· 2019. 8. 26. · JIS K 6249 JIS K 6249 JIS K 6249 JIS K 6249 JIS K 6249 JIS K 6249 JIS K 6249...
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2015.02
TM
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Shock Absorption & Vibration Damping
Durability
Stability
Function
Safety
Engineering & Know-How
TM
TM
TM
TM
-
【 】
【 】
厚度 0.5、1.0、2.0、3.0mm※ 1.0、2.0、3.0mmCOH-4065LVC
2015.02
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TM
TM
TM
TM
TM
的魅力TM
TM
TM
TM
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·
誘電率
〈1MHz〉
〈1kHz〉
〈50Hz〉
〈1MHz〉
〈1kHz〉
〈50Hz〉
（※1）Thermalconductivity（W/（m·K））
Elongation（％）
Compression set（％）
Dielectricconstant
Dielectric breakdown voltage（kV/mm）
Volume resistivity（Ω·cm）
1.9
1.2
60
1.7
0.21
18.8
205
15
4.8
4.3
4.0
0.071
0.046
0.007
6.1×1013
1.9
1.2
90
1.7
0.14
16.5
480
51
4.6
4.2
3.9
0.055
0.034
0.006
3.1×1013
6.5
2.1
45
2.9
0.35
12.5
68
72
5.6
5.0
5.5
0.006
0.002
0.0004
7.1×1013
6.5
2.1
65
2.8
0.10
13.6
132
75
6.8
6.5
6.0
0.058
0.041
0.011
4.4×1012
COH-1016LVC COH-1019LVC COH-4000LVC COH-4065LVC
JIS R 2616
JIS K 2207
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
Temperature range（℃）（※3） -40～150 -40～150 -40～150 -40～150
○ ○○○
™
特征
◆Lambda GEL/COH
Ther
mal
con
duct
ivit
y (W
/(m�
K)) O
ur te
sts
［ · ］
TM
TM
【 】
厚度 0.5、1.0、2.0、3.0mm※ 1.0、2.0、3.0mmCOH-4065LVC
2016.10
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TM
TM
TM
的魅力TM
TM
TM
TM
尺寸 400mm×400mm
-
™
◆Lambda GEL/DP
〈1MHz〉
〈1kHz〉
〈50Hz〉
〈1MHz〉
〈1kHz〉
〈50Hz〉
DP-100DP-100 DP-200DP-200 DP-300DP-300
6.5
2.0
51
2.8
5.0
8.9
7.8
7.0
0.234
0.061
0.015
-40～200
5.9×1013
4.8
1.6
55
2.6
5.6
7.6
6.7
6.6
0.017
0.007
0.005
-40～150
7.2×1014
4.8
1.6
60
2.7
9.6
4.4
4.2
4.0
0.005
0.004
0.0004
-40～120
1.4×1014
JIS R 2616
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
Thermalconductivity（W/（m·K）） （※1）
Dielectric breakdown voltage（kV/mm）
Volume resistivity（Ω·cm）
Low molecularweight Siloxane levelΣD4-10（ppm）
（※3）Temperature range（℃）
（※2）
JIS K 6249(1/4cone)
TM
【 】
【 】
【 】DP-100
【 】DP-200/DP-300
DP-100
DP-200
DP-300
0.10 0.15
0.13 0.15
0.13
0.09
0.20
0.17
0.17
0.18
0.30
0.22
0.25
（℃/W）
Thickness(mm)
Syringe 30mL Bottle 30mL
DP-100/DP-200DP-300
DP-200/DP-300 DP-200/DP-300
DP-200/DP-300
DP-100DP-200
DP-300
6000.0
0.1
0.2
0.3
10 20 4030 50
Thic
knes
s(m
m)
Clamping torque(N·m)
Transistor MT-200TypeArea cm2
DP-100
DP-100
Transistor20V
【 】
2015.02
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TM
-
™
特征
◆ Lambda GEL/RE
·
RE-100 RE-100H
D4-10
2.0
1.0
60
2.9
-40～150
4.5 10.0
2.0×1011
UL94
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 6249
JIS K 2207
JIS R 2616
【 】 【 】
（※3）
Thermalconductivity（W/（m·K））
Temperature range（℃）
Low molecularweight Siloxane levelΣD4-10（ppm）
Dielectric breakdown voltage（kV/mm）
Volume resistivity（Ω·cm）
（※2）
（※1）
V-1（0.5～2mmt）V-0（3.0mmt）
RE-100
1（mm）
01 5 10
2
4
6
8
10
12
2（mm） 3（mm）
Abs
orpt
ion(
dB)
Frequency(GHz)
RE-100 RE-100H
Load
(N/s
ize2
0×20
mm
)
60
50
40
30
20
10
00.0 0.5 1.0
0.5mm1.0mm2.0mm3.0mm
Compression(mm)
TM
【 】
RE-100
RE-100
10
8
6
4
2
01 5 10
Perm
iabi
lity(
μ″)
Frequency(GHz)
【 】
RE-100H 1（mm） 2（mm） 3（mm）0
-5
-10
-15
-20
-25
-300 1 2 30.5 1.5 2.5
Shie
ldin
g E�
ect(
dB)
Frequency(GHz)
【 】～
Radi
atio
n Le
vel(d
BμV
)
RE-100
RE-100H
100
90
80
70
60
500.5 1 2 31.5 2.5
Frequency(GHz)
RE-100 RE-100H
High Low
【 】
0.1 1 10
RE-100
RE-100H
Frequency(GHz)
【 】
0.5、1.0、2.0、3.0mm
◆
◆
···
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2015.02
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