ОКР «Парад»

ФГУП «НИИЭТ»

Начальник лаборатории Грищенко Сергей Викторович

ОКР «Парад»

«Разработка базовой технологии сборки миниатюрных

многокристальных усилителей мощности на основе LDMOS

транзисторов, МОП и керамических конденсаторов и резисторов

с использованием новых конструкционных материалов »

Цель ОКР — разработка базовой технологии сборки миниатюрных многокристальных усилителей мощности на основе LDMOS транзисторов, МОП и керамических конденсаторов и резисторов с использованием новых

конструкционных материалов. Зарубежный аналог : миниатюрный усилитель мощности

MPAL2731M15 фирмы Integra Technology (США).

Основная сфера применения — усилители мощности в перспективных радиолокационных станциях S-диапазона с активными фазированными

антенными решётками.

Требования к электрическим характеристикам макетных образцов

Наименование параметра, единица измерения

Значение

1 Полоса рабочих частот, ГГц 2,7 – 3,1

2 Выходная мощность, Вт 10,0

3 Коэффициент усиления по мощности, дБ ≥10,0

4 Напряжение питания, В 36,0

Поперечное сечение LDMOS транзисторной структуры

Электрические параметры транзисторного кристалла

Наименование параметра Значение

Крутизна характеристики S, А/В (UСИ = 10 В, IС = 0,7 A), 0,4

Входная емкость С11И , пФ (UЗИ = 0, UСИ = 36 В, f = 1 МГц) 20

Выходная емкость С22И, пФ (UЗИ = 0, UСИ = 36 В, f = 1 МГц) 9

Проходная емкость С12И, пФ (UЗИ = 0, UСИ = 36 В, f = 1 МГц) 0,7

Пороговое напряжение UЗИ.пор, В (IC = 30 мА, UСИ = 10 В) 3

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RСИ.отк , Ом 1,4

Максимально допустимый постоянный ток стока IC.max, А

(UЗИ = 12 В, UСИ = 10 В) 2,5

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора Pmax, Вт (Tк = 40 °С) 30

Максимально допустимое напряжение сток-исток UСИ.max, В

(UЗИ = 0, IC.ост = 0,5 мА) 65,0

Принципиальная схема усилителя мощности

Схема включения многокристального усилителя мощности

XW1 XW2

R1

L1C2 C3

+36В

Вход ВЧ Выход ВЧW1 W2

DA1

C1 C4

Cхема размещения компонентов в многокристальномусилителе мощности

Керамический конденсатор

МДП конденсатор

Транзисторный кристалл

Чип резистор

Индуктивность (проволочные выводы)

Требования к параметрам макетных образцов

№п/п

Наименование параметра Значение

1 Прочность микропаяных и микроклеевых соединений (на срез), МПа

≥ 6,0

2 Прочность микросварных соединений, (на отрыв), гс ≥ 4,0

3 Точность посадки компонентов, мкм ± 10

4 Герметичность изделия по нормализованному потоку гелия, л(мкм рт. ст)/с

5×10-4

5 Воспроизводимость резонансной частоты входной согласующей цепи усилителей мощности, %

± 1,0

6 Воспроизводимость резонансной частоты выходной согласующей цепи усилителей мощности, %

± 1,5

7 Разброс значений комплексного коэффициента передачи по модулю, дБ

1,0

8 Разброс значений комплексного коэффициента передачи по фазе, град

10,0

Зависимость выходной мощности и КПД от частоты многокристального усилителя мощности

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

2,6 2,7 2,8 2,9 3 3,1 3,2

F, ГГц

Рв

ых,

Вт

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

КП

Д,

%

Pвых

КПД

Миниатюрный многокристальный усилитель мощности

Миниатюрный многокристальный усилитель мощности в контактном устройстве для измерения энергетических параметров