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Materiais Semicondutores
1. Materiais Semicondutores
Professor: Vlademir de Oliveira
Disciplina: Eletrônica I
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Materiais Semicondutores
Conteúdo
Teoria Materiais semicondutores Dispositivos semicondutores: diodo, transistor bipolar (TBJ), transistor de efeito de
campo (FET e MOSFET) e transistor de potência Polarizações do TBJ e FET: polarização CC Modelo a pequenos sinais Amplificadores em Cascata Resposta em Frequência
Prática Fontes de tensão Curva do transistor Pré-amplificador Confecção de placa de circuito impresso
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Método de Avaliação
• A média geral MN será atribuída através do cálculo de uma média ponderada, conforme descrito abaixo:
• NT= notas de trabalhos.NP = notas de provas.
• Média geral:
MN= NT x 0,1 + NP x 0,9
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Referências
Livro texto
BOYLESTAD, Robert; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos.8. ed. Pearson.
Complementar
SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C. Microeletrônica. 4. ed.
CRUZ, Eduardo Cesar Alves, CHOUERI JR, Salomão. Eletrônica Aplicada. 2 ed, Érica.
CIPELLI, Antonio Marco V.; MARKUS, Otávio; SANDRINI, Waldir João. Teoria edesenvolvimento de projetos de circuitos eletrônicos. 19. ed.
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1.1. Materiais Semicondutores
Composto Elemento Átomo
- Número de elétrons em cada nível
n
Nº elet.
Subn.
Ex.: 19Cu 1s2
2s2
2p6
3s2
3p6
3d10
4s1
1 2 3 4 ...
2 8 18 32
s p d f
2 6 10 14
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1.1. Materiais Semicondutores
Valência- Os níveis mais externos são os níveis de valência.
- Os elétrons mais externos são os elétrons de valência.
Quanto mais longe o elétron está do núcleo, maior será o estado deenergia, e qualquer elétron que deixar seu átomo de origem apresentará umestado de energia maior que os da estrutura atômica.
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1.1. Materiais Semicondutores
Valência- Na estrutura atômica há níveis de energia discretos associados a cada
elétron em órbita. Esses níveis são diferentes para cada material.
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1.1. Materiais Semicondutores
Potencial de IonizaçãoA ionização é o mecanismo pelo qual um elétron pode absorver energia
cinética suficiente, de fatores naturais, para desprender-se da estruturaatômica e entrar na banda de condução. O potencial de ionização é o gapentre a banda de valência e de condução (Eg) que é conhecia como regiãoproibida. Os fatores naturais podem ser: energia térmica ou fótons.
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SemicondutorMaterial que tem o nível de condutividade intermediário, entre o isolante
e o condutor.
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14SiElemento mais utilizado; nível de pureza alto; facilita dopagem; custo
baixo de produção; estrutura cristalina repetitiva.
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Processo de dopagem
Material intrínseco São semicondutores refinados para obter reduçãode impurezas, ou seja, os elétrons livres e lacunas são devido a fatoresnaturais (ionização térmica, etc)
Material extrínseco Material é contaminado no processo de dopagemcriando os materiais do tipo p e n
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1.1. Materiais Semicondutores
Material do tipo nEsses materiais são dopados com impurezas que são elementos
pentavalentes, como antimônio, arsênio e fósforo.
Ex.: Material do tipo-n dopado com impurezas de antimônio
Nesse caso o Sb se torna um íon doador e o elétron que sobra, portador majoritário
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1.1. Materiais Semicondutores
Material do tipo nEsses materiais são dopados com impurezas que são elementos
pentavalentes, como antimônio, arsênio e fósforo.
No material tipo n elétrons são majoritários e lacunas são minoritárias.
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1.1. Materiais Semicondutores
Material do tipo pEsses materiais são dopados por elementos trivalentes, como o boro,
gálio e o índio.
Ex.: Material do tipo-p dopado com impurezas de Boro
Nesse caso o B se torna um íon aceitador e o elétron que falta (lacuna), portador majoritário
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1.1. Materiais Semicondutores
Material do tipo pEsses materiais são dopados com impurezas que são elementos
pentavalentes, como antimônio, arsênio e fósforo.
No material tipo p lacunas são majoritárias e elétrons são minoritários.
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1.1. Materiais Semicondutores
Nível de energiaO nível de energia dos portadores majoritários está muito próximo da
banda de condução
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1.1. Materiais Semicondutores
Condução
- Fluxo de lacunas Os elétrons de valência se deslocam através das lacunas
- Fluxo de elétrons Os elétrons livres se movimentam na banda de condução
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1.1. Materiais Semicondutores
Diodo SemicondutorO diodo será analisado sem polarização, em polarização reversa e em
polarização direta
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Diodo Semicondutor
Sem polarização (VD = 0)
Os portadores majoritários secombinam na junção p-n eformam a região de depleção. Ofluxo de carga é nulo em qualquersentido.
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Diodo Semicondutor
Polarização reversa (VD < 0)
A região de depleção aumenta eos portadores majoritários nãoultrapassam o potencial da regiãode depleção de n para p. Ocorreque os portadores minoritáriosque surgem na junção sãodeslocados para p com o potencialimposto por VD, resultando emuma corrente constante, chamadade corrente de saturação reversaIs.
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Diodo Semicondutor
Polarização direta (VD > 0)
Conforme a tensão aplicadacresce, a região de depleçãodiminui até que o fluxo deelétrons passe pela região,resultando em um aumentoexponencial da corrente.
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Curva do diodoUsando resultados da física do estado sólido, mostra-se que as
características de transferência Id X Vd podem ser definidas pela equação:
1 KD TKVSD eII , sendo
n constante que varia entre 1 e 2 dependendo do material e estrutura física do diodo
TK temperatura em Kelvin (TK = TC + 273)
nK
11600
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Curva do diodoA equação representa as características do diodo para as regiões de
polarização direta e reversa.
1 KD TKVSD eII
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Ruptura por AvalancheO efeito avalanche provoca a ruptura da região de depleção no sentido
reverso. Assim, a corrente se torna muito maior que Is. (ver aplicações dodiodo)
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Tensão de disparoO valor aproximado para o
início da condução do diodochama-se tensão de limiar oudisparo (Threshold).
Vt 0,3V (Ge)
Vt 0,7V (Si)
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1.1. Materiais Semicondutores
Circuitos equivalentes dos diodosSão 3 os principais tipos de modelos aproximados: modelo linear, modelo
simplificado e modelo ideal.
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Análise por reta de cargaAplicando-se a LKT no circuito obtém-se a reta de carga.
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Análise por reta de cargaNo cruzamento das curvas obtém-se o ponto de operação do circuito ou
quiescente.
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Ex. 1: Determinar o ponto de polarização do diodo no circuito abaixo.Considerar a curva fornecida.
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Ex. 2: Refaça o exercício usando o seguinte método: Trace a curva do diodo(Si) usando pontos espaçados de 0,1V até o limite de Vd=1V. Determine Idq eVdq usando a reta de carga.
Considere: n = 1,2
TC = 25C
IS = 50nA