Post on 04-Mar-2016
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 1/24
75
Capitolul 5
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune
12p
Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune esteprezentată în figura notată cu:a)
S G D
B
SiO2
p++ n++
n
n
canal
b)S G D
B
SiO2
n++
n++
p
canal
c)
G
D
G
canal
p
pn
S
n
joncţ iunep-n
joncţ iunep-n
d)S G D
B
SiO2
n++ n++
p
n
canal
2.1p
Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect decâmp cu joncţiune. Cu S a fost notat electrodul numit:
G
D
G
canal
p
pn
S
n
joncţ iunep-n
joncţ iunep-n
Figura 5.1
a) sursă;b) drenă;c) grilă;
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 2/24
Elemente de electronică analogică - teste
76
d) substrat
3.1p
Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect decâmp cu joncţiune. Cu G a fost notat electrodul numit:
a) sursă;b) drenă;c) grilă;d) substrat
4.1p
Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect decâmp cu joncţiune. Cu D a fost notat electrodul numit:
a) sursă;b) drenă;
c) grilă;d) substrat
5.1p
Simbolul unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal p esteprezentat în figura notată:a)
S
G
D
B
b)
S
G
D
B
c)
S
G
Dd)
S
G
D
6.1p
Simbolul unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal n esteprezentat în figura notată:
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 3/24
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune
77
a)
S
G
D
B
b)
S
G
D
B
c)
S
G
D
d)
S
G
D
7.2p
Curentul principal din TECJ se stabileşte între:
a) grilă şi drenă;b) sursă şi drenă;c) sursă şi grilă;d) grilă şi drenă.
8.2p
Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din:
a) electronib) goluri;c) ioni pozitivi;d) ioni negativi.
9.2p
Curentul principal dintr-un TECJ cu canal p se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din:
a) electronib) goluri;c) ioni pozitivi;d) ioni negativi.
10.2p
Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din electroni. În parcursul lor, aceşti electronitrec printr-o regiune numită canal. Rezistenţa canalului este comandată de potenţialul grilei. Pentru a se realiza această comandă este necesar ca
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 4/24
Elemente de electronică analogică - teste
78
în principiu:a) joncţiunea grilă-canal să fie polarizată invers;b) joncţiunea grilă-canal să fie polarizată direct;c) joncţiunea drena-sursă să fie polarizată invers;d) joncţiunea drena-sursă să fie polarizată direct.
11.3p
Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din electroni. În parcursul lor, aceşti electronitrec printr-o regiune numită canal. Rezistenţa canalului este comandată de potenţialul grilei. Pentru a se realiza această comandă este necesar ca în principiu ca joncţiunea grilă-canal să fie polarizată invers. Mecanismulde comanda este:
a) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de neutră de tip
p ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii desarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificareageometriei canalului; modificarea geometriei canalului are caefect modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţeicanalui duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -lacomandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
b) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de neutră de tipn ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii desarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificareageometriei canalului; modificarea geometriei canalului are caefect modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţeicanalui duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -lacomandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
c) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilorregiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc lamodificarea concentratiei de purtători; modificarea geometrieicanalului are ca efect modificarea rezistenţei canalui; modificarearezistenţei canalui duce în final la efectul dorit şi anume lamodificarea -la comandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
d) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilorregiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc lamodificarea geometriei canalului; modificarea geometrieicanalului are ca efect modificarea rezistenţei canalui; modificarearezistenţei canalui duce în final la efectul dorit şi anume lamodificarea -la comandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 5/24
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune
79
12.1p Conexiunea sursă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:
a)
vIN
vO iIN
iO
G
D
S
b)
vIN vO
iIN iO
S
G
D
c)
vIN
vO iIN
iO
G
S
D
d)
vO vIN
iO iIN
S
G
D
13.1p
Conexiunea drenă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:
a)
vIN
vO iIN
iO
G
D
S
b)
vIN vO
iIN iO
S
G
D
c)
vIN
vO iIN
iO
G
S
D
d)
vO vIN
iO iIN
S
G
D
14.1p
Conexiunea grilă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 6/24
Elemente de electronică analogică - teste
80
a)
vIN
vO iIN
iO
G
D
S
b)
vIN vO
iIN iO
S
G
D
c)
vIN
vO iIN
iO
G
S
D
d)
vO
vIN iO
iIN S
D
15.3p
Conexiunea sursă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:
a) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - sursă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul dedrenă;
b) are ca mărimi de intrare tensiunea sursă - grilă şi curentul desursă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - grilă şi curentul dedrenă;
c) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul de
sursă;d) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul dedrenă.
16.3p
Conexiunea grilă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:
a) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - sursă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul dedrenă;
b) are ca mărimi de intrare tensiunea sursă - grilă şi curentul desursă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - grilă şi curentul dedrenă;
c) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul desursă;
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 7/24
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune
81
d) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul dedrenă.
17.3p
Conexiunea drenă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:
a) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - sursă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul dedrenă;
b) are ca mărimi de intrare tensiunea sursă - grilă şi curentul desursă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - grilă şi curentul dedrenă;
c) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul desursă;
d) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul degrilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul dedrenă.
18.3p
În mod uzual, un tranzistor cu efect de câmp este descris de două ecuaţiide forma:
a) iG=iG(vGS,vDS) şi iD=iD(vGS,vDS)b) iG=iG(vGD,vDS) şi iD=iD(vGS,vDS)c) iG=iG(vGS,vDS) şi iD=iD(vGD,vDS)d) iG=iG(vGD,vDS) şi iD=iD(vGD,vDS)
9.2p
Întrucât în funcţionarea normală joncţiunea grilei a unui TECJ estepolarizată invers curentul de grilă este:
a) .
)(const U
DS GG
GS
vii=
=
b) .
)(const U
GS GG
GS
vii=
=
c) 0≅Gi
d) DS
DS G
r
vi =
20.1p
Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu I a fostnotată:
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 8/24
Elemente de electronică analogică - teste
82
vDS
iD
vGS=-4V
vGS=2V
vGS=0V
vGS=0.1VIV.
III.
II.
I.
vGS=VT
vGS-vT
Figura 5.2
a) regiunea de blocare;b) regiunea liniară;c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.21.1p
Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu II a fostnotată:
a) regiunea de blocare;b) regiunea liniară;c) regiunea de cot;d) regiunea de saturaţie.
22.1p
Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu III a fostnotată:
a) regiunea de blocare;b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;d) regiunea de saturaţie.
23.1p
Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu IV a fostnotată:
a) regiunea de blocare;b) regiunea liniară;c) regiunea de cot;d) regiunea de saturaţie.
24.2p
Un TECJ care funcţionează în regiunea liniară se comportă ca
a) rezistenţă comandată;
b) un generator de curent comandat;c) un circuit întrerupt;d) un generator de tensiune comandat.
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 9/24
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune
83
25.2p
Un TECJ care funcţionează în regiunea de blocare se comportă ca
a) rezistenţă comandată;b) un generator de curent comandat;c) un circuit întrerupt;d) un generator de tensiune comandat.
26.2p
Un TECJ care funcţionează în regiunea de saturaţie se comportă ca
a) rezistenţă comandată;b) un generator de curent comandat;c) un circuit întrerupt;
d) un generator de tensiune comandat.
27.3p
Caracteristica de ieşire a unui TECJ este prezentată în figura notată:
a)
vDS
iD
vGS=-4V
vGS=0V
vGS=2V
vGS=4VRegiune de saturatie
Regiune
de cot
Regiune
liniara
Regiune de
blocare
vGS=VT
vGS-vT
b)
vDS
iD
vGS=2V
vGS=4V
vGS=6V
vGS=8VRegiune de saturatie
Regiunede cot
Regiuneliniara
Regiune deblocare
vGS=VT
vGS-vT
c)
vDS
iD
vGS=-4V
vGS=2V
vGS=0V
vGS=0.1VRegiune de saturatie
Regiune
de cotRegiune
liniara
Regiune deblocare
vGS=VT
vGS-vT
d)
vCE
iC
iB1
iB2
iB3
iB4Regiunea activă normalăvCB=0
Regiunea desaturatie
Regiunea de
blocare
28.3p
Caracteristica de intrare a unui TECJ este prezentată în figura notată:
a)
1V
iD
vGS
IDSS
VT
b)iD
vGSVT
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 10/24
Elemente de electronică analogică - teste
84
c)iD
vGS
IDSS
VT 1V
d)
vBE
iB
vCE1
vCE2>vCE1
γV
29.3p
Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucrează în regiuneade blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0 şi iD=0
b) iG=0 şi
2
1
−=T
GS
DSS DV
v
I i
c) iG=0 şi DS
T
GS o D v
V
vGi
−=
21
1
d)
=
T
BE
S C e
v I i exp şi
=
T
BE
F
S B
e
v I i exp
β
30.3p
Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucrează în regiuneade saturaţie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0 şi iD=0
b) iG=0 şi
2
1
−=
T
GS DSS D
V v I i
c) iG=0 şi DS
T
GS o D u
V
vGi
−=
21
1
d)
=
T
BE
S C e
v I i exp şi
=
T
BE
F
S B
e
v I i exp
β
31.3p
Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucrează în regiunealiniară - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0 şi iD=0
b) iG=0 şi2
1
−=
T
GS
DSS DV
v I i
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 11/24
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune
85
c) iG=0 şi DS
T
GS o D u
V
vGi
−=
21
1
d)
=
T
BE
S C e
v I i exp şi
=
T
BE
F
S B
e
v I i exp
β
32.3p
Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea liniară - regimcvasistatic de semnal mare - este:a)
B
E
C
βFiBvBE
iB
b)G
S
D
RvGS
c)
G
S
D
IDSS
2
1
−
T
GS
V
vvGS
d)G D
S
G
vGS vDS
33.3p
Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea de saturaţie -regim cvasistatic de semnal mare - este:a)
B
E
C
βFiBvBE
iB
b)G
S
D
RvGS
c)
G
S
D
IDSS
2
1
−
T
GS
V
vvGS
d)G D
S
G
vGS vDS
34.3p
Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea de blocare -regim cvasistatic de semnal mare - este:a)
B
E
C
βFiBvBE
iB
b)G
S
D
RvGS
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 12/24
Elemente de electronică analogică - teste
86
c)G
S
D
IDSS
2
1
−
T
GS
V
vvGS
d) G D
S
G
vGS vDS
35.3p
Caracteristicile statice din figura 5.3 pun în evidenţa fenomenul destrăpungere al canalului pentru un tranzistor cu efect de câmp.
uDS
iD
UDS(BR)
IDmax
Figura 5.3
a) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătuldinspre sursă al canalului.
b) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătuldinspre drenă al canalului.
c) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin efect tunel care apare la capătul dinspre drenă alcanalului.
d) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin efect tunel care apare la capătul dinspre sursă alcanalului.
36.3p
Caracteristicile statice din figura 5.3 pun în evidenţa fenomenul destrăpungere la nivelul canalului pentru un tranzistor cu efect de câmp.Există, de asemenea străpungere la nivelul joncţiunii de poartă. Evitareaacestui fenomen se face prin:
a) limitarea tensiunilor inverse pe poartă;b) limitarea tensiunilor directe pe poartă;c) limitarea tensiunilor inverse pe drenă;d) limitarea tensiunilor directe pe drenă.
37.3p
Pentru un TECJ, o dată cu creşterea temperaturii:
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 13/24
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune
87
a) IDSS scade iar VT creşte;b) IDSS creşte iar VT scade;c) IDSS şi cresc;d) IDSS şi VT scad.
Pentru notaţii vezi figura 5.4
38.3p
Pentru un TECJ, o dată cu creşterea temperaturii:
a) iD scade dacă iD>IZ;b) iD creşte dacă iD>IZ;c) iD scade dacă iD<IZ;d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;
pentru notaţii vezi figura 5.4
39.4p
Pentru un tranzistor cu efect de câmp:
iD
vGS
T2
VT1
T1 T2>T1
VT2
IDSS1
IDSS2
Z
VGZ
IZ
Figura 5.4
a) problema ambalării termice se rezolvă ca şi în cazultranzistoarelor bipolare;
b) problema ambalării termice nu se pune;
c) problema ambalării termice nu se pune dacă ID<IZ;d) problema ambalării termice nu se pune dacă ID>IZ.unde ID curentul de drenă din punctul static de funcţionare, iar pentru IZ vezi figura 5.4.
40.3p
O dată cu variaţia temperaturii caracteristicile de ieşire ale unui TECJ semodifică ca în figura notată (urmăriţi relaţia dintre T1 şi T2):
a)iD
vGS
T2
VT1
T1 2<T1
VT2
IDSS1
IDSS2
Z
VGZ
IZ
b)iD
vGS
T2
VT1
T1 2>T1
VT2
IDSS1
IDSS2
Z
VGZ
IZ
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 14/24
Elemente de electronică analogică - teste
88
c)21 T T ≤
iD
vGS
T2
VT1
T1
VT2
IDSS1
IDSS2
Z
VGZ
IZ
d)21 T T ≥
iD
vGS
T2
VT1
T1
VT2
IDSS1
IDSS2
Z
VGZ
IZ
41.3p
Un posibil model matematic pentru un TECJ – pentru regimul cvasistaticde semnal mic – este:
a)
id =0 şi id =gmvdsb) ig=0 şi id =gmvgs c) id =0 şi id =gmvds
d) ig=0 şi id =gmvgs
undeig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal)vds tensiune de drenă-sursa (valoare instantanee de semnal)
T GS
Dm
vV
I g
−=
2
423p
Tranconductanţă mutuală a unui TECJ are expresia:
a) T GS
d mV V
I g −=
2;
b) T gs
Dm
V V
I g
−=
2 ;
c) T GS
Dm
V V
I g
−=
2 ;
d) T gs
d m
V V
I g
−=
2 .
433p
Schema echivalentă ce corespunde modelului matematicig=0 id =gmvgs
al unui TECJ – pentru regimul cvasistatic de semnal mic – esteprezentată în figura:
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 15/24
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune
89
a)
gmvgs
D
S
G
vgs
b)
gmvgs
D
S
G
vgs
c)
gmvgs
D
S
G
vgs
d)
gmvgs
D
S
G
vgs
44.2p
Circuitul de polarizare al unui TECJ are sarcina de a asigura:
a) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitateapunctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţiatemperaturii;
b) polarizarea directă a joncţinii poartă – canal, stabilitateapunctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţiatemperaturii;
c) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitateapunctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,precum şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţiatemperaturii;
d) stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;
45.3p
Aşa numitul „circuit cu negativare automată” utilizat pentru polarizareaunui TECJ este prezentat în figura notată:
a)ED
RG
b)ED
RS
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 16/24
Elemente de electronică analogică - teste
90
c) ED
RS RG
d) ED
RS
46.3p
Figura 5.5 prezintă aşa numitul „circuit cu negativare automată” utilizatpentru polarizarea unui TECJ. Schema echivalentă de semnal mare ce îicorespunde este:
ED
RS RG
Figura 5.5 a)
ID
RS RG ED
VGS
G D
S
VDS
b)
ID
RS RG ED
VGS
G D
S
VDS
c)
ID
RS RG ED
VGS
G D
S
VDS
d)
ID
RS RG ED
VGS
G D
S
VDS
474p
Figura 5.6 prezintă schema echivalentă de semnal mare a circuitului dinfigura 5.5. Căderea de tensiune VGS are expresia:
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 17/24
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune
91
ID
RS RG ED
VGS
G D
S
VDS
Figura 5.6
a) VGS=RSID b) VGS=-RGID c) VGS=-RSID d) VGS=-RGIG
48.
2p
Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună
construit cu un TECJ. Tranzistorul este blocat dacă:ED
RD
vIN vO
iD iIN
iO
Figura 5.7
a) vIN<VT b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat
49.2p
Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună.Tranzistorul este în regiunea de saturaţie dacă:
a) vIN<VT b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat
50.2p
Figura 5.8 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună.Tranzistorul este în regiunea liniară dacă:
a) vIN<VT b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat
51.2p
Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul este blocat schema se modelează ca în figura notată:
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 18/24
Elemente de electronică analogică - teste
92
a) ED
RD
vIN vO
iDiINiO
vGS
G D
S
b) ED
RD
vIN vO
iIN
vGS
G D
S
iD
c)
ED
RD
vIN vO
iIN
vGSE
G D
S
R
d)ED
vIN vO
iIN
vGS
G D
S
R
52.2p
Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul operează în regiunea de saturaţie schema se modelează ca înfigura notată:a)
ED
RD
vIN vO
iDiINiO
vGS
G D
S
b)ED
RD
vIN vO
iIN
vGS
G D
S
iD
c)ED
RD
vIN vO
iIN
vGSE
G D
S
R
d)ED
vIN vO
iIN
vGS
G D
S
R
53.2p
Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul operează în regiunea liniară schema se modelează ca înfigura notată:
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 19/24
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune
93
a) ED
RD
vIN vO
iDiINiO
vGS
G D
S
b) ED
RD
vIN vO
iIN
vGS
G D
S
iD
c)
ED
RD
vIN vO
iIN
vGSE
G D
S
R
d)ED
vIN vO
iIN
vGS
G D
S
R
54.4p
Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul operează în regiunea liniară tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
b) vO=ED-
2
1
−
T
GS DSS D
V
v I R ;
c) vO= ER
R RD
D+;
d) vO=ED+
2
1
−
T
GS
DSS D
V
v I R .
55.2p
Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul operează în regiunea de saturaţie tensiunea de ieşire areexpresia:
a) vO=ED;
b) vO=ED-
2
1
−
T
GS DSS D
V
v I R ;
c) vO= ER
R RD
D+;
d) vO=ED+
2
1
−
T
GS DSS DV
v I R .
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 20/24
Elemente de electronică analogică - teste
94
56.2p
Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul este blocat tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
b) vO=ED-
2
1
−
T
GS
DSS DV
v I R ;
c) vO= ER
R RD
D+;
d) vO=ED+
2
1
−
T
GS
DSS DV
v I R .
57.2p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura notată:a)
ED
RS RG
RD
C1
C2
V0
Vin
b)ED
RS
RD
C1
C2
CS
V0
Vin
c)ED
RS RG
RD
C1
C2
CS
V0
Vin
d)ED
RS
RD
C1
C2
V0
Vin
58.1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RG:
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 21/24
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune
95
ED
RS RG
RD
C1
C2
CS
V0
Vin
Figura 5.8
a) face parte din circuitul de negativarea automată;b) este rezistor de sarcină;c) este rezistor de limitare;d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.
59.1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RS
a) face parte din circuitul de negativarea automată;b) este rezistor de sarcină;c) este rezistor de limitare;d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.
60.1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RD
a) face parte din circuitul de negativarea automată;b) este rezistor de sarcină;c) este rezistor de limitare;d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.
61.1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul C1
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativneavând nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă, în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocândcomponenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.
62.1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul C2
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 22/24
Elemente de electronică analogică - teste
96
neavând nici un efect.b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă, în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocândcomponenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.
63.1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul CS
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativneavând nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,
dar lasă să treacă componenta continuă.c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă,
în curent continuu neavând nici un efect.d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.
64.3p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Amplificarea în
tensiune definită prin:in
o
V V
V A = este:
a) Av=gm R D b) Av=-gm R D
c) Av=gm RS d) Av=-gm RS
65.3p
Schema unui etaj de amplificare în conexiunea sursă comună esteprezentată în figura 5.8. Schema echivalentă de semnal mic regimcvasistatic este prezentată în figura notată:
a)
RG Vin
Iin
Vgs gπVgs
Io
VoRD
G D
S
b)
RG Vin
Iin
Vgs gmVgs
Io
VoRD
G D
S
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 23/24
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţ iune
97
c)
RG Vin
Iin
Vgs gmVgs
Io
VoRD
G D
S
d)
RG Vin
Iin
Vgs gmVgs
Io
VoRD
G D
S
66.3p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistenţa deintrare este:
a) Rin=RG b) Rin=βRS c) Rin=βRG
d) Rin=RS
67.3p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistenţa deieşire este:
a) Ro=RD b) Ro=βRD c) Ro=RS d) Ro=βRS
Răspuns corect a.)
7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 24/24
Elemente de electronică analogică - teste
98
Ră spunsuri
1 Răspuns corect a) 35. Răspuns corect b.)2. Răspuns corect a) 36. Răspuns corect a.).3. Răspuns corect c) 37. Răspuns corect d.)4. Răspuns corect b) 38. Răspuns corect a.)5. Răspuns corect d) 39. Răspuns corect d)6. Răspuns corect d) 40. Răspuns corect b)7. Răspuns corect b) 41. Răspuns corect d.)8. Răspuns corect a) 42. Răspuns corect c)9. Răspuns corect b) 43. Răspuns corect a)
10. Răspuns corect a) 44. Răspuns corect a)11. Răspuns corect d) 45. Răspuns corect c)12. Răspuns corect a) 46. Răspuns corect b)13. Răspuns corect c) 47. Răspuns corect c)14. Răspuns corect b) 48. Răspuns corect a)15. Răspuns corect a) 49. Răspuns corect b)16. Răspuns corect b) 50. Răspuns corect b)17. Răspuns corect c) 51. Răspuns corect a)18. Răspuns corect a) 52. Răspuns corect b)19. Răspuns corect c) 53. Răspuns corect c)20. Răspuns corect a) 54. Răspuns corect c)21. Răspuns corect b) 55. Răspuns corect b)
22. Răspuns corect c) 56. Răspuns corect a)23. Răspuns corect d) 57. Răspuns corect c)24. Răspuns corect a) 58. Răspuns corect a)25. Răspuns corect c) 59. Răspuns corect a)26. Răspuns corect b) 60. Răspuns corect b)27. Răspuns corect c) 61. Răspuns corect d)28. Răspuns corect a) 62. Răspuns corect d)29. Răspuns corect a) 63. Răspuns corect d)30. Răspuns corect b) 64. Răspuns corect b)31. Răspuns corect a) 65. Răspuns corect c)32. Răspuns corect b) 66. Răspuns corect a.)33. Răspuns corect c) 67. Răspuns corect a.)34. Răspuns corect d)