2

Trong đó c tính bằng Fara;

L tính bằng Henri.

Để thay đổi tần số dao động có thể thay đổi điện cảm L hay điện dung C|, C2 nhưng trong trường hợp này tiện lợi hofn là thay đổi trị số L.

* Mạch dao động ha điểm điện cẩm (hình 7-2b)

Mạch này chỉ khác mạch dao động ba điểm điện dung ở chỗ mạch phân áp để tạo điện áp hồi tiếp dùng hai điện cảm L| và L2Ỉ điện áp cuộn L2 được đưa về hồi tiếp.

Điều kiện pha Xị,g = cùL, > 0

“ coỉ-/| ^ 0

X c . = - 4 : < 0coC

Lý thuyết đã chứng minh thoả mãn điều kiện cân bằng pha vầ có hồi tiếp dưcfng.

Điều kiện biên độ: K.K|,, > 1Nếu thoả mãn cả hai điều kiện trên, mạch sẽ dao động và tạo ra dao

động điều hoà hình sin.*”Tần số dao động được xác định theo biểu thức:

L . = ----- _ J = = _ , H z2nẬLị+L2)C

Để thay đổi tần số dao động ở đây thuận tiện là thay đổi trị số điện dung c.

* Mạch dao động R-C di pha (hình 7-3)Mạch dao động R-C thích hợp tạo dao động ở tần số thấp; mạch có thể

dùng linh kiện rời rạc transistor hay dùng IC thuật toán.ở đây các mắt lọc R-C dùng để di pha và chọn lọc tần số, thưcmg dùng

hofn cả là 3 mắt lọc R-C.»

Điều kiện pha; Vì mạch khuếch đại thuật toán là khuếch đại đảo nên để» A • • • •

có hồi tiếp dưcmg thì mạch hồi tiếp gồm ba mắt lọc R-C phải lệch pha thêm

175



một góc (Pht = 180°. Nếu dùng ba mắt lọc R-C giống nhau thì mỗi mắt lọc R-C phải lệch pha (Pht = 60°.

Lý thuyết đã chứng minh rằng để thoả mãn điều kiện pha thì

10) =

S r c

Kh.=

2 n S R .Cvà khi đó

29 Hình 7-3. Mạch dao động R-C di pha

- Để đảm bảo điều kiện biên

đô K.Kị,, > 1 suy ra K > - ^ = 2 9 .Kht

Trong đó K là hệ số khuếch đại của mạch khuếch đại đảo

K = 2 9 = -^ vàRN = 29R,.

1

Khi đó tần số dao động.*

* Mạch dao động cầu WienMạch dao động cầu Wien là

mạch đao động R-C dùng mạch cầu Wien làm mạch hồi tiếp từ đầu ra về đầu vào (hình 7-4).

Điều kiện cân bằng pha: vì mạch hồi tiếp đưa về đầu vào thuận nên đổ có hồi tiếp dương thì góc lệch pha

(Ph, = 0 và khi đó co = — . Suy ra tầnRC

SỐ chọn lọc f = — và Kh, = - .2tcRC 3

Điều kiện cân bằng biên độ:

,Hz

176



K.Kị,, > I. Suy ra K = 3 và Kị,((-).=— — = - do vậy Rn = 2R|.R ị -f 3

7.2. PHẦN BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢí

(2^ Bài tập 7-1. Cho mạch dao động ba điểm điện dung (hình 7-2a). ớiả thiết mạch đảm bảo điều kiện pha và biên độ.

a) Nếu biết điện cảm L = 0,4mH, điện dung tưcttg đương

c = = 0,1 . Hãy xác đinh tần số dao đông.C ị + C 2

b) Nếu giả thiết c = = o', 47 |iF ■ Hãy xác đinh điên cảm L cầnC1+C2 ■ •

thiết để tạo mạch dao động ở tần số 8000 Hz.

Bài giải

a) Tần số dao động được xác định theo biểu thức:1

fdđ -2n

'iL. C1C2

Cị +C2

ídđ =

Thay số vào ta được

---------, = 25,19kHz2 .3 ,14V0,4.10'^.0,1.10'^

b) Từ biểu thức trên suy ra

L = — Ụ . =------- ^ -----L _ ------- ^ = 6,74mH(2 7 tf)^C (2 .3 ,1 4 r (8 0 0 0 r .0 ,4 7 .1 0 ‘ ‘’

( í ĩ ặ Bài tâp 7-2. Đề lăp lai bài 7-1. Nếu biết c = --?- - ^- = l^iF, điên cảm L V— y Cị + C2

có thể điều chỉnh từ 0,5mH đến l,5mH. Hãy xác định phạm vi thay đổi tần số dao động.

Bài giải

Tần số dao động cực tiểu úììg với trị số L„ax

12- 2S0BTKTĐIỆNTỬ - A 177



tnin “2n C1C2

C| +ÇL„.max

= --------- i .-............ =4111.4 Hz2.3,14V10'^1,5,10'-'*

Tần số dao động cực đại ứng với trị số L„j„.

1max

2ti rn %c, +c min

_________ Ị________

2.3,14>/l0’ 0,5.10'^= 7120Hz

Bài tập 7-3. Cho mạch dao động ba điểm điện cảm như hình 7-2b. Giả sử mạch đảm bảo điều kiện biên độ và pha.

a) Nếu biết L = L| + = 0,1 mH,, tụ c = 0,47^F. Hãy xác định tần sốdao động.b) Nếu L = Lị + L2 = 0,1 mH. Hãy xác định khoảng biến thiên của tụ c để mạch dao động từ tần số 12kHz đến 160kHz.

Bài giải

a) Tần số dao động được xác định theo biểu thức:

f = — ị = =--------------J---------------- = 23,376 kHz2WL.C 2.3,14V0,1.10*^0,47.10'^

b) Tần số dao động cực tiểu f„¡„ ứng với trị số cực đại cùa tụ điện

minn2

Thay số ta được ~ 1>-3‘

1

0,1.10

tần SỐ dao động cực đại ứng với trị số c„i„.

1

= l,76^iF

f_ = max 2ltyịĩ~cSuy ra =

min 2% y

Thay số c^:_ = = 9,9.10-^F = 9,9nF.

/21^ Bài tập 7-4. Cho mạch dao động R-C di pha như hình 7-5 dưới đây.Biết R = R, = 10kfì

178 12- 250BTKTĐIẺNTỬ - B



Hình 7-5. Mạch dao động R-C di pha

C = 0,01^iF

Rp= lOkQ

a) Xác định tần sô' dao động của mạch.

b) Tính trị số cần thiết của R .

Bài giải

a) Xác định tẩn số dao động

f = ---- =— =----------=— ỉ—1----------- ^ = 650,2Hz27ĩn/6RC 2.3,14.V6.10.10^.0,01.10'^

b) Để mạch dao động phải đảm bảo điều kiện biên độ.

Đã biết để đảm bảo điều kiện pha 9 |,( = 180° thì Kị,ị = — .

Điều kiên biên đô K.Kj,, = 1. Suy ra K = ^ —=29K:ht

Mặt khác K=^ . Suy ra Rn = 29R, = 29.10 = 290kQ ^1

(2^ Bài tập 7-5. Hãy thiết kế mạch dao động R-C di pha dùng IC thuật toán để có tần số dao động 2kHz.

Biết trị số tụ điện c trong các mắt lọc R-C là như nhau và được chọn bằng 0,0 l|iF.

Bài giải

a) Mạch dao động R-C di pha 3 khâu RC được thiết kế như hình 7-5. Trước hết xác định trị số R của mắt lọc R-C.

Từ biểu thức tần số dao động

f =2it>/6R.C

Suy ra R =2jtN/6C.f

thay số vào ta được

R =2.3,14.n/6.0,01.10"^2.10^

= 325 in = 3,25 IkQ

179



lấy điện trở chuẩn R = 3,3kQ

Điện trở R, cùng có trị số bằng R.

b)TínhRf,

Để đảm bảo điều kiện biên độ đã xác định được hệ số truyền đạt của

mạch hồi tiếp Kh, = ^• 29

Điều kiên biên đô K.Kị,, = 1. Suy ra K -— = 29

K là hệ số khuếch đại của mạch IC thuật toán• • • •

= 29 ^ Rn = 29R, = 29.3,25IkQ = 94,279kQ

Rn = 94,279kQ

Xác định lại tần số dao động, úng với các trị số điện ữở chọn theo tiêu chuẩn.

---- ^ ^ = 1970Hz27tV6R.C 2.3,14.V6.3,3.10^0,10.10“^

(2^ Bài tập 7-6. Cho mạch dao động R-C di pha 3 khâu như hình 7-5. Nếu biết điện trở R = lOkQ.

a) Hãy xác định trị số tụ c của mắt lọc R-C để mạch dao động ở tần số 2500Hz

b) Tính trị số điện trở R .

c) Nếu thay đổi đồng trục cả ba điện trở R từ 4,7kQ đến 20kQ. Hãy xác định phạm vi thay đổi tần số.

Bài giải

a) Từ biểu thức f = -— ịL_ - Suy ra c = - ^27Ta/ 6R .C 27tN/6Rf

Thay số ta được

c = --------- = J-----r------ -2,6.10“^=2,6nF2.3,14.V6.10.10l2500

b) Để đảm bảo điều kiện biên độ thì hệ số khuếch đại k = 29

180



c) Khi = 20k0 tần số dao động đạt giá trị cực tiểu

fmin = ---- ------------= ------- E— ^ ---------15- = ỉ250Hz = 1,25kHz2jt>/6Rn,ax -C 2.3,14.^/6.20.10 .2,6.10"

Khi R = R„|„ = 4,7kQ tần số dao động đạt giá trị cực đại

fmax = ---- -----------= ----- :..----------------------:;3- = 5320Hz = 5.32kHz27tN/6R„i„.C 2.3,14. /6.4,7.10 .2,6.10"^

K = B ỉi = 29 -> Rn = 29 R, = 29 R = 29.10kQ = 290kQ.

Bài tập 7-7. Tính toán một mạch dao động R-C di pha ba khâu dùng FET(hinh7-6).

Biết; hỗ dẫn của FET 8mA

Sm (8mS); điện trởV

cực máng - nguồn = 50kQ. Điện trỏ mắt

lọc R = 20k0.

a) Xác định trị số tụ c để mạch dao động ở tần số 500Hz.

b) Tính trị số điện trở Ro-Hình 7-6. Mạch dao động R-C di pha dùng FET

Bài giải

a) Từ biểu thức tính tần số dao động

f = — i —— Suy ra c = — Ị=— 2itV6 R.C 2jĩV6Rf

ITiay số vào ta được

’ -6,510’^F = 6,5nF2.3,14.n/6.20.!0^500

b) Để xác định điện ừở Rq, trước hết xét điều kiện biên độ.

Để có dao động điều hoà K > 29; ở đây có thể chọn K = 50.

181



R rKhi đó K = gm-R., trong đó R_ = — là tải xoay chiều của tầng

khuếch đại.♦

R . , ^ , ^ D ^ S u y r a R „ = J ^ẽm *ds êm*ds ^

Thay số vào ta được

R d =50.50.10^

8.10"^50.10^-50= 7,140kQ

(22^ Bài tập 7-8. Cho mạch dao động R-C di pha 3 khâu dùng transistor như hình 7-7. Biết R =10kQ,C = 0,01|aF.

Hệ sô' khuếch đại p = 50, điện trở emitơ-bazơ ĨBE = 2kD, giả sử mạch đảm bảo điều kiện biên độ và pha.

a) Xác định tẩn số dao động.

b) Tính trị số điện trở Rc-

Hình 7-7. Mạch dao động R-C dùng transistorBài giải

a) Tần số dao động:

= F ^ --------- 3^ = 650Hz2W6R.C 2.3,14V6.10.10\0,01.10"^

b) Để thoả mãn điều kiện biên độ, thì hệ số khuếch đại K của mạch khuếch đai transistor mắc EC.

K.Kh, = 1; đã biết Kh, =29

Vậy K =K

= 29htMặt khác, hệ số khuếch đại của tầng khuếch đại R-C mắc emitơ chung

pK = __Ỉ1_R ^ - - S R eI-be

182



Trong đó s = — là hỗ dẫn của transistor; rbe

Dấu - có nghĩa điện áp ra và vào ngược pha.

c.. o .Kjbe 29x2.10^Suy ra = ------------ = l,16kQ ^ p 50

Chọn điện trở chuẩn R = l,2kQ.

(2^ Bài tập 7-9. Cho mạch dao động cầu Wieu như hình 7-8.

Biết: R = 33kQ

c = lOnF

Giả thiết mạch thoả mãn điều kiện biên độ và pha.

a) Xác định tần số dao động.

b) Tính trị số Rn nếu choR, =47kQ.

Bài giải

a) Tần số dao động

f= ‘

Hình 7-8. Mạch dao động cầu Wien

= 482,5kHz2JtRC 2.3,14.33.10^0,01.10"®

b) Từ điều kiện cân bằng biên độ

Rn = 2R, -> Rn = 2.47.10^ = 94.10^ Q = 94kQ

(2^ Bài tập 7-10. Đề lặp lại bài 7-9. Nếu thay điện trở R bằng chiết áp đồng trục có điện trở biến đổi từ lOkQ đến lOOkQ. .

Hãy xác định phạm vi tần số dao động.

Bài giải

Tần số f i„ ứng với trị số cực đại của chiết áp = lOOkQ

min ------!----- = —------ ^ = 159,2.3Hz27tCR„ax 2.3,14.0,01.Ỉ0""100.10^

183



fmax = ----- — 2------------------------------ r = 1592,3n = l,5921ca2nCRm¡n 2.3,14.0,01.lO’ lO.lO^

Bài tập 7-11. TTiiết kế mạch dao động cầu Wien để tạo dao động hình sm tần số 500Hz.

Bài giải

Có thể thiết kế mạch dao động cầu Wien dùng transistor rời rạc hay dùng IC thuật toán, nhưng thuận tiện hơn là dùng IC thuật toán. Mạch điện nguyên lý như hình 7-8.

- Muốn có dao động điều hoà hình sin phải đảm bảo điều kiện biên độ và điều kiện pha.

Điều kiện biên độ: Rn = 2Rj; Rị chính là nhánh dưói của phân áp hồi tiếp, ở đây chọn R = 22kn và khi đó Rn = 2.22kfì = 44kQ.

- Điều kiện pha: Để hồi tiếp về cửa p là hồi tiếp dưoíng thì góc pha«

Ọị,, = 0. Suy ra co = —— hay f =

Tần số ứng với trị số cực tiểu của chiết áp R„i„ = lOkQ

RC 2nRC

Muốn dao động ờ tần số 500ĩfe có thể chọn R và c tuỳ ý. Nếu chọn tục có trị số chuẩn là 0,01|iF thì trị số R được xác định:

R = — -:; = 31,847kQ• 27ĩfRC 2.3,14.500.0,01.10'^

Như vậy trị số điện trở cần tính toán:

R, =22kn,RN = 44kQ

R = 31,847kQ,C = 0,001nF.

Bài tập 7-12. Chơ mạch dao động cầu viên như hình 7-9.

Biết R=lÒ kQ

R, = 80kQ

c = 0 ,0 22^F

Chiết áp Rp có trị số thay đổi từ 0 đến 30kQ.

a) Hãy xác định phạm vi tần số dao động khi điều chỉnh chiết áp Rp.

184



Bài giải

a) Phạm vi tần số dao động phụ thuộc vào trị số chiết áp Rp mắc nối tiếp với R.

- Tần số f„|„ ứng với giá trị cực đại của Rp = 30kQ.

b) Tính điện trở Rfg.

1

27t.C^R + Rpmax)

_ ỊfX J ? v _ v wK R

12.3,14.0,022.10"® (10.10 + 30.10^)

1

ra

= 180,95Hz2.2,34.0,022.10" .40.10^

- Tần số cực đại útig với Rp = 0 Q.

f , _________ !_________27C.CR 2.3,14.0,022.10’^10.10

b) Xác định trị số Rn

Rn = 2R, = 2.80kQ = 160kQ.

^ 2^ Bài tập 7-13. Cho mạch tạo dao động cầu Wien như hình 7-10 dưới đây.

Hình 7-9. Mạch dao động cểu Wien có tần số điều chỉnh

723,8Hz

Biết: R. = 22kQR = 4,7kQ

a) Xác định trị số Rn cần thiết.b) Tác dụng của D ịDị.c) Tĩnh trị số biến đổi của tụ c để

tần sô' dao động từ 100Hz đến 2000Hz.

Bài giải

a) Để đảm bảo điều kiện độ, Rn được tính theo biểu thức

185



Rn = 2R, = 2.22.10' n = 44. lO'n = 44kQ

b) Điốt D| và Dt mắc ngược chiều và song song với điện trở Rn, tức là song song với nhánh trên của phân áp hồi tiếp, nhằm hạn chế biên độ điện áp ra. Nếu biên độ điện áp ra tăng quá một ngưỡng nào đó thì hoặc D, hay dẫn, điện trở của điốt giảm xuống và hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại thuật toán cũng giảm và điện áp ra được hạn chế.

c) Tần số dao động được xác định

2jrRC

Khi tần số cực tiểu thì trị số tụ c phải đạt giá trị cực đại

C— ------= 0.338^F2.3,14.4,7.10^100

Tnax

Khi tần số cực đại thì trị số của c ià cực tiểumax

1 1c • =--- ------=--------------------2.3,14.4,7.10^2000

= 16,94nF.

(2^ Bài tập 7-14. Cho mạch dao động cầu Wien như hình 7-11.

Biết: tụ c = 0,05|iF.

Tần số dao động cần thay đổi được từ 200Hz đến 2000Hz nhờ biến trở R.

a) Phân tích nguyên lý

hoạt động của mạch.

b) Xác định khoảng biến thiên cần thiết của R.

Hinh 7-11

Bài giải

a) Phân tích sơ đồĐây là mạch dao động cầu Wien; mạch cầu R-C được mắc giữa đầu ra

và đầu vào p của khuếch đại thuật toán làm thành mạch hồi tiếp dương. Nếũ

186



đảm bảo điều kiện cân bằng pha và biên độ thì sẽ có dao động điều hoà. Trị số R và c của cầu Wien sẽ quyết định tần số dao động.

Điốt D, R4 và FET nhằm ổn định và hạn chế điện áp ra. Khi ư„ tăng, điện áp âm qua điốt D đặt vào cực cửa của FET làm cho điện trở máng - nguồn của FET tăng lên, đây là nhánh dưới của phân áp hồi tiếp nên hệ số khuếch đại giảm đi và u„ được hạn chế.

b) Từ biểu thức xác định tần số dao động

1f = suy ra R =2tcRC ' 2?tCf

Tần số dao động cực đại sẽ ứng với giá trị cực tiểu của R.

R _ ______________ Ị____________ __ Ị 592Q27tCf ax 2.3,14.0,05.10"^2.10^

Tần số dao động cực tiểu f i„ sẽ ứng với giá trị cực đại của R.

R^... = ---- ỉ---- = —---------?----- T— =15,923kfì2íiCf in 2.3,14.0,05.10"®.200

max

(2^ Bài tập 7-15. Cho mạch điện như hình 7-12.

Biết: R, = 150kQ; R, = 1 OOkQ

a) Phân tích mạch.

b) Hãy xác định hằng số thòi gian X = RC để tạo tm hiệu ra có tần số 1 kHz.

c) Nếu biết c = 0,02 }iF hãy xác định trị số cần thiết của R.

d) Xác định trị số cực đại của điện áp U| đặt vào cửa p nếu điện áp bão hoà = ± 12V.

Hình 7-12Bài giải

a) Phân tích mạch;

Đây là mạch dao động đa hài (dao động Schmitt, điện áp ra là các xung chữ nhật có mức +Ư5a, và R| và R2 là hai điện trở phân áp tạo hồi tiếpdương, điện áp hồi tiếp đưa về cửa p.

187



Điện áp hồi tiếp về cửa p

U, = — H 5ẼL - .R* R j + R 2 ^

Khi trị số trên tụ c nạp bằng ư| thì mạch chuyển trạng thái và = -U

b) Chu kỳ dao động được xác định theo biểu thức

Suy ra X = RC =

T = 2RC In

T

R.

21n 1 +R,

Trong đó chu kỳ T = - = -Ịị- = 10 = Ims.

X = RC = 10-3

, 2. 100.10- 150.10^

21n

c) Nếu biết trị số c = 0,02.10'®F, trị số R được xác định

T 0,592.10"^R = —=c 0,02.10"®

= 2 9 , 6 k Q

12d) Điên áp U. = —- ì2L _r = -------- ^Rj+R2 100.10 + 150.10^

Trị số đỉnh đỉnh của điện áp vào U|

u,p.p = ± 2.4,8=+ 9,6V


Giả sử điện áp bão hoà ±u,„ = ±12V

R, = 30kQ; Ra = 20kQ; R = 12kQ; c = 0 ,0 2 iF

a) Hãy xác định điện áp hồi tiếp ư | đặt vào cực p.

b) Xác định chu kỳ T và tần số dao động.

.3.100.10’ = 4 , 8 V

188



Bài giải

a) Điện áp u

ư| 20 = ±4,8V' R1 +R2 30 + 20

b) Xác định chu kỳ T

T = 2RCln = 2 .12 .10^0,02.10- Iní , 2 .20.10^!

Ri ; 30.10 J= 0,406.10" s

Tần số dao động f = — = * = 2458,8HzT 0,406.10'^

(2^ Bài tập 7-17. Cho mạch điện như hình 7-13a.

Biết; R, = 10kQ

= 20 kQ

R = 100 kQ

c = 0,01 ịiF.Giả sử điện áp bão hoà là ±12V

a) Phân tích nguyên lý tạo dao động.

b) Xác định chu kỳ dao động.c) Xác định tần số dao động.d) Xác định trị số đỉnh xung chữ nhật và xung tam giác.

Hình 7-13a

18Í



Hình 7-13b

Bài giải

a) Đây là mạch tạo xung vuông U| và xung tam giác U2; IC| là mạch so (Triger Schmitt) và IC2 là mạch tích phân.

Giả sử tại thời điểm t = 0 điện áp đầu ra IC| là U| = -Uja,.Điện áp ngưỡng hoặc điện áp lật trạng thái là ±u„g.

u„, = trong đó R, = KR, (hệ số K phải > 1)2

ở đầu ra của bộ tích phân IC2

u , = -u„,Ujít) biến thiên theo thời gian t.

J t

U2(t) = — — [Uị(t)dt + Ư2(o), ữong đó U-,(t) điên áp Uj tại then điểm t = 0.RC 0

190



ThayU,(t) = -U,„Ư2(0) = -U„,

Dạng điện áp ở đầu ra IC| — xung vuông và đầu ra IC, — xung tam giác nhưhình7-13b.

b) Chu kỳ dao động T

T = í ^ * đ â y K = | l = ^ = 2 K R| 10

T = = 2RC = 2.100.10 .0,0 1 .10" = 0,002s = 2ms2

c) Tần số dao động

f = ^ = — ỉ— = 500Hz T 2.10“^

d) Trị số đỉnh xung chữ nhật là U|p.p = ±12V

Trị số đỉnh xung tam giác chính là điện áp ngưỡng ±ư„g = = ±6V

(2^ Bài tập 7-18. Thiết kế mạch tạo xung tam giác có tần số 1kHz với điện áp bão hoà Uja, = ±12V, điện áp đỉnh là 8V.

Bài giải

Sơ đồ mạch tạo xung tam giác như hình 7-13a. Điện áp đỉnh - đỉnh là

8V tương ứng với điện áp ngưỡng u„g = 4V, hệ số K = = — = 3^ng 4

Điện trở R, và R2 được xác định theo tỷ lệ

— = K . Suy ra Rj = KR| = 3R|.

Chọn R, = 12kQ thì R2 = 36kQHằng s ố thời gian X = RC được xác định theo biểu thức

f = ^ suy ra X = RC = — — -— = 0,75.10“ s = 75ms 4RC 4f 4.1000

Nếu chọn tụ c = 0,01 |aF thì điện trở R được xác định

c 0 ,0 1 .1 0 "

191



Chương 8

CHUYỂN ĐỔI TƯƠNG Tự - số VÀ số - TƯƠNG Tự

8.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾTTrong hệ thống thông tin số bất kỳ bắt buộc phải có bộ chuyển đổi

tưcmg tự - số (AE)C) và sô' - tưcmg tự (DAC). Việc chuyển đổi được thực hiện ở khâu đầu và khâu cuối của kênh thông tin và dùng mã nhị phân.

Tín hiệu số được biểu diễn dưới dạng mã nhị phânUd = b„.,.2"'+b„.2 "-= +...+b,2 '+b„2°.Vi dụ: ỉ .2% 0.2 +1.2V 0.2'+1.2'’ = 45Tín hiệu ƯD= 101101.bn.,: là bit có nghĩa lớn nhất (MSB)b : là bit có nghĩa nhỏ nhất (LSB).Số số hạng trong dãy số nhị phân gọi là số bit, ví dụ trên là 6 bit.

Chuyển đổi tương tự - số gồm các khâu chính: lấy mẫu và giữ mức, lượng tử hòá và mã hoá.

Lấy mẫu là rời rạc hoá tín hiệu theo thời gian và phải tuân theo định luật Shannon. Tần số lấy mẫu được xác định.

hay chu kỳ lấy mẫu T = - ^ ,s*sa

Trong đó: là tần số cực đại của tín hiệu cần chuyển đổi. Nếu số bitlà N bit, điện áp mẫu là Um thì số mức lượng tử là 2" và bước lưcmg tử Q (khoảng cách giữa hai mức lượng tử liển kề) được xác định

Q =2*^-1

Sai số lượng tử lóìi nhất ứng với — Q , tức là

192



E = - Q = —2 ^ 2(2" - 1 )

Như vậy sô' bit N càng lớn thì sai số càng nhỏ.* Cck' phươììg pháp chuyển đổi ADTồn tại một số phưoíng pháp chuyển đổi AD:

- Phương pháp chuyển đổi song song. Điện áp analog cần chuyển đổi được đồng thời được đưa vào các bộ so sánh để so với điện áp chuẩn đã được chia áp thành các mức điện áp trùng với các mức lượng tử. Đầu fa của các mạch so được đưa vào các mạch AND sau đó đưa vào mạch đếm xung và mã hoá.

ưu điểm cùa mạch chuyển đổi A/D song song là tốc độ chuyển đổi rất cao, vì điện áp chuyển đổi được đưa đồng thời vào các tất cả các bộ so, chỉ phụ thuộc vào tần số xung nhịp (xung đồng hồ) đưa vào mạch AND.

Nhược điểm: Cấu trúc mạch rất phức tạp, muốn chuyển đổi N bit cần 2' -1 bộ so sánh và 2 -1 mạch AND.

- Chuyển đổi theo phưcmg pháp tiệm cận gần đúng. Điện áp tương tự cần chuyển đổi được so sánh với điện áp analog Um- Đây là điện áp được chuyển đổi ngược từ đầu ra đưa về bộ so (hình 8- 1 ).

Hinh 8-1. Bộ chuyển đổi DA tiệm cận gần đúng

Nếu > Um thì đầu ra bộ so có mức 1 và sau một chu kỳ xung nhịp có một xung được đưa vào bộ đếm, đồng thời tín hiệu số Uq lại được chuyển đổi ngược thành điện áp analog u^, rồi lại đưa vào bộ so. Nếu < Um thì đầu ra bộ so có mức o và không có xung nào được đưa vào bộ đếm và quá trình chuyển đổi dừng. Số vòng so sánh phụ thuộc vào số bit lưcmg tử N.

ưu điểm: Cấu trúc mạch đơn giản.

13- 250BTKTĐIỆNTỪ - A 193



Nhược điểm: Tốc độ chuyển đổi bị hạn chế, không cao.- Oiuyển đổi theo phương pháp đếm xung đơn giản (hình 8-2 )

Điện áp cần chuyển đổi được đưa vào bộ so SS| để so sánh với điệnáp hình răng cưa U c do bộ tạo điện áp răng cưa tạo ra.

Nếu Ua > Uc thì đầu ra SS| có mức 1.

Nếu ƯA < Uc thì đầu ra SS| có mức 0.Bộ so SS2 so sánh điện áp răng cưa U c với đất. Nếu U c > 0 thì đầu ra SS2

nhận giá ữ ị l .

Hình 8-2. Chuyển đổi theo phương pháp đếm xung đơn giản

Cả hai điện áp ở đầu ra SSj và SS2 là Uss và Uss đều được đưa đến

mạch AND, - Điện áp Uq ờ đẩu ra mạch AND tỷ lệ vái độ lớn của u^.

Tiếp đến xung Uq đưa đến mạch ANDj, đầu vào thứ 2 là xung nhịp.

Từ đầu ra mạch AND2 tín hiệu được đưa đến bộ đếm xung. Số lượng xung được đếm tỷ lệ với điện áp ƯA-

Điện áp răng cưa Uc = ^ JUch-dt=

Tại thời điểm t = thì U c = ƯA

194 13-250BTKTOlệNTỬ.B



SỐ xung nhịp được đếm ữong khoảng thời gian là

Z = f » .t „ = í* .^ .R Cch

Trong đó là tần số xung nhịp, Hz.* Chuyển đổi số tương tự (DAC), là quá trình chuyển đổi ngược từ tín

hiệu số ưp sang tín hiệu tương tự ư^. Hai phương pháp được sử dụng rộng rãi là phương pháp thang điện trở và phương pháp mạng điện ữở.

- Phưcmg pháp thang điện ữở (hình 8-3)

Uch2R u ,

1 A A A r ~ f~“ i

b 2 N - ' R

Hinh 8-3. Chuyển đổi DAC theo phuơng pháp thang điện trỏ

Điện áp cần chuyển đổi Uj3 đưa đến điều khiển khoá điện tử, hai trạng thái l và 0 ứng với số hạng bit của Ud và nối qua một thang điện trở, trị số của chúng được phân bố theo mã nhị phân rồi đưa đến đầu vào bộ khuếch đại thuật toán.

Điện áp đầu ra được xác định theo biểu thức

2RƯA = ^ - ư c h í b,. r+h,2-^+.... +b„2 )

Biểu thức b|.2 ‘ + ba .2' +...+ b„.2 là mức chuẩn hoá; b|, ba.. số hạng nhị phân, ứng với giá trị 1 hay 0 ưong dãy số nhị phân Up.

b„ là các

195



Điện áp toàn thang ứng với điều kiện khi tất cả các số hạng \ đều có giá trị 1 .

ƯAmax = (1 2 -'+ l.2-^+1.2-^+...+ l .2-^)R

Mức lượng tử có giá ưị nhỏ nhất, ứng với b„ = 1 còn tất cả các số hạng còn lại đều bằng 0 .

2RR

* Chuyển đổi DA theo phương pháp mạng điện trở R-2R (hình 8-4)

R.,

1

Hlnh 8-4. Chuyển đổi DA theo phương pháp mạng điện trỏ

Điện áp analog ƯA phụ thuộc vào tín hiệu số Up, và được xác định theo biểu thức

= Ua = ^ .U ,,(b , .2-‘+b2.2 - + b32-^+...+b„2 - )

Trong đó ưch là điện áp chuẩn;

bị, bị, b ,... b„ là các số hạng nhị phân của tín hiệu số Ud ứng với giá trị1 hay 0 .

Ví dụ: Ud = 1101 thì b, = 1; = 1, ba = 0, = 1.

Điện áp ra cực đại khi tất cả các bit b,, đều có trị số bằng 1.

196



K

Bit có nghĩa nhỏ nhất hay một mức lượng tử ứng với b„ = 1 còn tất cả các bit bji còn lại đều bằng 0 .

I I = ĩ I = N T T 9;N ramin “■ LSB ”


Bài tập 8-1. Một hệ xử lý chuyển đổi AD, tín hiệu tưcíng tự Ua có tần số từ 0 đến 2,5 kHz. Giả sử tốc độ lấy mẫu thực tế lớn hơn tần số lấy mẫu cực tiểu theo lý thuyết là 50%.

a) Xác định tần số lấy mẫu.

b) Xác định chu kỳ lấy mẫu.

c) Nếu sử dụng chuyển đổi AD với N = 8 bit, hãy xác định độ i-ộng mỗi bit.

Bài giải

a) Tần số lấy mẫu nhỏ nhất theo iý thuyết

f = = 2 F .samm maxở đây tần số ỉấy mẫu thực tế được chọn lớn hơn lý thuyết là 50%

4 = ỉ,5 .2 F „ ,,= l,5.2.2,5 = 7,5kHz

b) ƠIU kỳ lấy mẫu T được xác định

T = ^ = —L -= 133,3 Jis L 7500 ^

c) Bộ chuyển đổi AD có khả năng biến đổi mỗi trị số tương tự thành một từ không vượt quá 133,3M-s.

_ 133,3us 133,3ưsĐộ rộng bit X = — — — = — • = 16,66 |IS.

Bài tập 8-2. Tần số lấy mẫu của chuyển AD ưong công nghệ ghi đĩa compact (CD) là 44,1kHz

197



a) Xác định tần số cao nhất của tín hiệu tưong tự theo lý thuyết khi tạo lại tín hiệu số đó.

b) Xác định thời gian biến đổi tối đa của bộ chuyển đổi AD (chu kỳ lấy mẫu T).

Bài giải

a) Từ biểu thức tần số lấy mẫu

fsa=2F„„ = 44,1kHz

Suy ra = ^ = 22,05kHz

b) Tĩiời gian biến đổi tối đa của bộ chuyển đổi AD

T= - i - = ---- ỉ— = 22,6usf.. 44,210^ ^

Bài tập 8>3: Một bộ chuyển đổi AD dùng để chuyển đổi tín hiệu tương tự có tần số 20Hz -i- 10.000Hz. Giả sử tần số lấy mẫu thực tế được chọn lớn hơn tần số lấy mẫu lý thuyết 25%.

a) Xác định tần số lấy mẫu.

b) Chu kỳ lấy mẫu.

c) Nếu dùng bộ chuyển đổi AD 16 bit, hãy xác định độ rộng bit cục đại?

Bài giải

a) Tần số lấy mẫu thực tế

1,25.2F„3, = 1,25.2.10.000Hz = 25.000Hz = 25kHz

b) Chu kỳ lấy mẫu

X = - ^ = — L - =40jis f.. . 25.10’

c) Độ rộng bit cực đại

_ T _ 4 0 |1 S ,X = —= ___ĩ_ = 2,5ịasN 16 bit

198



(2^ Bài tập 8-4. Trong một hệ chuyển đổi AD nào đó, cần lượng tử hoá tín hiệu thành 2048 mức lượng tử.

Hãy xác định số bit cần thiết N cho mỗi mẫu.

Bài giải

SỐ mức lượng tử n phụ thuộc vào số bit lượng tử hoá N và được xác định theo biểu thức

n = 2'' = 2048

b) Nếu điện áp mẫu Um = 2V, hãy xác định bước lượng từ Q.

Bài giải

a) Số mức lượng tử

n = 2" = 2'° = 1024 mức

b) Bước lượng tử Q

U 2 2Q = f — = l,955mV.2"'-l 2'®-l 1024-1

Bài tập 8-6. Một bộ chuyển đổi AD 12 bit dùng để biến đổi tín hiệu analog có điện áp toàn thang Ua = lOV.

Hãy xác định các đại lượng sau đây:

a) Sô' mức lưcmg tử.

b) Bước lượng tử.c) Sai số lượng tử cực đại.

d) Sai số lượng tử theo phần trăm.

Bài gỉẳỉ

a) Số mức lượng tử

n = 2''= 2' = 4096 mức

b) Bước lượng tử

199



Q = - ^ = - 4 ^ = = 0,002442V2'^-! 2 " -l 4096-1

= 2,442mV

c) Sai số lượng tử cực đại

E„,= — = 0,001221 V2 2 (2 '' -!) 2(2 " - 1 )

= l,221mV

d) Sai số lượng tử theo phần trãm

E%= ^ .1 0 0 % = .100% = 0,1221 %10

(2 ^ Bài tập 8-7. Cho mạch chuyển đổi AD song song (hình 8-5)

Biết: N = 3 bit

UcH = 7V R = lOkQ

Giải trình chuyển đổi các điện áp sau sang tín hiệu số Up

Ua = IV; 3V; 5V và7V .

Bài giải

RMức điện áp U h được phân áp bởi các điện trỏ R và — rồi đưa vào các

đầu vào và bộ so theo các mức lượng tử

0,5V; 1,5V; 2,5V; 3,5V; 4,5V; 5,5V; 6,5V.

Bước lưọmg tử Q hay IUlsb được xác định

Q = iU i . .= ^ = ỹ ^ = i v

Để giải trình việc chuyển đổi các điện áp trên sang tín hiệu số thiết lập bảng dưới đây, trong đó diễn tả mối quan hệ giữa điện áp analog u^, các trị

số ở các đầu ra của mạch so và tín hiệu số Ujj ở đầu ra.

200



uD

Hình 8-5. Chuyển đổi AD song song

Mức Đầu ra các mạch so Ud

Xo X, X. X3 X4 X5 Xa C B A

0 0 0 0 0 0 0 0 000

i 1 0 0 0 0 0 0 001

2 1 1 0 0 0 0 0 OiO3 1 1 1 0 0 0 0 0 11

4 1 1 1 1 0 0 0 100

5 1 1 1 1 1 0 0 101

6 1 1 1 1 1 1 0 110

2 1 1 1 1 1 1 1 1 1

201



Ua= 1V -» U d = 001

Ua = 3 V ^ Ud = 0 1 1

Ua = 5 V -> U d = 1 0 1

Ua = 7V -»U d=111

{ ^ ) Bài tập 8-8. Cho mạch chuyển đổi AD theo phương pháp tiệm cận (xấp xỉ đúng) như hình 8-6.

Biết:

N = 4bit

Ua™x=6V

Xác định U|J cho các điện áp cần chuyển đổi sau:

UA = 0,6VvàƯ A=l,75V.

Hlnh 8*6. Bộ chuyển đổi AD tiệm cận

Bài gỉẳi

a) Trước hết xác định bước lượng tử hay bit nhỏ nhất

b) Trường hợp chuyển đổi ƯA = 0,6V

- So sánh lần 1: Um = 0 -> Ua{0,6) > Um(0) b = 1, một xung được đưa vào bộ đếm và mã hoá, Up - 0001, chuyển đổi ngược, được Um = 0,4V.

- So sánh lần 2: ƯA = 0,6V; Um = 0,4VUa > B = 1, thêm 1 xung vào bộ đếm ƯD = 0010 chuyển đổi

ngược, được Um = 0,8V.

202



- So sánh lần 3. ƯA = 0,6; Um = 0,8 < Um đầu ra B = 0, quá ữình đếm dừng, như vậy ƯA = 0,6V -» Ud = 0010.

c) Trường hợp ƯA =1.75 V

- Vòng 3: Ua = 1,75; Um = 0,8V -)■ ƯA > Um -> B = 1 và Ud = 0011, chuyển đổi ngược DAC, được Um = 1,2V.

- Vòng 4: Ua = 1,75V; Um = 1,2V > Um và Up = 0100, chuyển đổi ngược DAC, được Um = 1 ,6V.

- Vòng 5: Ua = 1,75V; Um = 1,6V > u „ B = 1 và Up = 0101, chuyển đổi ngược DAC, được Um = 2,0V.

- Vòng 6 ; Ua = 1,75V; Um = 2,0V ƯA < Um B = 0 quá trìnhchuyển đổi dừng.

Vậy Ua = 1,75V ứng với ƯD = 0101.

Bài tập 8-9. Cho mạch chuyển đổi DAC theo phương pháp thang điện trở như hình 8-7.

Biết: N = 4 bit, Rn = 20kQ; R = 20kQ; u,h = 3 V

a) Hãy xác định bit có nghĩa nhỏ nhất IƯLSB.

b) Tính ƯA nếu Ud = 0110; ƯD = 0011.

c) Tính điện áp toàn thang.

0 . 160kfì '’4

Hình 8-7. Chuyển đổi DAC theo phuong pháp thang điện trở

203



a) Bit có nghĩa nhỏ nhất ứng với 04 = 1 còn tất cả b| = b 2 = = 0

Bài giải

.3.2^ =0,375VLSB R ch 20b) Theo biểu thức tính u,

2Ru* (b, .2 -' + b ,2 -= + b ,2 -> + 0 , 2 - )

R

Với Ud = 0110 có nghĩa là b, = 64 = 0

b3 = b3 = l

thay trị số của b vào

2.20 2.20U , = ^ . 3 ( l . 2 - + 1 .2 - ) = ± ^ .3 20 > 2 0

v ớ ìU d = 0 0 1 1 - ^ b , = b 2 = 0 ; b j = b 4 = 1

2.20 2.20 J_8"^16

= 2,25V

= 1,125V20 ' 20

c) Xác định điện áp toàn thang

Điện áp toàn thang ứng với trường hợp b, = ồ2 = 63 = ồ4 = 1

2R,U

= 5,62V

R

2.2020

1 1 1 1 —2 4 8 16

Bàl tập 8-10. Đê giống như bài 8-9. Nhưng N = 8 bit.

a) Hãy xác định bit có trị số nhỏ nhất IUlsb.

b) Xác định ƯA nếu biết ƯD = 10000000Ud = 10101010

c) Tính điện áp toàn thang.

Bài giải

a) Xác định bit có trị số nhỏ nhất

204



U lsb ứng với trường hợp bg = 1 , còn tất cả các b|j đêu bằng 0

12 «j

2.2020

.3U 5 6 j

= 0,0234V

b) Nếu Ud = 10000000, có nghĩa là b, = 1 ; bì = Ồ3 = b4 = b , = be = = bg = 0.

2R 2.20U , = í ^ u 4 i.2 - ) = ^ . 3

20i

u= 3V

Nếu Ud = 10101010 có nghĩa b, = bj = bj = b, = 1

b-, = = b í = bo = 0

2R+ 1 .2 - + 1 .2 '" + 1 .2 '’ )

R

2.20 20

.31 1 1 ì )2 8 32 128j

= 3,984V

c) Điện áp toàn thang ứng vói trường hợp tất cả các số hạng b|( đều có trị số là 1 .

( 1 .2 -' + 1 .2 ' + 1 .2 ' + 1 .2 - + 1 .2*" + 1 .2 -* + 1 .2 '" + 1 .2 '® )

1 1 '2.2ồ J ỉ 1 1 1 1 1= - — .3 — + - + - + — + -----+ -----

2Ồ ,2 4 8 16 32 64 128 256,= 5,9765V

( 0 ) Bài tập 8-11. Bộ chuyển đổi DAC 4 bit như hình 8-7

Biết u,h = 3V R = lOkQa) Hãy xác định trị số Rn để ứng với Uß = 1001 thì Ua = 2,2V.b) Xác định điện áp toàn thang cho trường hçfp đó.

Bài giải

a) TTieo biểu thức

u» = ^ u * ( b , r ' +b,2-' + b,2->+b,2-')

ở đây b| = bị = 1

bj = bj = 0

205



2RU , = 2 , 2 V = ^ U , , ( l . 2 - ‘ + 1.2-^)

2,2V = ^ U R ch

Suy ra = 2,2R

2Uch1 1- +2 16 J

b) Xác định điện áp toàn thang

2R

2,2.10

2 .3 ^16

= 6,518kQ

U ^ U,, (1.2-' +1.2-' +1.2-' +1.2-")R

2.6,51810

.3 1 1 1 1 ^2 4 8 16;

= 3,666V

Bài tập 8-12. Cho mạch chuyển đổi DAC 4 bit như hình 8-7.

Biết Rn = 30kQ

Uch = 6V

a) Hãy xác định trị số điện trở R để ứng với Ud = 1000 thì ƯA = 9V.

b) Xác định bit có nghĩa nhỏ nhất U lsb và bit có nghĩa lớn nhất U msb

c) Xác định điện áp toàn thang.

Bài giải

a) Biểu thức tính ƯA

Ua = ^ u ^ ( b ,2 " +b22-“ +b,2-= +b.2-^)

Nếu Ud = 1000 thì b, = 1,02 = 03 = Ồ4 = 0

A ch

R =

I2 j

30.6

R|J.U .Suyra R = —ĩL_i:hƯA

= 20kn .

b) Bit có nghĩa nhỏ nhất khi 04 s= 1 còn b| = ồ2 = ba = 0

206



2R _4 2.30 11Ulsb= ^ = ^ U . u.1 .2“^ = ^ = ^ .6 .— = 1,125V

R 20 16

Bit có nghĩa lón nhất U m s b ứng vói trường hợp bị = 1, bj = bj = b4 = o

TJ tj 1 -i-i 2 .30 g 1 q y' ^ M S B “ "^0" 2

c) Điện áp toàn thang, ứng với trưòng hợp b| = bj = bj =s 64 =s 1

^ ( 1 .2"‘ +1.2-2 +1.2“ +1.2"^)

2 .30 .6 1 1 1 1= 16,875V---h------------

2 0 u 4 8 1 6 j

( ^ ) Bài tập 8-13. Cho mạch chuyển đổi ADC mạng điện trở R-2R, 4 bit như hình 8-8.

Biết: R = lOkD; Rp = lOkQ

Uch=10V

Hãy xác định Rn để:a)íu ^ B = 0,5V

b) ứhg vứi Ud = 1000 thì Ua = 6V

c) Điện áp toàn thang = lOV

2R R >-AÃ/V

u„=u.ra A

u1

ch+

Hình 8-8. Chuyển đổi DA tíieo phUdng pháp mạng điện trô R-2R

207



a) Theo biểu thức xác định điện áp ra Ua

R

Bài giải

u A = ( b , , 2 - ‘ + , 2 - " + b 3 .2 -= + b , .2 - ‘ )

Bit có nghĩa nhỏ nhất IU lsb ứng với trường hợp 04 = 1, b | = = bj = 0

Ua = U,^ = 0 ,5 V = ^ .U , , ,2

Suy ra R .,=NUe.-2 10.2

b) Uj) = 1000, ikig với bị = 1; b2 = ồ3 = = 0. Đây chính là bit có nghĩalớn nhất Ui = U SB = 6V

RU A = -^ U ,,.2 - ' .S u y r a

R,ƯA= 6 = ^ U ,h .2 -

Rịm -6R 6R.2 6.10.2

U c h - 2-1 Uch 10

= 12kQ

c) Điện áp toàn thang ứng với trường hợp

Ò| — Ò-> — t)3 — — 1

U ^=10V 2-*+2"^+2"^+2"'‘

R]SJ -lOR 10.10

Uch|2‘ ‘ + 2“' + 2 ‘' + 2 ‘‘ ) 10 1 '1 1 1------ 1------ ------------ Ị_ ------

U 4 8 16;

- ^ = 10,66kQ

(2 ^ Bài tập 8-14. Bộ chuyển đổi DAC mạng điện trở R-2R 8 bit.

Biết; Rn = 20kQ

UcH = 6Va) Hãy xác định điện trở R và 2R để bií có trị số nhỏ nhất

I U lsb = 0,046875V.

208



b) Xác định bit có trị số lớn nhất U SB trong ttTíờng hợp đó.c) Tính điện áp toàn thang.

Bài giải

a) Bit có nghĩa nhỏ nhất ứng vód trưòng hợp bg = 1. Các số hạng còn lại đều bằng 0.

U lsb= ^ U . j .2-* =0,046875

Suyra R = - ^ U ^ . 2 ' * = — — — .6 .4 -= 1 0 k n’ Ulsb ■* 0,046875 2«

2R = 20kfi.

b) Bit có nghĩa lớn nhất Umsb ứng với trường hợp b, = 1, cáq số hạng bịỊ còn lại đều bằngO.

U msb= % -U ,h.2 -‘ = ^ . 6 . ỉ = 6VR 10 2

c>Điện áp toàn thang ứng với trường hợp b| = Ồ2 = bj = b4 = bs = bg = b7

= b « = l

= B u . (2“ + 2-2 + 2'^ + 2“ + 2" + 2" -+ 2“ + 2"^)

= 11,953V= ^ .6 . 10

f 1 1 1 1 1 1 1 1 1 U 4 8 16 32 64 128 256 j

( ^ ) Bài tập 8-15. C3io mạch chuyển đổi DA như hình 8-8.Biết: N = 4bit

R = 1 0 k 0RN=10k£í

a) Hãy xác định điện áp chuẩn Ud, cần thiết để khi Uđ = 1100 ứừ ƯA = 4,5V.

b)TínhU B.c) Tính điện áp toàn thang.

Bài giải

a) Điện áp ra được xác định ửieo biểu thức

14.250BTKTĐlệNTỪ-A 209



(b ,2- ‘ +h2 2 -2 +bs2-’ +b 42-<)

V Ớ i Ư D = 1 1 0 0 t h ì b , = l , b 2 = l , b 3 = b 4 = 0

u , = | i u , , ( r U 2 - ^ )

Suy ra ưch =U aR 10.4,5

RN( ỉ n

( ỉ l ì— 1— 1 0

---- 1------------

u 4 y u 4 )

r = 6V

b) Xác định bit có nghĩa nhỏ nhất

Ò4= 1; b, =b2 = b3 = 0

IUlsb = — Uch2"‘ = — .6.2" =0,375V LSB R chV

c) Điện áp Ua toàn thang, ứng vói trường hc^ b| = = bj = 04 = 1

Ụ a =RRN u ^ j2 " ’ +2"2+2-^+2-,-3

10= 5,625V

u 4 8 16j

(2^ Bài tập 8-16. Oio mạch chuyển đổi DA như hình 9-8 nhung N = 5 bit; U,h=10V;R=10kQ .

Hãy xáQ định Rn cần thiết để đạt được các điều kiện sau:a) ứ ig với bit có nghĩa nhỏ nhất thì ƯA = 200mV.

b) Khi điện áp Ud = 10001 thì ƯA = 5V.

c) Điện áp toàn thang ƯA = 12V.

Bài giải

a) Bỉt có nghĩa nhố nhất khi bj = 1; bj = 02 = ba = ồ4 = 0

U ^ = 0 ,2V = .|tU ,,.2 -=

Suy ra10.2-*

210 14-250BTKTĐiệNTỬ.B



b) Khi Ud = 10001 ứng với b, = bs = 1

t>2 = bj = b4 = 0

U ,= 5 V = ^ U ^ (2 - '+ 2 -= )

Suy ra R = -----^U.4 2 - + 2 - ) 10

5.10U . 1 ^

2 32 j

= 9,412kQ

c) Điện áp toàn thang ƯA = 12V ứng vói trưòng hợp ƯQ = 11111

bị = bj = bj = Ò4 = bs = 1

= 12V = (2-‘ + 2' + 2' + 2- + 2-^ )

Suy ra = U,R1 1 1 1 p

------ 1--------- ị---------1------------1---------

U 4 8 16 32 jư ch

12.10^ 1 1 1 1 1

— -ị--------- ị---------1------------Ị---------

2 4 8 16 3 2)10

= 12,387kQ

Bài tập 8-17. Cho mạch chuyển đổi DA 8 bit dùng IC DA806 (hình 8-9).

Giả sử: R ,4 = R ,5 = r = Rn = lOkQ

Ukbf = U,, = 5,12V

a) Hãy xác định bit có nghĩa nhỏ nhất IƯLSB-

b) Xác định điện áp toàn thang.

Bàỉ giải

a) Bit có nghĩa nhỏ nhất ứng với bg = 1 còn tất cả các số hạng b|f còn lại đều bằng 0.

U a =U.CB = ^ U . . 2 ‘* = — .5,12.2“® =0,02VA LSB ch *

b) Điện áp toàn thang ứng với trưỀmg hợp bj = bj = bj = ồ4 = bs = bg ~ 7 = bg = 1.

211



15V •—

2 -3

1_

6^7_8_

NCGND

Compu refurcf+DA806

A,(MSB) (LSB)Ag

Aa

Rn■vw

A,

_16 p15. . ' 5

12V

^12-1 !_10_ 9 J

8bitU

u

Hình 8-9

^ (2-* + 2' + 2' + 2"* + 2'* + 2"* + 2“’ + 2'*)

= i« .5 ,12 10

1 1 1 1 1 1 1 1— + “ H— H----h H------h ---- 1--- —2 4 8 16 32 64 128 256;

= 5,IV

Bài tập 8-18. Cho mạch chuyển đổi AD 801 8 bit như hình 8-10

Biết U|, Uj... Ug là tám mức điện áp ứng với tám trị số

00000001, 00000010, 00000100, 00001000, 00010000, 00100000, 01000000, 10000000.

Hãy tính nhữig điện áp đó.

Bài giải

Đối với mỗi trong 8 điện áp được tính ồ đây chỉ có một bit duy nhất ứng

với mức 1, còn các bit khác ứng với mức 0.

212



IStart

R=10kíỉ — VVVr-

1ti Ư:IN

uch

5 -6

-r- 7

i l O j .

DBODBl

AD 801 DB2U iN -

U iN .

AGND

DGND DB7

20

12. 3 * 5,12V

^18 LSB> 1716

^15-1 4-13-.12V I MSB

>u,

Hinh 8-10. Mạch chuyển đổỉ AD 801

00000001 U, = 5,12V.2* = 20mV00000010 -> U2 = 5,12V.2-’ = 40mV00000100 U3 = 5,12V.2« = 80mV00001000 Ư4 = 5,12 v.2' = 160 mV00010000 -> Us = 5,12 v.a"* = 320 mV

00100000 Us = 5,12 V.2’ = 640 mV

01000000 -> ư7 = 5,12V.2-2= 1280 mV10000000 -> Ug = 5,12 v.2'= 2560 mV

213



TÀI LIỆU THAM KHẢO

1. Phạm Minh Hà, 2003. Kỹ thuật mạch điện tử, NXB Khoa học và Kỹ thuật.

2. Đặng Văn Chuyết (Chủ biên), 2004. Giáo trình Kỹ thuật mạch điện tử, NXB Giáo duc.•

3. Nguyễn Viết Nguyên, 2004. Giảo trinh Linh kiện điện tử và ứng dụng, NXB Giáo dục.•

4. Nguyễn Thanh Trà, TTiái Vữih Hiển, 2005. Giáo trình Điện tử dân dụng, NXB Giáo dục.

5. Đỗ Xuân Thụ, Nguyễn Viết Nguyên, 2004. Bài tập Kỹ thuật điện tử, NXB Giáo dục.«

6. William D.Stanley, 1990. Operational dmplifiers with linear integrated circuits, Macmilan Publishing Company.

7. Lê Văn Doanh, Võ Thạch Sơn, 1994. Kỹ thuật điện tử (Phần Bài tập), NXB Khoa học và Kỹ thuật.

214



MỤC LỤC ■ •

Lời nói đầuTrang

3Chưcmg 1. Điốt

1.1. Tóm tắt phần lý thuyết 51.2. Phần bài tập có lời giải 61.3. Đề bài tập 29

Chương 2. Transistor lưỡng cực và transistor trường2.1. Tóm tắt phần lý thuyết 392.2. Phần bài tập co lòd giải AI

Qiương 3. Các mạch khuếch đại tín hiệu bé3.1. Tóm tắt phần lý thuyết 663.2. Phần bài tập có lòi giải 673.3. Đề bài tập 92

Chưcmg 4. Mạch khuếch đại công suất4.1. Tóm tắt phần lý thuyết 1054.2. Phần bài tập co lời giải 110

Chương 5. Bộ khuếch đại thuật toán5.1. Tóm tắt phần lý thuyết 1305.2. Phần bài tập có lời giải 134

Chương 6. Nguồn ổn áp6.1. Tóm tắt phần lý thuyết 1526.2. Phần bài tập có lòi giải 156

Chương 7. Mạch dao đông7.1. Tóm tắt phần lý thuyết 1737.2. Phần bài tập có lèd giải 177

Chương 8. Mạch chuyển đổi tương tự - số và số - tương tự8.1. Tóm tắt phần lý thuyết 1928.2. Phần bài tập có lời giải 197

Tài liệu tham khảo 214

215



250 Bai Tap Ky Thuat Dien Tu (NXB Giao Duc 2010) - Thai Thanh Tra, 216 Trang

Documents

Transcript of 250 Bai Tap Ky Thuat Dien Tu (NXB Giao Duc 2010) - Thai Thanh Tra, 216 Trang