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Submitted on 13 Oct 2016

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Réalisation et caractérisation de transistors MOS à basede nanofils verticaux en silicium

Youssouf Guerfi

To cite this version:Youssouf Guerfi. Réalisation et caractérisation de transistors MOS à base de nanofils verticaux ensilicium. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2015.Français. �NNT : 2015TOU30253�. �tel-01261513v3�

THESETHESE

En vue de l’obtention du

DOCTORAT DE L’UNIVERSITE DE TOULOUSE

Delivre par : l’Universite Toulouse 3 Paul Sabatier

Presentee et soutenue le jeudi 10 decembre 2015 par :

Youssouf GUERFI

Realisation et caracterisation de transistors MOS a base de nanofils

verticaux en silicium

JURY

Sylvain BOLLAERT Professeur d’Universite Rapporteur

Laurent PICHON Professeur d’Universite Rapporteur

Alain CAZARRE Professeur d’Universite President

Bassem SALEM Charge de recherche Examinateur

Ecole doctorale et specialite :

GEET : Micro et Nanosystemes

Unite de Recherche :

Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systemes (UPR 8001)

Directeur(s) de These :

Guilhem LARRIEU et Filadelfo CRISTIANO

Rapporteurs :

Sylvain BOLLAERT et Laurent PICHON