充電式LEDワークライト LE-R151 LE-R401安全上のご注意 P.02 Bluetooth® に関するご注意 P.05 内蔵充電池についてのご注意 P.07 使用上のご注意 P.08
チップバリスタ AVR シリーズ - TDK Product Center2/26) 20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm...
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V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
September 2014
AVRM0402/AVRL0402 0402 [01005 inch]*
AVRM0603/AVRL0603 0603 [0201 inch]
AVRM1005/AVRL1005 1005 [0402 inch]
AVRM1608/AVRL1608 1608 [0603 inch]
AVRM2012 2012 [0805 inch]
* 寸法コードを表します。JIS[EIA]
チップバリスタ サージ電圧、静電気対策用
AVRシリーズ
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ご使用上の注意事項本製品をご使用の前に、必ず納入仕様書をお取り寄せ下さい。
安全上のご注意本製品のご使用にあたっては、注意事項に十分留意され安全設計を行って下さい。
本製品をご使用に当たっては、注意事項に十分留意され、安全設計を行って下さい。
チップバリスタの性能劣化や素子破壊の原因となる恐れがありますので、次の事項を厳守して下さい。本製品は室温 5~ 40°C、湿度 20~ 70%RHの環境下で保管し、6ヶ月以内にご使用下さい。保管状態により端部電極のはんだ付け性を劣化させますので、保管の際は湿度、結露、ホコリ、有毒ガス(水素・硫化水素・亜硫酸・塩素・アンモニア等)、直射日光等に十分注意して下さい。実装時に落下した製品や取り外した製品は使用しないで下さい。はんだ付けはリフロー方式とし、フロー(ディップ)方式では行わないで下さい。
バリスタの性能劣化や素子の原因となり、最終的に素子が発熱・発煙に至る恐れがありますので、次の事項を厳守して下さい。直射日光の当たる所や、発熱近傍などの使用温度範囲を超える温度では使用しないで下さい。直接風雨にさらされる所や蒸気の出る所などの高湿度の所では使用しないで下さい。粉塵の多い所、塩分の多い所、腐食性ガスなどで汚染された雰囲気では使用しないで下さい。製品に亀裂が入るような強い振動、衝撃(落下など)や圧力を加えないで下さい。最大許容回路電圧を超える電圧では使用しないで下さい。バリスタを樹脂コーティング(モジュール含む)する場合、バリスタを劣化させるような樹脂を使用しないで下さい。内部電極にパラジウムを使用しているため、水素を発生する樹脂を絶対に使用しないで下さい。可燃物の近傍には取り付けないで下さい。
高度な安全性や信頼性が必要とされ、または製品の故障、誤動作、不具合が人の生命、身体や財産などに損害を及ぼす恐れがあり、もしくは社会的に重要な影響を与える恐れのある機器(自動車・航空機・医療機器・原子力装置など、以下 ‘特定用途 ’)に製品の使用を検討される場合、および本カタログの範囲、条件を超えて製品を使用される場合は、弊社営業へご連絡下さい。本製品を車載用途にご使用になる場合は、ご一報下さい。
本カタログの範囲、条件を超え、または特定用途に使用されたことにより発生した損害等については、その責任を負いかねますのでご了承願います。
なお、本製品を使用する機器の設計にあたっては、当該機器の使用用途および態様に応じた保護回路・装置の確保やバックアップ回路を設ける等して下さい。
注 意
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製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
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チップバリスタサージ電圧、静電気対策用
チップバリスタの特性バリスタ(Varistor)は、一定値以上の電圧が印加されると抵抗値が急減する電圧依存性の非直線抵抗素子です。バリスタは、2個直列接続のツェナーダイオード(Zener diode)と等価です。従って、極性を持ちません。
チップバリスタとツェナーダイオードの電圧-電流特性比較 等価回路
バリスタの効果バリスタがない場合電子装置の誤動作と破損の恐れがあります。
バリスタを使用した場合バリスタを回路に挿入することで、異常電圧を抑制します。
AVRシリーズの概要
RoHS指令対応製品鉛フリーはんだ対応
Chip varistor/V1mA:12V
Zener diode/Vz:6.8V
Positive direction
Negative direction
Voltage(V)
Cur
rent
( A) 10–1
10–2
10–3
10–4
10–5
–10–1
–10–2
–10–3
–10–4
–10–52–2 6–6 10–10 14–14 18–18
2 Zener Diodes
A capacitance content
ESD, Surge voltage
Power lineSignal line
IC
ESD, Surge voltage
Power lineSignal line
Insert a varistor betweena line and ground
: Chip varistor
IC
RoHS指令対応製品:RoHS指令対応製品の詳細はこちらです。 http://product.tdk.com/ja/environment/rohs/
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AVRシリーズの概要
測定回路
バリスタなし バリスタ挿入AVRL101A3R3FTA (3.3pF) AVRL101A6R8GTA (6.8pF)
ツェナーダイオードからの置き換えメリット(1) 部品点数の削減削減例ツェナーダイオード+コンデンサ チップバリスタ
オーディオ端子での置き換え例
(2) 静電気吸収能力のアップIC保護に関するチップバリスタとツェナーダイオードのデータ比較AVRタイプバリスタとツェナーダイオードによるCMOS-ICのESD測定
IC
USB2.0board on
PC
Testboard
Test set
Sample
: Chip varistor
Audio/out Audio/out
AudioAMP
AudioAMP
Audioconnector
Audioconnector
: Chip varistor
10–3
10–4
10–5
10–6
10–7
Insu
latio
n re
sist
ance
of
test
ed c
ircui
t(Ω
)
0 2 4 6 8 10 12 14ESD voltage(kV)
AVR-M1608C120MT6AB
With Zener Diode
CMOS: D74HC04CESD generator : Noise Laboratory Co.,Ltd., ESS -630A 200pF-0Ω method model equipmentContact type dischargeESD applied point: Vcc-ground
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AVRシリーズの概要
特徴電流-電圧特性が対称であるため極性がありません。ツェナーダイオード(アノードコモンタイプ)と同等です。優れた静電気吸収能力を有します。応答性は、ツェナーダイオードと同等以上、静電気吸収後でも電流-電圧特性の対称性を維持します。積層内部電極構造を採用しました。・幅広いバリスタ電圧をシリーズ化(6.8~90V)・低静電容量品をシリーズ化(1.1pF~)・0402、0603、1005、1608、2012サイズをシリーズ化優れた実装信頼性、鉛フリーはんだ付けに対応しています。電気めっき(ニッケル/ スズ)を採用し、良好なはんだ付け性、はんだ耐熱性を実現しました。ツェナーダイオード+コンデンサからの置換が可能です。省スペース化、トータル実装コストを低減します。
アプリケーション静電気吸収パルスノイズ吸収
使用例
スマートフォン
USB2.0
オーディオ、ビデオ
セット 対策用途携帯電話デジタルビデオカメラデジタルカメラPDAノートPCDVD-ROM、CD-ROMCD/MD/MP3プレイヤゲーム機
データ端子LCDパネルタッチパネルボタン・スイッチ部バッテリ端子オーディオ・ビデオ入出力端子マイク・レシーバ部コントローラ部
車載機器
CAN-BUSECUコネクタエアコンパネルカーオーディオカーナビゲーション
To LCD driver
: Chip varistor
LCD panel
Button Data terminal
Microphone/Receiver
D–D+
VDD
F.G.USB connector
USB cable
USB IC
: Chip varistor
Audio
Digi
MonitorOUT
Video1in
Video2in
Video3in
Video5in
Video Video Video Video
L/MONO L/MONO L/MONO L/MONO
Audio Audio Audio Audio
L
R
: Chip varistor
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AVRシリーズの概要
品番の呼称法
� 品番内に静電容量が含まれていない場合は、静電容量許容差も表記されません。
使用温度範囲、梱包数量、製品重量
��動作温度範囲は自己温度上昇を含みます。���保存温度範囲は基板実装後を示します。
使用電圧範囲
AVRM 1005 C 6R8 N T 101 N
シリーズ名 L×W寸法(mm) 構造 バリスタ電圧
(V)
バリスタ電圧許容差
(%)包装形態 静電容量
または管理記号
静電容量許容差 �
(%)0402 0.4×0.2 6R8 6.8 K ±10 T テーピング M ±200603 0.6×0.3 270 27 M ±20 B バルク N ±301005 1.0×0.5 N ±301608 1.6×0.82012 2.0×1.2
AVRL 10 1A 3R3 F T A
シリーズ名 L×W寸法(mm)
最大許容回路電圧
(Vdc)
静電容量(pF)
静電容量許容差(pF)
包装形態 バリスタ電圧または管理記号
04 0.4×0.2 1A 10 1R1 1.1 D ±0.5 T テーピング06 0.6×0.3 1C 16 2R2 2.2 F ±110 1.0×0.5 1E 25 3R3 3.3 G ±216 1.6×0.8 6R8 6.8 N ±0.3
タイプ温度範囲 梱包数量 単重量動作温度 � 保存温度 ��
(°C) (°C) (個 /リール) (mg)typ.AVRM0402 –40 to +85 –40 to +85 20,000 0.1AVRL0402 –40 to +85 –40 to +85 20,000 0.1AVRM0603 –40 to +85 –40 to +85 15,000 0.2AVRL0603 –40 to +85 –40 to +85 15,000 0.2AVRM1005 –40 to +125 –40 to +125 10,000 1.2AVRL1005 –40 to +85 –40 to +85 10,000 1.2AVRM1608 –40 to +125 –40 to +125 4,000 5AVRL1608 –40 to +85 –40 to +85 4,000 5AVRM2012 –40 to +125 –40 to +125 2,000 12
Circuit voltage(V)50 10 15 20 25 30
19
25AVRM0402/AVRL0402 types
AVRM1005/AVRL1005 types
28AVRM2012 type
AVRM1608/AVRL1608 types 28
AVRM0603/AVRL0603 types 25
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AVRシリーズの概要
用語説明
�1 8/20μs試験波形
�2 10/1000μs試験波形
項目 単位 説明バリスタ電圧(ブレイクダウン電圧)
V1mA
(V) DC1mAを流した時のバリスタ端子電圧値
最大許容回路電圧(定格電圧)
Vdc(V)
DC電圧を連続して印加可能な電圧値バリスタリーク電流値:50μA max.(最大許容回路電圧範囲内)
クランプ電圧Vcl(V)
規定ピーク電流値のインパルス電流(8/20μs�1)を印加した際のバリスタ端子電圧値
エネルギー耐量E(Joule) インパルス電流(10/1000μs�2)を1回印加したとき、バリスタ特性劣化が発生しない最大エネルギー値
サージ電流Ip(A) インパルス電流(8/20μs�1)を1回印加したとき、バリスタ特性劣化が発生しない最大電流値
静電容量C(pF) オシレータ周波数1kHz(または1MHz)、オシレータ電圧1Vrmsでの静電容量値
絶縁抵抗Rdc(M� ) 規定の電圧を印加した際のバリスタ絶縁抵抗値
20μs
50%
90%100%
Cur
rent
Time
8μs
1000μs
50%
90%100%
10μs
Ene
rgy
Time
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AVRシリーズの概要
推奨リフロープロファイル
Preheating Soldering PeakTemp. Time Temp. Time Temp. TimeT1 T2 t1 T3 t2 T4 t3150°C 180°C 120s max. 230°C 40s max. 260°C max. 5s
Naturalcooling
t3
t1
Preheating
t2
Soldering
T3 T3
T4
T2
T1
t: Time
Peak
T: T
empe
ratu
re
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AVRシリーズ
AVRM0402/AVRL0402タイプ形状と寸法 構造図
推奨ランドパターン 回路図
Dimensions in mm
0.4±0.02
0.2±
0.02
0.2±
0.02
0.07 min.
Varistor body(Zinc Oxide: ZnO semiconductor ceramics)
Inner electrode(Palladium)
Sn plating
Ni plating
Ag terminationunderlayer
0.18
to 0
.2
0.2 0.15 to 0.20.15 to 0.2
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
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AVRシリーズ AVRM0402/AVRL0402タイプ電気的特性特性規格表
AVRM0402
AVRL0402
品番
バリスタ電圧(ブレイクダウン電圧)
V1mA(V)[DC1mA]
最大許容回路電圧(定格電圧)Vdc(V)
max.
クランプ電圧
Vcl(V)[8/20μs]
エネルギー耐量
E(Joule)[10/1000μsec]max.
サージ電流
Ip(A)[8/20μs]max.
静電容量
C(pF)[1kHz, 1Vrms] typ.
AVRM0402C6R8NT101N 6.8 (4.76 to 8.84) 3.5 15[1A] 0.01 4 100 (70 to 130)AVRM0402C120MT330N 12 (9.6 to 14.4) 5.5 20[1A] 0.005 1 33 (23.1 to 43.9)
品番
バリスタ電圧(ブレイクダウン電圧)V1mA(V)[DC1mA]typ.
最大許容回路電圧(定格電圧)Vdc(V)
max.
静電容量
C(pF)[1MHz, 1Vrms]
絶縁抵抗
Rdc(M�)[3Vrms]min.
AVRL041E1R1NTA 39 25 1.1[0.8 to 1.4] 10
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AVRシリーズ AVRM0402/AVRL0402タイプ電気的特性電流電圧特性
伝送特性
インピーダンス周波数特性
静電容量周波数特性
0 10 20 30 5040Voltage(V)
Cur
rent
( A)
100
10–1
10–2
10–3
10–4
10–5
10–6
10–7
V1mA=6.8V V1mA=12V V1mA=39V
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Inse
rtio
n lo
ss( d
B)
–10
–20
–30
–40
–50
–60
10
01.1pF
100pF 33pF
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Impe
adan
ce( Ω
)
1000
1000000
100000
10000
100
10
1
0.1
1.1pF
100pF33pF
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Cap
acita
nce
( pF
)
100
1000
10
1
0.1
1.1pF
100pF
33pF
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AVRシリーズ
AVRM0603/AVRL0603タイプ形状と寸法 構造図
推奨ランドパターン 回路図
Dimensions in mm
0.6±0.03
0.3±
0.03
0.3±
0.03
0.1 min.
Varistor body(Zinc Oxide: ZnO semiconductor ceramics)
Inner electrode(Palladium)
Sn plating
Ni plating
Ag terminationunderlayer
0.25
to 0
.35
0.25 to 0.35 0.2 to 0.30.2 to 0.3
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AVRシリーズ AVRM0603/AVRL0603タイプ電気的特性特性規格表
AVRM0603
AVRL0603
品番
バリスタ電圧(ブレイクダウン電圧)
V1mA(V)[DC1mA]
最大許容回路電圧(定格電圧)Vdc(V)
max.
クランプ電圧
Vcl(V)[8/20μs]
エネルギー耐量
E(Joule)[10/1000μsec]max.
サージ電流
Ip(A)[8/20μs]max.
静電容量
C(pF)[1kHz, 1Vrms] typ.
AVRM0603C6R8NT331N 6.8 ( 4.76 to 8.84) 3.5 14[1A] 0.02 16 330 (231 to 429)AVRM0603C6R8NT101N 6.8 ( 4.76 to 8.84) 3.5 14[1A] 0.01 10 100 ( 70 to 130) AVRM0603C080MT101N 8 ( 6.4 to 9.6) 5.5 17[1A] 0.01 4 100 ( 70 to 130) AVRM0603C120MT101N 12.8 (10 to 15.6) 5.5 20[1A] 0.01 5 100 ( 70 to 130) AVR-M0603C120MTAAB 12 ( 9.6 to 14.4) 7.5 23[1A] 0.01 1 33AVRM0603C120MT150N 12.8 (10 to 15.6) 5.5 35[1A] 0.003 1 15 ( 10.5 to 19.5)AVRM0603C200MT150N 20 (16.0 to 24.0) 12 40[1A] 0.01 1 15 ( 10.5 to 19.5) [1MHz]
品番
バリスタ電圧(ブレイクダウン電圧)V1mA(V)[DC1mA]typ.
最大許容回路電圧(定格電圧)Vdc(V)
max.
静電容量
C(pF)[1MHz, 1Vrms]
絶縁抵抗
Rdc(M�)[3Vrms]min.
AVRL061E1R1NTA 39 25 1.1[0.8 to 1.4] 10
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AVRシリーズ AVRM0603/AVRL0603タイプ電気的特性電流電圧特性
伝送特性
インピーダンス周波数特性
静電容量周波数特性
0 10 20 30 5040Voltage(V)
Cur
rent
( A)
100
10–1
10–2
10–3
10–4
10–5
10–6
10–7
V1mA=6.8V V1mA=12V
V1mA=39V
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Inse
rtio
n lo
ss( d
B)
–10
–20
–30
–40
–50
–60
10
0 1.1pF
100pF33pF
15pF
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Impe
adan
ce( Ω
)
1000
1000000
100000
10000
100
10
1
0.1
1.1pF
100pF
15pF
33pF
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Cap
acita
nce
( pF
)
100
1000
10
1
0.1
1.1pF
100pF
33pF
15pF
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AVRシリーズ
AVRM1005/AVRL1005タイプ形状と寸法 構造図
推奨ランドパターン 回路図
Dimensions in mm
1.0±0.05
0.5±
0.05
0.5±
0.05
0.1 min.
Varistor body(Zinc Oxide: ZnO semiconductor ceramics)
Inner electrode(Palladium)
Sn plating
Ni plating
Ag terminationunderlayer
0.4
to 0
.6
0.3 to 0.5 0.35 to 0.450.35 to 0.45
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AVRシリーズ AVRM1005/AVRL1005タイプ電気的特性特性規格表
AVRM1005
AVRL1005
品番
バリスタ電圧(ブレイクダウン電圧)
V1mA(V)[DC1mA]
最大許容回路電圧(定格電圧)Vdc(V)
max.
クランプ電圧
Vcl(V)[8/20μs]
エネルギー耐量
E(Joule)[10/1000μsec]max.
サージ電流
Ip(A)[8/20μs]max.
静電容量
C(pF)[1kHz, 1Vrms]typ.
AVRM1005C6R8NT331N 6.8 ( 4.76 to 8.84) 3.5 15[1A] 0.008 24 330 (231 to 429)AVRM1005C6R8NT101N 6.8 ( 4.76 to 8.84) 3.5 14[1A] 0.02 10 100 ( 70 to 130) AVR-M1005C080MTAAB 8 ( 6.4 to 9.6) 5.5 14[1A] 0.04 25 650AVR-M1005C080MTADB 8 ( 6.4 to 9.6) 5.5 14[1A] 0.04 25 480AVR-M1005C080MTABB 8 ( 6.4 to 9.6) 5.5 15[1A] 0.02 3 100AVR-M1005C080MTACB 8 ( 6.4 to 9.6) 5.5 19[1A] 0.01 1 33AVR-M1005C120MTACC 12 ( 9.6 to 14.4) 7.5 21[1A] 0.01 24 460 [1MHz]AVR-M1005C120MTAAB 12 ( 9.6 to 14.4) 7.5 20[1A] 0.05 10 130AVR-M1005C180MTAAB 18 (14.4 to 21.6) 11 30[1A] 0.06 16 120 [1MHz]AVRM1005C270KT101N 27 (24 to 30) 19 44[1A] 0.06 4 100 ( 70 to 130) AVR-M1005C270MTAAB 27 (21.6 to 32.4) 15 47[1A] 0.06 4 40AVR-M1005C270MTABB 27 (21.6 to 32.4) 15 49[1A] 0.05 1 15
品番
バリスタ電圧(ブレイクダウン電圧)V1mA(V)[DC1mA]typ.
最大許容回路電圧(定格電圧)Vdc(V)
max.
静電容量
C(pF)[1MHz, 1Vrms]
絶縁抵抗
Rdc(M�)[3Vrms]min.
AVRL101A1R1NTA 90 10 1.1[0.8 to 1.4] 10AVRL101A1R1NTB 39 10 1.1[0.8 to 1.4] 10AVRL101C2R2DTA 90 16 2.2[1.7 to 2.7] 10AVRL101A3R3FTA 27 10 3.3[2.3 to 4.3] 10AVRL101A6R8GTA 27 10 6.8[4.8 to 8.8] 10
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
(17/26)
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
AVRシリーズ AVRM1005/AVRL1005タイプ電気的特性電流電圧特性
伝送特性
インピーダンス周波数特性
静電容量周波数特性
0 10 20 30 5040Voltage(V)
Cur
rent
( A)
100
10–1
10–2
10–3
10–4
10–5
10–6
10–7
V1mA=6.8VV1mA=8V
V1mA=12VV1mA=27V
V1mA=39V
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Inse
rtio
n lo
ss( d
B)
–10
–20
–30
–40
–50
–60
10
01.1pF
100pF
33pF
15pF 3.3pF6.8pF
650pF
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Impe
adan
ce( Ω
)
1000
1000000
100000
10000
100
10
1
0.1
1.1pF
3.3pF6.8pF
100pF650pF
33pF15pF
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Cap
acita
nce
( pF
)
100
10000
1000
10
1
0.1
1.1pF
100pF
33pF
15pF
3.3pF
6.8pF
650pF
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
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20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
AVRシリーズ
AVRM1608/AVRL1608タイプ形状と寸法 構造図
推奨ランドパターン 回路図
Dimensions in mm
1.6±0.1
0.8±
0.1
0.8±
0.1
0.2 min.
Varistor body(Zinc Oxide: ZnO semiconductor ceramics)
Inner electrode(Palladium)
Sn plating
Ni plating
Ag terminationunderlayer
0.6
to 0
.8
0.6 to 0.8 0.6 to 0.80.6 to 0.8
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
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20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
AVRシリーズ AVRM1608/AVRL1608タイプ電気的特性特性規格表
AVRM1608
AVRL1608
品番
バリスタ電圧(ブレイクダウン電圧)
V1mA(V)[DC1mA]
最大許容回路電圧(定格電圧)Vdc(V)
max.
クランプ電圧
Vcl(V)[8/20μs]
エネルギー耐量
E(Joule)[10/1000μsec]max.
サージ電流
Ip(A)[8/20μs]max.
静電容量
C(pF)[1kHz, 1Vrms]typ.
AVR-M1608C080MTAAB 8 ( 6.4 to 9.6) 5.5 15[2A] 0.09 30 650AVR-M1608C120MT6AB 12 ( 9.6 to 14.4) 7.5 20[2A] 0.09 50 1050AVR-M1608C120MT2AB 12 ( 9.6 to 14.4) 7.5 20[2A] 0.06 15 400AVR-M1608C180MT6AB 18 (14.4 to 21.6) 11 30[2A] 0.1 30 600AVR-M1608C220KT6AB 22 (19.8 to 24.2) 16 34[2A] 0.1 30 560AVR-M1608C220KT2AB 22 (19.8 to 24.2) 16 37[2A] 0.03 10 210AVR-M1608C270KT6AB 27 (24 to 30) 19 42[2A] 0.1 48 430AVR-M1608C270KT2AB 27 (24 to 30) 19 42[2A] 0.1 20 160AVR-M1608C270KTACB 27 (24 to 30) 19 54[2A] 0.05 10 60AVRM1608C270KT800M 27 (24 to 30) 19 53[2A] 0.02 28 80 ( 64 to 96)AVR-M1608C270MTAAB 27 (21.6 to 32.4) 17 52[2A] 0.05 2 30AVR-M1608C270MTABB 27 (21.6 to 32.4) 17 52[2A] 0.05 2 15AVRM1608C390KT271N 39 (35 to 43) 28 69[2A] 0.1 78 270 (189 to 351)
品番
バリスタ電圧(ブレイクダウン電圧)V1mA(V)[DC1mA]typ.
静電容量
C(pF)[1MHz, 1Vrms]
最大許容回路電圧(定格電圧)Vdc(V)
max.
絶縁抵抗
Rdc(M�)[3Vrms]min.
AVRL161A1R1NTA 90 1.1[0.8 to 1.4] 10 10AVRL161A1R1NTB 39 1.1[0.8 to 1.4] 10 10AVRL161A3R3FTA 27 3.3[2.3 to 4.3] 10 10AVRL161A6R8GTA 27 6.8[4.8 to 8.8] 10 10
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
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AVRシリーズ AVRM1608/AVRL1608タイプ電気的特性電流電圧特性
伝送特性
インピーダンス周波数特性
静電容量周波数特性
0 10 20 30 5040Voltage(V)
Cur
rent
( A)
100
10–1
10–2
10–3
10–4
10–5
10–6
10–7
V1mA=8V
V1mA=12V
V1mA=18V
V1mA=27V
V1mA=22V
V1mA=39V
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Inse
rtio
n lo
ss( d
B)
–10
–20
–30
–40
–50
–60
10
01.1pF
30pF
15pF
3.3pF6.8pF
600pF
400pF
160pF
1050pF
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Impe
adan
ce( Ω
)
1000
1000000
100000
10000
100
10
1
0.1
1.1pF
3.3pF6.8pF
600pF400pF
160pF
1050pF
15pF30pF
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Cap
acita
nce
( pF
)
100
10000
1000
10
1
0.1
1.1pF
15pF
3.3pF
6.8pF
30pF
600pF
400pF160pF
1050pF
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
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AVRシリーズ
AVRM2012タイプ形状と寸法 構造図
推奨ランドパターン 回路図
Dimensions in mm
2.0±0.2
1.25
±0.
21.
0±0.
2
0.2 min.
Varistor body(Zinc Oxide: ZnO semiconductor ceramics)
Inner electrode(Palladium)
Sn plating
Ni plating
Ag terminationunderlayer
0.9
to 1
.2
0.9 to 1.2 0.7 to 0.90.7 to 0.9
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
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(22/26)
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AVRシリーズ AVRM2012タイプ電気的特性特性規格表
品番
バリスタ電圧(ブレイクダウン電圧)
V1mA(V)[DC1mA]
最大許容回路電圧(定格電圧)Vdc(V)
max.
クランプ電圧
Vcl(V)[8/20μs]
エネルギー耐量
E(Joule)[10/1000μsec]max.
サージ電流
Ip(A)[8/20μs]max.
静電容量
C(pF)[1kHz, 1Vrms]typ.
AVR-M2012C120MT6AB 12 ( 9.6 to 14.4) 7.5 20[5A] 0.2 60 1000AVR-M2012C220KT6AB 22 (19.8 to 24.2) 16 38[5A] 0.3 100 800AVR-M2012C390KT6AB 39 (35 to 43) 28 62[5A] 0.3 100 430
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
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(23/26)
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
AVRシリーズ AVRM2012タイプ電気的特性電流電圧特性
伝送特性
インピーダンス周波数特性
静電容量周波数特性
0 10 20 30 5040Voltage(V)
Cur
rent
( A)
100
10–1
10–2
10–3
10–4
10–5
10–6
10–7
V1mA=12V V1mA=22V V1mA=39V
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Inse
rtio
n lo
ss( d
B)
–10
–20
–30
–40
–50
–60
10
0
800pF
430pF1000pF
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Impe
adan
ce( Ω
)
1000
100
10
1
0.1
800pF
430pF1000pF
1 10 100 1000 10000Frequency(MHz)
Cap
acita
nce
( pF
)
10000
1000
100
800pF
430pF
1000pF
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
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AVRシリーズ
静電気放電試験静電気放電試験(例)
AVR-M1005C080MTAAB
AVR-M1608C080MTAAB
AVRL101A3R3FTA
AVRL161A3R3FTA
○試験条件150pF、330� 接触放電充電電圧/8kV、0.1秒間隔
○測定器
Init. 1 10 100 1000Number of Discharge(Times)
ΔV
1mA
/V1m
A( %
)
–20
–40
–60
–80
20
0
–100
Init. 1 10 100 1000Number of Discharge(Times)
ΔV
1mA
/V1m
A( %
)
–20
–40
–60
–80
20
0
–100
Init. 1 10 100 1000Number of Discharge(Times)
ΔC
1MH
z/C
1MH
z(%
)
–20
–40
–60
–80
20
0
–100
Init. 1 10 100 1000Number of Discharge(Times)
ΔC
1MH
z/C
1MH
z(%
)
–20
–40
–60
–80
20
0
–100
10MΩ 330Ω
150pFHigh voltageDC power supply
Discharge gun
ESDsimulatorESD simulator
Testsample
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
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AVRシリーズ
静電気吸収特性放電電流波形
各種素子の静電気放電吸収特性比較(例)
放電電圧波形(例)
波形パラメータ[IEC61000-4-2] 測定回路
–50 0 50 100 150 200 250 300Time(ns)
Dis
char
ge c
urre
nt( A
)
7
5
4
3
2
1
–1
8
6
0
150pF, 330Ω,Contact discharge, Test level 1
Cla
mpi
ng v
olta
ge( V
)
0
316 45 58 47
Open waveform
117 16 24 21
350
300
250
200
150
100
50
AVR-M1005C080MTAAB AVR-M1005C120MTAAB Zener diode/Vz:6.2V
PeakAverage
271Vdown
101Vdown
258Vdown
93Vdown
269Vdown
96Vdown
30 100
Peak voltage:Peak voltage of standing up partAverage voltage : Average voltage of 30 to 100ns
Peakvoltage
(voltage)
(ns)
Averagevoltage
ESD (Electro Static Discharge) absorption characteristics of V1mA-8V is superior to Vz-6.2V Zener diode.
–50 0 50 100 150 200 250 300Time(ns)
Vol
tage
( V)
300
200
150
100
50
0
350
250
–50
Open waveform
AVR-M1005C120MTAAB / V1mA:12V
AVR-M1005C080MTAAB / V1mA:8V
Zener diode /Vz:6.2V
測定レベル ESD充電電圧(kV)
放電 1次ピーク電流(A)
立上り時間(ns)
1 2 7.5 0.7 to 1.02 4 15 0.7 to 1.03 6 22.5 0.7 to 1.04 8 30 0.7 to 1.0
10MΩ 330Ω
50Ω
150pF
Discharge gun
ESDsimulator
ESD simulator
Testsample
Oscilloscope
60dB attenuator
I/O impedance: 50ΩFrequency range: DC to 18GHz
High voltageDC power supply
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s
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AVRシリーズ
包装形態リール寸法
テープ寸法
Dimensions in mm
タイプ A B P1 KAVRM0402/AVRL0402 0.26±0.04 0.46±0.04 2.0±0.05 0.4max.AVRM0603/AVRL0603 0.38±0.05 0.68±0.05 2.0±0.05 0.45max.AVRM1005/AVRL1005 0.65±0.1 1.15±0.1 2.0±0.05 0.65max.AVRM1608/AVRL1608 1.1±0.2 1.9±0.2 4.0±0.1 1.1max.
AVRM2012 1.6±0.2 2.3±0.2 4.0±0.1 1.7max.
ø180±2.0
2.0±0.5
ø13±0.2
ø21±0.8
Dimensions in mm
1.0
ø60
min
.
14.4max.
8.4 +2.0–0.0
4.0±0.12.0±0.05
B
A P1
8.0±
0.3
1.75
±0.
1
3.5±
0.05
K
1.5 +0.10
Dimensions in mm
160min. Taping 200min.
300min.Drawing direction